JP2017103337A - Ｌｅｄ素子実装用基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子からの光を反射する反射金属層の面積を広く確保し、ＬＥＤ素子からの光の反射効率を高めることが可能な、ＬＥＤ素子実装用基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤ素子実装用基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成され、空間Ｓを介して互いに離間して配置された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面をそれぞれ覆う反射金属層１４とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成されている。各貫通孔１１ａの少なくとも一部に層間接続部１７が充填され、各層間接続部１７は、反射金属層１４によって覆われている。【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＥＤ素子実装用基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ発光装置およびその製造方法に関する。

従来より、ＬＥＤ発光装置としては、ＬＥＤ素子と、このＬＥＤ素子から発光される光を反射する金属製の光反射層とを含むものが知られている。このようなＬＥＤ発光装置においては、ＬＥＤ素子からの光の反射効率を向上させることが求められており、ＬＥＤ素子からの光をできるだけ効率良く反射させることが重要となる。

従来、ＬＥＤ発光装置の光反射層を電解めっきにより形成することが行われている。この場合、電解めっきを施すための給電用のリード線が必要となる。そしてこのようなリード線は、光反射層の周囲に設けられることが一般的である。このため、リード線を設けることに伴って光反射層の面積が低減するため、ＬＥＤ発光装置の光反射効率が低下することが問題となる。また、リード線の周囲に光を反射させる反射用の樹脂を形成することも考えられるが、この場合、反射用の樹脂を形成するための工数が増えるほか、特定の波長の光の反射率が低下するおそれもある。

特開２０１２−９７９４号公報

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射金属層の面積を広く確保し、ＬＥＤ素子からの光の反射効率を高めることが可能な、ＬＥＤ素子実装用基板およびその製造方法、ならびにＬＥＤ発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ＬＥＤ素子実装用基板であって、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成され、空間を介して互いに離間して配置された複数の第１導電層と、各第１導電層の表面をそれぞれ覆う反射金属層とを備え、前記絶縁層のうち、各第１導電層に対応する位置にそれぞれ貫通孔が形成され、各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部が充填され、各層間接続部は、前記反射金属層によって覆われていることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記絶縁層の裏面に形成され、互いに離間して配置された複数の第２導電層を更に備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、各第２導電層は、前記層間接続部に接続された接続領域と、前記接続領域から離間して配置された周縁領域とを有することを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部の表面と前記第１導電層の表面とが、同一平面上に位置することを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部は、表面側から凹んでいることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部は、表面側に突出していることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部が、前記第１導電層を覆っていることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記反射金属層と前記層間接続部とは、互いに同一の材料からなり、一体化されていることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部の裏面と、前記第２導電層の裏面とが同一平面上に位置することを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部の裏面は、前記第２導電層の裏面側から凹んでいることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記層間接続部の裏面は、前記第２導電層の裏面側に突出していることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記空間の幅は、１０μｍ〜３００μｍであることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、前記空間には、導電層が存在しないことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板である。

本発明は、ＬＥＤ発光装置であって、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成され、空間を介して互いに離間して配置された複数の第１導電層と、各第１導電層の表面をそれぞれ覆う反射金属層と、前記反射金属層上に配置されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子と前記反射金属層とを電気的に接続する導電部材と、前記ＬＥＤ素子及び前記導電部材を封止する封止樹脂とを備え、前記絶縁層のうち、各第１導電層に対応する位置にそれぞれ貫通孔が形成され、各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部が充填され、各層間接続部は、前記反射金属層によって覆われていることを特徴とするＬＥＤ発光装置である。

本発明は、ＬＥＤ素子実装用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された表面側導電層とを有する積層基板を準備する工程と、前記積層基板の前記表面側導電層の一部を除去することにより、空間を介して互いに離間して配置されるとともにそれぞれ開口部を有する、複数の第１導電層を形成する工程と、前記積層基板の前記絶縁層のうち、前記開口部に対応する領域にそれぞれ貫通孔を形成する工程と、各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部を充填する工程と、各第１導電層の表面および各層間接続部を覆うように反射金属層を形成する工程と備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板の製造方法である。

本発明は、前記積層基板は、前記絶縁層の裏面に形成された裏面側導電層を有し、前記反射金属層を形成する工程の後、前記裏面側導電層の一部を除去することにより、互いに離間して配置された複数の第２導電層を形成する工程を更に備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板の製造方法である。

本発明は、ＬＥＤ素子実装用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された表面側導電層と、前記絶縁層の裏面に形成された裏面側導電層とを有する積層基板を準備する工程と、前記積層基板の前記表面側導電層の一部を除去することにより、空間を介して互いに離間して配置される複数の第１導電層を形成するとともに、前記複数の第１導電層に対応した開口部を前記裏面側導電層に形成して、複数の開口部を有する第２導電層を形成する工程と、前記積層基板の前記絶縁層のうち、前記開口部に対応する領域にそれぞれ貫通孔を形成する工程と、各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部を充填する工程と、各第１導電層の表面を覆うように反射金属層を形成する工程と備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板の製造方法である。

本発明は、ＬＥＤ発光装置の製造方法において、前記ＬＥＤ素子実装用基板を準備する工程と、前記ＬＥＤ素子実装用基板の前記反射金属層上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、前記ＬＥＤ素子と前記反射金属層とを導電部材により電気的に接続する工程と、前記ＬＥＤ素子及び前記導電部材を封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ発光装置の製造方法である。

本発明によれば、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射金属層の面積を広く確保し、ＬＥＤ素子からの光の反射効率を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す平面図。 図２は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図（図１のII−II線断面図）。 図３は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す底面図。 図４は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ発光装置を示す平面図。 図５は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ発光装置を示す断面図（図４のＶ−Ｖ線断面図）。 図６（ａ）−（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板の製造方法を示す断面図。 図７（ａ）−（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態によるＬＥＤ発光装置の製造方法を示す断面図。 図８は、本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図。 図９は、本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図。 図１０は、本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図。 図１１は、本発明の第５の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図。 図１２は、本発明の第６の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図。 図１３は、本発明の第６の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板の変形例を示す断面図。 図１４は、本発明の第６の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板の変形例を示す断面図。 図１５（ａ）−（ｇ）は、本発明の第６の実施形態によるＬＥＤ素子実装用基板の製造方法を示す断面図。

