TWI675497B - 發光裝置封裝及搭載發光裝置之封裝 - Google Patents

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Abstract

一種封裝，用以在該封裝上搭載發光裝置。該封裝包括一基板、一發光裝置搭載部分以及一第一與一第二貫穿線路。該發光裝置搭載部分包含形成在該基板的一表面上的一線路，該線路包含平面圖上彼此相對且以一既定區間分離的兩區域。該第一與該第二貫穿線路貫穿該基板且各別設置在該兩區域，每該第一與每該第二貫穿線路包含電性連接到該發光裝置搭載部分的一末端以及由該基板的另一表面暴露出來的另一末端。每該第一與每該第二貫穿線路的一部分包含一最大部分，該最大部分的平面形狀大於每該第一與該第二貫穿線路的該末端的平面形狀。

Description

發光裝置封裝及搭載發光裝置之封裝
在此討論的實施例是關於用於搭載發光裝置的封裝(發光裝置搭載封裝)以及具有發光裝置搭載在上的封裝(發光裝置封裝)。
近年來，提出了在上搭載如發光二極體(Light Emitting Diode)的發光裝置的封裝(發光二極體搭載封裝)。舉例而言，發光二極體搭載封裝可包含基板和貫穿線路。基板的一表面形成有發光二極體的連接墊(如墊被連接到發光二極體)且另一表面形成有外部連接墊(如墊被連接到外部連接裝置)。貫穿線路連接發光二極體連接墊與外部連接墊(舉例而言，請見國際出版冊No.WO 2004/084319)。
然而，在通孔內形成貫穿線路之後，發光二極體搭載封裝需要在基板(如陶瓷基板)的一表面與另一表面各自形成發光二極體連接墊與外部連接墊兩者。因此，為了製造發光二極體搭載封裝需要很多道製程。這造成了發光二極體搭載封裝的製造成本增加。
降低製造發光二極體搭載封裝的成本的一個方法 是，發光二極體搭載封裝可以不用在基板的另一表面上形成外部連接墊的方式製造，取代的是，使用由基板另一表面暴露出來的貫穿線路部分作為外部連接墊。
然而，因為貫穿線路和通孔的側壁沒有彼此接 合，這方法可能缺乏足夠的接合強度。結果，導致發生所謂的「拔出」(unsheathing)現象。當由基板在分離發光二極體連接的方向施加一拉力時，發光二極體連接墊和貫穿線路會脫離基板。
根據本發明的一個樣態，提供一個封裝，用以在該封裝上搭載發光裝置。該封裝包括一基板、一發光裝置搭載部分以及一第一與一第二貫穿線路。該發光裝置搭載部分包含形成在該基板的一表面上的一線路，該線路包含平面圖上彼此相對且以一既定區間分離的兩區域。該第一與該第二貫穿線路貫穿該基板且各別設置在該兩區域，每該第一與每該第二貫穿線路包含電性連接到該發光裝置搭載部分的一末端以及由該基板的另一表面暴露出來的另一末端。每該第一與每該第二貫穿線路的一部分包含一最大部分，該最大部分的平面形狀大於每該第一與該第二貫穿線路的該末端的平面形狀。
藉由特別在申請專利範圍中所指出的構件及組合可實現及獲得本發明的目標和優點。
須了解的是，前述一般說明和下列更詳細的說明只是做為例示與解釋之用，不用以限制申請專利範圍中所涵蓋的本發明。
1、1A、1B、1C、1D、1E‧‧‧發光裝置搭載封裝
10‧‧‧基板
10x‧‧‧鏈輪孔
20‧‧‧接著層
30、30A、31、31A、32、32A‧‧‧線路
33‧‧‧匯流線
40、41、42、43、44、45‧‧‧電鍍膜
50、50A、51、51A、51C、51B、52、52A、52B、52C‧‧‧貫穿線路
50x‧‧‧通孔
60‧‧‧絕緣層
61‧‧‧反射膜
70‧‧‧接著層
80‧‧‧金屬構件
80x‧‧‧鏈輪孔
81‧‧‧反射板
82‧‧‧邊框部分
83‧‧‧懸吊部分
81x‧‧‧開口部分
100、100B、100C、100D‧‧‧發光裝置封裝
110‧‧‧發光裝置
111、112‧‧‧凸塊
120‧‧‧封裝樹脂
125‧‧‧金屬基板
130‧‧‧金屬板
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧線路層
155‧‧‧防銲層
155x、155y‧‧‧開口部分
160‧‧‧接合部分
190‧‧‧保護構件
500‧‧‧遮罩膠帶
M‧‧‧最大部分
T‧‧‧突出量
W‧‧‧寬度
圖1是根據本發明第一實施例的發光裝置搭載封裝的平面圖。
圖2A與圖2B是繪示圖1的A部分的放大圖。
圖3A至圖3B是根據本發明一實施例的一最大部分的示意圖。
圖4是根據本發明第一實施例的發光裝置封裝的剖面圖。
圖5A至圖5B是繪示製造第一實施例的發光裝置搭載封裝(第一部分)的步驟的示意圖。
圖6A至圖6D是繪示製造第一實施例的發光裝置搭載封裝(第二部分)的步驟的示意圖。
圖7A至圖7C是繪示製造第一實施例的發光裝置搭載封裝(第三部分)的步驟的示意圖。
圖8是根據本發明第二實施例的發光裝置搭載封裝的剖面圖。
圖9是根據本發明第三實施例的發光裝置搭載封裝的平面圖。
圖10A與圖10B繪示圖9的D部分的放大圖。
圖11是根據本發明第三實施例的發光裝置封裝的剖面圖。
圖12A至圖12C是繪示製造第三實施例的發光裝置搭載封裝的步驟的示意圖。
圖13是根據第三實施例的第一變化例的發光裝置搭載封裝的剖面圖。
圖14是根據第三實施例的第一變化例的發光裝置封裝的剖面圖。
圖15A至圖15B是根據本發明第四實施例的發光裝置搭載封裝的示意圖(第一部分)。
圖16A至圖16B是繪示第四實施例的發光裝置搭載封裝的示意圖(第二部分)。
圖17是根據本發明第五實施例的發光裝置搭載封裝的一例的剖面圖。
下一步，本發明的實施例將參照附隨的圖式加以說明。在所有的圖式中，類似的元件(或部分)會以類似的參考符號標示。因此，省略具有類似參考符號的類似的元件(或部分)的詳細描述。
<第一實施例> <第一實施例的發光裝置搭載封裝的結構>
首先，描述根據本發明第一實施例的發光元件搭載封裝的結構1(此後參照為「發光裝置搭載封裝」)。圖1是第一實施例的發光裝置搭載封裝1的平面圖。圖2A與圖2B是繪示圖1的A部分(如圖1中虛線所圍繞的部分)的放大圖。圖2A是A部分的平面圖。圖2B是圖2A沿著B-B線的剖面圖。
參照圖1、圖2A與圖2B。舉例而言，發光裝置搭載封裝1包含基板10、接著層20、線路30(線路31、32與匯流線33)、電鍍膜40(電鍍膜41至45)、貫穿線路50(貫穿線路 51與52)以及絕緣層60。須注意的是，物體的「平面圖」代表由垂直基板10上或下表面的方向看著物體。物體的「平面圖形狀」代表由垂直基板10上或下表面的方向所看到物體的形狀。
