JP2015037130A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】特性及び信頼性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、側面の一部に第1の主面から第2の主面まで切欠きが形成された基板と、基板の第1の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、基板の第1の主面に配置され、発光素子の電極と接続された第1電極と、基板の第2の主面に配置された第2電極と、発光素子を覆って基板の第1の主面上に配置された透光性樹脂とを備え、第1電極と第2電極とが切欠きの表面に配置された側面金属膜によって電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、側面の一部に第1の主面から第2の主面まで切欠きが形成された基板と、基板の第1の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、基板の第1の主面に配置され、発光素子の電極と接続された第1電極と、基板の第2の主面に配置された第2電極と、発光素子を覆って基板の第1の主面上に配置された透光性樹脂とを備え、第1電極と第2電極とが切欠きの表面に配置された側面金属膜によって電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、フリップチップ実装された発光素子を有する発光装置に関する。
発光ダイオード(LED)などの発光素子を光源に用いた発光装置が実用化されている。例えば、一枚のシート上に多数の発光素子を多連化して形成することで検査の自動化や量産化を容易にした発光装置(例えば特許文献1参照。)や、発光素子の周囲に反射板(リフレクタ)を兼ねた壁部を配置した発光装置(例えば特許文献2参照。)が提案されている。
特許文献1に記載された発光装置は、印刷配線基板と枠状絶縁基板とを積層した積層基板の枠内部に発光素子を組み込んだ構造である。このため、枠状絶縁基板による光吸収によって光取り出し効率が低下する。更に、積層する基板間に隙間が生じ、封止樹脂や光の漏れが発生する場合がある。また、特許文献2に記載された発光装置では、リフレクタ用の樹脂が劣化した場合に光取り出し効率が低下する。
このように、発光素子を用いた発光装置について特性の低下や信頼性に対する対応が未だ不十分である。本発明は、特性及び信頼性の安定した発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、(イ)互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、側面の一部に第1の主面から第2の主面まで切欠きが形成された基板と、(ロ)基板の第1の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、(ハ)基板の第1の主面に配置され、発光素子の電極と接続された第1電極と、(ニ)基板の第2の主面に配置された第2電極と、(ホ)発光素子を覆って基板の第1の主面上に配置された透光性樹脂とを備え、第1電極と第2電極とが切欠きの表面に配置された側面金属膜によって電気的に接続されている発光装置が提供される。
本発明によれば、特性及び信頼性の安定した発光装置を提供できる。
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
本発明の実施形態に係る発光装置1は、図1に示すように、互いに対向する第1の主面101と第2の主面102を有する基板10と、基板10の第1の主面101上にフリップチップ実装された発光素子20と、発光素子20を覆って基板10の第1の主面101上に配置された透光性樹脂30とを備える。基板10の第1の主面101には、発光素子20の素子電極21と接続された第1電極11が配置されている。そして、基板10の第2の主面102には第2電極12が配置されている。
発光素子20は、例えばLEDチップである。発光素子20の基板10に対向する面に、アノード電極211とカソード電極212が配置されている。素子電極21とは、カソード電極212及びアノード電極211の総称である。発光素子20と基板10間の電気的接続にボンディングワイヤが使用されていないため、例えば透光性樹脂30の変形などによるボンディングワイヤの切断や変形が発生しない。このため、発光装置1では、発光素子20と基板10間の電気的接続が安定している。発光素子20の素子電極21には、金スズ(AuSn)膜などを採用可能である。