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

本明細書中、「Ｘ方向」とは、ＬＥＤ素子実装用基板１０の一辺に沿う方向をいい、「Ｙ方向」とは、ＬＥＤ素子実装用基板１０が配置される平面（ＸＹ平面）上でＸ方向に直交する方向をいう。「Ｚ方向」とは、ＬＥＤ素子実装用基板１０が配置される平面（ＸＹ平面）の法線方向をいう。また、本明細書中、「表面」とはＬＥＤ素子２１が搭載される側の面（すなわち図２の上方を向く面、Ｚ方向プラス側の面）をいい、「裏面」とは、ＬＥＤ素子２１が搭載される面の反対側の面（すなわち図２の下方を向く面、Ｚ方向マイナス側の面）をいう。

ＬＥＤ素子実装用基板の構成
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す平面図であり、図２は、本実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図であり、図３は、本実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す底面図である。

図１および図２に示すように、ＬＥＤ素子実装用基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成され、空間Ｓを介して互いに離間して配置された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面をそれぞれ覆う反射金属層１４とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置には、それぞれ貫通孔１１ａが形成されている。各貫通孔１１ａには層間接続部１７が充填され、各層間接続部１７は、反射金属層１４によって覆われている。また絶縁層１１の裏面には、互いに離間して配置された複数の第２導電層１５が設けられている。

絶縁層１１は、略平坦な平面矩形状の板状部材からなり、第１導電層１２や反射金属層１４よりも広い面積を有している。絶縁層１１の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等の合成樹脂を用いることができる。耐熱性や信頼性の観点からは、とりわけポリイミド（ＰＩ）を用いることが好ましい。絶縁層１１の厚さは、５μｍ〜７５μｍ（５μｍ以上かつ７５μｍ以下をいう。以下同様）、とりわけ８μｍ〜２５μｍであることが好ましい。これにより、各第１導電層１２と各第２導電層１５との間の絶縁性能を確保するとともに、ＬＥＤ素子実装用基板１０全体としての剛性が喪失されることを防止することができる。

複数の第１導電層１２は、絶縁層１１上で縦横に島状に配置されており、第１導電層１２同士は互いに平面方向に離間している。互いに隣接する第１導電層１２同士の間には、空間Ｓが形成されている。空間Ｓは、Ｘ方向およびＹ方向に沿って格子状に延びている。各第１導電層１２は、それぞれ平面矩形状を有しており、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに平行に位置している。各第１導電層１２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば円形状、楕円形状、多角形状、Ｌ字形状等としても良い。第１導電層１２の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、アルミニウム、ステンレス等の金属を用いることができる。第１導電層１２の厚さは、１μｍ〜１００μｍ、とりわけ９μｍ〜２０μｍであることが好ましい。これにより、各第１導電層１２の導電特性を確保するとともに、ＬＥＤ素子実装用基板１０全体としての柔軟性が失われることを防止することができる。なお、複数の第１導電層１２は互いに同一の平面形状を有しているが、これに限らず、一部の第１導電層１２が他の第１導電層１２と異なる平面形状を有していても良い。各第１導電層１２は、接着層を介在させて絶縁層１１上に形成してもよい。接着層を介在させることで接合性を向上できるが、接着層の材質によっては耐熱性が低下する場合がある。接着層を介在させることなく絶縁層１１上に各第１導電層１２が直接形成される場合は、ＬＥＤ素子実装用基板１０全体として耐熱性が低下することを防止することができる。図１において、便宜上４つの第１導電層１２を示しているが、絶縁層１１上には、例えば２個〜１００個の第１導電層１２が設けられても良い。

各反射金属層１４は、各第１導電層１２上に電解めっきにより形成されたものであり、最表面に位置する反射めっき層（光反射層）からなる。各反射金属層１４同士は、空間Ｓを介して互いに平面方向に離間している。各反射金属層１４の上には、ＬＥＤ素子２１（図１の仮想線）が搭載される。また各反射金属層１４は、後述するボンディングワイヤ２２を介してＬＥＤ素子２１と電気的に接続される。各反射金属層１４は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するものであり、可視光の反射率の高い金属からなる。反射金属層１４の材料としては、所望の導電性や反射特性を有する材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、銀、金、白金、パラジウム、インジウム、錫又はこれらの合金からなる金属を用いることができる。反射金属層１４の厚さは、０．５μｍ〜４０μｍ、とりわけ１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。これにより、各反射金属層１４の導電特性や反射特性を確保するとともに、ＬＥＤ素子実装用基板１０の製造コストが増加することを防止することができる。

図２に示すように、垂直断面において、各第１導電層１２の側面１２ａは、反射金属層１４によって覆われている。各第１導電層１２の側面１２ａは、空間Ｓに対して露出しておらず、互いに隣接する第１導電層１２の側面１２ａを覆う反射金属層１４同士が、空間Ｓを挟んで対向している。

なお、各反射金属層１４と各第１導電層１２との間に、電解めっきにより図示しない下地めっき層が形成されていても良い。このような下地導電層は、反射金属層１４と第１導電層１２との接合性を高める役割を果たす。下地導電層の材料としては、反射金属層１４と第１導電層１２との接合性をもつ材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ニッケル、銅又はこれらの合金等の金属を用いることができる。

図１に示すように、貫通孔（ビア）１１ａは、平面視で各第１導電層１２の外周縁によって取り囲まれる領域内にそれぞれ設けられている。貫通孔１１ａは、絶縁層１１を厚み方向に貫通している。なお、貫通孔１１ａは、平面視で円形状を有しているが、これに限らず、例えば矩形状、楕円形状、多角形状等としても良い。また、貫通孔１１ａは、各第１導電層１２に対応してそれぞれ１つずつ設けられているが、各第１導電層１２に対して複数設けられていても良い。

また、各第１導電層１２のうち、絶縁層１１の貫通孔１１ａに対応する位置に、それぞれ開口部１２ｂが形成されている。開口部１２ｂは、第１導電層１２を厚み方向に貫通している。なお、開口部１２ｂは、絶縁層１１の表面側における貫通孔１１ａの平面形状と略同一の平面形状を有しており、この場合、平面円形状からなる。

