JP2010123908A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】リードフレームに上下面を貫通する固定用空隙を形成し、リードフレームの上面と固定空間にモールド部を一体に成形してリードフレームとモールド部との間の接着力を高めることのできる発光装置を提供する。
【解決手段】胴体を上下方向に貫通する少なくとも1以上の固定用空隙がそれぞれ形成され、且つ、互いに離間して配置される多数のリードフレーム部と、前記多数のリードフレーム部のいずれか一つに実装される発光ダイオードチップと、前記リードフレーム部の上面及び前記固定用空隙に一体に成形されて前記発光ダイオードチップを保護するモールド部と、を備える発光装置。
【選択図】図4

Description

本発明は発光装置に係り、さらに詳しくは、リードフレームに上下面を貫通する固定用空隙を形成し、リードフレームの上面と固定用空隙にモールド部を一体に成形してリードフレームとモールド部との間の接着力を高めることのできる発光装置に関する。
一般に、発光装置には種々の発光チップが用いられる。例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)には、半導体のp−n接合構造を用いて注入された少数キャリア(電子または正孔)を作り出し、これらの再結合により発光される現象を用いた素子が用いられる。発光ダイオードは、既存の電球または蛍光灯に比べて消費電力が小さく、且つ、寿命が数倍から数十倍に至ることから、消費電力の節減と耐久性の側面から優れている。なお、狭い空間に設置可能であり、しかも、振動に強いという特性を有している。
かような発光ダイオードは、低電圧にて高効率の光が照射可能であることから、家電製品、電光板、表示紙及び各種の自動化機器に採用されている。最近では、機器の小型薄型化が進むに伴い、発光ダイオードもまた、プリント回路基板に直接的に実装されるために表面実装素子(SMD:Surface Mount Device)タイプに製造されている。特に、最近では、別途の絶縁体基板を用いることなく、リードフレームを基板の代わりに用いて、リードフレームの上にモールド部を直接的に形成するような発光装置が提案されている。
しかしながら、これは、モールド部がリードフレームの上面に限って形成されるような構造であるため、リフロー工程時に上昇する周辺温度などの外部要因によりモールド部がリードフレームから離脱し易く、その結果、リードフレームとモールド部との間の界面が増大するような現象が発生するという不都合があった。
この理由から、モールド部により封止された発光ダイオード及びワイヤーが空気及び水分に露出若しくは損傷されたり、モールド部の離隔により曲げ個所が途切れてしまったりするような現象が発生していた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光装置のリードフレームに上下方向に貫通する固定用空隙を形成し、モールド部の形成時にリードフレームの上面と固定用空隙に一体にモールド部を成形することによりリードフレームとモールド部との間の接着力を物理的に高めることのできる発光装置を提供するところにある。
上記の目的を達成するために、本発明による発光装置は、胴体を上下方向に貫通する少なくとも1つの固定用空隙がそれぞれ形成され、且つ、互いに離間して配置される多数のリードフレーム部と、前記多数のリードフレーム部のいずれか一つに実装される発光ダイオードチップと、前記リードフレーム部の上面及び前記固定用空隙に一体に成形されて前記発光ダイオードチップを保護するモールド部と、を備える。
前記固定用空隙は、前記多数のリードフレーム部が対向する領域及びリードフレームの両周縁領域の一部または全部に穿設される外縁部貫通孔を含む。
前記固定用空隙は、前記リードフレーム部の内部領域に穿設される少なくとも1以上の
内部貫通孔を含む。
前記固定用空隙の側壁には、上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように段付部
が形成される。
前記固定用空隙の側壁には、上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように斜面が形成される。
前記リードフレーム部の上面には、前記発光ダイオードチップを取り囲むリフレクターがさらに設けられる。
前記モールド部には、前記発光ダイオードチップから発せられた光の波長を変換する蛍光体がさらに設けられる。
本発明によれば、リードフレームの胴体を上下方向に貫通する固定用空隙を形成し、モールド部をリードフレームの上面及び固定用空隙に一体に成形することによりモールド部のリードフレームへの接着能を高めて、リードフレームとモールド部との間の界面が増大するような現象を防ぐことができるという効果がある。
また、固定空間は、上部の面積よりも下部の面積の方を広く形成することから、固定用空隙に形成されるモールド部の一部により、リードフレームの上面に形成されるモールド部がリードフレームから離脱するような現象を物理的に防ぐことができるという効果がある。
以下、添付図面に基づき、本発明による発光素子パッケージ及びこの製造方法を詳述する。
図1は、本発明の第1の実施形態による発光装置の斜視図であり、図2は、本発明の第1の実施形態による発光装置の底面斜視図であり、図3Aは、本発明の第1の実施形態によるリードフレームの底面図であり、図3Bは、本発明の第1の実施形態による発光装置の底面図である。
図1から図3Bに示すように、本発明による発光装置は、互いに離間して配置される多数のリードフレーム部10と、前記多数のリードフレーム部10のいずれか一つに実装される発光ダイオードチップ130と、前記リードフレーム部10の上面に成形されて前記発光ダイオードチップ130を保護するモールド部140と、を備えている。
リードフレーム部10は、前記発光ダイオードチップ130が実装されるか、あるいは、ワイヤー150を介して電気的に接続されることにより、発光ダイオードチップ130に外部電源を印加するための手段であって、この実施形態においては、リードフレーム部10を支持する別途の支持手段、例えば、絶縁体基板が設けられることなく、金属製のリードフレーム部10が基板の役割を兼ねている。例えば、前記リードフレーム部10は、所定の間隔だけ互いに離間して設けられる第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120を備えている。このとき、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120は、プレート状ではなく、凸状に形成されることが好ましい。
さらに、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120には胴体を上下方向に貫通する少なくとも1以上の固定用空隙20がそれぞれ形成される。
前記固定用空隙20は、モールド部140を第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上面に形成するときにモールド部140を形成するモールド樹脂が固定空間20に一緒に充填されるようにして、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上面に充填されるモールド樹脂と固定用空隙20に充填されるモールド樹脂とが一体に成形されることにより、リードフレーム部10の上面にモールド部140が強固に接着されるようにする手段である。
