CN103227275B - 布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法 - Google Patents
布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103227275B CN103227275B CN201310030269.XA CN201310030269A CN103227275B CN 103227275 B CN103227275 B CN 103227275B CN 201310030269 A CN201310030269 A CN 201310030269A CN 103227275 B CN103227275 B CN 103227275B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wiring diagram
- insulating barrier
- metal level
- wiring
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 356
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 350
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 219
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 219
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 14
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 6
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N alumane;iron Chemical compound [AlH3].[Fe] KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09409—Multiple rows of pads, lands, terminals or dummy patterns; Multiple rows of mounted components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法。一种布线基板,包括:散热片;散热片上的第一绝缘层;第一绝缘层上的布线图,其中,布线图被配置成将发光元件安装在其上;以及第一绝缘层上的第二绝缘层,使得布线图从第二绝缘层暴露。
Description
本申请要求于2012年1月25日提交的日本专利申请No.2012-013241的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及布线基板、发光器件以及布线基板的制造方法。
背景技术
在相关技术中,已提出发光元件装配在基板上的多种形状的发光器件。作为该种发光器件,已知这样的结构:在该结构中,布线层形成在绝缘层上,该绝缘层形成在由金属制成的基板上,并且诸如发光二极管(LED)之类的发光元件被装配在布线层上(例如,参见JP-A-2003-092011)。
在此,在发光器件中,当发光二极管导通时,发光二极管生成热,结果,温度增加,从而减小发光二极管的发射效率。为此,为了有效地消散从发光二极管生成的热,热经由布线层和绝缘层被传导至由金属制成的基板。然而,由于具有低热导率的绝缘层被插在布线层和基板之间,因此存在散热性能恶化的问题。
发明内容
本发明的示例实施例解决以上缺陷和以上未描述的其他缺陷。然而,本发明不要求克服上述缺陷,从而本发明的示例实施例可以不克服上述任何缺陷。
根据本发明的一个或多个说明性方面,提供一种布线基板。该布线基板包括:散热片;所述散热片上的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的布线图,其中,所述布线图被配置成在其上装配发光元件;以及所述第一绝缘层上的第二绝缘层,使得所述布线图从所述第二绝缘层暴露。
根据本发明的该方面,可以提供能够改进散热性能的布线基板。
根据以下说明书、附图和权利要求,本发明的其他方面和优点将变得显而易见。
附图说明
图1A是示出根据第一实施例的布线基板的示意性平面图;
图1B是沿着图1A中所示的布线基板的线A-A的示意性截面图;
图2是示出根据第一实施例的布线图和金属层的示意性平面图;
图3A是示出根据第一实施例的发光器件的示意性平面图;
图3B是沿着图3A中所示的发光器件的线B-B的示意性截面图;
图4是示出根据第一实施例的布线基板的制造方法的示意性平面图;
图5A至图5C是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图5D是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图,其中,图5A至图5C示出沿着图5D的线C-C位置的布线基板的截面图。
