JP2013149947A - 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性能に優れ、狭ピッチの発光素子に対応しやすい発光素子搭載用パッケージ及び前記発光素子搭載用パッケージに複数の発光素子を搭載した発光素子パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発光素子搭載用パッケージは、複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部と、前記発光素子搭載部が設けられた絶縁層と、を有し、前記発光素子搭載部の上面は前記絶縁層から露出し、下面は前記絶縁層に埋設されており、隣接する前記配線の対向する側縁部の下側には、それぞれ切り欠き部が形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、複数の発光素子を搭載可能な発光素子搭載用パッケージ及び前記発光素子搭載用パッケージに複数の発光素子を搭載した発光素子パッケージ、並びにそれらの製造方法に関する。

近年、光源として低消費電力で長寿命である発光ダイオード（以降、ＬＥＤとする）が注目されており、例えば、複数のＬＥＤを搭載したＬＥＤモジュールが提案されている。このようなＬＥＤモジュールにおいて、ＬＥＤが発する熱を速やかに放熱するためには、ＬＥＤが搭載される部分の配線（パッド）が厚いことが好ましい。

特開２００３−０９２０１１号公報 特開２００６−３１９０７４号公報

しかしながら、ＬＥＤが搭載される部分の配線はサブトラクティブ法により形成されるため、配線を厚くすると、隣接する配線同士の間隔を狭くできず、狭ピッチのＬＥＤを搭載できないという問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、放熱性能に優れ、狭ピッチの発光素子に対応しやすい発光素子搭載用パッケージ及び前記発光素子搭載用パッケージに複数の発光素子を搭載した発光素子パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供することを課題とする。

本発光素子搭載用パッケージは、複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部と、前記発光素子搭載部が設けられた絶縁層と、を有し、前記発光素子搭載部の上面は前記絶縁層から露出し、下面は前記絶縁層に埋設されており、隣接する前記配線の対向する側縁部の下側には、それぞれ切り欠き部が形成されていることを要件とする。

本発光素子搭載用パッケージの製造方法は、金属箔の一方の面の所定領域に溝部を形成する工程と、前記金属箔の前記一方の面及び前記溝部を被覆する絶縁層を形成する工程と、前記金属箔の前記溝部が形成された部分の一部を除去し、複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部を形成する工程と、を有し、前記発光素子搭載部を形成する工程において、隣接する前記配線の対向する側縁部の前記一方の面側には、前記溝部の内壁を構成していた部分から、それぞれ切り欠き部が形成されることを要件とする。

開示の技術によれば、放熱性能に優れ、狭ピッチの発光素子に対応しやすい発光素子搭載用パッケージ及び前記発光素子搭載用パッケージに複数の発光素子を搭載した発光素子パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供できる。

第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）である。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 図３のＡ部を拡大して例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その９）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１０）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１１）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１２）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１３）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１４）である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。 第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。 第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その６）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その７）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その８）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その９）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１０）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１１）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１２）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１３）である。 除去される部分の金属箔の断面形状を例示する図である。 第６の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図である。 第６の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第６の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造］
まず、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。図２は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）であり、図１において反射膜６０を省略した図である。図３（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図４は、図３（ａ）のＡ部を拡大して例示する断面図である。

なお、便宜上、図１及び図２のめっき膜５０、並びに、図２の発光素子搭載部４０を梨地模様で示している（他の図においても同様の場合がある）。又、図４においては、絶縁層３０と発光素子搭載部４０のみを図示している。

図１〜図４を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１０は、大略すると、金属板２０と、絶縁層３０と、発光素子搭載部４０と、めっき膜５０と、反射膜６０とを有する。

金属板２０は、発光素子搭載用パッケージ１０に搭載される発光素子の発する熱を発光素子搭載用パッケージ１０の外部に放出する放熱板としての機能を有するとともに、絶縁層３０や発光素子搭載部４０を形成するための基体となる部分である。金属板２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等の熱伝導率のよい材料を用いることができる。金属板２０の厚さは、例えば、１００〜２０００μｍ程度とすることができる。

絶縁層３０は、金属板２０上に形成されており、金属板２０と発光素子搭載部４０とを絶縁している。絶縁層３０の材料としては、例えば、エポキシ系の絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層３０の厚さは、例えば、１５〜２００μｍ程度とすることができる。

発光素子搭載部４０は、互いに電気的に独立した配線４１〜４５を有する。発光素子搭載部４０は、絶縁層３０に埋設されている。但し、発光素子搭載部４０の上面（配線４１〜４５の上面）を含む部分は絶縁層３０から露出している。発光素子搭載部４０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金等の金属を用いることができる。発光素子搭載部４０の厚さは、例えば、２０〜１００μｍ程度とすることができる。

配線４１〜４５は、例えば、平面視して長尺状又は長方形状に形成され、各配線の長辺同士が対向するように、所定の間隔を隔てて配置されている。配線４１〜４５の各長辺及び各短辺の長さ並びに隣接する配線の間隔の一例を挙げると、長辺が５〜１０ｍｍ程度、短辺が１〜５ｍｍ程度、間隔が５０〜１００μｍ程度である。

配線４１〜４５において、隣接する配線の対向する側縁部４０ｘの下側（絶縁層３０側）には、それぞれ切り欠き部４０ｙが形成されている。隣接する配線において、切り欠き部４０ｙが形成されている部分の厚さは、切り欠き部４０ｙが形成されていない部分の厚さよりも薄くなっている。なお、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（図３（ａ）参照）、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（図３（ｂ）参照）には切り欠き部４０ｙが形成されていない。

切り欠き部４０ｙは絶縁層３０に被覆され、側縁部４０ｘの切り欠き部４０ｙよりも上部は絶縁層３０から突出している。切り欠き部４０ｙの断面形状は、例えば、凹型Ｒ形状等とすることができる。なお、配線４１〜４５の各上面（切り欠き部４０ｙが形成されていない側の面）は略平坦である。