図示の如く、この実施形態における前記固定用空隙20は、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120が対向する領域及び第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120のそれぞれの周縁領域を取り囲む領域に穿設される外部貫通孔111、121である。このとき、前記外部貫通孔111、121は、上記した領域の一部または全部に穿設されていてもよい。この実施形態においては、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120が対向する領域及び第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の周縁領域のうち前記対向領域と隣り合う領域に互いに接続されるように穿設されている。
このとき、前記外縁部貫通孔111、121の側壁には、上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように段付部113、123が形成されることが好ましい。これにより、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上面に形成されるモールド部140が前記外縁部貫通孔111、121に延在し、外縁部貫通孔111、121の下部において成形されるモールド部140が前記段付部113、123に断続して前記モールド部140が第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120から離脱することを物理的に防ぐ。このように前記外部貫通孔111、121に形成されるモールド部140の下部の面積を上部の面積の方よりも広くする方法はこれに限定されることなく、種々の方法により変更実施可能である。これによる変形例は後述する。
発光ダイオードチップ130は、外部電源の印加により光を放射する手段であり、赤外線領域の光を発光するチップから紫外線領域の光を発光するチップまでのうちから選択的に採択可能である。発光ダイオードチップ130は前記第1のリードフレーム110に実装され、第2のリードフレーム120にはワイヤー150を介して電気的に接続される。前記ワイヤー150は、ワイヤー接合工程などにより金(Au)またはアルミニウム(Al)から形成される。
モールド部140は、前記発光ダイオードチップ130及びワイヤー150を封止して保護する手段であって、モールド部140の形成方法及びモールド部140の形状は種々に実現可能である。例えば、モールド部140は、断面が多角形状または半球状のキャビティーを有する金型を用い、金型のキャビティーにモールド樹脂を充填して成形するトランスファーモールド方式などにより形成可能である。この実施形態においては、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上面の一部及び外縁部貫通孔111、121にモールド樹脂が充填可能にキャビティー付き金型を用いてトランスファーモールド方式により成形している。このため、モールド部140は、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上面のうち、発光ダイオードチップ130及びワイヤー150が設けられる周辺領域及び固定空間20に一体に成形される。
前記モールド部140を形成するモールド樹脂としては、比較的に硬度が高くて透明なシリコン樹脂またはエポキシ樹脂が採用可能である。しかしながら、本発明はこれに限定されることなく、発光装置の用途に応じて、光が透過可能な程度に透明な樹脂であれば、いかなる材料も使用可能である。なお、前記発光ダイオードチップ130から発せられた光の波長を変換して種々のカラーを実現するために、種々の蛍光体(図示せず)が混合可能
である。
図4は、本発明の第2の実施形態による発光装置の斜視図であり、図5は、本発明の第2の実施形態による発光装置の底面斜視図であり、図6Aは、本発明の第2の実施形態によるリードフレームの底面図であり、図6Bは、本発明の第2の実施形態による発光装置の底面図である。
第2の実施形態による発光装置は、固定用空隙20の形状を変形した点を除いては、上述した第1の実施形態とほとんど同様であるため、以下においては、第1の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
図4から図6Bに示すように、第2の実施形態における固定用空隙20は、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の内部領域、すなわち、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の胴体に上下方向に連通するように穿設される少なくとも1以上の内部貫通孔115、125をさらに含んでいる。前記内部貫通孔115、125のサイズ、形状及び本数には制限がなく、モールド部140を形成するモールド樹脂が充填されて内部貫通孔115、125に形成されるモールド部140の一部が第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の上部に形成されるモールド部140と一体に形成可能であれば、いかなるサイズ、形状及び本数も採用可能である。この実施形態においては、円形、楕円形及び四角形など種々の形状の内部貫通孔115、125を形成している。このとき、前記内部貫通孔115、125には、第1の実施形態における外縁部貫通孔111、121の段付部113、123と同様に、内部貫通孔115、125の側壁には上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように段付部117、127を形成することにより、モールド部140が前記段付部113、117、123、127に断続して前記モールド部140が第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120から離脱することを防ぐことが好ましい。
第2の実施形態における固定用空隙20の形成に際し、外縁部貫通孔111、121と内部貫通孔115、125を同時に穿設しているが、外縁部貫通孔111、121を穿設することなく、内部貫通孔115、125だけを穿設して固定用空隙20を形成しても構わない。
図7から図9は、本発明の第3の実施形態による発光装置の断面図である。
図7から図9には、リフレクター160を設けたり、リードフレーム部10を変形したり、固定用空隙20を変形した第3の実施形態がそれぞれ示してあるが、この第3の実施形態は上述した第1及び第2の実施形態とほとんど同様であるため、以下においては、第1及び第2の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
図7に示す変形例においては、リードフレーム部10の上面の周縁に発光ダイオードチップ130から発せられる光を集中または散乱させるリフレクター160が形成される。このとき、リフレクター160の内側壁には光を反射させる反射面(図示せず)をさらに形成して、発光ダイオードチップ130から発せられる光を所望の方向に集中させたり、透明な材質のリフレクター160を用いて発光ダイオードチップ130から発せられる光を所望の方向に散乱させることができる。