图6A至图6C是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图6D是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图,其中,图6A至图6C示出沿着图6D的线D-D位置的布线基板的截面图;
图7A和图7C是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图7B和图7D是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图,其中,图7A和图7C示出沿着图7B的线E-E位置的布线基板的截面图;
图8A是示出根据第一实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图;
图8B至图8D是示出沿着图8A的线F-F位置的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图9A和图9B是示出根据第一实施例的发光器件的制造步骤的示意性截面图,其中,图9A和图9B示出沿着图3A的线B-B位置的截面图;
图10A至图10D是示出根据第一实施例的修改示例的布线基板和发光器件的制造步骤的示意性截面图,其中,图10A至图10D示出沿着图8A的线F-F位置的布线基板和发光器件的截面图;
图11A至图11C是示出根据修改示例的布线基板的制造步骤的示意性平面图;
图12A和图12B是示出根据修改示例的布线基板的制造步骤的示意性平面图;
图12C是示出沿着图12B的线G-G位置的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图13是示出根据修改示例的发光器件的示意性截面图;
图14是示出根据修改示例的发光器件的示意性截面图;
图15A至图15C是示出根据第二实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图,其中,图15A至图15C示出沿着图8A的线F-F位置的布线基板的截面图;
图16A至图16D是示出根据第二实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图,其中,图16A至图16D示出沿着图8A的线F-F位置的布线基板的截面图;
图17A是示出根据第三实施例的布线基板的示意性平面图;
图17B是沿着图17A中所示的布线基板的线H-H的示意性截面图;
图18A、图18B和图18D是示出根据第三实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图18C是示出根据第三实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图,其中,图18A、图18B和图18D示出沿着图18C的线I-I位置的布线基板的截面图;
图19A和图19C是示出根据第三实施例的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图19B是示出根据第三实施例的布线基板的制造步骤的示意性平面图,其中,图19A和图19C示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的截面图;
图20A至图20D是示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图21A和图21B是示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的制造步骤的示意性截面图;
图22A至图22C是示出根据第三实施例的修改示例的布线基板的制造步骤的示意性截面图,其中,图22A至图22C示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的截面图;
图23A和图23B是示出根据修改示例的布线基板的制造步骤的示意性截面图,其中,图23A和图23B示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的截面图;
图24A和图24B是示出根据修改示例的布线基板的制造步骤的示意性截面图,其中,图24A和图24B示出沿着图19B的线J-J位置的布线基板的截面图;
图25A和图25B是示出根据修改示例的布线图的示意性平面图;
图26是示出根据修改示例的布线图的示意性平面图;
图27是示出发光器件的应用示例的示意性截面图;以及
图28A和图28B是示出发光器件的装配示例的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图描述本发明的示例性实施例。在用于解释实施例的所有附图中,具有相同功能的部件由相同的附图标记表示,并且其重复说明将被省略。
另外,为了方便起见,在附图中,存在特征部分被适当地放大示出以容易地理解其特征的情况,并且每个组成元件的尺寸可以不同于其实际尺寸。而且,在截面图中,一些部件的影线被省略,以容易地理解每个部件的截面图。
(第一实施例)
在下文中,将参考图1A至图9B描述第一实施例。