配線４１〜４５において、隣接する配線の一方に形成された切り欠き部４０ｙの断面形状と、隣接する配線の他方に形成された切り欠き部４０ｙの断面形状とは、隣接する配線の間隔の中心を通り配線の厚さ方向に引かれた仮想線を対称軸として線対称とされている。なお、ここでいう線対称は、おおよそ線対称であることを意味し、厳密に線対称でることを意味するものではない。従って、本実施の形態の所定の効果を損なわない範囲で線対称からずれているものも『線対称』と表現する。

配線４１〜４５の所定の領域には、めっき膜５０が形成されている。めっき膜５０を形成する目的は、それぞれの部分に接続される部材等との接続信頼性を向上させるためである。

めっき膜５０としては、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜等を用いることができる。なお、『ＡＡ／ＢＢ膜』は、ＡＡ膜とＢＢ膜とが対象部分にこの順番で積層形成されていることを意味している（３層以上の場合も同様）。

めっき膜５０のうち、Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜の膜厚は、０．１μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜５０のうち、Ｐｄ又はＰｄ合金膜の膜厚は、０．００５μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜５０のうち、Ｎｉ又はＮｉ合金膜の膜厚は、０．５μｍ以上とすることが好ましい。

なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、めっき膜５０の最表層をＡｇ膜又はＡｇ合金膜とすると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。

めっき膜５０において、隣接する配線に対向するように形成された部分は、発光素子搭載領域５１を構成している。発光素子搭載領域５１は、例えば、平面形状が半円状のめっき膜が隣接する配線に対向するように形成された部分であり、１つの発光素子搭載領域５１に２端子（４端子等でもよい）の１つの発光素子を搭載可能とされている。

より詳しくは、配線４１〜４５において、隣接する配線の上面には、複数の発光素子搭載領域５１が形成されている。つまり、配線４１〜４５において、隣接する配線間に複数の発光素子を並列に搭載可能とされている。例えば、隣接する配線４１と４２との間に配線の長手方向に沿って複数の発光素子（本実施の形態では４個）を並列に搭載可能とされている。隣接する配線４２と４３との間、隣接する配線４３と４４との間、及び隣接する配線４４と４５との間についても同様である。

又、配線の配列方向（Ｘ方向）に沿って隣接する配線間に複数の発光素子を直列に搭載可能とされている。例えば、隣接する配線４１と４２との間、隣接する配線４２と４３との間、隣接する配線４３と４４との間、及び隣接する配線４４と４５との間に、発光素子（本実施の形態では４個）を直列に搭載可能とされている。

なお、例えば、平面形状が矩形状のめっき膜を隣接する配線に対向するように形成して、発光素子搭載領域５１としてもよい。又、本実施の形態では、発光素子搭載領域５１を１６箇所形成し、１６個の発光素子を搭載可能としているが、発光素子搭載領域５１の個数は任意に決定してよい。

配線４１には、めっき膜５０により、第１電極部５２が形成されている。第１電極部５２は、発光素子搭載領域５１の配線４１に形成された部分と電気的に接続されている。又、配線４５には、めっき膜５０により、第２電極部５３が形成されている。第２電極部５３は、発光素子搭載領域５１の配線４５に形成された部分と電気的に接続されている。第１電極部５２及び第２電極部５３は、例えば、発光素子搭載用パッケージ１０の外部に配置される電源や駆動回路等に接続される部分である。

反射膜６０は、発光素子搭載部４０を覆うように、絶縁層３０上に形成されている絶縁膜である。反射膜６０は開口部６０ｘを有し、各開口部６０ｘ内には各発光素子搭載領域５１が露出している。なお、配線４１〜４５の反射膜６０が形成される側の面に、粗化処理を施してもよい。粗化処理を施すことにより、アンカー効果により、配線４１〜４５と反射膜６０との密着性を向上できる。

反射膜６０の材料としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いることができる。反射膜６０は、発光素子の照射する光の反射率を上げるため、酸化チタン等のフィラーを含有させて白色にすると好適である。酸化チタンに代えて、ＢａＳＯ_４等の顔料を使用して反射膜６０を白色にしてもよい。反射膜６０の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。

なお、本実施の形態では、隣接する配線間に露出する絶縁層３０上には反射膜６０を形成していないが、隣接する配線間に露出する絶縁層３０上及びその近傍の発光素子搭載部４０及びめっき膜５０を覆うように反射膜６０を形成してもよい。

図５は、第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。図５を参照するに、発光素子パッケージ１００は、発光素子搭載用パッケージ１０の各発光素子搭載領域５１に複数の発光素子１１０を縦横に搭載し、封止樹脂１２０により封止したものである。但し、封止樹脂１２０は、第１電極部５２及び第２電極部５３のそれぞれの一部又は全部を露出するように形成されている。

発光素子１１０としては、例えば、一端側にアノード端子、他端側にカソード端子が形成されたＬＥＤを用いることができる。但し、発光素子１１０はＬＥＤには限定されず、例えば、面発光型レーザ等を用いてもよい。封止樹脂１２０としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。

以降、発光素子１１０がＬＥＤであり発光素子パッケージ１００がＬＥＤモジュールである場合を例にして説明を行う（発光素子１１０をＬＥＤ１１０、発光素子パッケージ１００をＬＥＤモジュール１００と称する場合がある）。

発光素子搭載領域５１に搭載されるＬＥＤ１１０の寸法の一例を挙げると、平面視において、縦０．３ｍｍ（Ｙ方向）×横０．３ｍｍ（Ｘ方向）、縦１．０ｍｍ（Ｙ方向）×横１．０ｍｍ（Ｘ方向）、縦１．５ｍｍ（Ｙ方向）×横１．５ｍｍ（Ｘ方向）等である。