圖2A與圖2B中以雙點虛線框出的C區域，相當於發光裝置搭載封裝1的單個獨立單元4區域(此後參照為「個別封裝區域C」)，可沿著雙點虛線切割發光裝置搭載封裝1取得。即，發光裝置搭載封裝1包含多個個別封裝區域C，其中每個個別封裝區域C裝配為具有單個發光裝置搭載其上。須注意的是，雖然圖1的發光裝置搭載封裝1包含60個個別封裝區域C，包含在發光裝置搭載封裝1上的個別封裝區域C的數目並不限於60個個別封裝區域C。
舉例而言，具有彈性的絕緣樹脂膜可作為發光裝置搭載封裝1的基板10。舉例而言，絕緣樹脂膜可為聚亞醯胺(polyimide)型樹脂(聚亞醯胺膠帶)所形成的薄膜、環氧(epoxy)型樹脂所形成的薄膜或聚酯(polyester)形樹脂所形成的薄膜。然而，基板10不限於具有彈性的絕緣樹脂膜。舉例而言，成分FR4(Flame Retardant 4，阻燃劑4)的玻璃環氧樹脂可作為基板10。舉例而言，基板10的厚度為大約12微米(μm)至75微米。
接著層20附著到基板10的一表面上。線路31、線路32與匯流線33附著到基板10上，中間夾著接著層20。舉例而言，由絕緣樹脂(如環氧型接著劑或聚亞醯胺型接著劑)形成的熱阻接著劑可形成接著層20。舉例而言，接著層20的 厚度大約為8微米至18微米。
多個鏈輪孔10x形成在基板10的兩個末端(舉例而言，如圖1所示)。鏈輪孔10x以大體上相同的區間依序排列在既定方向。在一個例子中，為了在上搭載發光裝置，發光裝置搭載封裝1附著到搭載用具，鏈輪孔10x作為通孔，可嚙合由馬達或類似物驅動的鏈輪的對應梢，使得發光裝置搭載封裝1可被間距供料(pitch-fed)。
根據搭載用具到附著發光裝置搭載封裝1的位置，可決定基板10的寬度(和鏈輪孔10x排列方向正交的方向)。舉例而言，基板10的寬度大約為40釐米(mm)至90釐米。換句話說，基板10的長度(鏈輪孔10x排列的方向)可任意決定。
圖1的發光裝置搭載封裝1包含10列個別封裝區域C。然而，在一例子中，具有彈性的絕緣樹脂膜作為基板10，藉由增加基板10的長度以及將發光裝置搭載封裝1形成膠帶的形狀，發光裝置搭載封裝1可包含更多列的個別封裝區域C(如大約100列)。在此例中，發光裝置搭載封裝1以纏繞成捲的方式運送。
表面被電鍍膜40(45)覆蓋的匯流線33排列在鏈輪孔10x之間，鏈輪孔10x排列在基板10的兩末端。匯流線33包圍整個個別封裝區域C，封裝區域C以垂直和水平方向排列在發光裝置搭載封裝1上。當以電鍍方法在線路31與32上形成電鍍膜40(41、42)時，匯流線33用以輸入電力。線路31與32在發光裝置搭載封裝1內組成發光裝置搭載部分，線路31與32電性連接到匯流線33。下面將詳細描述使用匯流線33 在線路30上形成電鍍膜40的方法。
在每個個別封裝區域C，線路31與32設置在基板10的一表面上，中間夾著接著層20。線路31電性連接到貫穿線路51的一末端，貫穿線路51穿透基板10與接著層20。線路32電性連接到貫穿線路52的一末端，貫穿線路52穿透基板10與接著層20。
舉例而言，貫穿線路51的另一末端與貫穿線路52的另一末端大體上各自和基板10的另一表面切齊。須注意的是，兩貫穿線路51被連接到線路31，且兩貫穿線路52被連接到線路32。
由熱輻射性質的觀點來看，多個貫穿線路51與多個貫穿線路52兩者偏好設置在基板10內。不過，可提供每個貫穿線路51與每個貫穿線路52中之一。每個線路31與每個線路32中至少一個設置在基板10上。然而，在發光裝置搭載封裝1被切割且個別封裝區域C被排列在既定的平面上後，由達到封裝平衡的觀點來看，偏好提供和每個線路31與32相符的兩個或更多的貫穿線路51與52。舉例而言，在一例中，個別封裝區域C的平面圖形狀為方形，偏好提供貫穿線路(連接終端)51與52之一在個別封裝區域C的每個角落。舉例而言，在金屬基板上的搭載封裝(如發光裝置搭載封裝或發光裝置封裝)的例子中，藉由在個別封裝區域C的角落提供貫穿線路51與52，可防止封裝搭載時位置傾斜。
為了方便起見，不同的參考符號用以區別貫穿線路51與52。然而，須注意的是，貫穿線路51與貫穿線路52 兩者在相同步驟形成，且貫穿線路51與貫穿線路52兩者使用相同的材料。在一例中，如不需要區別貫穿線路51與貫穿線路52，貫穿線路51與貫串線路52整體可稱為「貫穿線路50」。 更進一步，貫穿線路51與52暴露的部分可參照為「連接終端」。舉例而言，銅(Cu)可作為貫穿線路50的材料。
舉例而言，貫穿線路50的一末端的平面圖形狀(如貫穿線路50接觸線路30的一末端)可為圓形。在此例中，舉例而言，貫穿線路50的一末端的平面圖形狀的直徑大約0.5釐米至1釐米。然而，因為貫穿線路50不只對電性連接有幫助，且對熱輻射也有幫助。貫穿線路50的一末端的平面圖形狀的直徑可大於1釐米，舉例而言，可改善熱輻射。或者，舉例而言，貫穿線路50的一末端的平面圖形狀可為方形或橢圓形。藉由形成貫穿線路50的一末端的平面圖形狀為方形，可得到較大的線路30接觸面積。因此，可進一步改善熱輻射(見下述第四與第五實施例)。
此外，埋在基板10的部分貫穿線路50包含一最大部分M，最大部分M的平面圖形狀大於貫穿線路50的一末端的平面圖形狀。舉例而言，藉由將剖面圖上貫穿線路50的兩側面形成圓弧形，可形成最大部分M。即，基板10厚度方向上的部分貫穿線路50(如基板10的厚度方向上的貫穿線路50的中心部分)可在水平方向擴張，使得貫穿線路50的側面形成圓弧形的剖面。
然而，貫穿線路50的擴張部分的剖面不限於具有圓弧形兩側面的貫穿線路50。舉例而言，如圖3A所示，藉由 形成剖面圖上大體為V字型的貫穿線路50的兩側面(如大體上最大部分M為六角形剖面)，可形成最大部分M。即，在基板10厚度方向的部分貫穿線路50可在水平方向擴張，使得貫穿線路50的側面大體上形成V字型。或者，如圖3B所示，藉由形成剖面圖上更複雜形狀的貫穿線路50的兩側面，可形成最大部分M。
因為部分貫穿線路50包含最大部分M，最大部分M的平面圖形狀大於貫穿線路50的一末端的平面圖形狀，可防止線路30與貫穿線路50的「拔出」。
線路31與線路32被絕緣層60覆蓋，絕緣層60幾乎完全布滿整個個別封裝區域C(除了某些部分以外)。部分的線路31與部分的線路32從絕緣層60暴露出來。電鍍膜41、42、43與44形成在暴露出線路31與32的絕緣層60的區域。
偏好絕緣層60在鄰近的個別封裝區域C的邊界部分暴露出接著層20的表面。當切割發光裝置搭載封裝1成一個個的個別封裝區域C時，藉由提供絕緣層60在鄰近的個別封裝區域C之間暴露出邊界部分，絕緣層60的邊框部分可防止碎裂或脫離。因此，可防止絕緣層60的表面區域的減少，且可防止絕緣層60的反射率降低。更進一步，在此例中，當切割發光裝置搭載封裝1成一個個的個別封裝區域C時，絕緣層60的邊框部分相對於基板10的邊框部分位於更內側(縮回)。
