KR20080005851A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080005851A
KR20080005851A KR1020070064182A KR20070064182A KR20080005851A KR 20080005851 A KR20080005851 A KR 20080005851A KR 1020070064182 A KR1020070064182 A KR 1020070064182A KR 20070064182 A KR20070064182 A KR 20070064182A KR 20080005851 A KR20080005851 A KR 20080005851A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
mounting surface
synthetic resin
emitting device
mounting
Prior art date
Application number
KR1020070064182A
Other languages
English (en)
Inventor
카츠유키 오키무라
Original Assignee
엔이씨 라이팅 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔이씨 라이팅 가부시키가이샤 filed Critical 엔이씨 라이팅 가부시키가이샤
Publication of KR20080005851A publication Critical patent/KR20080005851A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 장치는 직사각형 장착면 및 상기 장착면의 각 사이드로부터 직립한 측벽에 의해 규정된 장착 공간을 포함하는 세라믹 패키지, 장착 상에 배치된 전극 패드, 전극 패드 상에 배치된 발광 소자, 장착 공간을 채우는 몰드된 합성 수지를 포함한다. 장착면은 전극 패드로 덮이지 않아 세라믹 패키지의 세라믹 베이스가 상기 모서리에서 노출되는 모서리를 포함한다.
발광 장치, 세라믹 패키지

