CN103165795A - 发光元件安装用封装及发光元件封装、以及其制造方法 - Google Patents

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伝田达明
小林和贵
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Shinko Electric Co Ltd
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Abstract

一种发光元件安装用封装,包括:发光元件安装部,所述发光元件安装部将多条布线隔开预定的间隔而配置;以及绝缘层,所述绝缘层设有所述发光元件安装部,并且,所述发光元件安装部的上表面从所述绝缘层露出,在所述布线的侧缘的下侧所形成的切割部与所述绝缘层接触。

Description

发光元件安装用封装及发光元件封装、以及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种可安装多个发光元件的发光元件安装用封装及在该发光元件安装用封装上安装了多个发光元件的发光元件封装、以及其制造方法。
背景技术
近几年,低耗电且耐用的发光二极管(以下称为LED)作为光源受到注目,例如,提出了一种安装(搭载)了多个LED的LED模块。在这类LED模块中,为了使LED所发出的热量快速散热,优选安装有LED的部分的布线(焊盘)厚者。
现有技术文献的专利文献如下。
专利文献1:日本专利特开2003-092011号公报
专利文献2:日本专利特开2006-319074号公报
发明内容
本发明所要解决的课题如下。
然而,由于安装有LED的部分的布线是通过减成法(subtractivemehod)形成,因此如果使布线变厚,则不能使邻接的布线彼此的间距变得狭窄,存在不能安装端子间距狭窄的LED的问题。
本发明鉴于上述问题点,以提供一种散热性能优异、易于对应狭窄间距的发光元件的发光元件安装用封装及在该发光元件安装用封装上安装了多个发光元件的发光元件封装、以及这些封装的制造方法为目的。
用于解决上述课题的手段如下。
本发明的发光元件安装用封装包括:发光元件安装部,所述发光元件安装部将多条布线隔开预定的间隔而配置;以及绝缘层,所述绝缘层设有所述发光元件安装部,并且,所述发光元件安装部的上表面从所述绝缘层露出,在所述布线的侧缘的下侧所形成的切割部与所述绝缘层接触。
本发明的发光元件安装用封装的制造方法,包括以下步骤:在金属箔的一个表面的预定区域形成槽部;形成覆盖所述金属箔的所述一个表面及所述槽部的绝缘层;以及将所述金属箔的形成有所述槽部的对应部分除去,形成将多条布线隔开预定的间隔而配置的发光元件安装部,并且,在形成所述发光元件安装部的步骤中,在所述布线的侧缘的所述一个表面侧,利用构成所述槽部的内壁的部分,分别形成切割部。
本发明的效果如下。
根据本发明,能够提供一种散热性能优异、易于对应狭窄间距的发光元件的发光元件安装用封装及在该发光元件安装用封装上安装了多个发光元件的发光元件封装、以及这些封装的制造方法。
附图说明
图1是对第一实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。
图2是对第一实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。
图3是图1的剖视图,其中图3(a)是沿图1中A-A线的剖视图,图3(b)是沿图1中B-B线的剖视图。
图4是放大图3中A部进行举例说明的剖视图。
图5是对第一实施方式的发光元件封装进行举例说明的剖视图。
图6是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图7是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图8是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图9是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图10是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图11是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图12是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图13是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图14是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图14(b)是沿A-A线的剖视图。
图15是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图16是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图16(b)是沿A-A线的剖视图。
图17是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图17(b)是沿A-A线的剖视图。
图18是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图19是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图20是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。
图21是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。
图22是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。
图23是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。
图24是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。
图25是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图26是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图27是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图27(b)是沿A-A线的剖视图。
图28是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图29是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图30是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图31是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图32是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图32(b)是沿A-A线的剖视图。