在一例中，絕緣層60不會發生碎裂或類似情形，絕緣層60可設置在接著層20的整個表面上，接著層20包含鄰近的個別封裝區域C間的邊界部分的接著層20表面。在此 例中，絕緣層60的側表面、基板10的側表面與接著層20的側表面大體上彼此切齊。
為方便起見，不同的參考符號用以指出線路31、線路32與匯流線33每個。然而，須注意的是線路31、線路32與匯流線33在相同步驟中形成，且使用相同的材料形成線路31、線路32與匯流線33。更進一步，在一例中，當不需要區別線路31、線路32與匯流線33時，線路31、線路32與匯流線33整體可參照為「線路30」。舉例而言，銅可作為線路30的材料。舉例而言，線路30的厚度大約12微米至35微米。
類似地，為方便起見，不同的參考符號用以指出電鍍膜41至45每個。然而，須注意的是，電鍍膜41至45在相同步驟中形成，且使用相同的材料形成電鍍膜41至45。更進一步，在一例中，當不需要區別電鍍膜41至45時，電鍍膜41至45整體可參照為「電鍍膜40」。
舉例而言，電鍍膜40可為鎳金膜(Ni/Au)-包含鎳(或鎳合金)與金(或金合金)、鎳鈀金膜(Ni/Pd/Au)-包含鎳(或鎳合金)、鈀(或鈀合金)與金(或金合金)、鎳鈀銀金膜-包含鎳(或鎳合金)、鈀(或鈀合金)、銀(或銀合金)與金(或金合金)。或者，舉例而言，電鍍膜可為銀膜-包含銀(或銀合金)、鎳銀膜-包含鎳(或鎳合金)與銀(或銀合金)、鎳鈀銀膜-包含鎳(或鎳合金)、鈀(或鈀合金)、銀(或銀合金)。須注意的是，「AA/BB膜」代表AA膜與BB膜以此順序疊層在目標物體上。同樣的道理可應用到三層或多層膜的疊層結構上。
在形成電鍍膜40的材料之中，金膜(或金合金膜) 的厚度與銀膜(或銀合金膜)的厚度各別偏好為0.1微米或更厚。在形成電鍍膜40的材料之中，鈀膜(或鈀合金膜)的厚度偏好為0.005微米。在形成電鍍膜40的材料之中，鎳膜(或鎳合金膜)的厚度偏好為0.5微米或更厚。須注意的是，一般而言，類似於電鍍膜40的電鍍膜會設置在貫穿線路50的另一末端。
為了增加由搭載在封裝片區域C的發光裝置輻射光的反射率，且增加由發光裝置的輻射熱的熱輻射，可設置絕緣層60。舉例而言，絕緣層60的材料可為包含填充劑或二氧化鈦(TiO2)顏料或硫酸鋇(BaSO4)的矽氧(silicone)型樹脂(如環氧型樹脂、有機聚矽氧(organopolysiloxane))。或者，絕緣層60的材料可為白色墨水，包含上述用於絕緣層60的材料。
由平面圖上，線路31與線路32組成兩個區域，兩個區域彼此面對且以既定區間彼此分離，這兩個區域組成發光裝置搭載部分。換句話說，在每個封裝片區域C的發光裝置搭載部分大體上包含在基板10整個表面上作為面(平面)的金屬層。藉由在金屬層形成既定狹縫(間隙)，面對彼此的兩個區域(線路31與線路32)被分離。須注意的是，既定間隙(狹縫)的寬度相對於發光裝置一電極與另一電極之間的間隙。
發光裝置部分的邊緣相對於基板10的邊緣更向內(縮回)。因此，當發光裝置搭載封裝被切割成個別封裝片區域C時，發光裝置部分的側面(線路31與線路32)不會被暴露，使得當使用發光裝置搭載封裝時，不會發生短路或類似情形。
發光裝置搭載在發光裝置搭載部分。因此，形成在部分發光裝置搭載部分的電鍍膜41與42之一被連接到發光 裝置的一電極，而電鍍膜41與42中另一個被連接到發光裝置的另一電極。即，上面有電鍍膜41的部分線路31以及上面有電鍍膜42的部分線路32彼此面對排列且以既定區間彼此分離。電鍍膜41是連接部分，被連接到發光裝置的電極之一。電鍍膜42是連接部分，被連接到發光裝置的電極之另一個。作為發光裝置搭載部分的線路31被連接到直接設置在線路31下方的貫穿線路51。作為發光裝置搭載部分的線路32被連接到直接設置在線路32下方的貫穿線路52。因此，由發光裝置釋放的熱可藉由貫穿線路51與52有效地輻射出去。
進一步，上面有電鍍膜41的部分線路31與上面有電鍍膜42的部分線路32彼此面對且以既定區間彼此分離。因此，保護構件可被搭載在電鍍膜41與42上。電鍍膜41與42之一被連接到保護構件的電極之一，而電鍍膜41與42中另一個被連接到保護構件的電極的另一個。即，電鍍膜41是連接部分，被連接到保護構件的電極之一。且電鍍膜42是連接部分，被連接到保護構件的電極之另一個。然而，不一定需要搭載保護構件。即，可根據需求，搭載保護構件。
保護構件上面可搭載齊納二極體(Zener diode)。在搭載齊納二極體的例子中，在電鍍膜41與電鍍膜42之中，具有高電位勢(發光裝置的正側)的那一個假設為陽極側。且在電鍍膜41與電鍍膜42之中，具有低電位勢(發光裝置的負側)的那一個假設為陰極側。在電鍍膜41與電鍍膜42之間搭載齊納二極體，可避免電鍍膜41與電鍍膜42之間的電壓相同或大於既定電壓(齊納電壓)。因此，可保護被搭載的發光裝置。
在平面圖上，線路31與線路32彼此面對且以既定區間彼此分離的區域，部分線路31形成一凸部分而部分線路32形成一凹部分。因此，線路31的凸部分可被收置在線路32的凹部分內。因此，線路31的凸部分和線路32的凹部分作為被連接的連接部分，各自連接到發光二極體的電極或另一個電極。更進一步，在平面圖上，線路31與線路32線性地彼此面對且以既定區間彼此分離的區域(如除了線路31的凸部分和線路32的凹部分以外的部分線路31與32)作為連接部分，連接部分被連接到保護構件的電極。在圖2A繪示的例子中，線路31的凸部分與線路32的凹部分大體上設置在平面圖上線路31與線路32彼此面對且以既定區間彼此分離的區域的中心。更進一步，被連接到保護構件的電極的連接部分位於線路31與32下面。不過，線路31與32的凸部分、凹部分與連接部分排列不限於圖2A所示的排列方式。
線路31、32形成上述圖形的原因是搭載保護構件的部分盡可能遠離搭載發光裝置的部分。在一例中，保護構件搭載在發光裝置的鄰近處，保護構件可能阻擋由發光裝置輻射出的部分的光且減少發光裝置的照度(illumination)。如圖2A與圖2B所示的圖形排列線路31與32，保護構件可盡可能地遠離發光裝置而搭載，可防止保護構件直接搭載在發光裝置旁邊。因此，可避免發光裝置的照度減少。不過，線路31與線路32的圖形不限於上述的圖形。
圖4是根據本發明第一實施例的發光裝置封裝100的剖面圖。參照圖4，藉由切割發光二極體搭載封裝1成一個 個的個別封裝區域C、在個別封裝區域C中發光裝置搭載部分(線路31與線路32)搭載發光裝置110、用封裝樹脂120封裝發光裝置110且接著在金屬基板125上搭載發光裝置110(被搭載在發光裝置搭載封裝)，取得發光裝置封裝100。