Description

발광 장치{LIGHT-EMITTING DEVICE}
도 1의 A는 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치의 평면도.
도 1의 B는 도 1의 A의 X-X'선을 따라 취해진 단면도.
도 1의 C는 도 1의 A의 Y-Y'선을 따라 취해진 단면도.
도 2는 일반 발광 장치의 평면도.
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 일본 특허출원 제2006-189493(2006.07.10)의 우선권 주장 출원이다.
본 발명은 세라믹 패키지에 장착된 발광 소자를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다.
종래의 기술
패키지에 배치된 발광 소자('LED 칩'으로도 불림)를 포함하는 발광 장치가 알려져 있다. 패키지는 합성 수지 또는 세라믹으로 이루어진다. 세라믹은 합성 수 지보다 낮은 열저항을 갖고 LED칩의 열을 효과적으로 방출할 수 있다는 장점이 있다.
세라믹 패키지를 채용한 발광 장치는 일반적으로, 세라믹 패키지에서 장착 공간에 배치된 LED 칩이 몰드된 합성 수지에 넣어져 있는 구성을 갖는다.
세라믹 패키지에서 가능한 한 큰 LED 칩을 장착하거나, 세라믹 패키지에서 가능한 한 많은 LED칩을 장착하기 위해 , 즉, 세라믹 패키지에서 가능한한 큰 유효 장착 영역을 얻기 위해, 세라믹 패키지에서 직사각형 장착면을 구비하는 것이 바람직하다. 이러한 직사각형 장착 영역을 구비하는 이유는, 직사각형 면형상인 LED 칩이 원형 또는 타원형 장착면과 같은 비-직사각형 장착면상에 장착되면, 세라믹 패키지에서 큰 데드 스페이스가 발생하고 세라믹 패키지에서 유효 장착 영역이 감소되기 때문이다.
지금까지, 장착 공간의 하부상에서 직사각형 장착면에 가능한 한 큰 전극 패드를 형성했고, 전극 칩상에 LED 칩을 배치했다. 싱글 전극 패드가 형성되어야 하면, 전체 장착면상에 형성된다. 복수의 전극 패드가 형성되는 경우에는, 첨부한 도 2에 도시된 바와 같이, 전극 패드(50)가 그 사이에 필요한 최소의 여유공간만을 두고 형성되고, LED 칩(51)이 전극 패드(50) 중에서 선택된 전극 패드에 배치된다. 전극 패드(50) 사이에 배치된 여유 공간은 전기적 절연을 제공하는 기능을 한다. 어느 경우에나, 직사각형 장착면이 전극 패드(50)로 덮여진 4개의 모퉁이를 갖는 것을 도 2에서 볼 수 있다.
그러나, 장착면(장착 공간)이 직사각형 형상이면, 장착 공간을 채우는 몰드 된 합성 수지가 확장되고, LED 칩이 가열되고 냉각됨으로써 수축되면, 몰드된 합성 수지에서 발생한 응력이 장착 공간의 모서리에 집중되어, 몰드된 합성 수지가 박리되는 경향이 있다.
JP-A-2004-111937에는 세라믹 패키지에서 캐비티를 채우는 몰드된 합성 수지가 캐비티의 내벽면상의 광 반사재로부터 박리되는 것을 방지하기 위해 광 반사재 주위에서 세라믹 베이스가 노출되는 발광 장치가 기재되어 있다.
상기 JP-A-2004-111937에 기재된 세라믹 패키지의 캐비티는 필히 타원형이고, 장착 공간으로서, 장착면으로서 기능하는 비-직사각형 하부를 갖는다. 상기는 JP-A-2004-111937에 기재된 발명이 몰드된 합성 수지가 확장되고 수축됨으로써 발생되는 응력이 장착 공간의 특정 지점에 집중될 때 몰드된 합성 수지가 박리된다는 문제를 해결하기 위한 기술에 관한 것이 아니기 때문입니다. 결과적으로, JP-A-2004-111937에 기재된 발명은 장착면이 직사각형이고 전극 패드가 가능한 한 넓은 장착면에 형성될 때 야기되는 장착 공간의 모서리에서 몰드된 합성 수지가 박리되는 것을 방지할 수 없습니다.
따라서, 장착 영역의 증가 및 몰드된 합성 수지의 박리 사이에서 트레이드 오프된다. 장착 영역의 크기의 증가에 우선권이 주어지면, 몰드된 합성 수지가 박리되기 쉬워지고, 몰드된 합성 수지가 박리되지 않으면, 장착면은 원형 또는 타원형과 같이 자유로운 모서리의 형상을 가져야 할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 발광 소자를 장착하기 위한 장착면이 직사각형 형상이어서 장착 영역의 크기가 증가되더라도, 몰드된 합성 수지가 잘 박리되지 않는 구조의 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 이루기 위해, 본 발명에 따르면, 직사각형 장착면 및 상기 장착면의 각 사이드로부터 직립한 측벽에 의해 구획된 장착 공간을 포함하는 세라믹 패키지, 장착면 상에 배치된 전극 패드, 전극 패드 상에 배치된 발광 소자, 및 장착 공간을 채우는 몰드된 합성 수지를 포함하는 발광 장치를 제공한다. 세라믹 패키지의 세라믹 베이스 및 전극 패드로 덮이지 않은 장착면의 모서리는 노출된다.
본 발명에 따른 발광 장치에서, 몰드된 합성 수지는 장착면의 모서리에서 세라믹 베이스에 접촉 유지된다. 따라서, 장착면의 모서리에서 장착면에 대한 몰드된 합성 수지의 결합력은 장착면의 다른 영역에서 몰드된 합성 수지의 결합력보다 크다. 따라서 세라믹 패키지에서 장착면을 채우는 몰드된 합성 수지가 확장 및 수축되고 그로 인해 발생되는 응력이 장착면의 모서리에 집중될 때, 몰드된 합성 수지가 장착면으로부터 박리되기 어려워진다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 효과는 본 발명의 예를 나타내는 첨부된 도면을 참조하여 이하에 더욱 명확히 설명된다.