(布线基板的结构)
如图1B中所示,布线基板1包括散热片10、覆盖散热片10的上表面的绝缘层20、形成在绝缘层20上的布线图30、形成在布线图30的一部分上的金属层40和41、覆盖布线图30的侧面或金属层40的侧面的一部分的绝缘层50、以及覆盖布线图30的绝缘层60等。该布线基板1是应用至例如发光器件的布线基板。
散热片10例如是平面图中的合适矩形薄板。作为散热片10的材料,例如,可以使用诸如铜(Cu)或铝(Al)、或包括这些金属中的至少一种之类的合金的具有良好热导率的金属。另外,作为散热片10的材料,例如,可以使用诸如氮化铝或氧化铝之类的具有良好热导率的陶瓷材料。散热片10的厚度可以例如约为0.5mm至1.0mm。
绝缘层20被形成为覆盖散热片10的整个上表面。作为绝缘层20的材料,例如,可以使用具有高热导率(例如,约1W/mK至10W/mK)的绝缘树脂。特别地,作为绝缘层20的材料,例如,可以使用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂之类的绝缘树脂、或诸如二氧化硅(silica)或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。绝缘层20具有使散热片10与布线图30绝缘的功能,以及将散热片10粘着到布线图30的功能。
绝缘层20的厚度可以例如约为50μm至80μm。而且,在绝缘层20具有高绝缘性能的情况下,从散热的观点看,绝缘层20优选薄薄地形成。
布线图30形成在绝缘层20的第一主表面20A上。如图2中所示,布线图30被形成为完全覆盖绝缘层20的第一主表面20A的中心部分。具体地,在平面图中具有带状(平面图中为矩形形状)的多个(在图2中为五个)布线图30并行设置,以相互邻近。另外,暴露下面绝缘层20的槽形开口30X形成在相邻的布线图30之间。多个布线图30通过该开口30X相互分离。而且,作为布线图30的材料,例如,可以使用铜或铜合金。布线图30的厚度可以例如约为35μm至105μm。另外,相邻的布线图30之间的距离(开口30X的宽度)可以例如约为0.1mm至0.3mm。
在平面图中具有半圆形状的多个金属层40形成在布线图30上。这些金属层40被这样形成,使得半圆的直线通过插入其间的开口30X相互面对的其两个金属层40形成一组(一对)。换句话说,一对金属层40形成在不同布线图30上并且被形成为作为一个整体在平面图中具有近似圆形形状。另外,这样的一对金属层40被形成为布线图30上的矩阵(在图2中为4×4矩阵)。每个金属层40都具有发光元件70(参考图3A和图3B)粘结到的焊盘40P。而且,如图1B中所示,每个金属层40都被形成为覆盖开口30X中的布线图30的侧表面。金属层40的示例可以包括银(Ag)层、镍(Ni)/金(Au)层(按Ni层和Au层这个顺序形成的金属层)、Ni/Ag层(按Ni层和Ag层这个顺序形成的金属层)、Ni/钯(Pd)/Au层(按Ni层、Pd层以及Au层这个顺序形成的金属层)等。而且,金属层40的示例可以包括Ni/Pd/Ag层(按Ni层、Pd层以及Ag层这个顺序形成的金属层)、Ni/Pd/Ag/Au层(按Ni层、Pd层、Ag层以及Au层这个顺序形成)等。而且,在金属层40例如是Ni/Au层的情况下,Ni层的厚度可以约为1μm至10μm,并且Au层的厚度可以约为0.05μm至2μm。
如图2中所示,在平面图中具有近似圆形形状的一对金属层41形成在布线图30上。在布线图30上这些金属层41形成到金属层40的外部。具体地,一对金属层41形成在设置在五个布线图30的最外位置处的两个布线图30上,并且形成至在两个布线图30上形成的金属层40的外部。每个金属层41都具有从外部装置提供功率的电极端子41P。金属层41的示例可以包括Ag层、Ni/Au层、Ni/Ag层、Ni/Pd/Au层、Ni/Pd/Ag层、Ni/Pd/Ag/Au层等,与金属层40的方式相同。另外,在金属层41例如是Ni/Au层的情况下,Ni层的厚度可以约为1μm至10μm,并且Au层的厚度可以约为0.05μm至2μm。
如图1B所示,绝缘层50被形成为覆盖从布线图30和金属层40暴露的绝缘层20的第一主表面20A,并且被形成为覆盖布线图30和金属层40的侧表面的至少一部分。具体地,覆盖从开口30X暴露的绝缘层20的第一主表面20A的绝缘层50被形成为与布线图30或金属层40的至少一部分接触。另外,覆盖形成在布线基板1的外围区域中的绝缘层20的第一主表面20A的绝缘层50被形成为与布线图30的侧表面的至少一部分接触。绝缘层50被形成为等于布线图30的厚度或者比布线图30薄。具体地,从散热的观点看,绝缘层50的厚度优选例如约为布线图30的厚度的50%至90%。作为绝缘层50的材料,以与绝缘层20相同的方式,例如,可以使用具有高热导率(例如,约1W/mK至10W/mK)的绝缘树脂。具体地,作为绝缘层50的材料,例如,可以使用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂之类的绝缘树脂、或诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。