舉例而言，發光二極體110可為包含形成陽極終端的一末端與形成陰極終端的另一末端的發光二極體(Light Emitting Diode，LED)。發光二極體110不限於發光二極體(LED)。舉例而言，面發光雷射可作為發光二極體。舉例而言，封裝樹脂120可為包含螢光材料的絕緣樹脂(如環氧型樹脂、矽氧型樹脂)。
在下列的實施例中，發光裝置110以發光二極體(LED)說明，且發光裝置封裝100以發光二極體(LED)封裝說明。因此，發光裝置110也可參照為「發光二極體(LED)110」，且發光裝置封裝100也可參照為「發光二極體(LED)封裝100」。
舉例而言，平面圖上，搭載在發光裝置搭載封裝1上的發光二極體110的尺寸可為0.3釐米(長)×0.3釐米(寬)、1.0釐米(長)×1.0釐米(寬)或1.5釐米(長)×1.5釐米(寬)。
凸塊111與凸塊112形成在發光二極體110上。凸塊111是發光二極體110的電極終端之一且凸塊112是發光二極體110的電極終端之另一個。凸塊111與112其中之一是陽極終端，而凸塊111其中之另一個是陰極終端。舉例而言，凸塊111與112為覆晶(flip-chip)接合到電鍍膜41與42。決定電鍍膜41與42之間的區間以符合搭載在電鍍膜41與42上的發光二極體110的凸塊111與凸塊112之間的區間(如60微米)。
在發光二極體封裝100、上面搭載發光二極體110的發光裝置搭載封裝進一步搭載在金屬基板125上。金屬基板125包含作為熱輻射部分(熱輻射板)的金屬板130、形成在金屬板130一表面上的絕緣層140、形成在絕緣層140上的線路層150以及覆蓋線路層150的一選擇部分的防銲層155。
開口部分155x與開口部分155y形成在防銲層155上。部分線路層150由開口部分155x與開口部分155y每個暴露出來。由開口部分155x暴露出來的部分線路層150此後參照為「墊150A」，且由開口部分155y暴露出來的部分線路層150此後參照為「外部連接墊150B」。
舉例而言，具有符合要求的熱傳導性的銅或鋁可作為金屬板130的材料。舉例而言，金屬板130的厚度約100微米至500微米。然而，在需要熱輻射的一例中，金屬板130的厚度可約數釐米。舉例而言，如環氧型樹脂或矽氧型樹脂的絕緣樹脂可作為絕緣層140的材料。舉例而言，銅可作為線路層150的材料。
部分貫穿線路51由基板10的另一表面暴露出來，且藉由銲料或導電膏形成的接合部分160，墊150A之一電性連接到部分貫穿線路150(連接終端)。即，藉由貫穿線路51、線路31與電鍍膜41，墊150A之一電性連接到凸塊111(如發光二極體110的電極終端之一)。
類似地，藉由銲料或導電膏形成的接合部分160，墊150A之另一個電性連接到部分貫穿線路52(連接終端)。即，藉由貫穿線路52、線路32與電鍍膜42，墊150A之另一 個電性連接到凸塊112(如發光二極體110的電極終端之另一個)。
舉例而言，外部連接墊150B被連接到設置在發光裝置封裝100外邊的電源或驅動電路。因此，在發光二極體110的凸塊111與凸塊112之間，藉由產生既定位勢差，使發光二極體110輻射出光。進一步，當發光二極體110點亮時，發光二極體110會產生熱。
由發光二極體110產生的熱藉由電鍍膜41與線路31傳送到貫穿線路51。進一步，由發光二極體110產生的熱藉由墊150A之一與絕緣層140傳送到金屬板130。類似地，由發光二極體110產生的熱藉由電鍍膜42與線路32傳送到貫穿線路52。進一步，由發光二極體110產生的熱藉由墊150A之另一個與絕緣層140傳送到金屬板130。然後，傳送到金屬板130的熱由金屬板130輻射出去。
因此，搭載在發光裝置搭載部分的發光二極體110與熱輻射主要貢獻的金屬基板125之間，貫穿線路51與52組成電連接路徑。此外，貫穿線路51與52組成熱輻射路徑，以傳送由發光二極體110產生的熱到金屬基板125的金屬板130。
因為貫穿線路51與52位在發光二極體110的鄰近處(如直接在發光二極體110下方)，由發光二極體110產生的熱可有效地傳送到金屬板130且從金屬板130輻射出去。
<第一實施例的發光裝置搭載封裝的製造方法>
下一步，說明根據本發明第一實施例的發光裝置 搭載封裝的製造方法。圖5A至圖7C是繪示製造第一實施例的發光裝置搭載封裝的步驟的示意圖。下列的剖面圖用以說明製造第一實施例的發光裝置搭載封裝的步驟(圖5B至圖7C)，對應於圖2B的剖面圖。
首先，依圖5A與圖5B所示的製程(圖5A是平面圖，圖5B是剖面圖)製備基板10。舉例而言，基板10可為聚亞醯氨膜，以膠帶或捲帶的形式提供。舉例而言，藉由在基板10的一表面上施加環氧型接著劑，接著層20可形成在基板10上。或者，取代施加環氧型接著劑，可藉壓合環氧型接著膜形成接著層20。
接著，貫穿基板10與接著層20的鏈輪孔10x與通孔50x形成在基板10上(基板10的一表面上有接著層20)。鏈輪孔10x形成在基板10的橫向方向的兩末端(如圖5A的縱向方向)且大體上以相同的區間沿著基板10的縱向方向(如圖5A的水平方向)連續地排列。相對於下述製程中形成線路30的區域，通孔50x形成在既定區域(相對於如圖1所示的貫穿線路50的區域)。
舉例而言，鏈輪孔10x與通孔50x可由使用包括沖模(die)和沖頭(punch)的模子的按壓工法。在此例中，藉由調整模子的沖模與沖頭之間的間隙，基板10內的部分通孔50x可形成最大部分M的形狀。即，藉由調整模子的沖模與沖頭之間的間隙，可形成平面形狀大於通孔50x的一末端的平面形狀的最大部分M。舉例而言，部分通孔50x在基板10的厚度方向(如在基板10厚度方向的貫穿線路50的中心部分)可在水 平方向擴張，使得通孔50x的側表面由剖面看為圓弧形。
接著，如圖6A所示的製程，金屬層30A形成在接著層20上。接著，藉加熱接著層20到一既定溫度，接著層20被固化。舉例而言，可藉由在接著層20上壓合銅箔，形成金屬層30A。舉例而言，金屬層30A的厚度約18微米至35微米。須注意的是，藉由下述成形製程，在金屬層30A上，金屬層30A形成線路30。
接著，如圖6B所示的製程，圖6A所示的結構體浸透在濕蝕刻的溶液中(如過氧化氫(hydrogen peroxide)型溶液)，以蝕刻暴露在通孔50x內的金屬層30A的上與下表面(所謂微蝕刻製程)。藉進行蝕刻製程，可由金屬層30A表面移除防鏽劑，且金屬層30A表面的厚度可稍微減少(如約0.5微米至1微米)。然而，蝕刻製程不是必要的。即，蝕刻製程可根據需要進行。