图33是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图33(b)是沿A-A线的剖视图。
图34是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图34(b)是沿A-A线的剖视图。
图35是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图35(b)是沿A-A线的剖视图。
图36是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图36(b)是沿A-A线的剖视图。
图37是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图37(b)是沿A-A线的剖视图。
图38是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图,其中图38(b)是沿A-A线的剖视图。
图39是对第四实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。
图40对第四实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的其他平面图。
图41是对第五实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的剖视图,其中图41(a)是一个剖视图,图41(b)是另一个剖视图。
图42是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图43是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图44是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图45是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图46是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图47是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图48是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图49是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图50是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图51是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图52是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图53是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图54是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图55是对所除去部分的金属箔的剖面形状进行举例说明的图。
图56是对第六实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的剖视图。
图57是对第六实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
图58是对第六实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是,在各附图中,对相同构成部分付与相同符号,并有时省略重复的说明。
<第一实施方式>
[第一实施方式的发光元件安装用封装的构造]
首先,对第一实施方式的发光元件安装用封装的构造进行说明。图1是对第一实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。图2是对第一实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。图3是图1的剖视图,其中图3(a)是沿图1中A-A线的剖视图,图3(b)是沿图1中B-B线的剖视图。图4是放大图3中A部进行举例说明的剖视图。
需要说明的是,为便宜说明,用点阵图案表示图1及图2的镀膜50、以及图2的发光元件安装部40(在其他图中也有相同的情况)。另外,在图4中,仅表示出绝缘膜30和发光元件安装部40。
参照图1~图4,发光元件安装用封装10大致具有金属板20、绝缘层30、发光元件安装部40、镀膜50、及反射膜60。
金属板20具有将安装于发光元件安装用封装10上的发光元件所发出的热量散发到发光元件安装用封装10的外部的散热板的作用,同时是作为用于形成绝缘层30及发光元件安装部40的基座体的部分。作为金属板20的材料,例如可以使用铜(Cu)或铜合金、铝(Al)或铝合金等热传导性好的材料。金属板20的厚度例如可设为大约100~200μm。
绝缘层30形成在金属板20上,使金属板20与发光元件安装部40绝缘。作为绝缘层30的材料,例如可以使用环氧类绝缘性树脂、聚酰亚胺等、或其他的树脂。绝缘层30的厚度例如可设为大约15~200μm。
发光元件安装部40具有电气上互相独立的布线41~45。发光元件安装部40埋设于绝缘层30中。但是,包括发光元件安装部40的上表面(布线41~45的上表面)的部分从绝缘层30露出。作为发光元件安装部40的材料,例如可以使用铜(Cu)或铜合金等。发光元件安装部40的厚度例如可设为大约20~100μm。
布线41~45例如形成为俯视呈细长状或长方形,并且以各布线的长边彼此相对的方式,隔开预定的间隔而配置。作为布线41~45的各长边及各短边的长度、以及邻接的布线的间隔的一个例子,长边大约为5~10mm,短边大约为1~5mm,间隔大约为50~100μm。
在布线41~45中,在邻接的布线的相对的侧缘部40x的下侧(绝缘层30侧),分别形成有切割部40y。在邻接的布线41~45中,形成有切割部40y的部分的厚度比未形成有切割部40y的部分的厚度更薄。需要说明的是,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(参见图3(a))、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(参见图3(b))上未形成切割部40y。
切割部40y被绝缘层30覆盖,侧缘部40x的较切割部40y更上的上部从绝缘层30突出。切割部40y的剖面形状例如可以设为如图4所示的凹型弧线形等。需要说明的是,布线41~45的各个上表面(未形成切割部40y侧的面)为大致平坦。
在布线41~45中,在邻接的布线的一个上所形成的切割部40y的剖面形状与在邻接的布线的另一个上所形成的切割部40y的剖面形状以假设线(未示出)为对称轴成线对称,该假设线是通过邻接的布线的间隔的中心、并且沿上述邻接的布线的厚度方向的线。需要说明的是,此处所说的线对称的意思是在上述邻接的布线上所形成的切割部40y的剖面形状以上述假设线为对称轴实质上成线对称,而非严密地线对称。因此,在不有损本实施方式的预定效果的范围内,即使是偏离严密的线对称的情况也可称为“线对称”。