フリップチップ実装された発光素子20では、発光素子20の発熱源である半導体層側が基板10に対向する。このため、熱伝導性の低いサファイア基板などの発光素子20の基体側が基板10と接触する場合に比べて、発光装置1では発光素子20からの熱を第1電極11を介して効率的に基板10に放熱できる。したがって、発光装置1では特性の低下が抑制され、且つ信頼性が向上する。なお、発光素子20の基体には、サファイア基板のほかに炭化珪素(SiC)基板などが使用される。
基板10はセラミック基板であり、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミニウム(AlN)基板、窒化珪素(SiN)基板などを採用可能である。フリップチップ実装される発光素子20との密着性を考慮すると、基板10は熱膨張係数が小さい材料が好ましい。このため、AlN基板やSiN基板などが好適に採用される。
図2に示すように、第1の主面101及び第2の主面102と隣接する基板10の側面の一部には、切欠き103が形成されている。図2に示した例では、基板10の四隅に切欠き103が形成されている。図1に示すように、切欠き103は第1の主面101から第2の主面102まで形成される。なお、図2では透光性樹脂30の図示を省略している。また、図2では第1電極11及び側面金属膜13を破線のハッチングで示している。太線は、後述する反射膜40の外縁である。
発光装置1では、切欠き103の表面に配置された側面金属膜13によって、第1電極11と第2電極12とが安定して電気的に接続されている。このため、発光装置1の信頼性が向上すると共に、接続不良による特性の低下が防止される。なお、図1に示すように、第1電極11は、発光素子20のアノード電極211に接続する配線パターン11Aと発光素子20のカソード電極212に接続する配線パターン11Bとを有する。そして、配線パターン11Aは側面金属膜13を介して第2電極12の配線パターン12Aに電気的に接続され、配線パターン11Bは側面金属膜13を介して第2電極12の配線パターン12Bに電気的に接続される。
発光装置1によれば、基板10の内部を貫通するビアホールによって第1電極11と第2電極12とを接続する必要がない。このため、発光装置1の製造コストを抑制できる。なお、ビア内部に埋め込まれることの多い有機系材料は熱伝導率が低いために放熱性が低い。これに対し、発光装置1では、切欠き103に配置した側面金属膜13によっても発光素子20からの熱が効率的に放熱される。このため、基板10にサーマルビアを形成しなくても、発光装置1の信頼性を確保できる。また、加熱工程で有機系材料が収縮してビアホール内部にボイドが発生しやすく、これによりビアホール内で電気的接続が切断するという問題がある。発光装置1では、側面金属膜13によって第1電極11と第2電極12とが安定して電気的に接続される。
第1電極11は、図3に示すように、膜厚が50μm〜100μm程度の厚い銅膜111からなる下層の上に、膜厚が例えば0.05μm〜3μm程度のNi−Au膜112からなる上層を配置した構造などが採用される。銅膜111は銅めっきなどによって形成される。銅膜111に膜厚の厚い厚銅めっきを採用することによって、放熱性が向上するという効果を奏する。ただし、銅膜111の膜厚が厚すぎると第1電極11のパターニングが困難になり、薄いと放熱性が低下するという問題が生じる。発明者らの研究・調査により、第1電極11の銅膜111の膜厚は50μm〜100μm程度が適切であるという知見が得られた。
なお、Ni−Au膜112のNi膜は発光素子20の素子電極21であるAuSn膜との接合に寄与し、Au膜は第1電極11の酸化防止に寄与する。
また、銅膜111の表面粗さは、発光素子20の素子電極21の膜厚に応じて設定される。これは、発光素子20を基板10にフリップチップ実装する場合に第1電極11の平坦性が低いと、発光素子20の素子電極21と第1電極11との密着性が低下して、発光素子20が基板10から剥離する場合があるためである。
このため、発光素子20の素子電極21の膜厚よりも銅膜111の表面粗さを小さくする。ただし、素子電極21に使用されるAuSn材は高価であるため、素子電極21の膜厚は薄いことが好まれる。例えば、素子電極21の膜厚は3μm程度である。このため、第1電極11の銅膜111の表面の算術平均粗さRaは2μm以下であることが好ましい。
銅膜111の形成には、以下のような方法を採用可能である。例えば70μmの膜厚で銅膜を形成する。そして、表面研磨によって表面の粗さを2μm以下にしつつ、銅膜111の膜厚を50μmに調整する。
上記のように、厚銅めっきを第1電極11に採用することにより、発光装置1の放熱性が向上する。また、厚銅めっきの表面を研磨することによって発光素子20のフリップチップ実装に対応できると共に、放熱性が更に向上する。