接著，如圖6C所示的製程，遮罩膠帶500附著到金屬層30A的上表面。當以下列圖6D所述電鍍方法形成貫穿線路50時，用以覆蓋金屬層30A上表面的遮罩膠帶500可防止電鍍膜在金屬層30A的上表面側生長。
接著，如圖6D所示的製程中，使用金屬層30A作為通電層的電鍍方法，形成貫穿線路50(貫穿線路51與52)。接著，如圖6C所示的遮罩膠帶500被移除。藉由在通孔50X暴露出的金屬層30A下表面沈積電鍍金屬、以金屬電鍍填充通孔50x內部，貫穿線路50形成柱型。
形成貫穿線路50，使得貫穿線路50的一末端(圖 6D的上末端)電性連接到金屬層30A，而貫穿線路50的另一末端(圖6D的下末端)由基板10的另一表面暴露出來以形成暴露部分。貫穿線路50的另一末端大體上可和每個基板10的表面相當。舉例而言，銅可作為貫穿線路50的材料。
接著，如圖7A的製程所示，將金屬層30A圖案化，形成線路30(包含線路31與32，即發光裝置搭載部分)與匯流線33。更具體的說，光阻(未繪示)被施加在金屬層30A上且根據線路的圖形曝光。因此，在光阻上形成線路30的圖形。接著，將光阻當作遮罩蝕刻金屬層30A，形成具有既定圖形的線路30(圖案化)。接著，移除光阻。
接著，如圖7B所示的製程，絕緣層60形成在線路31的既定部分與線路32的既定部分。線路31與32的既定部分為在後續製程中不形成電鍍膜41與42的部分線路31與32。白色型材料可用以形成絕緣層60。舉例而言，絕緣層60可用網印方法形成。形成絕緣層60的過程中，在形成白色墨水或類似物覆蓋整個線路30後，可在絕緣層60上進行噴砂(blasting)或雷射製程。因此，上面有電鍍膜41與42的部分線路31與32可由絕緣層60中暴露出來。
接著，如圖7C的製程所示，使用匯流線33作為通電層，進行電鍍製程。因此，電鍍膜41、42、43與44形成在由絕緣層60中暴露出來的線路31與32的表面。須注意的是，電鍍膜45形成在匯流線33上。電鍍膜41、42、43、44與45的材料與厚度和上述那些一樣。
接著，進行完如圖7C所示的製程之後，藉切割圖 7C的結構體成獨立片，完成如圖1至圖2B所示的發光裝置搭載封裝1的製造。在正交於基板10縱向方向的方向，藉切割基板10的既定部分，圖7C的結構體被切割成獨立片。
須注意的是，如圖4所示的發光裝置封裝100可如下述製造。舉例而言，發光裝置搭載封裝1被搭載在一搭載裝置上。接著，銲料霜被施加在每個個別封裝區域C的電鍍膜41與42上。接著，每個發光裝置110的凸塊111與112被放置在每個個別封裝區域C的電鍍膜41與42的銲料霜上。接著，銲料霜被回銲爐熔化後，銲料霜被固化。
接著，發光裝置搭載封裝1的上表面被封裝樹脂120封裝。接著，藉切割發光裝置搭載封裝1的個別封裝區域C之間的邊界區域，發光裝置搭載封裝1被切割成獨立片。或者，藉事先切割個別封裝區域C，發光裝置搭載封裝1可被切成個別片，使得相對於個別封裝區域C的發光裝置搭載封裝1每片可被封裝樹脂120封裝。接著，發光裝置搭載封裝1每片被搭載在金屬基板125(包含金屬板130、絕緣層140與線路層150)上。更具體的說，貫穿線路51與52的每個暴露部分(連接終端)藉接合部分160電性連接到墊150A。因此，完成如圖4所示的發光裝置封裝100的製造。
故上述發光裝置搭載封裝1，藉埋藏在基板10內貫穿線路50的部分形成最大部分M，可防止所謂的線路30與貫穿線路50的「拔出」。即，最大部分M的平面形狀大於貫穿線路50的一末端的平面形狀，藉最大部分M可防止拔出。
更進一步，除了使用貫穿線路51與52作為電性 連接的路徑，貫穿線路51與52也可作為熱輻射路徑以輻射發光裝置110所產生的熱。因此，由發光裝置110產生的熱可被傳送到熱輻射部分(金屬板130)以及由熱輻射部分(金屬板130)輻射出去。因為貫穿線路51與52直接位在發光裝置110搭載的發光裝置搭載部分(線路31與32)下方，由發光裝置110產生的熱可有效的傳送到熱輻射部分(金屬板130)以及由熱輻射部分(金屬板130)輻射出去。
更進一步，因為直接將貫穿線路51與52放置在發光裝置搭載部分的下方，可改善熱輻射。和傳統發光裝置搭載封裝相比，為改善輻射熱的需求，線路30的厚度不需要增加。因此，厚度約12微米至35微米、相當薄的銅箔可作為線路30。更進一步，線路31與線路32之間的區間可更窄(如60微米)。
更進一步，在傳統的發光裝置封裝中，發光裝置的熱膨脹係數和熱輻射板的熱膨脹係數不搭配，使得發光裝置與發光裝置搭載部分之間連接可靠度有下降的風險。然而，以發光裝置封裝100來說，主要由彈性樹脂材料形成的基板10設置在發光二極體110與作為熱輻射板的金屬板130之間。因此，可減輕發光裝置110的熱膨脹係數與金屬板130的熱膨脹係數的不搭配的情況。於是，可改進發光裝置110與發光裝置搭載部分之間的連接可靠度。
<第二實施例>
在下列本發明的第二實施例中，發光裝置搭載封裝的結構不同於已說明的第一實施例的發光裝置搭載封裝1的 結構。在第二實施例中，類似的構件(或部分)使用如第一實施例參考符號的類似的參考符號，不會再進一步說明。
圖8是根據本發明第二實施例的發光裝置搭載封裝1A的剖面圖。圖8是對照圖2B剖面圖的剖面圖。因為發光裝置搭載封裝1A的平面圖大體上和發光裝置搭載封裝1的平面圖相同，所以省略發光裝置搭載封裝1A的平面圖。
參照圖8，發光裝置搭載封裝1A不同於發光裝置搭載封裝1(如圖2A與圖2B所示)，其中貫穿線路50(包含貫穿線路51與52)由貫穿線路50A(包含貫穿線路51A與52A)取代。
突出部分形成在貫穿線路50A的另一末端。突出部分由基板10的另一表面突出且延伸到基板10另一表面側的貫穿線路50A的另一末端的周圍。舉例而言，貫穿線路50A的突出部分在基板10的另一表面側的貫穿線路50A的末端周圍可延伸以形成環型(如圓環型，四方環型)。即，貫穿線路50A的突出部分的平面形狀大於貫穿線路50A的另一末端的平面形狀。舉例而言，由基板10另一表面的貫穿線路50A的突出部分的量(突出量為T)約為20微米至50微米。舉例而言，貫穿線路50A突出部分延伸到在基板10另一表面側的貫穿線路50A末端的周圍的長度(寬度W)約2微米至10微米。
類似於圖6D所示的製程，可使用金屬層30A做為通電層的電鍍方法形成突出部分。持續電鍍方法，金屬材料會填充通孔50x內部且由基板10的另一表面突出。
在此例中，藉由調整電鍍時間，可形成貫穿線路 50A的另一末端，以由基板10的另一表面突出且延伸到基板10的另一表面的貫穿線路50A的末端周圍。