在布线41~45的预定的区域中,形成有镀膜50。形成镀膜50的目的是为了提高和连接布线41~45的对应部分的部件等之间的连接可靠性。
作为镀膜50,例如可使用Ni或Ni合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金/Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金膜等。需要说明的是,“AA/BB膜”的意思是将AA膜和BB膜以该顺序堆叠形成于对象部分(三层以上的情况也同样)。
镀膜50之中,Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜的膜厚优选设为大于等于0.1μm。镀膜50之中,Pd或Pd合金膜的膜厚优选设为大于等于0.005μm。镀膜50之中,Ni或Ni合金膜的膜厚优选设为大于等于0.5μm。
需要说明的是,由于Ag膜或Ag合金膜的反射率高,因此如果将镀膜50的最表层设成Ag膜或Ag合金膜,则能够提高发光元件所照射光的放射率而较佳。
如图2所示,在镀膜50中,以与邻接的布线相对的方式形成的部分构成发光元件安装区域51。发光元件安装区域51例如是以平面形状为半圆形的镀膜与邻接的布线相对的方式形成的部分,在一个发光元件安装区域51上可安装2端子(也可以是4端子等)的一个发光元件。
更具体来说,在布线41~45中,在邻接的布线的上表面上,形成有多个发光元件安装区域51。换言之,在布线41~45中,可在邻接的布线间并列地安装多个发光元件。例如,可在邻接的布线41与42之间沿布线的纵向并列地安装多个发光元件(本实施方式中为4个)。在邻接的布线42与43之间,邻接的布线43与44之间、以及邻接的布线44与45之间也同样。
另外,也可在在邻接的布线间沿布线的布置方向(X方向)串联(串列)地安装多个发光元件。例如,可以在邻接的布线41与42之间、邻接的布线42与43之间,邻接的布线43与44之间、以及邻接的布线44与45之间串联地安装发光元件(本实施方式中为4个)。
需要说明的是,例如可将平面形状为矩形的镀膜以与邻接的布线相对的方式形成,并将其作为发光元件安装区域51。另外,在本实施方式中,可于16处形成发光元件安装区域51,并安装16个发光元件,但发光元件安装区域51的个数也可任意决定。
利用镀膜50在布线41上形成第一电极部52。第一电极部52与在发光元件安装区域51的布线41上形成的部分电气连接。另外,利用镀膜50在布线45上形成第二电极部53。第一电极部53与在发光元件安装区域51的布线45上形成的部分电气连接。第一电极部52及第二电极部53例如是与在发光元件安装用封装10的外部所配置的电源或驱动电路等连接的部分。
反射膜60是以覆盖发光元件安装部40的方式,在绝缘膜30上形成的绝缘膜。如图1所示,反射膜60具有开口部60x,在各开口部60x内各发光元件安装区域51的一部分露出。需要说明的是,可在形成有布线41~45的反射膜60侧的面上实施粗化处理。通过实施粗化处理,利用固着效果,可提高布线41~45与反射膜60之间的紧密性。
作为反射膜60的材料,例如可使用环氧类或硅类绝缘性树脂等。为了提高发光元件所照射光的反射率,反射膜60优选含有氧化钛等填充物而使其成为白色。也可替代氧化钛而使用BaSO4等颜料使反射膜60成为白色。反射膜60的厚度例如可设为大约10~50μm。
需要说明的是,在本实施方式中,尽管未在于邻接的布线间露出的绝缘层30上形成反射膜60,但也可以在于邻接的布线间露出的绝缘层30上、以及以覆盖其附近的发光元件安装部40及镀膜50的方式形成反射膜60。
图5是对第一实施方式的发光元件封装进行举例说明的剖视图。如图5所示,发光元件封装100是在发光元件安装用封装10的各发光元件安装区域51上纵横地安装多个发光元件11,并通过密封树脂120进行密封的封装。但是,密封树脂120是以使第一电极部52及第二电极部53的各自的一部分或全部露出的方式而形成。
作为发光元件110,例如可使用于一端侧形成有阳极端子、于另一端侧形成有阴极端子的LED。但是,发光元件110并不限定于LED,例如可使用面发光型激光等。作为密封树脂120,例如可使用将萤光体包含于环氧类或硅类等绝缘性树脂中的树脂。
下面,以发光元件110为LED、发光元件封装100为LED模块的情况为例进行说明(有时将发光元件110称为LED110,将发光元件封装100称为LED模块100)。
作为安装于发光元件安装区域51的LED110的尺寸的例子,在剖视图上,可以是纵0.3mm(Y方向)×横0.3mm(X方向)、纵1.0mm(Y方向)×横1.0mm(X方向)、纵1.5mm(Y方向)×横1.5mm(X方向)等。
在各个LED110中,形成有作为一个电极端子的凸起110a、以及作为另一个电极端子的凸起110b。各LED110的凸起110a或110b的任意一个为阳极端子,另一个为阴极端子。凸起110a及110b例如倒装(flip-chip)接合在邻接的布线上。各LED110安装于同一方向(例如阳极端子在图5左侧)。
需要说明的是,凸起110a及110b优选分别设置多个。由于当凸起110a及110b分别为一个时在各布线上的连接部位分别为一个部位,因此实际安装的LED110有可能发生倾斜。通过分别设置多个凸起110a及110b,各布线上的连接部位变为多个部位,因此该LED110可在该发光元件安装区域51上进行稳定的实际安装。
邻接的布线的间隔与所安装的LED110的凸起110a与110b之间的间隔(例如60μm)大致相同。由此,可在布线41与布线42之间、布线42与布线43之间、布线43与布线44之间、布线44与布线45之间分别串联地安装LED110(X方向)。
另外,布线41~45的各自的纵向(Y方向)的长度大约为LED110的Y方向的长度数倍~数十倍。由此,可在布线41与布线42之间并列地安装多个LED110(Y方向)。布线42与布线43之间、布线43与布线44之间、布线44与布线45之间也同样。
[第一实施方式的发光元件安装用封装、及发光元件封装的制造方法]
接着,对第一实施方式的发光元件安装用封装、及发光元件封装的制造方法进行说明。图6~图19是对第一实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。图20~图24是对第一实施方式的发光元件封装的制造工序进行举例说明的图。需要说明的是,对于各步骤原则上以剖视图进行说明,根据需要有时以(a)平面图、(b)剖视图进行说明。
首先,在图6及图7所示的步骤中,准备金属箔200。图6为平面图,C表示切割线。通过将经过了图8至图19中预定的步骤的金属箔200等沿切割线C进行切割,从而可得到多个发光元件安装用封装10(此时为27个)。换言之,在图6中由切割线C所包围的各区域分别为发光元件安装用封装10。需要说明的是,图7是相当于图1的A-A线的剖视图,表示出在图6中由切割线C所包围的一个区域。
作为金属箔200,例如可使用铜箔等。金属箔200的平面形状例如为矩形,其大小例如可以是纵大约650mm(Y方向)×横大约510mm(X方向)×厚大约100μm(Z方向)。需要说明的是,金属箔200最终是作为发光元件安装部40的部件。