図２に示すように、層間接続部（接続ビア層）１７は、絶縁層１１の貫通孔１１ａの内部全体にわたって充填されている。この層間接続部１７は、表面側において反射金属層１４及び第１導電層１２に接続され、裏面側において各第２導電層１５に接続されている。層間接続部１７は、平面視で円形状を有しているが、これに限らず、例えば矩形状、楕円形状、多角形状等としても良い。層間接続部１７の断面形状は、貫通孔１１ａの内部において、表面側から裏面側に向けて徐々に細くなる台形形状を有している（図２参照）。しかしながら、これに限らず、層間接続部１７は、厚み方向に均一な形状であっても良い。あるいは、層間接続部１７は、表面側から裏面側に向けて徐々に太くなる形状であっても良い。また、層間接続部１７は、第１導電層１２の開口部１２ｂの内部全体にわたって充填されている。この場合、層間接続部１７の表面と第１導電層１２の表面とは、互いに同一平面上に位置している。これにより、反射金属層１４が、層間接続部１７の表面と第１導電層１２の表面とを均一に覆うので、反射金属層１４における光の反射特性を良好に維持することができる。

各層間接続部１７は、反射金属層１４を電解めっきにより形成する際に給電導体として用いられるものであり、導電性の高い金属からなる。また、層間接続部１７は、ＬＥＤ発光装置２０において、ＬＥＤ素子２１からの熱を裏面側に放熱する役割も果たす。層間接続部１７の材料としては、所望の導電性や熱伝導性を有する材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、銅、ニッケル、銀又はこれらの合金からなる金属を用いることができる。

複数の第２導電層１５は、絶縁層１１の裏面において縦横に島状に配置されており、第２導電層１５同士は互いに平面方向に離間している。互いに隣接する第２導電層１５同士の間には、空間が形成されている。各第２導電層１５は、それぞれ第１導電層１２に対応して設けられている。各第２導電層１５は、それぞれ略平坦な平面矩形状の板状部材からなり、対応する第１導電層１２と略同一の外形形状を有している。第２導電層１５の材料としては、所望の導電性、弾力性、及び強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、又はその他の銅合金を用いることができる。第２導電層１５の材料が第１導電層１２の材料と同一であっても良い。とりわけ曲げ加工性を考慮した場合、ステンレスを用いることが好適である。第２導電層１５の厚さは、１μｍ〜１００μｍ、とりわけ９μｍ〜２０μｍであることが好ましい。このことにより、第２導電層１５の導電性、剛性、及び弾力性を確保することができる。なお、第２導電層１５は、接着層を介在させて絶縁層１１上に形成してもよい。接着層を介在させることで接合性を向上できるが、接着層の材質によっては耐熱性が低下する場合がある。接着層を介在させることなく絶縁層１１上に第２導電層１５が直接形成される場合は、ＬＥＤ素子実装用基板１０全体として耐熱性が低下することを防止することができる。

各第２導電層１５は、各層間接続部１７の裏面に接続された接続領域１５ａと、接続領域１５ａの周縁に位置する周縁領域１５ｂとを有する。接続領域１５ａと周縁領域１５ｂとは互いに離間して配置されており、電気的に絶縁されている。図３に示すように、接続領域１５ａは、平面視で円形状を有しているが、これに限らず、例えば矩形状、楕円形状、多角形状等としても良い。しかしながら、これに限らず、各第２導電層１５が、接続領域１５ａと周縁領域１５ｂとに分割されることなく、それぞれ一枚の板状部材から構成されても良い。この場合、各第２導電層１５の面積を広く確保することができ、各第２導電層１５からの放熱性を高めることができる。

絶縁層１１の周縁部には、外部からＬＥＤ素子２１に対して電力を供給する端子部１６が設けられている。端子部１６は、例えば第１導電層１２とともに形成されても良い。この場合、端子部１６は第１導電層１２と同一材料からなり、具体的には、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、アルミニウム等の金属からなる。

なお、絶縁層１１の厚みは、第１導電層１２の厚み又は第２導電層１５の厚み以下としても良い。このように絶縁層１１を薄くした場合、絶縁層１１の放熱性を高めることができ、ＬＥＤ素子２１（図１の仮想線）からの熱を第２導電層１５から効果的に放熱することができる。

このようなＬＥＤ素子実装用基板１０は、全体として薄板状であり、その全体の厚さは、２０μｍ〜１２０μｍ、とりわけ４０μｍ〜７０μｍであることが好ましい。また、ＬＥＤ素子実装用基板１０の中心に配置された絶縁層１１が、ポリイミド等の柔軟な樹脂からなる。これにより、ＬＥＤ素子実装用基板１０が柔軟性、弾力性及び／又は可撓性を有するフレキシブルな基板となり、例えば、後述するＬＥＤ発光装置２０を曲面状に湾曲させて、所定の曲面に沿って配置することができる。

本実施の形態において、第１導電層１２同士の間の空間Ｓには、例えば反射金属層１４を電解めっきにより形成する給電リードとして用いられる導電層は存在しない。このため、互いに隣接する第１導電層１２同士を接近させ、空間Ｓの幅を狭くすることができる。なお、空間Ｓの幅は、Ｘ方向及びＹ方向のいずれにおいても１０μｍ〜３００μｍであることが好ましく、１００μｍ〜２５０μｍであることが更に好ましい。これにより、反射金属層１４の面積を広く確保するとともに、互いに隣接する第１導電層１２同士又は反射金属層１４同士が短絡する不具合を防止することができる。

ＬＥＤ発光装置の構成
次に、図４および図５により、本実施の形態によるＬＥＤ発光装置について説明する。図４および図５は、本実施の形態によるＬＥＤ発光装置を示す図である。

図４および図５に示すように、ＬＥＤ発光装置２０は、上述したＬＥＤ素子実装用基板１０と、ＬＥＤ素子実装用基板１０の各反射金属層１４上にそれぞれ配置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１と反射金属層１４とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部材）２２と、ＬＥＤ素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する封止樹脂２３とを備えている。

このうちＬＥＤ素子実装用基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成され、空間Ｓを介して互いに離間して配置された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面をそれぞれ覆う反射金属層１４とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａには層間接続部１７が充填されている。各層間接続部１７は、反射金属層１４によって覆われている。また絶縁層１１の裏面には、互いに離間して配置された複数の第２導電層１５が設けられている。

このほか、ＬＥＤ素子実装用基板１０の構成は、上述した図１乃至図３に示すものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

ＬＥＤ素子２１は、発光素子からなる。ＬＥＤ素子２１の発光層としては、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料が挙げられ、これら材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このＬＥＤ素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる一対の電極２１ａを有している。また、ＬＥＤ素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤により、反射金属層１４の表面に固定されている。この場合、ＬＥＤ素子２１は、反射金属層１４の外縁に沿って配置されているが、これに限らず反射金属層１４の中央に配置されていても良い。