なお、側面金属膜13にも、第1電極11と同様に、厚銅めっきなどを採用可能である。側面金属膜13に厚銅めっきを採用することにより、発光装置1に発生した熱が側面金属膜13からも効率的に放出される。
基板10の第2の主面102上に配置された第2電極12には、第1電極11と同様に、厚銅めっきを採用できる。ただし、第2電極12の表面は研磨しなくてもよい。或いは、他の金属膜を基板10の第2の主面102上に形成して第2電極12としてもよい。
第2電極12は、図4に示すようにプリント基板100上に発光装置1を配置した場合に、発光素子20の素子電極21とプリント基板100上のパターン電極110とを電気的に接続する。このとき、第2電極12の配線パターン12Aが、プリント基板100上のパターン電極110の配線パターン110Aに接続される。そして、第2電極12の配線パターン12Bが、プリント基板100上のパターン電極110の配線パターン110Bに接続される。つまり、第2電極12、側面金属膜13、及び第1電極11を介して、発光素子20の素子電極21とプリント基板100のパターン電極110とが電気的に接続される。
なお、発光装置1はプリント基板100に半田付けによって固着される。このとき、基板10の側面には、図4に示すように半田200がフィレット形状に付着する。一般的には、基板10とプリント基板100とがムラなく良好に半田付けされているか否かを確認するために、基板10とプリント基板100との間で半田200が十分に広がっているかなどをX線を使用して透視するなどの方法が採られる。しかし、発光装置1の場合には、切欠き103における半田200の這い上がりを目視により確認できる。したがって、発光装置1によれば、X線装置などを使用せずに、発光装置1とプリント基板100の半田付け状態を容易に確認することができる。その結果、発光装置1の信頼性を向上させることができる。
また、発光装置1では、第1の主面101上に発光素子20の出射光を反射する反射膜40が配置されている。反射膜40は、反射率の高い絶縁性の材料である。反射膜40には、有機材料などからなる白色ペーストなどが好適に採用される。反射膜40は、図1や図2に示すように、発光素子20の配置された領域の残余の領域において第1の主面101上に配置される。
このため、第1の主面101において、発光素子20の出射光が反射膜40で反射される。その結果、第1電極11や基板10自体の反射率に関わらず、高い反射率を得ることができる。
例えば図3に示すように第1電極11の最上層にAu膜が配置された場合、Auの反射率は70%程度であるため、第1電極11における発光素子20からの出射光の反射率は低い。しかし、反射膜40を第1の主面101上に配置することによって、発光素子20からの出射光が高い反射率で反射される。具体的には、白色ペーストの場合の反射率は95%程度である。
放熱性を考慮すると、熱伝導率が20W/m・kと低いアルミナ基板よりも、熱伝導率が170W/m・k程度のAlN基板や90W/m・k程度のSiN基板が、基板10に好適である。一方、AlN基板やSiN基板は灰色であり、白色のアルミナ基板に比べて表面での反射率が小さい。つまり、発光素子20の出射光を効率的に反射することができない。
しかし、白色ペーストの反射膜40を第1の主面101に塗布することにより、熱伝導率の高いAlN基板などを基板10に採用した場合にも高い反射率を得ることができる。つまり、反射膜40を第1の主面101に配置することによって、反射率の大小に関わらず、熱伝導率の高い基板10を使用することができる。
また、白色ペーストなどの反射膜40によって第1電極11を被覆することによって、第1電極11が保護されると共に、第1電極11の劣化が抑制される。このため、発光装置1の信頼性を向上できる。
透光性樹脂30は、発光素子20の封止材及び発光装置1のレンズとして機能する。発光素子20の出射光を透過する樹脂であれば、透光性樹脂30に熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を採用可能である。透光性樹脂30に透明樹脂を使用することによって、発光素子20の出射光と同色の出力光Lを発光装置1から出力できる。
或いは、透光性樹脂30に蛍光体樹脂を採用してもよい。発光素子20の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体樹脂からなる層を透光性樹脂30が有することにより、所望の色の出力光Lを発光装置1から出力できる。また、発光装置1から、発光素子20の出射光と励起光とが混色された出力光Lを出力させることも可能である。なお、図5に示すように、蛍光体樹脂31と透明樹脂32とを積層して透光性樹脂30を構成してもよい。