接着,在图8所示的步骤中,在金属箔200的上表面形成覆盖金属箔的上表面全体面的抗蚀剂层300,并在金属箔200的下表面形成具有开口部310x的抗蚀剂层310,其中该开口部310x使金属箔200的下表面的一部分露出。在形成抗蚀剂层300及310时,在金属箔200的上表面及下表面分别涂覆液状或糊(paste)状的抗蚀剂,其中该液状或糊状的抗蚀剂例如由包含环氧类树脂或丙烯酸类树脂等的感光性树脂组成物构成。或者,在金属箔200的上表面及下表面分别层压薄膜状的抗蚀剂(例如干膜抗蚀剂),其中该薄膜状的抗蚀剂由包含环氧类树脂或丙烯酸类树脂等的感光性树脂组成物构成。
接着,通过使在金属箔200的下表面涂覆或层压的抗蚀剂曝光及显影而形成开口部310x。由此,覆盖金属箔200的上表面全体面的抗蚀剂层300、以及具有使金属箔200的下表面的一部分露出的开口部310x的抗蚀剂层310被形成。需要说明的是,也可以将预先形成了开口部310x的薄膜状的抗蚀剂层压到金属箔200的下表面。
接着,在图9~图11所示的步骤中,对在金属箔200的开口部310x内露出的部分进行半蚀刻(half etching)而形成槽部200x。槽部200x沿与Y方向平行的方向呈细长形状形成有多个。当金属箔200为铜箔时,例如可使用氯化铁(ferric chloride)水溶液、氯化铜(copperchloride)水溶液、过硫酸铵(ammonium persulfate)水溶液等进行半蚀刻。需要说明的是,图10是扩大表示图9的B部的剖视图,图11(a)是图9的底面图(从抗蚀剂层310侧观察的图),图11(b)是沿图11(a)的D-D线的剖视图。
槽部200x最终是将中央部附近除去,并成为在发光元件安装部40邻接的布线的切割部40y。槽部200x的剖面形状例如可以是U字形等。槽部200x的宽度例如可以设为大约200μm。槽部200x的深度例如可以设为大约70μm。需要说明的是,槽部200可通过砂蚀(blasting)处理或冲压(stamping)加工等代替半蚀刻而形成。
接着,在图12所示的步骤中,除去图9等所示的抗蚀剂层300及310。接着,在图13所示的步骤中,透过绝缘层30使形成有槽部200x的金属箔200与金属板20接合,用绝缘层30覆盖金属箔200的下表面及槽部200x。具体来说,例如在金属板20的上表面层压B级状态(半硬化状态)的绝缘性树脂30A(热硬化性树脂),进而堆叠形成有槽部200x的金属箔200。
接着,一边对绝缘性树脂30A进行加热一边向金属板20侧的绝缘性树脂30A按压金属箔200而使绝缘性树脂30A硬化。需要说明的是,也可以在绝缘性树脂30A上对金属箔200进行加压及加热而堆叠后,利用烤箱等进行加热而不进行加压。硬化了的绝缘性树脂30A成为绝缘层30。作为绝缘性树脂30A(绝缘层30)的材料,例如可使用含有氧化铝等填充物的环氧类树脂等。
接着,在图14所示的步骤中,在金属箔200的上表面形成抗蚀剂层320。抗蚀剂层320以覆盖作为发光元件安装部40的布线41~45的部分的方式形成(还覆盖作为切割部40x的部分上)。抗蚀剂层320例如可通过与图8所示的步骤的抗蚀剂层300或310相同的方法来形成。
接着,在图15所示的步骤中,通过蚀刻除去未由抗蚀剂层320覆盖的部分的金属箔200(金属箔200的形成有槽部200x的部分的一部分),形成将布线41~45隔开预定的间隔而配置的发光元件安装部40。当金属箔200为铜箔时,例如可使用氯化铁水溶液、氯化铜水溶液、过硫酸铵水溶液等进行蚀刻。在该步骤中,在邻接的布线的相对的侧缘部40x的下侧,利用构成槽部200x的内壁的部分,分别形成切割部40y(参见图4)。
接着,在图16所示的步骤中,除去图15所示的抗蚀剂层320。由此,发光元件安装部40的布线41~45露出。
接着,在图17所示的步骤中,以覆盖绝缘层30的一部分以及发光元件安装部40的一部分的方式,形成具有开口部60x的反射膜60。作为反射膜60的材料,例如可使用环氧类或硅类的绝缘性树脂等。为了提高发光元件所照射光的反射率,反射膜60优选含有氧化钛等填充物而使其成为白色。也可替代氧化钛而使用BaSO4等颜料使反射膜60成为白色。反射膜60的厚度例如可设为大约10~50μm。
在形成反射膜60时,例如以覆盖绝缘层30及发光元件安装部40的方式涂覆液状或糊状的感光性的环氧类或硅类的绝缘性树脂等。或者例如以覆盖绝缘层30及发光元件安装部40的方式层压薄膜状的感光性的环氧类或硅类的绝缘性树脂等。接着,通过使涂覆或层压的绝缘性树脂等曝光及显影而形成开口部60x。由此,具有开口部60x的反射膜60被形成。需要说明的是,也可以以覆盖绝缘层30的一部分及发光元件安装部40的一部分的方式层压预先形成了开口部60x的薄膜状的环氧类或硅类的绝缘性树脂等。另外,也可以通过非感光性的环氧类或硅类的绝缘性树脂的网版印刷而形成具有开口部60x的反射膜60。需要说明的是,如果对发光元件安装部40的布线41~45预先进行粗化,则可提高布线41~45与反射膜60之间的紧密性而较佳。
接着,在图18所示的步骤中,例如通过无电解电镀法等,在于开口部60x内露出的发光元件安装部40上形成包括发光元件安装区域51、第一电极部52、及第二电极部53的镀膜50。镀膜50的种类及厚度等如上所述。需要说明的是,由于Ag膜或Ag合金膜的反射率高,因此如果以将镀膜50的最表层设成Ag膜或Ag合金膜的方式形成镀膜50,则能够提高发光元件所照射光的放射率而较佳。
接着,在图19所示的步骤中,通过将图18所示的构造体沿图18所示的切割线C切断,从而完成多个发光元件安装用封装10。图18所示的构造体例如可利用切刀(dicing blade)等进行切割。或者,也可进行V形(V-cut)切割。
对于发光元件安装用封装10,可将图1所示的构造体(发光元件安装用封装10的单一物体)作为一个产品来出货,也可将图18所示的构造体(发光元件安装用封装10的集合体)作为一个产品来出货。
在制造LED模块100时,如图20所示的步骤,在发光元件安装用封装10的各发光元件安装区域51上分别安装LED110。在各LED110中形成形成作为一个电极端子的凸起110a、以及作为另一个电极端子的凸起110b。各LED110例如可倒装(flip-chip)连接在各发光元件安装区域51上。
接着,在图21所示的步骤中,利用密封树脂120将LED110密封。作为密封树脂120,例如可使用将萤光体包含于环氧类或硅类等绝缘性树脂中的树脂。密封树脂120例如可通过传递模塑法(transfer molding)或装填法(potting)形成。由此,可制造LED模块100。需要说明的是,也可个别地密封各个LED110,来代替将多个LED110一起密封。
需要说明的是,在制造LED模块100时,也可以按以下方法制造。换言之,在图18所示的步骤之后(沿切割线C切割图18所示的构造体之前),按照如图22所示的步骤,在作为图18所示的构造体的各发光元件安装用封装10的部分上安装多个LED110。接着,按照如图23所示的步骤,在作为各发光元件安装用封装10的部分上,利用密封树脂120密封LED110。之后,如图24所示,通过沿图23所示的切割线C切割图23所示的构造体,从而完成多个LED模块100。