各ＬＥＤ１１０には、一方の電極端子となるバンプ１１０ａと、他方の電極端子となるバンプ１１０ｂが形成されている。各ＬＥＤ１１０のバンプ１１０ａ又は１１０ｂの何れか一方がアノード端子であり、他方がカソード端子である。バンプ１１０ａ及び１１０ｂは、例えば、隣接する配線にフリップチップ接合されている。各ＬＥＤ１１０は、同一方向（例えば、アノード端子が紙面左側にくるように）に搭載されている。

なお、バンプ１１０ａ及び１１０ｂは、それぞれ複数設けると好適である。バンプ１１０ａ及び１１０ｂが1つずつであると各配線上での接続箇所が一箇所ずつとなるため、実装されたＬＥＤ１１０に傾きが生じる虞がある。バンプ１１０ａ及び１１０ｂをそれぞれ複数設けることにより、各配線上での接続箇所が複数箇所となるため、安定した実装を行うことができる。

隣接する配線の間隔は、搭載されるＬＥＤ１１０のバンプ１１０ａと１１０ｂとの間隔（例えば、６０μｍ）と略同一とされている。これにより、配線４１と配線４２との間、配線４２と配線４３との間、配線４３と配線４４との間、配線４４と配線４５との間にそれぞれＬＥＤ１１０を直列に搭載できる（Ｘ方向）。

又、配線４１〜４５のそれぞれの長手方向（Ｙ方向）の長さは、ＬＥＤ１１０のＹ方向の長さの数倍〜数１０倍程度とされている。これにより、配線４１と配線４２との間に複数のＬＥＤ１１０を並列に搭載できる（Ｙ方向）。配線４２と配線４３との間、配線４３と配線４４との間、配線４４と配線４５との間についても同様である。

［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ、及び発光素子パッケージの製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ、及び発光素子パッケージの製造方法について説明する。図６〜図１９は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。図２０〜図２４は、第１の実施の形態に係る発光素子パッケージの製造工程を例示する図である。なお、各工程は、原則として断面図を示して説明するが、必要に応じ、（ａ）として平面図、（ｂ）として断面図を示して説明する場合がある。

まず、図６及図７に示す工程では、金属箔２００を準備する。図６は平面図であり、Ｃは切断線を示している。図８以降の所定の工程を経た金属箔２００等を、切断線Ｃで切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０（この場合には、２７個）を得ることができる。つまり、図６において切断線Ｃで囲まれた各領域が、それぞれ発光素子搭載用パッケージ１０となる。なお、図７は、図１のＡ−Ａ線に相当する断面図であり、図６において切断線Ｃで囲まれた１つの領域を示している。

金属箔２００としては、例えば、銅箔等を用いることができる。金属箔２００の平面形状は、例えば、矩形状であり、その大きさは、例えば、縦６５０ｍｍ（Ｙ方向）程度×横５１０ｍｍ（Ｘ方向）程度×厚さ１００μｍ（Ｚ方向）程度とすることができる。なお、金属箔２００は、最終的には発光素子搭載部４０となる部材である。

次に、図８に示す工程では、金属箔２００の上面に金属箔２００の上面全面を覆うレジスト層３００を形成し、金属箔２００の下面に金属箔２００の下面の一部を露出する開口部３１０ｘを有するレジスト層３１０を形成する。レジスト層３００及び３１０を形成するには、金属箔２００の上面及び下面に、それぞれ、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、金属箔２００の上面及び下面に、それぞれ、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。

そして、金属箔２００の下面に塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部３１０ｘを形成する。これにより、金属箔２００の上面全面を覆うレジスト層３００と、金属箔２００の下面の一部を露出する開口部３１０ｘを有するレジスト層３１０が形成される。なお、予め開口部３１０ｘを形成したフィルム状のレジストを金属箔２００の下面にラミネートしても構わない。

次に、図９〜図１１に示す工程では、金属箔２００の開口部３１０ｘ内に露出する部分をハーフエッチングして溝部２００ｘを形成する。溝部２００ｘは、Ｙ方向と平行方向に細長状に複数形成される。金属箔２００が銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いてハーフエッチングできる。なお、図１０は、図９のＢ部を拡大して例示する断面図であり、図１１（ａ）は図９の底面図（レジスト層３１０側から視た図）であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。

溝部２００ｘは、最終的には中央部近傍が除去され、発光素子搭載部４０において隣接する配線の切り欠き部４０ｙとなる部分である。溝部２００ｘの断面形状は、例えば、Ｕ形状等とすることができる。溝部２００ｘの幅は、例えば、２００μｍ程度とすることができる。溝部２００ｘの深さは、例えば、７０μｍ程度とすることができる。なお、溝部２００ｘは、ハーフエッチングに代えて、ブラスト処理やプレス加工等により形成してもよい。

次に、図１２に示す工程では、図９等に示すレジスト層３００及び３１０を除去する。次に、図１３に示す工程では、溝部２００ｘが形成された金属箔２００を絶縁層３０を介して金属板２０と接合し、金属箔２００の下面及び溝部２００ｘを絶縁層３０で被覆する。具体的には、例えば、金属板２０の上面にＢステージ状態（半硬化状態）の絶縁性樹脂３０Ａ（熱硬化性樹脂）をラミネートし、更に溝部２００ｘが形成された金属箔２００を積層する。

そして、絶縁性樹脂３０Ａを加熱しながら金属箔２００を金属板２０側に押圧して絶縁性樹脂３０Ａを硬化させる。なお、絶縁性樹脂３０Ａ上に金属箔２００を加圧及び加熱して積層後に、オーブン等により加圧せずに加熱してもよい。硬化した絶縁性樹脂３０Ａが絶縁層３０となる。絶縁性樹脂３０Ａ（絶縁層３０）の材料としては、例えば、アルミナ等のフィラーを含有したエポキシ系樹脂等を用いることができる。

次に、図１４に示す工程では、金属箔２００の上面にレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０は、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５となる部分を覆うように形成する（切り欠き部４０ｙとなる部分の上も覆う）。レジスト層３２０は、例えば、図８に示す工程のレジスト層３００や３１０と同様な方法により形成できる。