因此，和貫穿線路50內只形成最大部分M的例子相比，提供由基板另一表面突出且延伸到基板10末端周圍的突出部分，可進一步防止線路30與貫穿線路50的拔出。
<第三實施例>
在下列本發明的第三實施例中，說明發光裝置搭載封裝的結構。在第三實施例中，類似的構件(或部分)會使用第一實施例參考符號的類似的參考符號，不會再進一步說明。圖9是第三實施例的發光裝置搭載封裝的平面圖。圖10A與圖10B繪示圖9的D部分(如圖9中虛線圍繞的部分)的放大圖。圖10A是D部分的平面圖。圖10B是沿著圖10A的B-B線的剖面圖。為方便起見，金屬構件80在圖10A中以深色圖形表示。
參照圖9、圖10A與圖10B，發光裝置搭載封裝1B和發光裝置搭載封裝1(如圖1至圖2B所示)的主要不同點是金屬構件80設置在發光裝置搭載封裝1B的表面，而不是絕緣層60上。
在發光裝置搭載封裝1B中，形成電鍍膜41以覆蓋線路31的上表面與側表面。更進一步，形成電鍍膜42以覆蓋線路32的上表面與側表面。類似於第一實施例，形成電鍍膜45以覆蓋匯流線33的上表面與側表面。須注意的是，在此實施例中不形成電鍍膜43與44。替代的是，電鍍膜41與42 形成在相應於形成第一實施例的電鍍膜43與44的區域。
藉由接著層70，金屬構件80附著到電鍍膜40(電鍍膜41、42與45)上。舉例而言，由如環氧型樹脂、矽氧型樹脂或聚亞醯胺型樹脂的絕緣樹脂所形成的接著劑可作為接著層70的材料。根據需求，有熱阻性質的絕緣接著劑可作為接著層70。舉例而言，接著層70的厚度約8微米至18微米。須注意的是，作為接著層70的接著劑可和作為接著層20的接著劑相同或不同。
在發光裝置搭載封裝1B中，多個個別獨立封裝區域C(被切割成獨立片)以發光裝置搭載封裝1B的垂直和水平方向排列在基板10上。金屬構件80包含多個反射板81、邊框部分82與懸吊部分83。多個反射板81在發光裝置搭載封裝1B的垂直和水平方向上以既定區間排列。設置邊框部分82以包圍在發光裝置搭載封裝1B上以垂直與水平方向既定區間排列的多個反射板81。懸吊部分83設置以耦接邊框部分82、耦接鄰近於邊框部分82的反射板81與耦接鄰近於彼此的反射板81。一個反射板81設置在每個個別封裝區域C的發光裝置搭載部分。反射板81、邊框部分82與懸吊部分83一體成形。
須注意的是，雖然本實施例的懸吊部分83只設置在單一方向(在此實施例中，圖9中的垂直方向)，懸吊部分83可設置在水平方向、或者圖9的垂直與水平方向兩者。和鏈輪孔10x一樣功能的鏈輪孔80x設置在金屬構件80的邊框部分82。
暴露部分的電鍍膜41與部分的電鍍膜42的開口 部分81x形成在金屬構件80的每個反射板81上。暴露在開口部分81x的電鍍膜41與42為連接部分，被連接到發光裝置110的多個電極之一或另一個。開口部分81的內壁表面為傾斜的，使得開口部分81形成喇叭型(朝向上表面方向變寬)。當光由搭載在電鍍膜41與42(在開口部分81x暴露出來)上的發光裝置110輻射出，開口部分81x的內壁表面功能為以既定方向反射由發光裝置110輻射出的光。
根據所要規格，開口部分81x的內壁表面的傾斜角度相對於電鍍膜40的上表面可任意設定。舉例而言，開口部分81x的內壁表面的傾斜角度大約為20°到50°。然而，開口部分81x的內壁表面的剖面不限於直線形狀，也可以是彎曲型。以改善反射率的觀點來看，開口部分81x偏好小的平面形狀。舉例而言，開口部分81x的平面形狀可為直徑約數釐米的圓形。然而，開口部分81x的平面形狀不限於圓形，也可為橢圓形或方形。
舉例而言，金屬構件80的厚度約為0.5釐米。舉例而言，銅、鋁或他們的合金可作為金屬構件80的材料。使用前述材料作為金屬構件80，偏好拋光金屬構件80的表面以增加光澤度(如化學拋光)。因為，當發光裝置110被搭載與照射時，可增加反射板81的開口部分81x的內壁表面反射率。
更進一步，在金屬構件80的表面上進行電鍍製程(如金電鍍、銀電鍍)，也可增加金屬構件80的光澤度。在此例中，偏好選擇在發光裝置110輻射的光的波長具有高反射率的電鍍材料。拋光製程與電鍍製程可在整個金屬構件80或金屬 構件80的特定部分(如開口部分81x的內壁表面的部分)進行。
須注意的是，除了開口部分81x之外的另一個開口部分可設置在每個反射板81。舉例而言，其他開口部分可設置在第一實施例的電鍍膜43與44形成的區域。因此，如齊納二極體的保護構件可搭載在其他開口部分暴露出的電鍍膜41與42上。
圖11是根據本發明第三實施例的發光裝置封裝100B的剖面圖。參照圖11，藉切割發光二極體搭載封裝1B成一個個的個別封裝區域C、在個別封裝區域C搭載發光裝置110在發光裝置搭載部分(線路31與線路32)、以封裝樹脂120封裝發光裝置110且進一步在金屬基板125上搭載發光裝置110(被搭載在發光裝置搭載封裝1B)，取得發光裝置封裝100B。封裝樹脂120設置在反射板81的開口部分81x。
在此實施例中，因為反射板81的開口部分81x的內壁表面傾斜，當光由發光裝置110輻射出時，由發光裝置110輻射出的光以既定方向有效的反射(改善反射率)。
<第三實施例的發光裝置搭載封裝的製造方法>
下一步，說明根據本發明第三實施例的發光裝置搭載封裝的製造方法。圖12A至圖12C是繪示製造第三實施例的發光裝置搭載封裝步驟的示意圖。下列的剖面圖用以說明製造第三實施例的發光裝置搭載封裝的步驟(圖12A至圖12C)，對應於圖10B的剖面圖。
首先，進行第一實施例的圖5A至圖7A所示的製 程。接著，類似於圖7C繪示的製程，如圖12A所示形成電鍍膜41、42與45。然而，因為絕緣層60在此實施例中不形成，形成電鍍膜41以覆蓋線路31的上表面與側表面。進一步，形成電鍍膜42以覆蓋線路32的上表面與側表面。
接著，在圖12B所示的製程中，舉例而言，在電鍍膜41、42與45上既定區域施加環氧型接著劑，形成附著層70。或者，取代施加環氧型接著劑，可藉壓合環氧型接著膜形成接著層70。須注意的是，既定區域是不含每個反射板81的開口部分81x暴露出來的部分的區域。
接著，如圖12C所示的製程，藉由接著層70，事先準備的金屬構件80可附著在電鍍膜41、42與45上。開口部分81x與懸吊部分83已形成在製備的金屬構件80的既定部分。舉例而言，包含開口部分81x與懸吊部分83的金屬構件80可以按壓工法或蝕刻金屬板形成。在此製程中，金屬構件80的反射板81位在相應的個別封裝區域C內且排列在基板10的垂直與水平方向。更進一步，電鍍膜41與42(相應於搭載發光裝置110部分)由每個反射板81的開口部分81x暴露出來。