这样,在本第一实施方式的发光元件安装用封装10中,在金属箔200的下表面的预定区域形成槽部200x,将金属箔200的形成有槽部200x的部分的一部分除去,形成将多条布线41~45隔开预定的间隔而配置的发光元件安装部40。在作为发光元件安装部40的邻接的布线间的部分形成槽200x,形成有槽200x的部分的金属箔200的厚度较未形成有槽200x的部分的金属箔200的厚度更薄。因此,即使在邻接的布线间隔较狭窄时,也可通过蚀刻而容易地除去形成有槽200x的部分的金属箔200。
换言之,即使在使用散热性能优异的厚的金属箔200(例如大约100μm)时,也可使邻接的布线间隔较过去更窄。例如,过去通过减成法不能使邻接的布线间隔为较金属箔厚度(布线的厚度)的两倍更窄,但在本第一实施方式中,通过减成法可使邻接的布线间隔为小于金属箔厚度(布线41~45的厚度)的两倍。
<第二实施方式>
在第二实施方式中,示出了与第一实施方式不同的发光元件安装用封装的制造方法的例子。需要说明的是,在第二实施方式中,省略与已说明的实施方式相同的构成部件的说明。
图25~图31是对第二实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。首先,执行第一实施方式的图6~图13所示的步骤,之后,在图25所示的步骤中,在金属箔200的上表面上,形成具有开口部330x的抗蚀剂层330,其中该开口部330x与镀膜50对应。抗蚀剂层330的形成方法,可采用与图8所示的步骤的抗蚀剂层300等相同的方法。
接着,在图26所示的步骤中,例如通过以金属箔200为供电层的电解电镀法等,在于开口部330x内露出的金属箔200的上表面上形成镀膜50。镀膜50的种类及厚度等如上所述。需要说明的是,由于Ag膜或Ag合金膜的反射率高,因此如果以将镀膜50的最表层设成Ag膜或Ag合金膜的方式形成镀膜50,则能够提高发光元件所照射光的放射率而较佳。
接着,在图27所示的步骤中,除去如图26所示的抗蚀剂层330。由此,在金属箔200的上表面上,形成包括发光元件安装区域51、第一电极部52、及第二电极部53的镀膜50。
接着,在图28所示的步骤中,与图14所示的步骤相同,在金属箔200的上表面上形成抗蚀剂层320。抗蚀剂层320以覆盖作为发光元件安装部40的布线41~45的部分的方式形成(还覆盖作为切割部40x的部分上)。需要说明的是,抗蚀剂层320也可以覆盖镀膜50的侧面的方式形成。
接着,在图29所示的步骤中,与图15所示的步骤相同,对未由抗蚀剂层320所覆盖的部分的金属箔200进行蚀刻,形成发光元件安装部40的布线41~45。当金属箔200为铜箔时,例如可使用氯化铁水溶液、氯化铜水溶液、过硫酸铵水溶液等进行蚀刻。
接着,在图30所示的步骤中,除去图29所示的抗蚀剂层320。接着,在图31所示的步骤中,与图17所示的步骤相同,以覆盖绝缘层30的一部分以及未形成有镀膜50的部分的发光元件安装部40的方式,形成具有开口部60x的反射膜60。需要说明的是,反射膜60也可以以覆盖镀膜50的上表面周围部分的方式形成。在图31所示的步骤之后,与图19所示的步骤相同,通过将图31所示的构造体沿图31所示的切割线C切断,从而完成多个发光元件安装用封装10。
这样,可以在形成布线41~45后形成镀膜50,也可以在金属箔200的预定区域先形成镀膜50,之后除去金属箔200的形成有槽部200x的部分的一部分,形成布线41~45。
<第三实施方式>
在第三实施方式中,示出了与第一实施方式不同的发光元件安装用封装的制造方法的例子。需要说明的是,在第三实施方式中,省略与已说明的实施方式相同的构成部件的说明。
图32~图38是对第三实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。首先,执行第一实施方式的图6~图13所示的步骤,之后,在图32所示的步骤中,在金属箔200的上表面上形成抗蚀剂层340。抗蚀剂层340的形成方法,可采用与图8所示的步骤的抗蚀剂层300等相同的方法。抗蚀剂层340形成在与发光元件安装部40的布线41~45对应的区域上、以及下述与框架部210及连接部220对应的区域上。
接着,在图33所示的步骤中,除去如图32所示的于开口部340x内露出的金属箔200,再除去抗蚀剂层340。当金属箔200为铜箔时,例如可通过使用氯化铁水溶液、氯化铜水溶液、过硫酸铵水溶液等的湿蚀刻法进行除去。由此,形成了发光元件安装部40的布线41~45分别透过连接部220与框架部210连接的构造。需要说明的是,框架部210及连接部220是在布线41~45进行电解电镀时的作为总线(bus line)的部分。
接着,在图34所示的步骤中,形成具有开口部350x的抗蚀剂层350,其中该开口部350x与镀膜50对应。抗蚀剂层350的形成方法可与图8所示的步骤的抗蚀剂层300等相同。
接着,在图35所示的步骤中,通过以框架部210及连接部220为总线的电解电镀法,在发光元件安装部40的布线41~45的上表面的开口部350x内,形成镀膜50。之后,除去抗蚀剂层350。
接着,在图36所示的步骤中,在发光元件安装部40的布线41~45上及邻接的布线之间的绝缘层30上形成抗蚀剂层360。抗蚀剂层360的形成方法可与图8所示的步骤的抗蚀剂层300等相同。接着,在图37所示的步骤中,除去作为总线而使用的框架部210及连接部220。当框架部210及连接部220为铜时,例如可通过使用氯化铁水溶液、氯化铜水溶液、过硫酸铵水溶液等的湿蚀刻法进行除去。
接着,在图38所示的步骤中,除去抗蚀剂层360。接着,在图38所示的步骤之后,与图27所示的步骤相同,通过以覆盖发光元件安装部40及镀膜50的方式在绝缘层30上形成具有开口部60x的反射膜60,并沿切割线C进行切割,从而完成多个发光元件安装用封装10。
通过这样,镀膜50可以利用无电解电镀法形成,也可以预先形成由金属箔200构成的预定的总线再利用电解电镀法形成。
需要说明的是,由于具有在电解电镀之后除去总线的步骤,因此本第三实施方式的发光元件安装用封装最终(作为出货形态)为不具有总线的构造。因此,通过逐个(individual piece)化时的切割,总线的端面不会从发光元件安装用封装的侧面露出。如果总线的端面从发光元件安装用封装的侧面露出,则当总线的端面与金属板20的侧面之间的距离近时,由于毛边(burr)等而会使总线的端面与金属板的侧面之间短路。在本第三实施方式的发光元件安装用封装中,可避免这样的问题。
<第四实施方式>
在第四实施方式中,示出了与第一实施方式不同的发光元件安装用部的布线的图案形状的例子。需要说明的是,在第四实施方式中,省略与已说明的实施方式相同的构成部件的说明。
图39是对第四实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的平面图。图40对第四实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的其他平面图,是在图39中省略了反射膜60的图。
如图39及图40所示,在发光元件安装用封装10A中,发光元件安装部70具有互相电气绝缘的布线71~88。需要说明的是,虽然未在图中表示出,但发光元件安装部70与发光元件安装部40相同,埋设在绝缘层30中。但是,包括发光元件安装部70的上表面(布线71~88的上表面)的部分从绝缘层30露出。