도 1 의 A 내지 C를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치를 이하에 기술한다.
도 1의 A 내지 C에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 세라믹 패키지(1)에서 장착 공간(2)에 장착된 발광 소자, 즉, 발광 소자(R), 발광 소자(G), 발광 소자(B)를 포함한다. 발광 소자(R)는 적색광을 방출하고, 발광 소자(G)는 녹색광을 방출하고, 발광 소자(B)는 청색광을 방출한다. 따라서, 본 실시예에 따른 발광 장치는 가산혼합에 의해 백색광을 방출한다.
세라믹 패키지(1)는 직사각형(도시된 실시예에서는 정사각형) 하부면(3) 및 하부면(3)의 각 사이드로부터 수직 상향으로 연장되거나 직립한 측벽(4)을 포함한다. 장착 공간(2)은 측벽(4)의 내부로 정의되고, 하부면(3)이 장착면으로서 기능한다.
7개의 전극 패드가 장착면(3)에 형성되고, 대응하는 발광 소자에 전기적으로 접속된다. 특히, 발광 소자(R)는 전극 패드(10r)에 배치되고, 발광 소자(R)의 상부 전극은 본딩 와이어에 의해 두개의 전극 패드(11r)에 전기적으로 접속된다. 발광 소자(G)는 Ag 페이스트와 같은 전도성 접착제에 의해 발광 소자(G)의 안쪽(reverse side)상에 하부 전극(도시되지 않음)에 전기적으로 접속된 전극 패드(12g)상에 배치된다. 전극 패드(13g)는 본딩 와이어에 의해 발광 소자(G)의 상부 전극에 전기적으로 접속된다. 발광 소자(B)는 Ag 페이스트와 같은 전도성 접착제에 의해 발광 소자(B)의 안쪽(reverse side)상에 하부 전극(도시되지 않음)에 전기적으로 접속된 전극 패드(14b)상에 배치된다. 전극 패드(15b)는 본딩 와이어에 의해 발광 소자(B)의 상부 전극에 전기적으로 접속된다. 도 1의 A에 명확히 도시된 바와 같이, 장착면(3)은 어떠한 전극 패드로도 덮이지 않은 4개의 모서리(20)를 갖는다. 이들 모서리(20)에서 세라믹 패키지(1)의 세라믹 베이스가 노출된다.
발광 소자(R,G,B)가 장착된 장착면(2)은 몰드된 합성 수지(30)으로서 기능하 는 실리콘 수지로 채워진다. 설명된 실시예에서, 몰드된 합성 수지(30)는 편형한 상부면을 갖는다. 그러나, 몰드된 합성 수지(30)의 상부면은 조개 형상으로 돌출될 수 있다. 설명된 실시예에 따른 발광 장치는 백색광을 얻기 위해 상이한 색의 광을 방사하는 복수의 발광 소자(R,G,B)를 포함한다. 그러나, 몰드된 합성 수지(30)에서 형광체가 분산되어 단일 발광 소자로도 백색광을 얻을 수도 있다. 예를 들어, 발광 소자(B)로부터 방출된 청색광에 의해 여기됨으로써, 녹색광 및 적색광을 발광하기 위해 형광체가 몰드된 합성 수지(30)에서 분산된다. 발솽 소자(B)로부터 방출된 청색광 및 분산된 형광체로부터 방출된 녹색 및 적색광이 백색광을 생성한다.
어느 경우에나, 세라믹 베이스가 장착면(3)의 4개의 모서리에서 노출되므로, 장착 공간(2)를 채우는 몰드된 합성 수지(30) 대부분이 장착면(3)상에서 전극 패드와 접촉유지되는 동안, 몰드된 합성 수지(30)가 장착면(3)의 4개의 모서리에서 세라믹 베이스와 직접 접촉하여 유지된다. 세라믹 베이스가 합성 수지에 대해 전극 패드(금속)보다 더 접착성이 있으므로, 장착면(3)의 4개의 모서리에서 몰드된 합성 수지의 접착력은 장착면(3)의 다른 영역에서 몰드된 합성 수지의 접착력보다 크다. 따라서, 몰드된 합성 수지(30)가 장착 공간(2)에서 확장 및 수축되고 그로 인해 발생하는 응력이 장착 공간(2)의 4개의 모서리에 집중되더라도, 몰드된 합성 수지(30)는 장착면(3)으로부터 박리되기 어렵다.
장착면(3)의 4개의 모서리에서 세라믹 베이스를 노출시키기 위해, 전극 패드(11r, 12g, 14b)가 형성된 후 부분적으로 제거되거나, 장착면(3)의 4개의 모서리를 피하여 패턴이 형성될 수 있다.
설명된 실시예에서, 발광 소자(B, G)는 상부 및 하부면에 전극을 가지며, 발광 소자(R)는 그 상부면에 두개의 전극을 갖는다. 그러나, 본 발명은 적절히 장착된 동일한 구조의 복수의 발광 소자 또는 적절히 장착된 단일 발광 소자를 포함하는 발광 장치에 적용될 수 있다. 이들 다른 발광 장치는 설명된 발광 장치와 동일한 방법으로 동작하고 동일한 장점을 갖는다. 장착 공간을 채우는 몰드된 합성 수지는 에폭시 수지일 수도 있다. 그러나, 온도 변화가 있거나 단파장으로 광이 조사될 때, 실리콘 수지가 에폭시 수지보다 덜 열화되므로, 실리콘 수지가 발광 소자를 감싸는데 더욱 바람직하다.
본 발명의 양호한 실시예를 특정하여 설명하였으나, 이러한 기재는 설명을 위한 것으로, 첨부된 청구항의 범위 및 본질에서 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변화될 수 있다.
본 발명은 발광 소자를 장착하기 위한 장착면이 직사각형 형상이어서 장착 영역의 크기가 증가되더라도, 몰드된 합성 수지가 잘 박리되지 않는 구조의 발광 장치를 제공할 수 있다