前記リフレクター160は上述したトランスファーモールド方式により形成可能である。なお、モールド部140は、トランスファーモールド方式に加えて、リフレクター160の形成によるドット方式によっても形成可能である。
図8に示す変形例においては、上述した実施形態とは異なり、リードフレーム部10を、3つのリードフレームが互いに離間するように形成している。例えば、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120の間に、第3のリードフレーム170を、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120から離間するように形成し、前記第3のリードフレーム170に発光ダイオードチップ130を実装している。このとき、前記発光ダイオードチップ130と第3のリードフレーム130との間の接合面は絶縁させることが好ましい。なお、発光ダイオードチップ130を2本のワイヤー150a、150bを用いて第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120にそれぞれ電気的に接続する。
このとき、前記第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120に外縁部貫通孔111、121及び内部貫通孔115、125をそれぞれ穿設し、外縁部貫通孔111、121及び内部貫通孔115、125に段付部113、117、123、127を形成することと同様に、第3のリードフレーム170にも外縁部貫通孔171及び内部貫通孔175を穿設し、外縁部貫通孔171及び内部貫通孔175の壁面に段付部173、177を形成することにより、モールド部140とリードフレーム部10との間の接着力を高める。なお、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120にはリフレクター160が形成されていてもよい。
図9に示す変形例は、固定用空隙の形状を変形したものであり、この変形例においては、第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120に外部固定孔111、121及び内部貫通孔115、125を穿設するときに、上部の面積よりも下部の面積の方を広くするために段付部113、117、123、127を形成する代わりに、外縁部貫通孔111、121及び内部固定孔115、125に上部から下部に向かって面積が次第に広くなるように斜面118、119、128、129を形成している。前記斜面160は、図示のように必ずしも固定用空隙20の内壁の全体に亘って形成されるとは限らず、固定用空隙20の内壁のうち一部の領域にのみ形成されてもよい。これにより、前記外縁部貫通孔111、121及び内部貫通孔115、125に充填されて成形されるモールド部140の一部の形状によりモールド部140が第1のリードフレーム110及び第2のリードフレーム120から離脱することを防ぐことができる。
以上、本発明を図面及び実施形態を参照して説明したが、当該技術分野における通常の当業者にとっては、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的な思想から逸脱しない範囲内において本発明を種々に修正及び変更させることができるということが理解できるであろう。
本発明の第1の実施形態による発光装置の斜視図である。 本発明の第1の実施形態による発光装置の底面斜視図である。 本発明の第1の実施形態によるリードフレームの底面図である。 本発明の第1の実施形態による発光装置の底面図である。 本発明の第2の実施形態による発光装置の斜視図である。 本発明の第2の実施形態による発光装置の底面斜視図である。 本発明の第2の実施形態によるリードフレームの底面図である。 本発明の第2の実施形態による発光装置の底面図である。 本発明の第3の実施形態による発光装置の断面図である。 本発明の第3の実施形態による発光装置の断面図である。 本発明の第3の実施形態による発光装置の断面図である。
符号の説明
10:リードフレーム部、
20:固定用空隙、
110:第1のリードフレーム、
120:第2のリードフレーム、
111、121、171:外縁部貫通孔、
115、125、175:内部貫通孔、
113、117、123、127:段付部、
118、119、128、129:斜面、
130:発光ダイオードチップ

Claims (7)

  1. 胴体を上下方向に貫通する少なくとも1以上の固定用空隙がそれぞれに形成され、且つ、互いに離間して配置される2つ以上のリードフレーム部と、
    前記リードフレーム部のうちのいずれか一つに実装される発光ダイオードチップと、
    前記リードフレーム部の上面を覆い、かつ前記固定用空隙に一体に成形されて前記発光ダイオードチップを保護するモールド部と、
    を備える発光装置。
  2. 前記固定用空隙は、前記2つ以上のリードフレーム部が対向する領域及びリードフレームの周縁領域の一部または全部に穿設される外縁部貫通孔を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記固定用空隙は、前記リードフレーム部の内部領域に穿設される少なくとも1以上の内部貫通孔を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記固定用空隙の側壁には、上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように段付部が形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記固定用空隙の側壁には、上部の面積よりも下部の面積の方が広くなるように斜面が形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記リードフレーム部の上面には、前記発光ダイオードチップを取り囲むリフレクターがさらに設けられることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  7. 前記モールド部には、前記発光ダイオードチップから発せられた光の波長を変換する蛍光体がさらに設けられることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
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PL (1) PL3392920T3 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010238833A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
JP2012074663A (ja) * 2010-09-03 2012-04-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及び発光装置用パッケージアレイ