另外,虽然未在图中表示出,但在布线71~88中,与布线41~45相同,在沿X方向邻接的布线所相对的侧缘部的下侧(绝缘层30侧),分别形成有切割部。在邻接的布线中,形成有切割部的部分的厚度比未形成有切割部的部分的厚度更薄。布线71~88的切割部被绝缘层30覆盖,侧缘部的较切割部更上的上部从绝缘层30突出。切割部的剖面形状例如可以设为凹型弧线形等。
布线71~88例如形成为俯视观察的矩形,并以各布线的与Y方向平行的边彼此相对的方式隔开预定的间隔而配置。但是,布线75、79及84的Y方向的长度较其他布线的Y方向的长度更长,例如形成为其他布线的Y方向的长度的大约两倍。
布线71~74及布线75的一部分向着X-方向以预定间隔沿此顺序并排设置。另外,布线75的剩余部分、布线76~78、及布线79的一部分向着X+方向以预定间隔沿此顺序并排设置。另外,布线79的剩余部分、布线81~83、及布线84的一部分向着X-方向以预定间隔沿此顺序并排设置。另外,布线84的剩余部分、布线85~88向着X+方向以预定间隔沿此顺序并排设置。换言之,布线71~88俯视上被配置为在布线75、79及84的部分弯曲的矩形波状。
在除了布线75、79及84之外的布线71~88中,与X方向平行的边的长度例如可以设为大约1~5mm,与Y方向平行的边的长度例如可以设为大约1~5mm。另外,在布线75、79及84中,与X方向平行的边的长度例如可以设为大约1~5mm,与Y方向平行的边的长度例如可以设为大约2~10mm。在布线71~88中,邻接的布线的间隔(X方向)例如可以设为大约50~100μm。
在布线71~88的预定的区域中,形成有镀膜90。形成镀膜90的目的是为了提高和连接各个部分的部件等之间的连接可靠性。镀膜90的材料及厚度可与镀膜50相同。
在镀膜90中,以与邻接的布线相对的方式形成的部分构成发光元件安装区域91。发光元件安装区域91例如是以平面形状为半圆形的镀膜与邻接的布线相对的方式形成的部分,在一个发光元件安装区域91上可安装2端子(也可以是4端子等)的一个发光元件。
利用镀膜90在布线71上形成第一电极部92。第一电极部92与在发光元件安装区域91的布线71上形成的部分电气连接。另外,利用镀膜90在布线88上形成第二电极部93。第一电极部93与在发光元件安装区域91的布线88上形成的部分电气连接。第一电极部92及第二电极部93例如是与在发光元件安装用封装10A的外部所配置的电源或驱动电路等连接的部分。
通过这样,发光元件安装部70的布线71~88在俯视上被配置为在布线75、79及84的部分弯曲的矩形波状,在邻接的布线上形成发光元件安装区域91。另外,在作为配置成矩形波状的布线的两端部分的布线71及88上,分别形成第一电极部92及第二电极部93。由此,发光元件在于第一电极部92与第二电极部93之间所配置的各发光元件安装区域91上串联地安装。
需要说明的是,发光元件安装用封装10A可通过与第一~第三实施方式相同的步骤来制造。
通过这样,在发光元件安装用封装10或10A中,发光元件安装部40或70可如第一实施方式那样以可将发光元件串联及并列地安装的方式形成,还可以如本第四实施方式这样可将发光元件仅以串联的方式形成。
<第五实施方式>
在第五实施方式中,示出了与第一实施方式不同的发光元件安装用封装的例子。需要说明的是,在第五实施方式中,省略与已说明的实施方式相同的构成部件的说明。
[第五实施方式的发光元件安装用封装的构造]
首先,对第五实施方式的发光元件安装用封装的构造进行说明。图41是对第五实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的剖视图,表示出与第一实施方式的图3(a)、(b)对应的剖面。需要说明的是,关于第五实施方式的发光元件安装用封装的平面图,由于与图1及图2相同,因此省略其图示。
在第一实施方式的发光元件安装用封装10中,在布线41~45中,仅在邻接的布线相对的侧缘部40x的下侧(绝缘层30侧)分别形成了切割部40y。换言之,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分并未形成切割部40y(参见图3(a)、(b)、图4)。
另一方面,如图41所示,在发光元件安装用封装10B中,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(D部)的下侧、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(E部)的下侧也形成有切割部40y。包括D部及E部的切割部40y的各切割部40y被绝缘层30覆盖,布线41~45的较各切割部40y更上的上部从绝缘层30突出。需要说明的是,D部及E部的切割部40y的形状与图4所示的形成于侧缘部40x的切割部40y的形状相同。
通过这样,在本实施方式中,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(D部)的下侧、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(E部)的下侧也形成有切割部40y是特征。关于该实施方式中特有的效果,在以下的发光元件安装用封装的制造方法中进行说明。
[第五实施方式的发光元件安装用封装的制造方法]
接着,对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造方法进行说明。图42~图54是对第五实施方式的发光元件安装用封装的制造工序进行举例说明的图。
首先,执行与第一实施方式的图6及图7相同的步骤。接着,在图42~44所示的步骤中,在金属箔200的上表面形成覆盖金属箔200的上表面全体面的抗蚀剂层300,在金属箔200的下表面上形成具有使金属箔200的下表面的一部分露出的开口部310x及310y的抗蚀剂层310。
在图42~44中,开口部310x在布线41~45上,形成于作为邻接的布线间的部分。另外,开口部310y在作为布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(D部)、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(E部)的部分上形成。抗蚀剂层300及310的材料及形成方法可与图8的情况相同。需要说明的是,图42是金属箔200的底面图,图43是沿图42的A-A线的剖视图,图44是沿图42的B-B线的剖视图。
接着,在图45及图46所示的步骤中,对在金属箔200的开口部310x内露出的部分进行半蚀刻而形成与图9~图11相同的槽部200x。另外,对在金属箔200的开口部310y内露出的部分进行半蚀刻而形成槽部200y。槽部200x及200y的形成方法可与图9~图11的情况相同。需要说明的是,图45是与图43对应的剖视图,图46是与图44对应的剖视图。
接着,在执行与第一实施方式的图12及图13相同的步骤后,在图47~49所示的步骤中,在金属箔200的上表面形成抗蚀剂层320。抗蚀剂层320以覆盖作为发光元件安装部40的布线41~45的部分的方式形成(还覆盖作为切割部40y的部分上)。抗蚀剂层320例如可通过与图8所示步骤的抗蚀剂层300及310相同的方法来形成。需要说明的是,图47是发光元件安装用封装的平面图,图48是沿图47的A-A线的剖视图,图49是沿图47的B-B线的剖视图。