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端がＬＥＤ素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各反射金属層１４にそれぞれ接続されている。ＬＥＤ素子２１の一対の電極２１ａのうち、一方の電極２１ａに接続されたボンディングワイヤ２２は、当該ＬＥＤ素子２１を搭載する反射金属層１４に接続され、他方の電極２１ａに接続されたボンディングワイヤ２２は、当該反射金属層１４に隣接する反射金属層１４に接続されている。なお、最も外周に位置するＬＥＤ素子２１に接続されたボンディングワイヤ２２のうちの１つは、端子部１６に接続されている。

なお、導電部材としては、ボンディングワイヤ２２に代えて、ＬＥＤ素子２１に設けられたフリップチップ端子を用いても良い。この場合、ＬＥＤ素子２１を、互いに隣接する一対の反射金属層１４間に跨がるように搭載し、各フリップチップ端子をそれぞれの反射金属層１４に接続しても良い。

封止樹脂２３としては、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２１の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２３が強い光にさらされるため、封止樹脂２３は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。なお、図４において、封止樹脂２３の表示を省略している。また、本実施の形態において、単一の封止樹脂２３を用いてＬＥＤ素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止しているが、これに限られるものではない。例えば、封止樹脂２３が、各ＬＥＤ素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する第１封止樹脂と、第１封止樹脂の周囲を広範囲に封止する第２封止樹脂とから構成されていても良い。

ＬＥＤ発光装置２０の全体厚みは、例えば１２０μｍ〜５０００μｍとすることができる。すなわち、ＬＥＤ素子実装用基板１０の厚みを２０μｍ〜９０μｍとし、ＬＥＤ素子２１の厚みを１００μｍ〜４００μｍとした場合、ＬＥＤ発光装置２０の全体厚みは、ＬＥＤ素子実装用基板１０の厚さにＬＥＤ素子２１の厚さを加えた１２０μｍ〜４９０μｍに、封止樹脂２３の厚みを加えた厚さとすることができる。

ＬＥＤ素子実装用基板の製造方法
次に、図１乃至図３に示すＬＥＤ素子実装用基板１０の製造方法について、図６（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。図６（ａ）−（ｆ）は、ＬＥＤ素子実装用基板１０の製造方法を示す断面図（図２に対応する図）である。

まず図６（ａ）に示すように、積層基板３１を準備する。この積層基板３１は、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面全体に形成された表面側導電層１２Ａと、絶縁層１１の裏面全体に形成された裏面側導電層１５Ａとを有する。なお、表面側導電層１２Ａは上述した第１導電層１２に対応し、裏面側導電層１５Ａは上述した第２導電層１５に対応する。

積層基板３１を作製する場合、まず、例えばステンレス基板等からなる裏面側導電層１５Ａを準備し、この裏面側導電層１５Ａ上に、液状のポリイミドが塗工され、これを硬化することにより絶縁層１１が形成される。続いて、絶縁層１１上に、例えばニッケル、クロム、および銅がスパッタ工法により順次コーティングされ、シード層（図示せず）が形成される。その後、このシード層を導通媒体として、電解めっき（例えば銅めっき）が施されて表面側導電層１２Ａが形成される。このようにして、裏面側導電層１５Ａと、絶縁層１１と、表面側導電層１２Ａと、を有する積層基板３１が得られる。

続いて、図６（ｂ）に示すように、表面側導電層１２Ａがエッチングされる。この場合、表面側導電層１２Ａ上に、パターン状のレジスト（図示せず）を形成し、表面側導電層１２Ａのうちレジストから露出した部分をエッチングすることにより、表面側導電層１２Ａが所望の形状に加工される。これにより、表面側導電層１２Ａの一部が除去され、絶縁層１１上に複数の第１導電層１２が互いに分離して形成される。複数の第１導電層１２は、空間Ｓを介して互いに離間して配置されるとともに、それぞれ開口部１２ｂを有する。また、絶縁層１１の周縁部には端子部１６が形成される。表面側導電層１２Ａをエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。また、表面側導電層１２Ａの材料が銅である場合には、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液等の塩化鉄系エッチング液、または塩化銅水溶液等の塩化銅系エッチング液を用いることができる。このようにしてエッチングが行われた後、レジストは除去される。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１１のうち、開口部１２ｂに対応する領域にそれぞれ貫通孔１１ａを形成する。この際、積層基板３１の表面側に、開口部１２ｂの内側が露出するようにパターン状のレジスト（図示せず）を形成する。次いで、表面側導電層１２Ａのうちレジストから露出した開口部１２ｂ内をエッチングすることにより、絶縁層１１に貫通孔１１ａが貫通形成される。絶縁層１１に貫通孔１１ａを形成する方法は、特に限定されるものではないが、絶縁層１１がポリイミド樹脂からなる場合、ＣＦ_４などの腐食ガスを用いたドライエッチング、あるいは、エッチング液を用いたウエットエッチングを用いることができる。ウエットエッチングを用いる場合、エッチング液としては、例えばヒドラジン、無機アルカリ、有機アルカリ、脂肪族アミン（ジアミン）、または脂肪族アルコールを溶媒として、水や有機極性溶媒をそれぞれ混合させた薬液が挙げられる。このようにして貫通孔１１ａが形成された後、レジストは除去される。あるいは、エッチングに代えて、レーザー加工法により絶縁層１１に貫通孔１１ａを形成しても良い。

次に、図６（ｄ）に示すように、各貫通孔１１ａにそれぞれ層間接続部１７を充填する。この場合、積層基板３１の表面側であって、開口部１２ｂを除く領域に、めっき用レジスト（図示せず）を形成する。続いて、電解めっきにより各貫通孔１１ａ内に金属を析出させて、層間接続部１７を形成する。これにより、層間接続部１７は各貫通孔１１ａ及び開口部１２ｂの全体に充填され、層間接続部１７の表面と第１導電層１２の表面とが同一平面上に位置する。このように層間接続部１７を電解めっきにより形成する際、裏面側導電層１５Ａを給電導体として用いることができる。なお、層間接続部１７がニッケルからなる場合、めっき液としては、例えば高塩化ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケル浴またはワット浴を用いることができる。あるいは、層間接続部１７が銅からなる場合、めっき液としては、例えばシアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。このようにして層間接続部１７が形成された後、めっき用レジストは除去される。