JP2012519973A (ja) * 2009-03-10 2012-08-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品
JP2013016709A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Toshiba Corp 半導体装置
JP2013106047A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明装置
JP2014060371A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014060370A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014135489A (ja) * 2013-01-14 2014-07-24 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
JP2014165197A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014225643A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 ローム株式会社 半導体装置
JP2015041722A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2015162656A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 Shマテリアル株式会社 Led用リードフレーム
JP2016019000A (ja) * 2014-07-08 2016-02-01 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2016019001A (ja) * 2014-07-08 2016-02-01 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2016225655A (ja) * 2016-09-21 2016-12-28 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2017041570A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 株式会社カネカ 発光素子実装用樹脂成形体、表面実装型発光装置、及び発光素子実装用樹脂成形体に用いるリードフレーム
JP2020027827A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7413485B2 (ja) 2013-04-16 2024-01-15 ローム株式会社 半導体装置

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
CN101420007B (zh) * 2008-10-23 2010-12-29 旭丽电子(广州)有限公司 一种led晶片的封装结构和封装方法
US8829685B2 (en) * 2009-03-31 2014-09-09 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same
US8120055B2 (en) * 2009-04-20 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
US9269875B2 (en) * 2009-05-20 2016-02-23 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light emitter
TW201128812A (en) 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
KR101177896B1 (ko) * 2010-03-02 2012-08-28 희성전자 주식회사 에스엠디 타입 엘이디 램프
TW201214804A (en) * 2010-03-09 2012-04-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package, and display apparatus and lighting system having the same
TWI561770B (en) 2010-04-30 2016-12-11 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting device package, light source module, backlight unit, display apparatus, television set, and illumination apparatus
JP2012028743A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
KR101689396B1 (ko) * 2010-07-07 2016-12-23 서울반도체 주식회사 발광 소자
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
KR101198860B1 (ko) 2010-11-08 2012-11-07 주식회사 파워라이텍 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ledモジュール
KR101675588B1 (ko) * 2011-03-07 2016-11-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101762174B1 (ko) * 2011-03-25 2017-08-07 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 제조방법
CN102760824B (zh) * 2011-04-29 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101865272B1 (ko) * 2011-07-26 2018-06-07 삼성전자주식회사 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
KR20130096094A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
CN103367598A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
DE102012211220A1 (de) * 2012-06-28 2014-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen
KR101936289B1 (ko) * 2012-07-17 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102019498B1 (ko) * 2012-10-11 2019-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