次に、図１５に示す工程では、レジスト層３２０に覆われていない部分の金属箔２００（金属箔２００の溝部２００ｘが形成された部分の一部）をエッチングにより除去し、配線４１〜４５が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部４０を形成する。金属箔２００が銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いてエッチングできる。この工程において、隣接する配線の対向する側縁部４０ｘの下側には、溝部２００ｘの内壁を構成していた部分から、それぞれ切り欠き部４０ｙが形成される（図４参照）。

次に、図１６に示す工程では、図１５に示すレジスト層３２０を除去する。これにより、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５が露出する。

次に、図１７に示す工程では、絶縁層３０の一部及び発光素子搭載部４０の一部を覆うように、開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成する。反射膜６０の材料としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いることができる。反射膜６０は、発光素子の照射する光の反射率を上げるため、酸化チタン等のフィラーを含有させて白色にすると好適である。酸化チタンに代えて、ＢａＳＯ_４等の顔料を使用して反射膜６０を白色にしてもよい。反射膜６０の厚さは、例えば、１０〜５０μｍ程度とすることができる。

反射膜６０を形成するには、例えば液状又はペースト状の感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０及び発光素子搭載部４０を覆うように塗布する。又は、例えばフィルム状の感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０及び発光素子搭載部４０を覆うようにラミネートする。 そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂等を露光及び現像することで開口部６０ｘを形成する。これにより、開口部６０ｘを有する反射膜６０が形成される。なお、予め開口部６０ｘを形成したフィルム状のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を絶縁層３０の一部及び発光素子搭載部４０の一部を覆うようにラミネートしても構わない。又、非感光性のエポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂のスクリーン印刷により、開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成してもよい。なお、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５を予め粗化しておくと、配線４１〜４５と反射膜６０との密着性を向上でき好適である。

次に、図１８に示す工程では、例えば、無電解めっき法等により、開口部３００ｘ内に露出する発光素子搭載部４０上に、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含むめっき膜５０を形成する。めっき膜５０の種類や厚さ等は前述の通りである。なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、最表層がＡｇ膜又はＡｇ合金膜となるようにめっき膜５０を形成すると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。

次に、図１９に示す工程では、図１８に示す構造体を図１８に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。図１８に示す構造体は、例えば、ダイシングブレード等により切断できる。又は、Ｖカット切断してもよい。

発光素子搭載用パッケージ１０は、図１に示す構造体（発光素子搭載用パッケージ１０の単体）を１つの製品として出荷してもよいし、図１８に示す構造体（発光素子搭載用パッケージ１０の集合体）を１つの製品として出荷してもよい。

ＬＥＤモジュール１００を製造する場合には、図２０に示す工程のように、発光素子搭載用パッケージ１０の各発光素子搭載領域５１にそれぞれＬＥＤ１１０を搭載する。各ＬＥＤ１１０には、一方の電極端子となるバンプ１１０ａと、他方の電極端子となるバンプ１１０ｂが形成されている。各ＬＥＤ１１０は、例えば、各発光素子搭載領域５１にフリップチップ接続することができる。

次に、図２１に示す工程では、ＬＥＤ１１０を封止樹脂１２０により封止する。封止樹脂１２０としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。封止樹脂１２０は、例えば、トランスファーモールドやポッティングにより形成できる。これにより、ＬＥＤモジュール１００が完成する。なお、複数のＬＥＤ１１０をまとめて封止する代わりに、個々のＬＥＤ１１０を個別に封止してもよい。

なお、ＬＥＤモジュール１００を製造する場合には、以下のようにしてもよい。すなわち、図１８に示す工程の後（図１８に示す構造体を切断線Ｃで切断する前）、図２２に示す工程のように、図１８に示す構造体の各発光素子搭載用パッケージ１０となる部分に複数のＬＥＤ１１０を搭載する。そして、図２３に示す工程のように、各発光素子搭載用パッケージ１０となる部分において、ＬＥＤ１１０を封止樹脂１２０により封止する。その後、図２４に示すように、図２３に示す構造体を図２３に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数のＬＥＤモジュール１００が完成する。

このように、本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ１０では、金属箔２００の下面の所定領域に溝部２００ｘを形成し、金属箔２００の溝部２００ｘが形成された部分の一部を除去し、複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部４０を形成する。発光素子搭載部４０の隣接する配線間となる部分には溝２００ｘが形成されており、溝２００ｘが形成されている部分の金属箔２００の厚さは、溝２００ｘが形成されていない部分の金属箔２００の厚さよりも薄い。そのため、隣接する配線間隔が狭い場合にも、エッチングにより容易に溝部２００ｘが形成された部分の金属箔２００を除去できる。

つまり、放熱性能に優れた厚めの金属箔２００（例えば、１００μｍ程度）を用いた場合でも、隣接する配線間隔を従来よりも狭くすることができる。例えば、従来は、サブトラクティブ法により、隣接する配線間隔を金属箔の厚さ（配線の厚さ）の２倍よりも狭くできなかったが、本実施の形態では、サブトラクティブ法により、隣接する配線間隔を金属箔の厚さ（配線の厚さ）の２倍未満とすることが可能である。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの製造方法の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２５〜図３１は、第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。まず、第１の実施の形態の図６〜図１３に示す工程を実行し、その後、図２５に示す工程では、金属箔２００の上面に、めっき膜５０に対応する開口部３３０ｘを有するレジスト層３３０を形成する。レジスト層３３０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００等と同様とすることができる。

次に、図２６に示す工程では、例えば、金属箔２００を給電層とする電解めっき法等により、開口部３３０ｘ内に露出する金属箔２００の上面に、めっき膜５０を形成する。めっき膜５０の種類や厚さ等は前述の通りである。なお、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は反射率が高いため、最表層がＡｇ膜又はＡｇ合金膜となるようにめっき膜５０を形成すると、発光素子の照射する光の反射率を上げることができ好適である。