绝缘层60被形成为覆盖布线图30的上表面、绝缘层50的上表面、以及金属层40的一部分。绝缘层60覆盖从金属层40暴露的布线图30的上表面,并且覆盖从在开口30X中的金属层40暴露的绝缘层50、以及从在布线基板1的外围区域中的布线图30暴露的绝缘层50的上表面。
暴露每个金属层40的一部分的开口60X和暴露每个金属层41的一部分的开口60Y形成在绝缘层60中。如图1A中所示,每个开口60X的平面形状例如形成为半圆形状。具体地,每个开口60X的平面形状被形成为小于每个金属层40的平面形状。为此,金属层40的一部分从开口60X暴露,并且暴露的金属层40用作焊盘40P。另外,包括与一对金属层40相对应的一对焊盘40P的在平面图中具有近似圆形区域的区域(是指虚线圆)变为用于在其中装配单个发光元件的装配区CA。换句话说,开口60X被形成为暴露变为装配区域CA的布线图30和金属层40。另外,开口60Y的平面形状例如形成为圆形形状。具体地,每个开口60Y被形成为使得其平面形状小于每个金属层41的平面形状。为此,金属层41的一部分从开口60Y暴露,并且暴露的金属层41用作电极端子41P。经由安装板上的电线等从外部电源给电极端子41P供电。
绝缘层60具有高反射率。具体地,绝缘层60在波长450nm至700nm之间具有50%或更多(适当地为80%或更多)的反射率。绝缘层60还被称为白色抗蚀层或反射层。作为绝缘层60的材料,例如,可以使用白色绝缘树脂。作为白色绝缘树脂,例如,可以使用由白色氧化钛(TiO2)或硫酸钡(BaSO4)形成的装填物或颜料包含在环氧树脂、硅树脂、或有机聚硅氧烷树脂中的树脂材料。绝缘层60(白色抗蚀层)覆盖布线基板1的最外表面,并且由此可以通过增加从装配在布线基板1上的发光元件的光的反射以及保护布线图30,来减少发光元件的光量损失。另外,绝缘层60的厚度(从绝缘层50的上表面到绝缘层60的上表面)可以例如约为20μm至50μm。
(发光器件的结构)
接下来,将描述发光器件2的结构。
如图3B中所示,发光器件2包括上述布线基板1、装配在布线基板1上的多个(在图3A中为十六个)发光元件70、以及封装发光元件70的封装树脂75等。
每个发光元件70都装配在形成在每个装配区CA中的一对焊盘40P上。具体地,每个发光元件70都倒装装配在形成在绝缘层60的两侧上的两个焊盘40P上,以跨过形成在该对焊盘40P之间的绝缘层60,即,形成在开口30X中的绝缘层60。更具体地,形成在发光元件70的一个表面(图3B中的下表面)上的一个凸块71被倒装粘结到两个焊盘40P中的一个焊盘40P,并且另一个凸块71被倒装粘结到另一个焊盘40P。由此,每个发光元件70的每个凸块71都经由焊盘40P(金属层40)电连接至布线图30。另外,如图3A中所示,发光元件70被布置为布线基板1上的矩阵(图3A中的4×4矩阵)。为此,在发光器件2中,在该对电极端子41P之间,四个发光元件70串联连接,并且四组串联连接的发光元件70并联连接。另外,发光元件70经由金属层41或布线图30从外部电源(未示出)被供电并且发光。而且,发光元件70的平面形状被形成为例如矩形形状,并且其尺寸可以例如约为0.3mm2至0.5mm2。而且,凸块71的高度可以例如约为30μm至100μm。
作为发光元件70,例如,可以使用发光二极管(LED)或垂直腔面发射激光器(VCSEL)。作为凸块71,例如,可以使用金凸块或焊料凸块。作为焊料凸块的材料,例如,可以使用:包括铅(Pb)的合金,锡(Sn)和Au的合金,Sn和Cu的合金,Sn和Ag的合金,Sn、Ag和Cu的合金等。
如图3B中所示,在布线基板1的上表面上提供封装树脂75,以封装发光元件70、凸块71等。另外,电极端子41P不通过封装树脂75封装。作为封装树脂75的材料,例如,可以使用荧光物质包含在硅树脂中的树脂材料。包含荧光物质的树脂材料形成在发光元件70上,从而可以使用发光元件70的发射和荧光物质的发射的混合颜色,并且由此可以控制发光器件2的多种发射颜色。
(操作)
绝缘层50被形成为与布线图30和金属层40的侧表面的一部分接触。为此,与不形成绝缘层50的情况相比,即,仅布线图30的下表面接触绝缘层20,布线图30和金属层40、以及绝缘层20和50之间的接触面积如布线图30和金属层40的侧表面与绝缘层50接触那样多地增加。由此,从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量增加。由此,由发光元件70生成的热被有效地传导至散热片10。
(布线基板的制造方法)
接下来,将参考图4至图8D描述布线基板1的制造方法。
首先,为了制造布线基板1,如图4中所示,制备多片基板(此后还简单地称为“基板”)10A。基板10A具有多个(在图4中为三个)分区,其中,作为在其中形成布线基板1的区域的布线基板形成区域C1被形成为矩阵(在图4中为3×3矩阵)。在布线基板形成区域C1中形成对应于布线基板1的结构之后,使用切割刀片等沿着切割线D1切割基板10A。由此,对应于布线基板1的结构被生成为单位片(unit piece),并且由此制造多个布线基板1。此时,在每个布线基板1中,基板10A变为图1B中所示的散热片10。为此,作为基板10A的材料,以与散热片10相同的方式,可以使用诸如例如铜、铝、或铁、或包括这些金属中的至少一个的合金的具有良好热导率的金属。另外,为了描述的方便起见,在随后描述的图5A至图8D中,示出单个布线基板形成区域C1的结构。