上記のように、発光装置1の出力光Lに対する所望の色に応じて、透光性樹脂30の構造、材料を任意に選択可能である。
例えば、出射光が青色光の発光素子20を使用した場合に、青色光に励起されて黄色光を放射するイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)などを透光性樹脂30に含まれる蛍光体として用いる。このとき、発光素子20から出射された青色光の一部が蛍光体を励起することにより、黄色光に波長変換される。蛍光体から放射された黄色光と発光素子20から出射された青色光とが混合されることにより、白色の出力光Lが発光装置1から出力される。
なお、白色の出力光Lを得るための発光素子20の出射光と蛍光体との組み合わせはこれに限られるものではない。例えば、近紫外光を出射する発光素子20と、近紫外光によって励起されて赤色光、緑色光、及び青色光を放射する蛍光体を透光性樹脂30に含有させてもよい。もちろん、発光装置1の出力光Lが白色光以外の場合にも、発光素子20の出射光と蛍光体との種々の組み合わせを採用可能である。例えば、透明樹脂としてエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを採用可能である。また、蛍光体樹脂として前記の透明樹脂に蛍光材料、反射材料、拡散材などを混合したものなどを採用可能である。
以下に、発光装置1の製造方法の例を説明する。
先ず、基板10の第1の主面101及び第2の主面102上に、厚銅めっきを形成する。このとき、既に説明したように、第1の主面101上には銅膜111に所望の膜厚よりも厚く厚銅めっきを形成し、表面を研磨することによって表面粗さの小さい銅膜111を形成する。
その後、基板10の第1の主面101上に反射膜40を形成する。例えば、白色ペーストを所定のパターンに印刷し、160℃〜500℃で焼成する。これにより、発光素子20が配置される領域を除いた領域に白色ペーストを配置する。
次いで、基板10の第1の主面101の所定の領域に発光素子20を配置する。このとき、例えば300℃程度の温度で加熱して、第1の主面101上の第1電極11と発光素子20の素子電極21とを接合する。
そして、発光素子20を覆うように、基板10の第1の主面101上に透光性樹脂30を形成する。例えば、設定温度160℃程度のトランスファーモールド法により、透光性樹脂30を形成する。
同一のセラミック基板に複数の発光装置1を形成した場合には、セラミック基板を個々の発光装置1に切り離す。そして、所定の特性を満たすか否か、発光装置1毎に試験を行う。
なお、基板10の四隅に切欠き103が形成する場合には、例えば図6に示すように、個々の発光装置1毎に切り離す前のセラミック基板150に、破線で示した発光装置1同士の接続線の交差部に貫通孔160が設けられている。そして、セラミック基板150の主面上に厚銅めっきを形成すると、貫通孔160の内壁面にも厚銅めっきが形成される。このため、セラミック基板150を個々の発光装置1に切断した場合に、発光装置1の四隅には、表面に厚銅めっきが配置された切欠き103が形成される。一方、切欠き103以外の基板10の側面には、セラミック基板150の切断面が露出する。
図2では、基板10の四隅に切欠き103を形成する例を示したが、切欠き103を形成する位置はこれに限られない。例えば図7に示すように、基板10の対向する2辺の中央付近に形成してもよい。或いは、4辺それぞれの中央付近に切欠き103を形成してもよい。
また、図1では透光性樹脂30がドーム型である例を示した。しかし、透光性樹脂30の形状はドーム型に限られない。
例えば図8に示すように透光性樹脂30が角型であったり、図9に示すように透光性樹脂30が逆円錐型であったりしてもよい。
なお、透光性樹脂30がドーム型の場合には、図1に示したように、出力光Lはドーム型の透光性樹脂30の頂点方向に出力される。これに対し、図8に示した透光性樹脂30が角型の場合には、出力光Lは発光装置1の上方に放射状に出力される。また、図9に示した透光性樹脂30が逆円錐型の場合には、出力光Lは発光装置1の上方に更に放射状に広がって出力される。
以上に説明したように、本発明の実施形態に係る発光装置1では、基板10の側面に切欠き103を形成し、切欠き103の表面に第1電極11と第2電極12とを電気的に接続する側面金属膜13を配置する。これにより、第1電極11と第2電極12とを安定して電気的に接続できる。このため、特性や信頼性の安定した発光装置1を実現できる。更に、基板10にビアホールの形成が必要ないため、製造コストを抑制できる。