続いて、図６（ｅ）に示すように、各第１導電層１２の表面及び各層間接続部１７の表面に、反射金属層１４を形成する。この際、電解めっきにより各第１導電層１２及び各層間接続部１７上に金属を析出させ、反射金属層１４を形成する。反射金属層１４が銀からなる場合、反射金属層１４を形成する電解めっき用めっき液としては、例えばシアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。本実施の形態において、層間接続部１７により、裏面側導電層１５Ａと第１導電層１２とが互いに電気的に接続されている。このため、反射金属層１４を電解めっきにより形成する場合、裏面側導電層１５Ａ、層間接続部１７及び第１導電層１２を給電導体として用いることができる。なお、反射金属層１４は、第１導電層１２の表面だけでなく、第１導電層１２の側面１２ａも覆うように形成される。

次に、図６（ｆ）に示すように、裏面側導電層１５Ａの一部を除去することにより、互いに離間して配置された複数の第２導電層１５を形成する。また、各第２導電層１５は、各層間接続部１７の裏面に接続された接続領域１５ａと、接続領域１５ａの周縁に位置する周縁領域１５ｂとに分離される。この場合、裏面側導電層１５Ａの裏面に、パターン状のレジスト（図示せず）を形成し、裏面側導電層１５Ａのうちレジストから露出した部分をエッチングすることにより、裏面側導電層１５Ａが所望の形状に加工される。これにより、裏面側導電層１５Ａの一部が除去され、絶縁層１１の裏面に複数の第２導電層１５が互いに分離して形成される。複数の第２導電層１５は、さらに接続領域１５ａと周縁領域１５ｂとに分離される。裏面側導電層１５Ａをエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを用いることが好ましい。また、裏面側導電層１５Ａの材料がステンレスである場合には、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄を主成分とする塩酸との混合液、または更に硝酸を加えた混合液を用いることができる。このようにしてエッチングが行われた後、レジストは除去される。なお、図６（ｆ）に示す工程において、各第２導電層１５を接続領域１５ａと周縁領域１５ｂとに分割せず、各第２導電層１５がそれぞれ一枚の板状部材から構成されるようにしても良い。あるいは、接続領域１５ａのみを残して、周縁領域１５ｂを除去しても良い。または、裏面側導電層１５Ａの全体を除去し、絶縁層１１及び層間接続部１７の裏面全体が露出するようにしても良い。

このようにして、図１乃至図３に示すＬＥＤ素子実装用基板１０が得られる。

ＬＥＤ発光装置の製造方法
次に、図４および図５に示すＬＥＤ発光装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図７（ａ）−（ｄ）は、ＬＥＤ発光装置２０の製造方法を示す断面図（図５に対応する図）である。

まず、例えば図６（ａ）−（ｆ）に示す方法（上述）により、ＬＥＤ素子実装用基板１０を作製する（図７（ａ））。

次に、ＬＥＤ素子実装用基板１０の各反射金属層１４上に、それぞれＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤（図示せず）を用いて、ＬＥＤ素子２１を反射金属層１４上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図７（ｂ））。

次に、ＬＥＤ素子２１の各電極２１ａと、各反射金属層１４とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｃ））。この際、ＬＥＤ素子２１の一対の電極２１ａのうち、一方の電極２１ａは、ボンディングワイヤ２２によって当該ＬＥＤ素子２１を搭載する反射金属層１４に接続される。一方、ＬＥＤ素子２１の一対の電極２１ａのうち、他方の電極２１ａは、ボンディングワイヤ２２によって隣接する反射金属層１４に接続される。なお、最も外周に位置するＬＥＤ素子２１の１つの電極２１ａは、ボンディングワイヤ２２によって端子部１６に接続される。

次に、ＬＥＤ素子実装用基板１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図７（ｄ））。これにより、第１導電層１２、反射金属層１４、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。このとき、封止樹脂２３は、互いに隣接する第１導電層１２同士の間の空間Ｓにも充填される。

このようにして、図４および図５に示すＬＥＤ発光装置２０が得られる。

このように本実施の形態によれば、絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａに層間接続部１７が充填されている。このため、反射金属層１４を電解めっきにより形成する際（図６（ｅ）参照）、層間接続部１７を給電導体として用いることができる。したがって、第１導電層１２同士の間の空間Ｓには、例えば反射金属層１４を電解めっきにより形成する給電用導電層を設ける必要がない。これにより、第１導電層１２同士を接近させて配置することができ、反射金属層１４の面積を広く確保することができる。この結果、ＬＥＤ発光装置２０におけるＬＥＤ素子２１からの光の反射効率を高めることができる。

また、本実施の形態によれば、絶縁層１１の裏面に第２導電層１５が形成されているので、絶縁層１１を補強し、ＬＥＤ素子実装用基板１０の強度を高めることができる。また、ＬＥＤ素子２１からの熱を層間接続部１７及び第２導電層１５を介して放出することができるので、ＬＥＤ素子実装用基板１０の裏面側からの放熱性を高めることができる。さらに、反射金属層１４を電解めっきにより形成する際、第２導電層１５（裏面側導電層１５Ａ）を給電導体として用いることができる。

さらに、本実施の形態によれば、各第２導電層１５は、各層間接続部１７の裏面に接続された接続領域１５ａと、接続領域１５ａから離間して配置された周縁領域１５ｂとを有する。これにより、接続領域１５ａの電気的絶縁性を確保することができる。

さらに、本実施の形態によれば、層間接続部１７の表面と第１導電層１２の表面とが、同一平面上に位置する。この場合、反射金属層１４が、層間接続部１７の表面と第１導電層１２の表面とを均一に覆うので、反射金属層１４における光の反射特性を良好に維持することができる。

さらに、本実施の形態によれば、空間Ｓの幅は、１０μｍ〜３００μｍであり、空間Ｓには、導電層が存在しない。これにより、第１導電層１２同士を接近させて配置することができ、反射金属層１４の面積を広く確保することができる。

（第２の実施の形態）
次に、図８を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図８は本発明の第２の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図である。図８に示す第２の実施の形態は、層間接続部１７が表面側から凹んでいる点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図８において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図８に示すように、ＬＥＤ素子実装用基板１０Ａは、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面を覆う反射金属層１４と、絶縁層１１の裏面に形成された複数の第２導電層１５とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａの一部のみに層間接続部１７が充填されている。この場合、層間接続部１７は表面側から凹んでいる。また、反射金属層１４は、第１導電層１２の表面と層間接続部１７の表面とを覆うように形成されている。層間接続部１７の表面において、反射金属層１４は層間接続部１７に沿って断面凹形状に形成されている。なお、これに限らず、反射金属層１４が層間接続部１７の凹部全体に充填されても良い。この場合、反射金属層１４の表面が平坦面となっても良く、あるいは反射金属層１４が表面側に突出しても良い。