Claims (2)

  1. 직사각형 장착면 및 상기 장착면의 각 사이드로부터 직립한 측벽에 의해 규정된 장착 공간을 포함하는 세라믹 패키지;
    상기 장착면 상에 배치된 전극 패드;
    상기 전극 패드 상에 배치된 발광 소자; 및
    상기 장착 공간을 채우는 몰드된 합성 수지를 포함하고,
    상기 장착면은 상기 전극 패드로 덮이지 않아 상기 세라믹 패키지의 세라믹 베이스가 상기 모서리에서 노출되는 모서리를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 장착면은 상기 발광 소자의 평면 형상과 유사한 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
KR1020070064182A 2006-07-10 2007-06-28 발광 장치 KR20080005851A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00189493 2006-07-10
JP2006189493A JP2008021670A (ja) 2006-07-10 2006-07-10 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080005851A true KR20080005851A (ko) 2008-01-15

Family

ID=38918355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070064182A KR20080005851A (ko) 2006-07-10 2007-06-28 발광 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7508008B2 (ko)
JP (1) JP2008021670A (ko)
KR (1) KR20080005851A (ko)
CN (1) CN101106847A (ko)
TW (1) TW200818549A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008003971A1 (de) * 2008-01-11 2009-07-16 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit Schutzrahmen
US8907482B2 (en) * 2012-11-08 2014-12-09 Honeywell International Inc. Integrated circuit package including wire bond and electrically conductive adhesive electrical connections
CN107331751A (zh) * 2017-07-06 2017-11-07 庞绮琪 能够延长led使用寿命的封装结构
CN107195757A (zh) * 2017-07-06 2017-09-22 庞绮琪 一种led封装结构
US11552220B2 (en) * 2018-02-26 2023-01-10 Kyocera Corporation Electronic component mounting package for mounting a light-emitting element, electronic device, and electronic module

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61152046A (ja) 1984-12-26 1986-07-10 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP3034814B2 (ja) * 1997-02-27 2000-04-17 沖電気工業株式会社 リードフレーム構造及び半導体装置の製造方法
JP4407204B2 (ja) 2002-08-30 2010-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3878579B2 (ja) * 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200818549A (en) 2008-04-16
JP2008021670A (ja) 2008-01-31
US20080006841A1 (en) 2008-01-10
US7508008B2 (en) 2009-03-24
CN101106847A (zh) 2008-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9461225B2 (en) Light emitting device
KR101360732B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100764432B1 (ko) 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP4123105B2 (ja) 発光装置
US6060729A (en) Light-emitting device
KR100653645B1 (ko) 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
US8158996B2 (en) Semiconductor light emitting device package
KR100634189B1 (ko) 박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US8952404B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
JP5470627B2 (ja) 発光素子パッケージおよびその製造方法
KR101488451B1 (ko) 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
KR100976607B1 (ko) 씨오엠(ｃｏｍ) 형 발광다이오드 패키지, 이를 이용한 발광다이오드 모듈 및 그 제조방법
JP2009177187A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20200066943A1 (en) Light-emitting apparatus
KR20080005851A (ko) 발광 장치
KR101653395B1 (ko) 멀티 칩 엘이디 패키지
KR100646405B1 (ko) 히트 씽크 일체형 발광 다이오드
JP2007201354A (ja) 発光モジュール
KR100634303B1 (ko) 발광 다이오드
KR20090030130A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP2007142051A (ja) 発光モジュール
KR20130043835A (ko) 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 이를 포함하는 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application