次に、図２７に示す工程では、図２６に示すレジスト層３３０を除去する。これにより、金属箔２００の上面に、発光素子搭載領域５１、第１電極部５２、及び第２電極部５３を含むめっき膜５０が形成される。

次に、図２８に示す工程では、図１４に示す工程と同様にして、金属箔２００の上面にレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０は、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５となる部分を覆うように形成する（切り欠き部４０ｙとなる部分の上も覆う）。なお、レジスト層３２０は、めっき膜５０の側面を被覆するように形成してもよい。

次に、図２９に示す工程では、図１５に示す工程と同様にして、レジスト層３２０に覆われていない部分の金属箔２００をエッチングし、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５を形成する。金属箔２００が銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いてエッチングできる。

次に、図３０に示す工程では、図２９に示すレジスト層３２０を除去する。次に、図３１に示す工程では、図１７に示す工程と同様にして、めっき膜５０が形成されていない部分の絶縁層３０の一部及び発光素子搭載部４０を覆うように、開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成する。なお、反射膜６０は、めっき膜５０の上面外周部を被覆するように形成してもよい。図３１に示す工程の後、図１９に示す工程と同様にして、図３１に示す構造体を図３１に示す切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。

このように、配線４１〜４５を形成してからめっき膜５０を形成してもよいし、金属箔２００の所定領域に先にめっき膜５０を形成し、その後、金属箔２００の溝部２００ｘが形成された部分の一部を除去し、配線４１〜４５を形成してもよい。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの製造方法の他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図３２〜図３８は、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。まず、第１の実施の形態の図６〜図１３に示す工程を実行し、その後、図３２に示す工程では、金属箔２００の上面にレジスト層３４０を形成する。レジスト層３４０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００等と同様とすることができる。レジスト層３４０は、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５に対応する領域上と、後述する枠部２１０及び連結部２２０に対応する領域上に形成する。

次に、図３３に示す工程では、図３２に示す開口部３４０ｘ内に露出する金属箔２００を除去し、更にレジスト層３４０を除去する。金属箔２００が銅箔である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。これにより、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５がそれぞれ連結部２２０を介して枠部２１０と連結された構造が形成される。なお、枠部２１０及び連結部２２０は、配線４１〜４５に電解めっきを行う際のバスラインとなる部分である。

次に、図３４に示す工程では、めっき膜５０に対応する開口部３５０ｘを有するレジスト層３５０を形成する。レジスト層３５０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００等と同様とすることができる。

次に、図３５に示す工程では、枠部２１０及び連結部２２０をバスラインとする電解めっき法により、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５の上面の開口部３５０ｘ内に、めっき膜５０を形成する。その後、レジスト層３５０を除去する。

次に、図３６に示す工程では、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５上及び隣接する配線の間の絶縁層３０上にレジスト層３６０を形成する。レジスト層３６０の形成方法は、図８に示す工程のレジスト層３００等と同様とすることができる。次に、図３７に示す工程では、バスラインとして用いた枠部２１０及び連結部２２０を除去する。枠部２１０及び連結部２２０が銅である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。

次に、図３８に示す工程では、レジスト層３６０を除去する。次に、図３８に示す工程の後、図１７に示す工程と同様にして、発光素子搭載部４０及びめっき膜５０を覆うように絶縁層３０上に開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成し、切断線Ｃに沿って切断することにより、複数の発光素子搭載用パッケージ１０が完成する。

このように、めっき膜５０は無電解めっき法により形成してもよいし、金属箔２００により所定のバスラインを形成して電解めっき法により形成してもよい。

なお、本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージは、電解めっき後にバスラインを除去する工程を有するため、最終的には（出荷形態としては）バスラインを有しない構造となる。そのため、個片化する際の切断により、バスラインの端面が発光素子搭載用パッケージの側面から露出することがない。バスラインの端面が発光素子搭載用パッケージの側面から露出すると、バスラインの端面と金属板の側面との距離が近い場合には、バリ等によりバスラインの端面と金属板の側面とが短絡する虞がある。本実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージでは、このような問題を回避できる。

〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載部の配線のパターン形状の例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図３９は、第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その１）である。図４０は、第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図（その２）であり、図３９において反射膜６０を省略した図である。

図３９及び図４０を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１０Ａにおいて、発光素子搭載部７０は、互いに電気的に独立した配線７１〜８７を有する。なお、図示はしないが、発光素子搭載部７０は、発光素子搭載部４０と同様に、絶縁層３０に埋設されている。但し、発光素子搭載部７０の上面（配線７１〜８７の上面）を含む部分は絶縁層３０から露出している。

又、図示はしないが、配線７１〜８７において、配線４１〜４５と同様に、Ｘ方向に隣接する配線の対向する側縁部の下側（絶縁層３０側）には、それぞれ切り欠き部が形成されている。隣接する配線において、切り欠き部が形成されている部分の厚さは、切り欠き部が形成されていない部分の厚さよりも薄くなっている。切り欠き部は絶縁層３０に被覆され、側縁部の切り欠き部よりも上部は絶縁層３０から突出している。切り欠き部の断面形状は、例えば、凹型Ｒ形状等とすることができる。

配線７１〜８７は、例えば、平面視して矩形状に形成され、各配線のＹ方向に平行な辺同士が対向するように、所定の間隔を隔てて配置されている。但し、配線７５、７９、及び８３のＹ方向の長さは、他の配線のＹ方向の長さよりも大きく、例えば、他の配線のＹ方向の長さの２倍程度に形成されている。

配線７１〜７４及び配線７５の一部は、Ｘ−方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線７５の残部、配線７６〜７８、及び配線７９一部は、Ｘ＋方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線７９の残部、配線８０〜８２、及び配線８３一部は、Ｘ−方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。又、配線８３の残部、配線８４〜８７は、Ｘ＋方向に向って所定間隔でこの順に並設されている。つまり、配線７１〜８７は、平面視において、配線７５、７９、及び８３の部分で屈曲する矩形波状に配置されている。