TW201417343A (zh) * 2012-10-22 2014-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝結構及大照明角度的發光二極體燈具
CN103887398B (zh) * 2012-12-22 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR101974354B1 (ko) 2013-02-14 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US9748164B2 (en) * 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
KR102053287B1 (ko) * 2013-04-29 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101655505B1 (ko) * 2013-06-13 2016-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101689397B1 (ko) * 2013-06-28 2016-12-23 서울반도체 주식회사 발광 소자
TWI610465B (zh) * 2013-10-07 2018-01-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及製作方法
JP5910653B2 (ja) 2014-03-18 2016-04-27 トヨタ自動車株式会社 放熱板付きリードフレーム、放熱板付きリードフレームの製造方法、半導体装置、および半導体装置の製造方法
KR102161272B1 (ko) * 2014-03-25 2020-09-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US11690148B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
CN104269488A (zh) * 2014-10-21 2015-01-07 江苏稳润光电有限公司 一种高可靠性led封装结构及方法
USD786203S1 (en) * 2015-02-24 2017-05-09 Nichia Corporation Light emitting diode
KR101896692B1 (ko) * 2015-03-26 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102413302B1 (ko) * 2015-11-24 2022-06-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치
KR102486034B1 (ko) * 2015-11-27 2023-01-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR102528014B1 (ko) * 2015-11-27 2023-05-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
WO2017091051A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
CN105679770B (zh) * 2016-01-28 2019-02-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
JP6790416B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10153412B2 (en) * 2016-08-11 2018-12-11 Institute of Nuclear Energy Research, Atomic Energy Council, Executive Yuan, R.O.C. Package structure for ultraviolet light-emitting diode
US11677059B2 (en) * 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
CN107086265A (zh) * 2017-06-02 2017-08-22 厦门立达信绿色照明集团有限公司 发光二极管模组跟灯具装置
JP6637003B2 (ja) * 2017-09-08 2020-01-29 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ
CN110197867A (zh) 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN109285935A (zh) * 2018-11-07 2019-01-29 东莞市亿晶源光电科技有限公司 一种通体发光led灯珠及灯串

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077278A (ja) * 1999-10-15 2001-03-23 Amkor Technology Korea Inc 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド
JP2003068962A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Rohm Co Ltd 半導体装置製造用のフレームおよび半導体装置の製造方法
JP2006066813A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2007067443A (ja) * 2003-02-18 2007-03-15 Sharp Corp 半導体発光装置および電子撮像装置
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1219320C (zh) * 1998-05-20 2005-09-14 罗姆股份有限公司 半导体器件
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US20020066905A1 (en) * 2000-06-20 2002-06-06 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
WO2005008784A1 (ja) * 2003-07-17 2005-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
US20070068055A1 (en) * 2003-10-08 2007-03-29 Segan Marc H Fordable modular light array
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
WO2006016398A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