接下来,在图5A中所示的步骤中,绝缘层20被形成为覆盖基板10A的整个上表面,并且铜箔30A被形成为覆盖绝缘层20的整个第一主表面20A。例如,在绝缘层20(绝缘基板)的单个表面上形成的具有铜箔30A的单侧覆铜基板被粘着到基板10A上,由此在基板10A上形成绝缘层20和铜箔30A。另外,例如,可以在基板10A上形成具有铜箔的绝缘树脂膜,由此在基板10A上形成绝缘层20和铜箔30A。
接下来,在图5B中所示的步骤中,在预定位置具有开口80X的抗蚀层80形成在铜箔30A的上表面上。抗蚀层80被形成为覆盖在与必要布线图30相对应的部分处的铜箔30A、用于电镀电源的馈线31、以及连接部分32(参考图5C和图5D)。作为抗蚀层80的材料,可以使用抗蚀材料。具体地,作为抗蚀层80的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂(Novolac resin)、丙烯酸树脂(acryl resin)等的液体抗蚀剂)等。例如,在使用光敏干膜抗蚀剂的情况下,通过热压缩在铜箔30A的上表面上形成干膜,并且通过曝光和显影来图案化干膜,由此形成抗蚀层80。而且,在还使用液体光致抗蚀剂的情况下,可以通过相同步骤形成抗蚀层80。
接下来,在图5C中所示的步骤中,使用图5B中所示的抗蚀层80作为蚀刻掩膜蚀刻铜箔30A,由此将铜箔30A图案化为预定形状。从而,如图5D中所示,在绝缘层20的第一主表面20A上形成必要布线图30、馈线(总线)31、以及连接部分32。具体地,形成并行布置的多个带形布线图30、以帧形状形成的馈线31、以及将馈线31和布线图30进行相互电连接的连接部分32。由此,所有布线图30都经由连接部分32电连接至馈线31。另外,通过蚀刻在布线图30之间形成槽形开口30X。在该步骤中,作为蚀刻剂,例如,可以使用氯化铁溶液,并且从而可以通过喷蚀从基板10A的上表面侧执行图案化。而且,在以下说明中,布线图30、馈线31、以及连接部分32还被共同称为布线层33。图5D示出在铜箔30A的图案化完成之后,图5C中所示的抗蚀层80通过例如碱性剥离剂被去除。
接下来,在图6A中所示的步骤中,在布线图30上形成在预定位置处具有开口81X和81Y的抗蚀层81。开口81X被形成为暴露与形成金属层40的区域相对应的布线图30的一部分。另外,开口81Y被形成为暴露与形成金属层41的区域相对应的布线图30的一部分。而且,馈线31和连接部分32由抗蚀层81覆盖。作为抗蚀层81的材料,可以使用电镀抗蚀材料。具体地,作为抗蚀层81的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂、丙烯酸树脂等的液体抗蚀剂)等。
接下来,在图6B中所示的步骤中,通过使用抗蚀层81作为电镀掩膜,在布线图30的表面(上表面和侧表面)上执行布线层33被用作电镀馈送层(plating feed layer)的电解电镀。具体地,对从抗蚀层81的开口81X暴露的布线图30的上表面和侧表面执行电解电镀,由此形成金属层40。金属层40被形成为覆盖从开口81X暴露的布线图30的上表面和侧表面。另外,对从抗蚀层81的开口81Y暴露的布线图30的上表面执行电解电镀,由此在布线图30上形成金属层41。金属层41被形成为覆盖从开口81Y暴露的布线图30的上表面。另外,例如,在金属层40和41是Ni/Au层的情况下,通过电解电镀方法在从抗蚀层81的开口81X和81Y暴露的布线图30的表面上顺序地形成Ni层和Au层。
接下来,在图6C中所示的步骤中,图6B中所示的抗蚀层81通过例如碱性剥离剂被去除。由此,如图6D中所示,在平面图中具有近似半圆形状的多个金属层40被形成并且在平面图中具有近似圆形形状的多个金属层41被形成在布线图30上。
接下来,在图7A和图7B中所示的步骤中,在绝缘层20和布线图30上形成抗蚀层82,以覆盖布线图30。抗蚀层82被形成为暴露馈线31和连接部分32,并且被形成为暴露被形成到布线图30的外部的绝缘层20。作为抗蚀层82的材料,可以使用蚀刻抗蚀材料。具体地,作为抗蚀层82的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂、丙烯酸树脂等的液体抗蚀剂)等。
接下来,在图7C和图7D中所示的步骤中,使用抗蚀层82作为蚀刻掩膜蚀刻布线层33,由此去除图7A中所示的馈线31和连接部分32。由此,如图8A中所示,多个布线图30相互电分离。另外,图8A示出在蚀刻之后,图7D中所示的抗蚀层82通过例如碱性剥离剂被去除。
接下来,在图8B中所示的步骤中,在绝缘层20上形成绝缘层50,以覆盖绝缘层20的第一主表面20A。绝缘层50被形成为覆盖各个布线图30的侧表面的一部分(在布线图30的侧表面由金属层40覆盖的情况下的金属层40的侧表面的一部分)。绝缘层50被形成为使得其上表面低于布线图30的上表面。另外,可以根据例如使用树脂糊剂的丝网印刷方法形成绝缘层50。可以通过使用分配器施加液体树脂,来形成绝缘层50。而且,在光敏绝缘树脂被用作绝缘层50的材料的情况下,绝缘层50可以通过光刻法形成。接下来,在图8B中所示的步骤中,通过在约 150℃的温度环境下执行热固化处理,固化绝缘层50。