配線７５、７９、及び８３を除く配線７１〜８７において、Ｘ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度、Ｙ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度とすることができる。又、配線７５、７９、及び８３において、Ｘ方向に平行な辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度、Ｙ方向に平行な辺の長さは例えば２〜１０ｍｍ程度とすることができる。配線７１〜８７において、隣接する配線の間隔（Ｘ方向）は例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。

配線７１〜８７の所定の領域には、めっき膜９０が形成されている。めっき膜９０を形成する目的は、それぞれの部分に接続される部材等との接続信頼性を向上させるためである。めっき膜９０の材料や厚さは、めっき膜５０と同様とすることができる。

めっき膜９０において、隣接する配線に対向するように形成された部分は、発光素子搭載領域９１を構成している。発光素子搭載領域９１は、例えば、平面形状が半円状のめっき膜が隣接する配線に対向するように形成された部分であり、１つの発光素子搭載領域９１に２端子（４端子等でもよい）の１つの発光素子を搭載可能とされている。

配線７１には、めっき膜９０により、第１電極部９２が形成されている。第１電極部９２は、発光素子搭載領域９１の配線７１に形成された部分と電気的に接続されている。又、配線８７には、めっき膜９０により、第２電極部９３が形成されている。第２電極部９３は、発光素子搭載領域９１の配線８７に形成された部分と電気的に接続されている。第１電極部９２及び第２電極部９３は、例えば、発光素子搭載用パッケージ１０Ａの外部に配置される電源や駆動回路等に接続される部分である。

このように、発光素子搭載部７０の配線７１〜８７は、平面視において、配線７５、７９、及び８３の部分で屈曲する矩形波状に配置されており、隣接する配線には発光素子搭載領域９１が形成されている。又、矩形波状に配置された配線の両端部となる配線７１及び８７には、それぞれ第１電極部９２及び第２電極部９３が形成されている。これにより、発光素子は、第１電極部９２と第２電極部９３との間に配置された各発光素子搭載領域９１に直列に搭載される。

なお、発光素子搭載用パッケージ１０Ａは、第１〜第３の実施の形態と同様の工程により製造できる。

このように、発光素子搭載用パッケージにおいて、発光素子搭載部は、第１の実施の形態のように発光素子を直列及び並列に搭載可能に形成されてもよいし、本実施の形態のように発光素子を直列のみに搭載可能に形成されてもよい。

〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの例を示す。なお、第５の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

［第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造］
まず、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造について説明する。図４１は、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図であり、第１の実施の形態の図３に対応する断面を示している。なお、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの平面図については、図１及び図２と同様であるため、図示は省略する。

第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ１０では、配線４１〜４５において、隣接する配線の対向する側縁部４０ｘの下側（絶縁層３０側）にのみ、それぞれ切り欠き部４０ｙが形成されていた。換言すれば、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部には切り欠き部４０ｙが形成されていなかった（図３参照）。

一方、図４１に示すように、発光素子搭載用パッケージ１０Ｂでは、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（Ｄ部）の下側、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（Ｅ部）の下側にも切り欠き部４０ｙが形成されている。Ｄ部及びＥ部の切り欠き部４０ｙを含む各切り欠き部４０ｙは絶縁層３０に被覆され、配線４１〜４５の各切り欠き部４０ｙよりも上部は絶縁層３０から突出している。なお、Ｄ部及びＥ部の切り欠き部４０ｙの形状は、図４に示した側縁部４０ｘに形成される切り欠き部４０ｙの形状と同様となる。

このように、本実施の形態では、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（Ｄ部）の下側、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（Ｅ部）の下側にも切り欠き部４０ｙを形成することが特徴である。この形態に特有の効果については、以下の発光素子搭載用パッケージの製造方法において説明する。

［第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法］
次に、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法について説明する。図４２〜図５４は、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。

まず、第１の実施の形態の図６及び図７と同様の工程を実行する。次に、図４２〜図４４に示す工程では、金属箔２００の上面に金属箔２００の上面全面を覆うレジスト層３００を形成し、金属箔２００の下面に金属箔２００の下面の一部を露出する開口部３１０ｘ及び３１０ｙを有するレジスト層３１０を形成する。

図４２〜図４４において、開口部３１０ｘは、配線４１〜４５において、隣接する配線間となる部分に形成される。又、開口部３１０ｙは、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（Ｄ部）、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（Ｅ部）となる部分に形成される。レジスト層３００及び３１０の材料や形成方法は図８の場合と同様とすることができる。なお、図４２は底面図、図４３は図４２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４４は図４２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

次に、図４５及び図４６に示す工程では、金属箔２００の開口部３１０ｘ内に露出する部分をハーフエッチングして図９〜図１１と同様の溝部２００ｘを形成する。又、金属箔２００の開口部３１０ｙ内に露出する部分をハーフエッチングして溝部２００ｙを形成する。溝部２００ｘ及び２００ｙの形成方法は図９〜図１１の場合と同様とすることができる。なお、図４５は図４３に対応する断面図、図４６は図４４に対応する断面図である。

次に、第１の実施の形態の図１２及び図１３と同様の工程を実行後、図４７〜４９に示す工程では、金属箔２００の上面にレジスト層３２０を形成する。レジスト層３２０は、発光素子搭載部４０の配線４１〜４５となる部分を覆うように形成する（切り欠き部４０ｙとなる部分の上も覆う）。レジスト層３２０は、例えば、図８に示す工程のレジスト層３００や３１０と同様な方法により形成できる。なお、図４７は平面図、図４８は図４７のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４９は図４７のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

次に、図５０及び図５１に示す工程では、図１５に示す工程と同様にして、レジスト層３２０に覆われていない部分の金属箔２００をエッチングにより除去し、配線４１〜４５が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部４０を形成する。この工程において、隣接する配線の対向する側縁部４０ｘの下側に、溝部２００ｘの内壁を構成していた部分から、それぞれ切り欠き部４０ｙが形成される。