このようなＬＥＤ素子実装用基板１０Ａを作製する場合、上述した図６（ｄ）に示す工程において、層間接続部１７を電解めっきにより形成する際、層間接続部１７が貫通孔１１ａの一部のみを充填するように設ける。具体的には、層間接続部１７が断面凹形状に形成された時点で電解めっき処理を停止する。続いて、図６（ｅ）に示す工程において、層間接続部１７の表面に沿って反射金属層１４を形成する。その後、図６（ｆ）に示す工程を経ることにより、図８に示すＬＥＤ素子実装用基板１０Ａが得られる。

本実施の形態によれば、各反射金属層１４を電解めっきで形成する際に、層間接続部１７を介して裏面の第２導電層１５を電解めっき用の給電体として用いることで、表面の給電体リードをなくして第１導電層１２の面積を拡大し、反射金属層１４の面積を広くすることができる。

（第３の実施の形態）
次に、図９を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図９は本発明の第３の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図である。図９に示す第３の実施の形態は、層間接続部１７が表面側に突出している点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図９において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図９に示すように、ＬＥＤ素子実装用基板１０Ｂは、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面を覆う反射金属層１４と、絶縁層１１の裏面に形成された複数の第２導電層１５とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａの全体に層間接続部１７が充填されている。この場合、層間接続部１７は、表面側に突出しており、第１導電層１２からドーム状に盛り上がっている。また、反射金属層１４は、第１導電層１２の表面と層間接続部１７の表面とを覆うように形成されている。層間接続部１７の表面において、反射金属層１４は層間接続部１７に沿って表面側に盛り上がった形状を有している。

このようなＬＥＤ素子実装用基板１０Ｂを作製する場合、上述した図６（ｄ）に示す工程において、層間接続部１７を電解めっきにより形成する際、層間接続部１７が貫通孔１１ａを完全に充填した後、層間接続部１７が更に第１導電層１２の表面側に突出するように設ける。具体的には、めっき用レジスト（図示せず）が開口部１２ｂの周囲を覆った状態とし、層間接続部１７の表面が第１導電層１２の表面と同一平面上にきた後、更に電解めっき処理を継続する。これにより、層間接続部１７が第１導電層１２の表面側に突出する。続いて、図６（ｅ）に示す工程において、層間接続部１７の表面に沿って反射金属層１４を形成する。その後、図６（ｆ）に示す工程を経ることにより、図９に示すＬＥＤ素子実装用基板１０Ｂが得られる。

本実施の形態によれば、表面側に盛り上がった反射金属層１４により、ＬＥＤ素子２１からの光を様々な方向に拡散させることができる。

（第４の実施の形態）
次に、図１０を参照して本発明の第４の実施の形態について説明する。図１０は本発明の第４の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図である。図１０に示す第４の実施の形態は、層間接続部１７が第１導電層１２の表面を覆っている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１０において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示すように、ＬＥＤ素子実装用基板１０Ｃは、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面を覆う反射金属層１４と、絶縁層１１の裏面に形成された複数の第２導電層１５とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａの全体に層間接続部１７が充填されている。この場合、層間接続部１７は、薄膜状に第１導電層１２の表面全体を略均一に覆っている。また、反射金属層１４は、層間接続部１７の表面全体を覆うように形成されており、層間接続部１７は、第１導電層１２と反射金属層１４との間に介在されている。

このようなＬＥＤ素子実装用基板１０Ｃを作製する場合、上述した図６（ｄ）に示す工程において、層間接続部１７を電解めっきにより形成する際、層間接続部１７が貫通孔１１ａを完全に充填した後、層間接続部１７が第１導電層１２の表面全体を覆うように設ける。具体的には、第１導電層１２の表面にめっき用レジストを設けることなく、層間接続部１７の表面が第１導電層１２の表面と同一平面となった後、更に電解めっき処理を継続する。これにより、層間接続部１７が第１導電層１２の表面を覆うように形成される。続いて、図６（ｅ）に示す工程において、層間接続部１７の表面に沿って反射金属層１４を形成する。その後、図６（ｆ）に示す工程を経ることにより、図１０に示すＬＥＤ素子実装用基板１０Ｃが得られる。

本実施の形態によれば、各反射金属層１４を電解めっきにより形成する際に、層間接続部１７を介して裏面の第２導電層１５を電解めっき用の給電体として用いることで、表面の給電体リードをなくして第１導電層１２の面積を拡大し、反射金属層１４の面積を広げることができる。また、第１導電層１２の表面全体を電解めっきにて覆うことで第１導電層１２の露出部分をなくし、結果として反射率を増加させることができる。

（第５の実施の形態）
次に、図１１を参照して本発明の第５の実施の形態について説明する。図１１は本発明の第５の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図である。図１１に示す第５の実施の形態は、層間接続部１７と反射金属層１４とが一体化されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１１において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１１に示すように、ＬＥＤ素子実装用基板１０Ｄは、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面を覆う反射金属層１４と、絶縁層１１の裏面に形成された複数の第２導電層１５とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａの全体に層間接続部１７が充填されている。この場合、反射金属層１４と層間接続部１７とは、互いに同一の材料からなり、電解めっき処理により一体化された状態で形成されている。

このようなＬＥＤ素子実装用基板１０Ｄを作製する場合、上述した図６（ｄ）に示す工程において、層間接続部１７を電解めっきにより形成する際、層間接続部１７が貫通孔１１ａを完全に充填した後、反射金属層１４（層間接続部１７）が第１導電層１２の表面を覆うように設ける。具体的には、第１導電層１２の表面にめっき用レジストを設けることなく、層間接続部１７の表面が第１導電層１２の表面と同一平面上となった後、更に電解めっき処理を継続する。これにより、反射金属層１４（層間接続部１７）が第１導電層１２の表面側を覆うように形成される。反射金属層１４（層間接続部１７）を構成する材料としては、例えば、銀、金、白金、パラジウム、インジウム、錫又はこれらの合金からなる金属を用いることができる。続いて、図６（ｅ）に示す工程を設けることなく、図６（ｆ）に示す工程を経ることにより、図１１に示すＬＥＤ素子実装用基板１０Ｄが得られる。

本実施の形態によれば、層間接続部１７及び反射金属層１４を形成する工程が電解めっきにより一工程で行われるので、ＬＥＤ素子実装用基板１０Ｄの製造工程を簡略化することができる。