接下来,在图8C中所示的步骤中,在布线图30、金属层40和41、以及绝缘层50上形成具有开口60X和60Y的绝缘层60。开口60X被形成为暴露将变为装配区CA的金属层40。另外,开口60Y被形成为暴露一部分金属层41以作为电极端子41P。可以根据例如使用树脂糊剂的丝网印刷方法形成绝缘层60。而且,在光敏绝缘树脂被用作绝缘层60的材料的情况下,将变为绝缘层60的抗蚀层被形成为覆盖布线图30、金属层40和绝缘层50的上表面,然后抗蚀层通过光刻法被暴露并且显影,以形成开口60X和60Y,由此形成绝缘层60。接下来,在图8C中所示的步骤中,通过在约150℃的温度环境下执行热固化处理,来固化绝缘层60。另外,可以通过该步骤中的热固化处理一起固化绝缘层60和绝缘层50。
通过形成绝缘层60,从开口60X暴露一部分金属层40作为焊盘40P。为此,不必须对布线图30执行电解电镀等,以改进形成绝缘层60之后的接触特性。由此,可以抑制将用于形成金属层40的电镀溶液的恶化。具体地,在对形成绝缘层60之后从开口60X暴露的布线图30执行电镀(电解电镀或无电镀)的情况下,关于在那时使用的电镀溶液,洗提包括在绝缘层60中的树脂材料等。为此,存在电镀溶液恶化并且从而溶液寿命缩短的问题。相反,根据本实施例的制造方法,当执行电解电镀时,不形成绝缘层60,并且从而可以预先防止上述问题。即,根据本实施例的制造方法,可以抑制电镀溶液恶化并且由此抑制电镀溶液的溶液寿命缩短。
随后,在图8C中所示的步骤中,相同图中所示的结构沿着切割线D1被切割。由此,如图8D中所示,布线基板1被生成为单位片,由此制造多个布线基板1。
(发光器件的制造方法)
接下来,将参考图9A和图9B描述发光器件2的制造方法。
在图9A中所示的步骤中,发光元件70装配在形成在布线基板1的每个装配区CA中的焊盘40P上。具体地,发光元件70的凸块71被倒装粘结到相邻的焊盘40P的各个表面。例如,在凸块71是金凸块的情况下,凸块71通过超声波焊接被固定到焊盘40P。
接下来,在图9B中所示的步骤中,形成封装树脂75,封装树脂75封装装配在布线基板1上的多个发光元件70和凸块71。例如,在热固性树脂被用作封装树脂75的情况下,图9A中所示的结构被容纳在铸模(mold)中,并且压力(例如,5MPa至10Mpa)被施加至铸模的内部,由此将流态化树脂引入到其中。此后,树脂在例如约180℃处被加热以被固化,由此形成封装树脂75。另外,封装树脂75可以通过铸封液体树脂形成。通过上述制造步骤,制造出图3A和图3B中所示的发光器件2。
(效果)
根据上述本实施例,可以实现以下效果。
(1)绝缘层50被形成为与布线图30和金属层40的侧表面的一部分接触。为此,与不形成绝缘层50的情况相比,即,仅布线图30的下表面与绝缘层20接触,布线图30和金属层40、以及绝缘层20和50之间的接触面积如布线图30和金属层40的侧表面与绝缘层50接触那么多地增加。由此,从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量增加,并且从而由发光元件70生成的热被有效地传导至散热片10。由此,甚至在布线图30和散热片10之间插入具有低热传导率的绝缘层20的情况下,也可以改进发光器件2的散热性能。结果,由于可以抑制发光元件70的温度的增加,可以适当地抑制发光元件70的发射效率的减小。
(2)与布线图30和金属层40的一部分接触的绝缘层20和50使用具有高热导率的材料形成。由此,从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量进一步增加,并且从而由发光元件70生成的热被有效地传导至散热片10。由此,可以改进发光器件2的散热性能。
(3)在使用电解电镀方法在布线图30上形成金属层40之后,形成覆盖布线图30和金属层40的一部分的绝缘层60。在该情况下,由于当使用电镀方法形成金属层40时不形成绝缘层60,可以预先防止由于绝缘层60的存在导致的电镀溶液的恶化。由此,可以延长电镀溶液的溶液寿命,并且由此连续使用电镀溶液。结果,可以有助于成本减少。
(4)使用电解电镀方法形成金属层40。由此,比在使用无电镀方法形成金属层40的情况下,可以进一步减少制造成本。
(5)与布线图30和金属层40的侧表面的一部分接触的绝缘层50通过使用丝网印刷或分配器施加液体树脂形成。为此,可以容易地形成绝缘层50。
(第一实施例的修改示例)
另外,可以通过适当地修改实施例在以下方面执行上述第一实施例。
在第一实施例中,布线基板1被生成为单位片,然后发光元件70被装配在布线基板1的焊盘40P上。本发明不限于此,并且如图10A至图10D中所示,在布线基板1被生成为单位片之前,发光元件70可以被装配在焊盘40P上,并且然后沿着切割线D1执行切割,由此获得每个发光器件2。具体地,如图10A所示,在形成绝缘层60之后,在不沿着切割线D1切割的情况下,在如图10B中所示的焊盘40P上装配发光元件70。接下来,如图10C中所示,在通过封装树脂75封装发光元件70之后,可以沿着切割线D1执行切割,由此获得如图10D中所示的每个发光器件2。另外,封装树脂75可以被形成用于形成区域C1的布线基板使用集体成型方法形成为矩阵(在图4中为3×3)的各个分区,或者可以使用单独成型方法针对形成区域C1的每个布线基板来形成。