又、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（Ｄ部）の下側、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（Ｅ部）の下側にも、溝部２００ｙの内壁を構成していた部分から、切り欠き部４０ｙが形成される。Ｄ部及びＥ部の切り欠き部４０ｙを含む各切り欠き部４０ｙは絶縁層３０に被覆され、配線４１〜４５の各切り欠き部４０ｙよりも上部は絶縁層３０から突出する。なお、図５０は図４８に対応する断面図、図５１は図４９に対応する断面図である。

次に、図５０及び図５１に示すレジスト層３２０を除去後、図５２〜５４に示す工程では、図１７に示す工程と同様にして、絶縁層３０の一部及び発光素子搭載部４０の一部を覆うように、開口部６０ｘを有する反射膜６０を形成する。続いて、第１の実施の形態の図１８及び図１９と同様の工程を実行することにより、図４１に示す発光素子搭載用パッケージ１０Ｂが完成する。

本実施の形態では、配線４１及び４５の各々の他の配線と対向しない側の側縁部（Ｄ部）の下側、及び配線４１〜４５の各々の長手方向の両端部（Ｅ部）の下側にも切り欠き部４０ｙが形成されている。これにより、Ｄ部及びＥ部において、切り欠き部４０ｙを被覆するように絶縁層３０が突起して形成されるため、反射膜６０が形成される部分の段差を小さくできる。すなわち、Ｄ部及びＥ部における配線４１及び４５の上面と絶縁層３０の上面との段差は、発光素子搭載用パッケージ１０のＤ部及びＥ部の相当部における配線４１及び４５の上面と絶縁層３０の上面との段差よりも小さい。

これにより、反射膜６０を容易に形成することが可能となる。具体的には、例えば、反射膜６０を印刷により形成する場合、発光素子搭載用パッケージ１０Ｂでは配線４１及び４５の上面と絶縁層３０の上面との段差が小さいため、発光素子搭載用パッケージ１０よりも少ない印刷回数で反射膜６０を形成できる。又、反射膜６０の印刷むらを低減することが可能となり、反射膜６０の平坦度を向上できる。又、反射膜６０の材料使用量を減らせるため、発光素子搭載用パッケージ１０Ｂの製造コストを低減できる。

なお、前述のように、図５０及び図５１に示す工程において、レジスト層３２０に覆われていない部分の金属箔２００をエッチングにより除去する。この際、除去される部分の金属箔２００の断面形状（断面形状２００ｚとする）は、図５５（ａ）に示すような略矩形状であってもよいし、図５５（ｂ）に示すような略Ｕ字状であってもよい。又、図５０及び図５１に示すＤ部及びＥ部のように、特に狭ピッチにする必要がない部分については、図５５（ｃ）に示すように、断面形状２００ｚのＵ字の幅を広くしてもよい。

又、図５５（ｄ）に示すように、図４５及び図４６に示す工程において溝部２００ｘ及び２００ｙを深く形成してもよい。この場合、図５０及び図５１に示す工程においてエッチングにより除去する部分の金属箔２００の厚さを薄くできるため、特に狭ピッチにしたい場合に好適である。又、図５５（ｄ）の場合、金属箔２００の上面と金属箔２００に覆われていない部分の絶縁層３０の上面との段差を、図５５（ａ）〜図５５（ｃ）の場合よりも更に小さくできる。そのため、上記効果（反射膜６０の印刷回数の低減等）を更に高めることができる。

〈第６の実施の形態〉
第６の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの製造方法の例を示す。なお、第６の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図５６は、第６の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。第１の実施の形態で示した発光素子搭載用パッケージの製造方法において、図１２に示す工程と図１３に示す工程との間に図５６に示す工程を追加してもよい。図５６に示す工程では、溝部２００ｘの内壁を含む金属箔２００の表面を粗化する。粗化は、例えば、エッチングや酸化処理、ブラスト処理等により行うことができる。

このように、溝部２００ｘの内壁を含む金属箔２００の表面を粗化することにより、金属箔２００と絶縁層３０との密着性を向上できる。又、金属箔２００から形成される配線４１〜４５と反射膜６０との密着性を向上できる。

なお、第１の実施の形態で示した発光素子搭載用パッケージの製造方法において、図１２に示す工程と図１３に示す工程との間に図５６に示す工程を追加する代わりに、図７に示す工程と図８に示す工程との間に図５７に示す工程を追加してもよい。

図５７に示す工程では、溝部２００ｘを形成する前の金属箔２００の表面を粗化する。その後、図８〜図１２と同様の工程を実行することにより、図５８に示すように、表面が粗化されていない金属箔２００（図１２参照）に代えて、溝部２００ｘの内壁を除く部分の表面が粗化された金属箔２００が形成される。

このように、溝部２００ｘの内壁を除く部分の金属箔２００の表面を粗化した場合にも、溝部２００ｘの内壁を除く部分において金属箔２００と絶縁層３０との密着性を向上できる。又、金属箔２００から形成される配線４１〜４５と反射膜６０との密着性を向上できる。

なお、第６の実施の形態で示した発光素子搭載用パッケージの製造方法を、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージ１０Ｂに適用してもよい。

以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、第２〜第６の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージに発光素子を搭載し、発光素子パッケージを実現できる。

又、第２、第３の実施の形態において、第１の実施の形態の図２２〜図２４に相当する工程を採用してもよい。

又、発光素子搭載用パッケージは、１つの発光素子のみを搭載可能な構造であってもよい。

又、発光素子搭載用パッケージに発光素子（例えば、ＬＥＤ）をワイヤボンディング接合して発光素子パッケージとしてもよい。又、発光素子搭載用パッケージに発光素子サブマウント（例えば、ＬＥＤサブマウント）をフリップチップ接合やワイヤボンディング接合して発光素子パッケージとしてもよい。