接著，在進行如圖12C所示的製程之後，藉由切割圖12C的結構體的既定部分為個別片，完成如圖9至圖10B所示的發光裝置搭載封裝1B的製造。須注意的是，當圖12C的結構體被切割成獨立片時，懸吊部分83也被切割。
故附著包含在發光裝置搭載封裝1B上的反射板81的金屬構件80，可增加發光裝置搭載封裝1B的剛性。因此，可防止發光裝置搭載封裝1B的翹曲且發光裝置搭載封裝1B 在製程中或運送後的處理可更加方便。
如上述第一實施例以白色墨水或類似物形成絕緣層60的例子中，需求絕緣層60具有基本厚度(約40微米至50微米)以改善反射率。然而，此種厚度只可由進行數次的印刷製程獲得，而不能僅由單次的印刷製程獲得。換句話說，以此實施例，因為反射板81的開口部分81x的內壁表面傾斜，光可在傾斜的內壁表面有效的反射。因此，可省略印刷白墨水或類似製程。因此，可以簡化發光裝置搭載封裝1B的製程。
更進一步，在第一實施例，需要在發光裝置搭載封裝1的每個個別封裝區域C的絕緣層60上形成環形壩，以封裝樹脂120封裝發光裝置110的製程中，可防止封裝樹脂120流出。然而，在此實施例中，反射板81的開口部分81x的內壁表面可作為壩，以封裝樹脂120封裝發光裝置110時，可防止封裝樹脂120流出。因此，本實施例不需要做為壩的構件。所以可以簡化發光裝置搭載封裝1B與發光二極體封裝100B的製程。
更進一步，因為由發光裝置110產生的熱也可由反射板81輻射出去，可改善發光裝置封裝100B的熱輻射性質。在一例中，重點是發光裝置封裝100B的熱輻射性質，偏好高導熱性的金屬材料(如銅)作為反射板81。在一例中，重點是發光裝置封裝100B減重，偏好具有較輕重量的金屬材料(如鋁)作為反射板81。
<第三實施例的第一變化例>
在第三實施例的第一變化例中，一反射膜設置在第三實施例的反射板的表面上。在第三實施例的第一變化例，類似的構件(或部分)使用第三實施例參考符號的類似的參考符號，不會再進一步說明。
圖13是根據第三實施例的第一變化例的發光裝置搭載封裝1C的剖面圖。圖13對應到圖10B的剖面圖。圖14是根據第三實施例的第一變化例的發光裝置封裝100C的剖面圖。圖14對應到圖11的剖面圖。如圖13的發光裝置搭載封裝1C與圖14的發光裝置封裝100C所示，反射膜61可形成在反射板81的上表面與開口部分81x的內壁表面。或者，反射膜61只形成在開口部分81x的內壁表面上。
舉例而言，反射膜61的材料可為矽氧型樹脂(如環氧型樹脂、有機聚矽氧)，包含填充劑或二氧化鈦(TiO2)顏料或硫酸鋇(BaSO4)。或者，反射膜61的材料可為白色墨水，包含上述用於反射膜61的材料。
舉例而言，可用網印方法在包含開口部分81x與懸吊部分83的金屬構件80上形成反射膜61，以按壓工法、蝕刻或類似製程形成懸吊部分83。須注意的是，藉由在金屬構件80的下表面上形成反射膜61、在電鍍膜40上放置反射膜61與固化放置在電鍍膜40上的反射膜61，金屬構件80可附著在電鍍膜40上，而不需使用接著層70。換句話說，形成在金屬構件80下表面上的反射膜61也可作為接著層70。
和第一實施例的絕緣層60相比，因為反射膜61形成在金屬構件80上，反射膜61可更薄。舉例而言，反射膜 61的厚度約50微米。因為反射膜61可比絕緣層60更薄，和形成絕緣層60的印刷製程次數相比，可減少形成反射膜61的印刷製程的次數。
故藉由在反射板81的上表面與開口部分81x的內壁表面上(或只有在開口部分81x的內壁表面上)提供反射膜61，可進一步增加由發光裝置110輻射出的光的反射率。須注意的是，雖然反射膜61不需要形成在邊框部分82的上表面，反射膜61可形成在邊框部分82的上表面以省略遮擋邊框部分82的製程。
<第四實施例>
在下列本發明第四實施例中，發光裝置搭載封裝1D的結構不同於上述第一實施例的發光裝置搭載封裝1的結構。在第四實施例中，類似的構件(或部分)使用第一實施例參考符號的類似的參考符號，不會再進一步說明。
圖15A至圖16B是根據本發明第四實施例的發光裝置搭載封裝1D的示意圖。圖15A是對照圖2A所示的個別封裝區域C的平面圖。圖15B是沿著圖15A的D-D線的剖面圖。圖16A是部分的圖15A平面圖，無繪示電鍍膜41至44與絕緣層60。圖16B是繪示發光裝置封裝1D的平面圖，其中發光裝置110和保護構件190被搭載在圖15A的發光裝置搭載封裝1D上。類似於圖1至圖2B，圖1至圖2B中省略的部分(例如匯流線33)在圖15A至圖16B中也省略。
參照於圖15A至圖16B，發光裝置搭載封裝1D不同於第一實施例的發光裝置搭載封裝1(如圖2A與圖2B所 示)，其中線路31與32被線路31A與32A取代且貫穿線路51與52被貫穿線路51B與52B取代。更進一步，發光裝置搭載封裝1D不同於第一實施例的發光裝置搭載封裝1(如圖2A與圖2B所示)，其中被連接到保護構件190電極的電鍍膜43與44的位置不同於第一實施例的那些。
線路31A的平面圖形大體上為方形。線路32A的平面形狀大體上為L字型。由平面圖上看，朝向線路32A的線路31A兩側被排列面向有反L字型的線路32A的兩內側且與線路32A以既定區間分離。更進一步，平面圖上線路31A與32A的組合形狀大體上組成方形。須注意的是，形成在線路31A與32A上的電鍍膜41與42的位置和圖2A至圖2C所示的位置一樣。
貫穿線路51B與52B的一末端的平面形狀(接觸線路31A與31B的部分)大體上為方形。即，藉由形成通孔大體為方型的平面圖形與接著層20，以及以金屬電鍍(如銅)填充通孔，獲得貫穿線路51B與52B。
最大部分M各別被包括在埋藏在基板10的部分的貫穿線路51B與52B。最大部分M的平面形狀大於貫穿線路51B一末端的平面形狀且大於貫穿線路52B一末端的平面形狀。舉例而言，藉由形成剖面圖上圓弧形的貫穿線路51B與52B的兩側表面，可形成最大部分M。即，在基板10厚度方向上的部分的貫穿線路51B與52B(如基板10厚度方向的貫穿線路51B與52B的中心部分)可在水平方向擴張，使得貫穿線路51B與52B的側表面形成圓弧形剖面。然而，貫穿線路51B 與52B的擴張部分的剖面可為其他形狀，貫穿線路51B與52B兩者不限於圓弧形的側表面形狀。
貫穿線路51B的一末端與貫穿線路52B的一末端的總面積(接觸線路31A與32A的部分貫穿線路51B與52B的總面積)偏好為發光裝置搭載封裝1D的整個面積(圖15A中E x F的大小)的60%或更大。因為增加貫穿線路51B與52B的末端的面積以及增加貫穿線路51B與52B的體積，可大幅改善熱輻射性質。