在第一实施例中,在金属层40被形成为覆盖布线图30的一部分之后,绝缘层50被形成为覆盖布线图30和金属层40的一部分。本发明不限于此,并且例如,在形成金属层40之前,绝缘层50可以被形成为覆盖布线图30的侧表面,并且此后,金属层40可以被形成为覆盖布线图30的表面(上表面和侧表面)的一部分。在该情况下,由于在绝缘层50的上表面上形成覆盖开口30X中的布线图30的侧表面的金属层40,绝缘层50与布线图30的侧表面接触,并且还与金属层40的下表面接触。为此,在装配区CA中,绝缘层50、以及布线图30和金属层40之间的接触面积如与金属层40的下表面接触那么多地增加。由此,从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量增加,并且由此由发光元件70生成的热被有效地传导至散热片10。
在第一实施例中,在金属层40被形成为覆盖布线图30的一部分之后,布线图30和金属层40被完全掩蔽,并且通过蚀刻去除馈线31和连接部分32。本发明不限于此,并且例如可以采用图11A至图11C和图12A至图12C中所示的修改后的制造步骤。具体地,如图11A中所示,以与图5A至图5D中所示的先前步骤相同的方式在绝缘层20上形成布线图30、馈线31、以及连接部分32。接下来,在图11B中所示的步骤中,抗蚀层83被形成为仅覆盖连接部分32上的布线层33的连接部分32。作为抗蚀层83的材料,可以使用电镀抗蚀材料。具体地,作为抗蚀层83的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂、丙烯酸树脂等的液体抗蚀剂)等。
接下来,通过使用抗蚀层83作为电镀掩膜,对布线图30和馈线31的表面(上表面和侧表面)执行布线层33被用作电镀馈送层的电解电镀。由此,如图11C中所示,金属层42被形成为覆盖布线图30的整个表面,并且金属层43被形成为覆盖馈线31的整个表面。
接下来,在图12A中所示的步骤中,通过例如碱性剥离剂去除图11C中所示的抗蚀层83。此后,在图12B中所示的步骤中,连接部分32关于金属层42和43被选择性地去除。例如,在金属层42和43是Ni/Au层的情况下,由铜制成的连接部分32可以通过使用氯化铁溶液、氯化铜溶液、过硫酸铵溶液等的湿蚀刻,关于金属层42和43被选择性地去除。由此,如图12C中所示,其表面(上表面和侧表面)由金属层42覆盖的布线图30和其表面由金属层43覆盖的馈线31不被去除并且被留下。
通过该结构,由于在布线基板1的外围区域中形成具有相对高硬度的馈线31和金属线43,可以增加布线基板1的硬度。由此,可以适当地抑制布线基板1弯曲或由于热收缩导致的变形。换句话说,通过该结构,馈线31和金属线43可以用作加固层。另外,即使馈线31和覆盖馈线31的金属层43留在被生成为单位片的布线基板1中,馈线31也与多个布线图30分离,并且从而不存在布线基板1的特性方面的问题。
可替换地,在图11B中所示的先前步骤中,抗蚀层83可以被形成为覆盖布线层33的馈线31和连接部分32。由此,即使金属层42仅形成在布线层33的布线图30的整个表面上,馈线31和连接部分32也通过图12B中所示的步骤被选择性地去除。
虽然在第一实施例中,使用电解电镀方法形成金属层40,但是本发明不限于此,并且例如,可以使用无电镀方法形成金属层40。在该情况下,当图案化铜箔30A时,可以省略馈线31和连接部分32的形成。为此,还可以省略去除馈线31和连接部分32的步骤(图7A至图7D中所示的步骤)。
在第一实施例的发光元件70中,一个凸块71被倒装粘结到形成在每个装配区域CA中的两个焊盘40P中的一个焊盘40P上,并且另一个凸块71被倒装粘结到另一个焊盘40P上。本发明不限于此,并且例如,多个凸块71被倒装粘结到一个焊盘40P上,并且多个凸块71可以被倒装粘结到另一个焊盘40P上。
在此,在单个凸块71被粘结到单个焊盘40P的情况下,每个焊盘40P上的连接位置仅是一个,并且从而存在装配在布线基板1上的发光元件70可能倾斜的问题。相反地,在根据修改后的示例的结构中,多个凸块71被粘结到单个焊盘40P上,并且从而在每个焊盘40P上存在多个连接位置。由此,可以将发光元件70稳定地装配在布线基板1上。
在第一实施例中,发光元件70被倒装装配在形成在布线基板1的上表面上的焊盘40P上。本发明不限于此,并且例如,如图13中所示,发光元件76可以以丝焊方式装配在焊盘40P上。在该情况下,发光元件76经由粘合剂(未示出)被粘结到在每个装配区CA中形成的一个焊盘40P上。另外,在发光元件76中,一个电极(未示出)经由焊线77电连接至装配区CA中的一个焊盘40P,并且另一个电极(未示出)经由焊线77电连接至装配区CA中的另一个焊盘40P。
如图14中所示,可以在布线基板1的装配区CA中形成凹入部分10X,并且可以在凹入部分10X中装配发光元件70。在该情况下,在凹入部分10X中形成绝缘层20和布线图30,并且在布线图30的表面上形成金属层40,并且在绝缘层20上形成绝缘层50,以覆盖金属层40的侧表面的一部分。另外,在形成在凹入部分10X的底部上的金属层40(焊盘40P)上装配发光元件70。而且,在图14中,发光元件70被倒装装配;然而,发光元件可以以丝焊方式被装配。