TWI277223B (en) * 2004-11-03 2007-03-21 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED package
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP2007027433A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置
US7537374B2 (en) * 2005-08-27 2009-05-26 3M Innovative Properties Company Edge-lit backlight having light recycling cavity with concave transflector
JP2007157296A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20070290220A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Bily Wang Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP5168152B2 (ja) * 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20100163920A1 (en) * 2007-06-14 2010-07-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077278A (ja) * 1999-10-15 2001-03-23 Amkor Technology Korea Inc 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド
JP2003068962A (ja) * 2001-08-30 2003-03-07 Rohm Co Ltd 半導体装置製造用のフレームおよび半導体装置の製造方法
JP2007067443A (ja) * 2003-02-18 2007-03-15 Sharp Corp 半導体発光装置および電子撮像装置
JP2006066813A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8946756B2 (en) 2009-03-10 2015-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
JP2012519973A (ja) * 2009-03-10 2012-08-30 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス半導体部品
JP2010238833A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
JP2012074663A (ja) * 2010-09-03 2012-04-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及び発光装置用パッケージアレイ
JP2013016709A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Toshiba Corp 半導体装置
JP2013106047A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明装置
US10128423B2 (en) 2011-11-16 2018-11-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting apparatus having the same
JP2014060370A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014060371A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014135489A (ja) * 2013-01-14 2014-07-24 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
US9136452B2 (en) 2013-01-14 2015-09-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting apparatus having the same
US9564564B2 (en) 2013-01-14 2017-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting apparatus having the same
JP2014165197A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2014225643A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 ローム株式会社 半導体装置
US9859182B2 (en) 2013-04-16 2018-01-02 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP7413485B2 (ja) 2013-04-16 2024-01-15 ローム株式会社 半導体装置
US10312171B2 (en) 2013-04-16 2019-06-04 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015041722A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2015162656A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 Shマテリアル株式会社 Led用リードフレーム
JP2016019001A (ja) * 2014-07-08 2016-02-01 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2016019000A (ja) * 2014-07-08 2016-02-01 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2017041570A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 株式会社カネカ 発光素子実装用樹脂成形体、表面実装型発光装置、及び発光素子実装用樹脂成形体に用いるリードフレーム
JP2016225655A (ja) * 2016-09-21 2016-12-28 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP2020027827A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

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