在反L字型的線路32A的短伸長部分的鄰近角落，設置在線路32A的電鍍膜44，而電鍍膜43設置在面向電鍍膜44的線路31A上。電鍍膜43與44的位置不同於第一實施例的發光裝置搭載封裝1的位置(如圖2A至圖2B所示)。然而，和第一實施例一樣，搭載發光裝置110的定位部分(電鍍膜41與42)的樣態，盡可能遠離搭載保護構件190的部分。搭載保護構件190的部分盡可能遠離搭載發光裝置110的部分，保護構件190遠離可避免阻擋由絕緣層60反射的光，絕緣層60作為反射層以反射由發光裝置110輻射出的光。因此，可防止發光裝置110的照度減少。不過，線路31A與32A的圖形不限於上述的圖形。
因為貫穿線路51B與52B的末端的平面形狀大體上為方形，和貫穿線路51B與52B的末端的平面形狀大體上為圓形相比，貫穿線路51B與52B的末端的面積以及貫穿線路51B與52B的體積可增加。因此，和發光裝置搭載封裝1相比，可增加發光裝置搭載封裝1D的熱輻射性質。
<第五實施例>
圖17是根據本發明第五實施例的發光裝置搭載封裝1E的一例的剖面圖。圖17相對於圖15B的剖面圖。因為第五實施例的發光裝置搭載封裝1E的平面圖和圖15A中的發光裝置搭載封裝1D相同，可省略第五實施例的發光裝置搭載封裝1E的平面圖。
參照於圖17，發光裝置搭載封裝1E不同於發光裝置搭載封裝1D(如圖15A至圖15B所示)，其中貫穿線路51B與52B被貫穿線路51C與52C取代。類似於圖8所示的貫穿線路51A與52A，突出部分形成在貫穿線路51C與52C的另一末端。藉由進行與形成貫穿線路51A與52A的突出部分相同的製程，形成貫穿線路51C與52C的突出部分。
因此，貫穿線路51C與52C的另一末端隨著突出部分形成，突出部分由基板10的另一表面突出且沿伸到基板10另一表面側的通孔50x末端的周圍。因此，和只在貫穿線路51C與52C內形成最大部分M的例子相比，可進一步防止線路31A與32A以及貫穿線路51C與52C的拔出。
在此引述的所有例子和條件，目的是為幫助讀者了解本發明的教示用途、由發明人增進先前技術所貢獻的概念，應理解為不受限於特別說明的例子和條件，也不限於關於展示的本發明優勢和劣勢、說明書中這些例子的組合。雖然本發明的實施例已詳細說明，應了解的是，不同的改變、取代和變化在不偏離本發明的精神和範疇下可為之。
舉例而言，包括鎳或金的電鍍膜可形成在貫穿線 路51與52的暴露部分、貫穿線路51A與52A的突出部分、貫穿線路51B與52B的暴露部分或貫穿線路51C與52C的突出部分。
更進一步，如有機保銲膜(Organic Solderability Preservative，OSP)的抗氧化製程可在貫穿線路51與52的暴露部分或貫穿線路51A與52A的突出部分進行。類似地，如有機保銲膜的抗氧化製程可在貫穿線路51B與52B的暴露部分或貫穿線路51C與52C的突出部分進行。
更進一步，藉由在每個發光裝置搭載封裝上搭載發光裝置，使用打線接合方法，可形成發光裝置封裝。
上述的實施例和變化例子可任意組合。舉例而言，類似於發光裝置搭載封裝1A，發光裝置搭載封裝1B或1C的貫穿線路51與52可以貫穿線路51A與52A取代。

Claims (13)

  1. 一種封裝，用以在該封裝上搭載發光裝置，該封裝包括：一基板，由樹脂形成，且包含多個通孔，貫穿該基板；一發光裝置搭載部分，包含形成在該基板的一表面上的一線路，該線路包含平面圖上彼此相對且以一既定區間分離的兩區域；多個第一與多個第二貫穿線路，形成在該些通孔內，且各別設置在該兩區域，每該第一與每該第二貫穿線路包含電性連接到該發光裝置搭載部分的一末端以及由該基板的另一表面暴露出來的另一末端；其中，每該第一與每該第二貫穿線路的一部分包含一最大部分，該最大部分的平面形狀大於每該第一與該第二貫穿線路的該末端的平面形狀，其中，每該第一與每該第二貫穿線路具有包含多個第一及多個第二側面的一剖面，其中，每該第一及每該第二側面具有一擴張部分，其沿著該基板的一水平方向向外擴張。
  2. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該兩區域包含多個連接部分，該些連接部分被連接到該發光裝置的多個電極。
  3. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中，每該第一與每該第二貫穿線路的該另一端包含一突出部分，其中，該突出部分由該基板的該另一表面突出且延伸至每 該第一與每該第二貫穿線路的該另一端的一外圍。
  4. 如申請專利範圍第3項之封裝，其中該突出部分為環形。
  5. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中每該最大部分被擴展，使得每該第一與每該第二貫穿線路的一側表面為弧形且形成圓形剖面。
  6. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中平面圖上該兩區域之一包含一凸部分且平面圖上該兩區域之另一個包含一凹部分，其中，該凸部分被收置在該凹部分內。
  7. 如申請專利範圍第1項之封裝，進一步包含：一反射板，設置在該發光裝置搭載部分；其中該反射板包含一開口部分，該開口部分暴露出被連接到該發光裝置的一電極的一連接部分。
  8. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中多個獨立的封裝區域被排列在該基板上；其中，每個該些獨立的封裝區域包含該發光裝置搭載部分、該些第一與該些第二貫穿線路以及設置在該發光裝置搭載部分的一反射板，該反射板包含一開口部分，該開口部分暴露出被連接到該發光裝置的一電極的一連接部分。
  9. 如申請專利範圍第8項之封裝，進一步包括：一邊框部分以及多個懸吊部分；其中，多個反射板以一既定區間排列且被該邊框部分包圍，其中，該些懸吊部分連接該邊框部分與該些反射板且連接 該些反射板彼此之間；其中，該些反射板、該些懸吊部分以及該邊框部分由一金屬材料一體成形。
  10. 如申請專利範圍第7項之封裝，進一步包括：一反射膜，形成在該開口部分的一內壁表面上。
  11. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中該些第一及該些第二側面的該擴張部分形成該些第一及該些第二貫穿線路的該最大部分。
  12. 如申請專利範圍第1項之封裝，其中每該第一及每該第二側面具有該擴張部分，其沿著該基板的該水平方向向外擴張，且形成一圓弧形。
  13. 一種發光裝置封裝，包括：如申請專利範圍第1項之該封裝；以及一發光裝置，搭載在該封裝上。
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