（第６の実施の形態）
次に、図１２を参照して本発明の第６の実施の形態について説明する。図１２は本発明の第６の実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板を示す断面図である。図１２に示す第６の実施の形態は、層間接続部１７ｂがＬＥＤ素子実装用基板の裏面側から形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１２において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１２に示すように、ＬＥＤ素子実装基板１０Ｅは、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面に形成された複数の第１導電層１２と、各第１導電層１２の表面を覆う反射金属層１４と、絶縁層１１の裏面に形成された複数の第２導電層１５とを備えている。絶縁層１１のうち、各第１導電層１２に対応する位置にそれぞれ貫通孔１１ａが形成され、各貫通孔１１ａに層間接続部１７ｂが充填されている。第２導電層には貫通孔１１ａに対応した開口部１５ｃが形成されており、層間接続部１７ｂは開口部１５ｃおよび接続領域１５aに達しており、第１導電層１２と第２導電層１５は層間接続部１７ｂを介して電気的に接続している。また、反射金属層１４は、第１導電層１２の表面と層間接続部１７ｂの表面とを覆うように形成されている。

各第２導電層１５の接続領域１５ａには、第２導電層１５を厚み方向に貫通する開口部１５ｃが形成されている。層間接続部１７ｂは、開口部１５ｃにも充填されている。なお、図１２で層間接続部１７ｂの裏面（第２導電層１５側の面）と、第２導電層１５の裏面（絶縁層１１と反対側の面）とは、互いに同一平面上に位置している。

本実施の形態によれば、各第２導電層１５は、各層間接続部１７ｂの裏面に接続された接続領域１５ａと、接続領域１５ａから離間して配置された周縁領域１５ｂとをさらに有することができる。これにより、接続領域１５ａの電気的絶縁性を確保できる。

層間接続部の１７ｂの裏面（第２導体層側の面）の形状については、図１２に示す第２導電層１５の裏面（絶縁層１１と反対側の面）と互いに同一平面上に位置している平坦な形状以外に、図１３に示すＬＥＤ素子実装基板１０Ｆのように、層間接続部１７ｂの裏面が第２導体層の裏面より基板の内側に位置する断面凹形状に形成されてもよいし、図１４に示すＬＥＤ素子実装基板１０Ｇのように、層間接続部１７ｂの裏面が第２導体層の裏面よりＬＥＤ素子実装基板１０Ｇの外側に位置する断面凸形状に形成されてもよい。

層間接続部１７ｂの第２導体層側の裏面の形状が平坦な場合は、たとえば放熱板を接触して用いる場合、ＬＥＤ素子実装基板１０Ｅと放熱板との密着が良好となり、裏面側からの放熱性を高めることができる。一方、層間接続部１７ｂの第２導電層１５側の裏面の形状が断面凹形状である場合は、層間接続部１７ｂを充填する量が少なくて済み、充填工程を短時間とすることができる。さらに、層間接続部の１７ｂの第２導体層１５側の裏面の形状が断面凸形状である場合は、断面凸形状の部分を端子として用いることが可能である。

（第６の実施の形態のＬＥＤ素子実装用基板の製造方法）
次に、図１５（ａ）〜（ｇ）を参照して本発明の第６の実施の形態の製造方法について説明する。図１５（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態によるＬＥＤ素子実装用基板１０Ｅの製造方法を示す断面図（図１２に対応する図）である。図１５（ａ）〜（ｇ）に示す第６の実施の形態に係る製造方法は、層間接続部１７ｂがＬＥＤ素子実装用基板の裏面側から形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態に係る製造方法と略同一である。図１５において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

まず図１５（ａ）に示すように、積層基板３１を準備する。この積層基板３１は、絶縁層１１と、絶縁層１１の表面全体に形成された表面側導電層１２Ａと、絶縁層１１の裏面全体に形成された裏面側導電層１５Ａとを有する。

続いて、図１５（ｂ）に示すように、裏面側導電層１５Ａをエッチングし開口部１５ｃが形成される。この場合、裏面側導電層１５Ａ上に、パターン状のレジスト（図示せず）を形成し、レジストから露出した部分をエッチングすることにより、裏面側導電層１５Ａが所望の形状に加工される。これにより、裏面側導電層１５Ａには複数の第１導電層１２に対応した位置にそれぞれ開口部１５ｃが形成される。この際、表面側導電層１２Ａの表面にはエッチングから保護するために樹脂性のエッチング保護膜（図示せず）を貼り付けてもよい。

次に、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層１１のうち、開口部１５ｃに対応する領域にそれぞれ貫通孔１１ａを形成する。ここで貫通孔１１ａは、絶縁層１１を貫通して表側導電層１２Ａに達するように形成する。貫通孔１１ａを形成するには、レーザー加工法により絶縁層１１に貫通孔１１ａを形成する方法が使用できる。

続いて、図１５（ｄ）に示すように、各貫通孔１１ａにそれぞれ層間接続部１７ｂを充填する。この場合、積層基板３１の裏面側であって、開口部１５ｃを除く領域に、めっき用レジスト（図示せず）を形成する。続いて、表面側導電層１２Ａを給電導体として電解めっきにより各貫通孔１１ａ内に金属を析出させて、層間接続部１７を形成する。これにより、層間接続部１７は各貫通孔１１ａ及び開口部１５ｃの全体に充填され、層間接続部１７ｂの裏面と第２導電層１５の裏面とが同一平面上に位置するようになる。

次に、図１５（ｅ）に示すように、表面側導電層１２Ａがエッチングされる。この場合、表面側導電層１２Ａ上のエッチング保護膜がある場合はそれを除去する。その後、表面側導電層１２Ａ上に、パターン状のレジスト（図示せず）を形成し、表面側導電層１２Ａのうちレジストから露出した部分をエッチングすることにより、表面側導電層１２Ａが所望の形状に加工される。これにより、表面側導電層１２Ａの一部が除去され、絶縁層１１上に複数の第１導電層１２が互いに分離して形成される。複数の第１導電層１２は、空間Ｓを介して互いに離間して配置される。

続いて、図１５（ｆ）に示すように、各第１導電層１２の表面に、反射金属層１４を形成する。この際、電解めっきにより各第１導電層１２上に金属を析出させ、反射金属層１４を形成する。ここで、本実施の形態において、層間接続部１７により、裏面側導電層１５Ａと第１導電層１２とが互いに電気的に接続されているため、反射金属層１４を電解めっきにより形成する場合、裏面側導電層１５Ａ、層間接続部１７及び第１導電層１２を給電導体として用いることができる。このため、積層基板３１の表面の第１導電層１２に給電リードを設ける必要が無く、各々の反射金属層１４の面積を広くすることができる。なお、反射金属層１４は、第１導電層１２の表面だけでなく、第１導電層１２の側面１２ａも覆うように形成される。