また、発光装置1をプリント基板100上に半田付けする際に、切欠き103において半田の這い上がりを目視で確認できる。このため、発光装置1とプリント基板100の半田付け状態を容易に確認でき、発光装置1の信頼性を向上させることができる。
更に、第1電極11や側面金属膜13を厚銅めっきで構成することにより、発光装置1の放熱性を向上できる。これにより、発光装置1の特性や信頼性の低下が抑制される。
なお、図1に示すように、発光素子20の周囲には壁部が配置されていない。このため、例えば発光素子20の周囲に配置された壁部の壁面に配置されたリフレクタ用の樹脂が劣化するなどして、光取り出し効率が低下することがない。更に、発光素子20の周囲に壁部を配置しないことによって、発光装置1の配光性の自由度が増している。
(その他の実施形態)
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、基板10上に配置された発光素子20が1つである例を示したが、発光装置1が複数の発光素子20を備えてもよい。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
L…出力光
1…発光装置
10…基板
11…第1電極
12…第2電極
13…側面金属膜
20…発光素子
21…素子電極
30…透光性樹脂
40…反射膜
100…プリント基板
101…第1の主面
102…第2の主面
111…銅膜
112…Ni−Au膜
150…セラミック基板
200…半田
1…発光装置
10…基板
11…第1電極
12…第2電極
13…側面金属膜
20…発光素子
21…素子電極
30…透光性樹脂
40…反射膜
100…プリント基板
101…第1の主面
102…第2の主面
111…銅膜
112…Ni−Au膜
150…セラミック基板
200…半田
Claims (9)
- 互いに対向する第1の主面と第2の主面を有し、側面の一部に前記第1の主面から前記第2の主面まで切欠きが形成された基板と、
前記基板の前記第1の主面上にフリップチップ実装された発光素子と、
前記基板の前記第1の主面に配置され、前記発光素子の電極と接続された第1電極と、
前記基板の前記第2の主面に配置された第2電極と、
前記発光素子を覆って前記基板の前記第1の主面上に配置された透光性樹脂と
を備え、前記第1電極と前記第2電極とが、前記切欠きの表面に配置された側面金属膜によって電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 前記第1電極が、膜厚が50μm乃至100μmの銅膜からなる層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記銅膜の表面の算術平均粗さが2μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記側面金属膜が、膜厚が50μm乃至100μmの銅膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子の配置された領域の残余の領域において前記第1の主面上に配置された、前記発光素子の出射光を反射する反射膜を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記反射膜が絶縁性の白色ペーストであることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 前記透光性樹脂が透明樹脂であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性樹脂が、前記発光素子の出射光によって励起されて励起光を放射する蛍光体を含有する蛍光体樹脂からなる層を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光性樹脂が、前記蛍光体樹脂からなる層と透明樹脂からなる層を重ねた積層構造を有することを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
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JP2020181936A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
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- 2013-08-14 JP JP2013168497A patent/JP2015037130A/ja active Pending
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