１０、１０Ａ、１０Ｂ 発光素子搭載用パッケージ
２０ 金属板
３０ 絶縁層
３０Ａ 絶縁性樹脂
４０、７０ 発光素子搭載部
４０ｘ 側縁部
４０ｙ 切り欠き部
４１〜４５、７１〜８７ 配線
５０、９０ めっき膜
５１、９１ 発光素子搭載領域
５２、９２ 第１電極部
５３、９３ 第２電極部
６０ 反射膜
６０ｘ、３１０ｘ、３１０ｙ、３３０ｘ、３４０ｘ、３５０ｘ 開口部
１００ 発光素子パッケージ
１１０ 発光素子
１１０ａ、１１０ｂ バンプ
１２０ 封止樹脂
２００ 金属箔
２００ｘ、２００ｙ 溝部
２００ｚ 断面形状
２１０ 枠部
２２０ 連結部
３００、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０ レジスト層
Ｃ 切断線

Claims (27)

1. 複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部と、
   前記発光素子搭載部が設けられた絶縁層と、を有し、
   前記発光素子搭載部の上面は前記絶縁層から露出し、下面は前記絶縁層に埋設されており、
   隣接する前記配線の対向する側縁部の下側には、それぞれ切り欠き部が形成されている発光素子搭載用パッケージ。
2. 前記配線の他の配線と対向しない側縁部の下側にも切り欠き部が形成されている請求項１記載の発光素子搭載用パッケージ。
3. 隣接する前記配線において、前記切り欠き部が形成されている部分の厚さは、前記切り欠き部が形成されていない部分の厚さよりも薄い請求項１又は２記載の発光素子搭載用パッケージ。
4. 隣接する前記配線の一方に形成された前記切り欠き部の断面形状と、隣接する前記配線の他方に形成された前記切り欠き部の断面形状とは、隣接する前記配線の間隔の中心を通り前記配線の厚さ方向に引かれた仮想線を対称軸として線対称である請求項１乃至３の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
5. 前記切り欠き部は前記絶縁層に被覆され、前記側縁部の前記切り欠き部よりも上部は前記絶縁層から突出している請求項１乃至４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
6. 前記発光素子搭載部において、平面形状が長尺状又は長方形状の複数の配線が、各配線の長辺同士が対向するように所定の間隔を隔てて配置されている請求項１乃至５の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
7. 前記各配線の長手方向の両端部の下側にも切り欠き部が形成されている請求項６記載の発光素子搭載用パッケージ。
8. 前記絶縁層及び前記配線上に、前記発光素子搭載部を露出する反射膜が形成されている請求項１乃至７の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
9. 金属板上に、前記絶縁層と前記配線とが順次積層されている請求項１乃至８の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
10. 前記配線の厚さは２０〜１００μｍであり、隣接する前記配線の間隔が５０〜１００μｍである請求項１乃至９の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
11. 隣接する前記配線の上面の一領域に、めっき膜が施された発光素子搭載領域が形成されている請求項１乃至１０の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
12. 隣接する前記配線の上面には、複数の前記発光素子搭載領域が形成されている請求項１１記載の発光素子搭載用パッケージ。
13. 前記配線の上面及び下面が粗化されている請求項１乃至１２の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
14. 前記切り欠き部の表面が粗化されている請求項１３記載の発光素子搭載用パッケージ。
15. 請求項１乃至１４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの前記発光素子搭載部に発光素子を搭載した発光素子パッケージ。
16. 金属箔の一方の面の所定領域に溝部を形成する工程と、
    前記金属箔の前記一方の面及び前記溝部を被覆する絶縁層を形成する工程と、
    前記金属箔の前記溝部が形成された部分の一部を除去し、複数の配線が所定の間隔を隔てて配置された発光素子搭載部を形成する工程と、を有し、
    前記発光素子搭載部を形成する工程において、隣接する前記配線の対向する側縁部の前記一方の面側には、前記溝部の内壁を構成していた部分から、それぞれ切り欠き部が形成される発光素子搭載用パッケージの製造方法。
17. 前記発光素子搭載部を形成する工程において、前記配線の他の配線と対向しない側縁部の前記一方の面側には、前記溝部の内壁を構成していた部分から、切り欠き部が形成される請求項１６記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
18. 前記発光素子搭載部を形成する工程では、平面形状が長尺状又は長方形状の複数の配線が、各配線の長辺同士が対向するように所定の間隔を隔てて配置される請求項１６又は１７記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
19. 前記発光素子搭載部を形成する工程では、前記各配線の長手方向の両端部の前記一方の面側にも切り欠き部が形成される請求項１８記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
20. 前記絶縁層を形成する工程では、前記絶縁層に前記金属箔の一方の面が接するように、前記絶縁層上に前記金属箔を積層し、
    前記金属箔の他方の面の前記溝部に対向する部分を前記他方の面側からエッチングで除去し、複数の前記配線を形成する工程を有する請求項１６乃至１９の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
21. 前記溝部を形成する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、
    金属板上に前記絶縁層を積層し、次いで、前記絶縁層上に前記溝部が形成された前記金属箔を積層する工程を有する請求項１６乃至２０の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
22. 前記絶縁層上及び前記配線上に、前記発光素子搭載部を露出する反射膜を形成する工程を有する請求項１６乃至２１の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
23. 前記配線の厚さは２０〜１００μｍであり、隣接する前記配線の間隔が５０〜１００μｍである請求項１６乃至２２の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
24. 隣接する前記配線の前記一方の面の反対面の一領域にめっき膜を施して発光素子搭載領域を形成する工程を更に有する請求項１６乃至２３の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
25. 前記溝部を形成する工程よりも前に、前記金属箔の一方の面及び他方の面を粗化する工程を有する請求項１６乃至２４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
26. 前記溝部を形成する工程と前記絶縁層を形成する工程との間に、前記溝部の内壁を含む前記金属箔の一方の面及び他方の面を粗化する工程を有する請求項１６乃至２４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法。
27. 請求項１６乃至２６の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージの製造方法により製造された発光素子搭載用パッケージの前記発光素子搭載部に発光素子を搭載する工程を有する発光素子パッケージの製造方法。

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