接着,在图50及图51所示的步骤中,与图15所示的步骤相同,通过刻蚀将未由抗蚀剂层320所覆盖的部分的金属箔200除去,形成将布线41~45隔开预定的间隔而配置的发光元件安装部40。在此步骤中,在邻接的布线的相对的侧缘部40x的下侧,利用构成槽部200x的内壁的部分,分别形成切割部40y。
另外,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(D部)的下侧、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(E部)的下侧,利用构成槽部200y的内壁的部分,也形成切割部40y。包括D部及E部的切割部40y的切割部40y被绝缘层30覆盖,布线41~45的较各切割部40y更上的上部从绝缘层30突出。需要说明的是,图50是与图48对应的剖视图,图51是与图49对应的剖视图。
接着,在除去图50及图51所示的抗蚀剂层320之后,在图52~54所示的步骤中,与图17所示的步骤相同,以覆盖绝缘层30的一部分及发光元件安装部40的一部分的方式,形成具有开口部60x的反射膜60。接着,通过执行与第一实施方式的图18及图19相同的步骤,完成图41所示的发光元件安装用封装10B。
在本实施方式中,在布线41及45的各自的不与其他布线相对侧的侧缘部(D部)的下侧、以及布线41~45的各自的纵向的两端部分(E部)的下侧也形成有切割部40y。由此,在D部及E部,由于以覆盖切割部40y的方式绝缘层30突起而形成,因此可减小形成有反射膜60的部分的段差。换言之,D部及E部的布线41及45的上表面与绝缘层30的上表面之间的段差,比发光元件安装用封装10的D部及E部的相应部分布线41及45的上表面与绝缘层30的上表面之间的段差更小。
由此,可容易地形成反射膜。具体来说,例如当通过印刷来形成反射膜60时,由于在发光元件安装用封装10B中布线41及45的上表面与绝缘层30的上表面之间的段差更小,因此能够以较发光元件安装用封装10更少的印刷次数来形成反射膜60。另外,可降低反射膜60的印刷不均,并可提高反射膜的平坦度。另外,由于使反射膜60的材料使用量减少,因此可降低发光元件安装用封装10B的制造成本。
需要说明的是,如上所述,在图50及图51所示的步骤中,通过蚀刻将未由抗蚀剂层320覆盖的部分的金属箔200除去。此时,所除去的部分的金属箔200的剖面形状(称为剖面形状200z)可以是图55(a)所示的大致矩形,也可以是图55(b)所示的大致U字形。另外,如图50及图51所示的D部及E部,特别是对于没必要设为狭窄间距的部分,也可以如图55(c)所示加宽剖面形状200z的缺口(gap)的宽度(U字的宽度)。
另外,如图55(d)所示,在图45及图46所示的步骤中可以更深地形成槽部200x及200y。此时,由于能够使在图50及图51所示的步骤中通过蚀刻所除去的部分的金属箔200的厚度更薄,因此特别是在希望将布线配置成狭窄间距时更佳。另外,在图55(d)的情况中,可将金属箔200的上表面与未由金属箔200覆盖的部分的绝缘层30的上表面之间的段差较图55(a)~(c)的情况减小得更小。因此,可进一步提高上述效果(反射膜60印刷次数的降低等)。
<第六实施方式>
在第六实施方式中,示出了与第一实施方式不同的发光元件安装用封装的例子。需要说明的是,在第六实施方式中,省略与已说明的实施方式相同的构成部件的说明。
图56是对第六实施方式的发光元件安装用封装进行举例说明的剖视图。在第一实施方式所示的发光元件安装用封装的制造方法中,可在图12所示的步骤与图13所示的步骤之间增加图56所示的步骤。在图56所示的步骤中,对包括槽部200x的内壁的金属箔200的表面进行粗化。粗化例如可通过蚀刻、氧化处理、或砂蚀(blasting)处理等来进行。
这样一来,通过对包括槽部200x的内壁的金属箔200的表面进行粗化,能够提高金属箔200与绝缘层30之间的紧贴度。另外,能够提高从由金属箔200所形成的布线41~45与反射膜60之间的紧贴度。
需要说明的是,在第一实施方式所示的发光元件安装用封装的制造方法中,代替在图12所示的步骤与图13所示的步骤之间增加图56所示的步骤,可在图7所示的步骤与图8所示的步骤之间增加图57所示的步骤。
在图57所示的步骤中,对在形成槽部200x之前的金属箔200的表面进行粗化。之后,通过执行与图8~12相同的步骤,如图58所示,代替表面未被粗化的金属箔200(参见图12),形成将除了槽部200x的内壁之外的部分的表面进行粗化了的金属箔200。
这样一来,当对除了槽部200x的内壁之外的部分的金属箔200的表面进行粗化时,也能够提高除了槽部200x的内壁之外的部分的金属箔200与绝缘层30之间的紧贴度。另外,能够提高从由金属箔200所形成的布线41~45与反射膜60之间的紧贴度。
需要说明的是,第六实施方式所示的发光元件安装用封装的制造方法也可适用于第五实施方式所示的发光元件安装用封装10B。
虽然本发明的优选实施例进行了详细记述,但本发明不限定于相关特征的实施方式,本发明可在权利要求书中所记载的本发明要旨的范围内进行各种变形、变更。
例如,可在第二~第六实施方式的发光元件安装用封装中安装发光元件,而实现发光元件封装。
另外,还可在第二、第三实施方式中,采用相当于第一实施方式的图22~24的步骤。
另外,发光元件安装用封装也可以是仅可安装一个发光元件的构造。
另外,也可在发光元件安装用封装中引线接合(wire bonding)发光元件(例如LED)来作为发光元件封装。另外,也可在发光元件安装用封装中倒装(flip-chip)接合或引线接合副载具(submount)(例如LED副载具)来作为发光元件封装。
符号说明
10、10A、10B  发光元件安装用封装
20    金属板
30   绝缘层
30A  绝缘性树脂
40、70    发光元件安装部
40x  侧缘部
40y  切割部
41~45、71~88    布线
50、90    镀膜
51、91    发光元件安装区域
52、92    第一电极部
53、93    第二电极部
60     反射膜
60x、310x、310y、330x、340x、350x  开口部
100    发光元件封装
110    发光元件
110a、110b  凸起
120    密封树脂
200    金属箔
200x、200y  槽部
200z   剖面形状
210    框架部
220    连接部
300、310、320、330、340、350、360    抗蚀剂层
C      切割线

Claims (20)

1.一种发光元件安装用封装,其特征在于,所述发光元件安装用封装包括:
发光元件安装部,所述发光元件安装部将多条布线隔开预定的间隔而配置;以及
绝缘层,所述绝缘层设有所述发光元件安装部,并且,
所述发光元件安装部的上表面从所述绝缘层露出,