次に、図１５（ｇ）に示すように、裏面側導電層１５Ａの一部を除去することにより、互いに離間して配置された複数の第２導電層１５を形成する。また、各第２導電層１５は、各層間接続部１７の裏面に接続された接続領域１５ａと、接続領域１５ａの周縁に位置する周縁領域１５ｂとに分離される。この場合、裏面側導電層１５Ａの裏面に、パターン状のレジスト（図示せず）を形成し、裏面側導電層１５Ａのうちレジストから露出した部分をエッチングすることにより、裏面側導電層１５Ａが所望の形状に加工される。なお、裏面側導電体１５Ａは、必要に応じて各種のパターンに設計をすることができる。

第６の実施の形態においては、裏面側導体層１５Ａに開口部１５ｃを形成して層間接続部の１７ｂを形成しており、表面側導体層１２Ａには層間接続部１７ｂに対応した開口部が存在しない。このため、反射金属層１４を形成する際に、表面の平滑性を得ることが容易となる。

１０、１０Ａ〜１０Ｄ ＬＥＤ素子実装用基板
１１ 絶縁層
１１ａ 貫通孔
１２ 第１導電層
１２ｂ 開口部
１２Ａ 表面側導電層
１４ 反射金属層
１５ 第２導電層
１５ａ 接続領域
１５ｂ 周縁領域
１５ｃ 開口部
１５Ａ 裏面側導電層
１６ 端子部
１７、１７ｂ 層間接続部
２０ ＬＥＤ発光装置
２１ ＬＥＤ素子
２１ａ 電極
２２ ボンディングワイヤ
２３ 封止樹脂
３１ 積層基板

Claims (18)

1. ＬＥＤ素子実装用基板であって、
   絶縁層と、
   前記絶縁層の表面に形成され、空間を介して互いに離間して配置された複数の第１導電層と、
   各第１導電層の表面をそれぞれ覆う反射金属層とを備え、
   前記絶縁層のうち、各第１導電層に対応する位置にそれぞれ貫通孔が形成され、
   各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部が充填され、
   各層間接続部は、前記反射金属層によって覆われていることを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板。
2. 前記絶縁層の裏面に形成され、互いに離間して配置された複数の第２導電層を更に備えたことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ素子実装用基板。
3. 各第２導電層は、前記層間接続部に接続された接続領域と、前記接続領域から離間して配置された周縁領域とを有することを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ素子実装用基板。
4. 前記層間接続部の表面と前記第１導電層の表面とが、同一平面上に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
5. 前記層間接続部は、表面側から凹んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
6. 前記層間接続部は、表面側に突出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
7. 前記層間接続部が、前記第１導電層を覆っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
8. 前記反射金属層と前記層間接続部とは、互いに同一の材料からなり、一体化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
9. 前記層間接続部の裏面と、前記第２導電層の裏面とが同一平面上に位置することを特徴とする請求項２又は３記載のＬＥＤ素子実装用基板。
10. 前記層間接続部の裏面は、前記第２導電層の裏面側から凹んでいることを特徴とする請求項２又は３記載のＬＥＤ素子実装用基板。
11. 前記層間接続部の裏面は、前記第２導電層の裏面側に突出していることを特徴とする請求項２又は３記載のＬＥＤ素子実装用基板。
12. 前記空間の幅は、１０μｍ〜３００μｍであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
13. 前記空間には、導電層が存在しないことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板。
14. ＬＥＤ発光装置であって、
    絶縁層と、
    前記絶縁層の表面に形成され、空間を介して互いに離間して配置された複数の第１導電層と、
    各第１導電層の表面をそれぞれ覆う反射金属層と、
    前記反射金属層上に配置されたＬＥＤ素子と、
    前記ＬＥＤ素子と前記反射金属層とを電気的に接続する導電部材と、
    前記ＬＥＤ素子及び前記導電部材を封止する封止樹脂とを備え、
    前記絶縁層のうち、各第１導電層に対応する位置にそれぞれ貫通孔が形成され、
    各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部が充填され、
    各層間接続部は、前記反射金属層によって覆われていることを特徴とするＬＥＤ発光装置。
15. ＬＥＤ素子実装用基板の製造方法において、
    絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された表面側導電層とを有する積層基板を準備する工程と、
    前記積層基板の前記表面側導電層の一部を除去することにより、空間を介して互いに離間して配置されるとともにそれぞれ開口部を有する、複数の第１導電層を形成する工程と、
    前記積層基板の前記絶縁層のうち、前記開口部に対応する領域にそれぞれ貫通孔を形成する工程と、
    各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部を充填する工程と、
    各第１導電層の表面および各層間接続部を覆うように反射金属層を形成する工程と備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板の製造方法。
16. 前記積層基板は、前記絶縁層の裏面に形成された裏面側導電層を有し、前記反射金属層を形成する工程の後、前記裏面側導電層の一部を除去することにより、互いに離間して配置された複数の第２導電層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１５記載のＬＥＤ素子実装用基板の製造方法。
17. ＬＥＤ素子実装用基板の製造方法において、
    絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された表面側導電層と、前記絶縁層の裏面に形成された裏面側導電層とを有する積層基板を準備する工程と、
    前記積層基板の前記表面側導電層の一部を除去することにより、空間を介して互いに離間して配置される複数の第１導電層を形成するとともに、前記複数の第１導電層に対応した開口部を前記裏面側導電層に形成して、複数の開口部を有する第２導電層を形成する工程と、
    前記積層基板の前記絶縁層のうち、前記開口部に対応する領域にそれぞれ貫通孔を形成する工程と、
    各貫通孔の少なくとも一部に層間接続部を充填する工程と、
    各第１導電層の表面を覆うように反射金属層を形成する工程と備えたことを特徴とするＬＥＤ素子実装用基板の製造方法。
18. ＬＥＤ発光装置の製造方法において、
    請求項１乃至１３のいずれか一項記載のＬＥＤ素子実装用基板を準備する工程と、
    前記ＬＥＤ素子実装用基板の前記反射金属層上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
    前記ＬＥＤ素子と前記反射金属層とを導電部材により電気的に接続する工程と、
    前記ＬＥＤ素子及び前記導電部材を封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ発光装置の製造方法。

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