在所述布线的侧缘的下侧所形成的切割部与所述绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的发光元件安装用封装,其特征在于,所述切割部设置在所述侧缘中相互相对的一部分的下侧、以及所述侧缘中不相互相对的另一部分的下侧。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在所述各布线中,形成有对应的所述切割部的部分的厚度比未形成有所述对应的切割部的另外部分的厚度薄。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在对应的所述布线的一个上所形成的所述切割部的剖面形状与在对应的所述布线的另一个上所形成的所述切割部的剖面形状以假设线为对称轴成线对称,所述假设线通过对应的所述布线的间隔的中心并且沿所述布线的厚度方向引出。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,所述切割部被所述绝缘层覆盖,较所述切割部更上的上部从所述绝缘层突出。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在所述发光元件安装部上,将平面形状为长方形的多条布线以各布线的长边彼此相对的方式隔开预定的间隔而配置。
7.根据权利要求6所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在所述各配线的纵向的两端部分的下侧也形成有切割部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在所述绝缘层及所述布线上,形成有使所述发光元件安装部露出的反射膜。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在金属板上,依次堆叠所述绝缘层和所述布线。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,所述布线的厚度为20~100μm,相互相对的所述布线的间隔为50~100μm。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,在所述布线的上表面的一个区域中,形成有进行了镀膜的发光元件安装区域。
12.根据权利要求11所述的发光元件安装用封装,其特征在于,形成多个所述发光元件安装区域。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光元件安装用封装,其特征在于,对所述布线的上表面及下表面进行粗化。
14.根据权利要求13所述的发光元件安装用封装,其特征在于,对所述切割部的表面进行粗化。
15.一种发光元件封装,其特征在于,在根据权利要求1至14中任一项所述的发光元件安装用封装的所述发光元件安装部上安装发光元件。
16.一种发光元件安装用封装的制造方法,其特征在于,所述发光元件安装用封装的制造方法包括以下步骤:
在金属箔的一个表面的预定区域形成槽部;
形成覆盖所述金属箔的所述一个表面及所述槽部的绝缘层;以及
将所述金属箔的形成有所述槽部的对应部分除去,形成将多条布线隔开预定的间隔而配置的发光元件安装部,并且,
在形成所述发光元件安装部的步骤中,在所述布线的侧缘的所述一个表面侧,利用构成所述槽部的内壁的部分,分别形成切割部。
17.根据权利要求16所述的发光元件安装用封装的制造方法,其特征在于,在所述切割部的形成中,所述切割部形成在所述侧缘中相互相对的一部分的所述一个表面侧、以及所述侧缘中不相互相对的另一部分的所述一个表面侧。
18.根据权利要求16或17所述的发光元件安装用封装的制造方法,其特征在于,在形成所述发光元件安装部的步骤中,将平面形状为长方形的多条布线以各布线的长边彼此相对的方式隔开预定的间隔而配置。
19.根据权利要求18所述的发光元件安装用封装的制造方法,其特征在于,在形成所述发光元件安装部的步骤中,在所述各配线的纵向的两端部分的所述一个表面侧也形成有切割部。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的发光元件安装用封装的制造方法,其特征在于,
在形成所述绝缘层的步骤中,以所述金属箔的所述一个表面与所述绝缘层接触的方式,在所述绝缘层上堆叠所述金属箔,
所述发光元件安装用封装的制造方法包括以下步骤:利用蚀刻将与所述金属箔的另一个表面的所述槽部相对的部分从所述另一个表面侧除去,并形成多条所述布线。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881780B (zh) * 2011-07-15 2015-04-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组及其制造方法
CN104716251A (zh) * 2015-03-04 2015-06-17 尤俊龙 新型led覆晶芯片及其制造方法
EP3116040A1 (en) * 2015-07-06 2017-01-11 LG Electronics Inc. Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same
EP3116039B1 (en) 2015-07-06 2019-10-16 LG Electronics Inc. Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same
EP3116041B1 (en) * 2015-07-06 2018-06-06 LG Electronics Inc. Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same
US10317068B2 (en) * 2015-12-14 2019-06-11 Lg Electronics Inc. Light source module
EP3182471B1 (en) * 2015-12-14 2019-06-05 LG Electronics Inc. Light source module
JP7097176B2 (ja) * 2017-12-05 2022-07-07 シーシーエス株式会社 光射出装置及びled基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6384472B1 (en) 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
JP4067802B2 (ja) 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
TWI309962B (en) 2004-02-24 2009-05-11 Sanyo Electric Co Circuit device and menufacturing method thereof
JP2006179606A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Nitto Denko Corp 配線回路基板
JP2006319074A (ja) 2005-05-12 2006-11-24 Mitsui Chemicals Inc Led実装用基板およびその製造方法
EP2006909B1 (en) * 2006-06-14 2013-06-05 Panasonic Corporation Heat dissipating wiring board and method for manufacturing same
JP5517927B2 (ja) 2008-05-29 2014-06-11 電気化学工業株式会社 金属ベース回路基板

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