在第一实施例中,装配在布线基板1上的多个发光元件70通过封装树脂75被共同封装。本发明不限于此,并且装配在每个装配区域CA中的发光元件70都可以通过封装树脂被单独封装。
在第一实施例中,在形成金属层40和41之后,形成绝缘层60。本发明不限于此,并且例如,在形成具有开口60X和60Y的绝缘层60之后,金属层40和41可以分别形成在从开口60X和60Y暴露的布线图30上。具体地,在形成绝缘层60之后,可以对从开口60X和60Y暴露的布线图30执行电解电镀,由此形成金属层40和41。
在第一实施例中的开口60X或金属层40的平面形状不限于半圆形状,并且可以例如是诸如矩形形状或五边形形状的多边形形状、圆形形状、椭圆形状、或半椭圆形状。
第一实施例中的开口60Y或金属层41的平面形状不限于圆形形状,并且可以例如是诸如矩形形状或五边形形状的多边形形状、半圆形形状、椭圆形状、或半椭圆形状。
(第二实施例)
此后,将参考图15A至图15C和图16A至图16D描述第二实施例。在根据本实施例的布线基板1(参考图16D)中,绝缘层中的布线图30的嵌入式结构不同于第一实施例及其修改示例中的结构。现在将主要基于与第一实施例和修改示例的不同作出描述。另外,与图1A至图14中所示的部件相同的部件被给予相同的附图标记,并且将省略每个元件的详细说明。
将参考图15A至图15C和图16A至图16D描述布线基板1A的制造方法。
首先,在图15A中所示的步骤中,通过与图5A至图8A中所示的先前步骤相同的制造步骤,在基板10A的上表面21A上形成的绝缘层21的第一主表面21A上形成布线图30,并且金属层40和41被形成为覆盖布线图30的表面(上表面和侧表面)的一部分。作为此时的绝缘层21的材料,例如,可以使用诸如热固性聚酰亚胺树脂或环氧树脂的绝缘树脂、或者诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。绝缘层21具有使散热片10与布线图30绝缘的功能,并且具有将散热片10粘着到布线图30的功能。绝缘层21的厚度可以例如约为50μm至130μm。而且,在绝缘层21具有高绝缘特性的情况下,从散热的观点看,绝缘层21优选薄薄地形成。
接下来,在图15B中所示的步骤中,图15A中所示的结构设置在下挤压夹具84和上挤压夹具85之间,并且在约150℃至200℃的温度下被加热并且从其两侧被按压(热压)。此时,在比玻璃转化温度(Tg)更高的温度下加热绝缘层21,并且绝缘层21软化。为此,如图15C所示,在绝缘层21上形成的布线图30和金属层40通过来自挤压夹具84和85的压力在绝缘层21中被推动。在该步骤中,布线图30和金属层40被嵌入到绝缘层21中,使得布线图30的上表面在绝缘层21中不被推动,即,绝缘层21的第一主表面21A低于布线图30的上表面。例如,如果布线图30的厚度的约50%至90%被嵌入绝缘层21中,则从散热的观点看这是有益的。
通过该嵌入,在绝缘层21的第一主表面21A中形成容纳布线图30和金属层40的凹入部分22,并且在凹入部分22的底表面22A上形成布线图30。另外,布线图30和金属层40的侧表面的一部分由绝缘层21覆盖(与绝缘层21接触)。具体地,布线图30和金属层40的侧表面的一部分与形成凹入部分22的侧壁的绝缘层21接触。由此,与将布线图30和金属层40嵌入绝缘层21(参考图15A)之前的状态相比,布线图30和金属层40、以及绝缘层21之间的接触面积如布线图30和金属层40的侧表面与绝缘层21接触那么多地增加。由此,从布线图30和金属层40到绝缘层21的热传导量增加。
此后,如图16A中所示,挤压夹具84和85变为与基板10A分离。接下来,在图16B中所示的步骤中,在绝缘层21、布线图30、以及金属层40上形成具有开口60X和60Y的绝缘层60。接下来,在图16C中所示的步骤中,沿着切割线D1切割相同图中所示的结构。由此,如图16D中所示,本实施例的布线基板1A被生成为单位片,并且制造出多个布线基板1A。另外,在布线基板1A中,完整地形成在凹入部分22的底表面22A(第一表面)上形成布线图30的绝缘层21(第一绝缘层)和被形成以覆盖布线图30的侧表面的一部分的绝缘层21(第二绝缘层)。
根据上述实施例,可以实现与第一实施例的(1)至(4)中相同的效果。
(第三实施例)
在下文中,将参考图17A至图21B描述第三实施例。另外,与图1A至图16D中所示的部件相同的部件被给予相同的附图标记,并且将省略每个元件的详细说明。
(布线基板的结构)
如图17B中所示,布线基板1B包括散热片10、覆盖散热片10的上表面的绝缘层24、在绝缘层24上形成的布线图34、在布线图34上形成的金属层44、以及覆盖布线图34的侧表面的一部分和金属层44的整个侧表面的绝缘层61。
绝缘层24被形成为覆盖散热片10的整个上表面。作为绝缘层24的材料,例如,可以使用具有高热导率(例如,约1W/mK至10W/mK)的绝缘树脂。具体地,作为绝缘层24的材料,例如,可以使用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂之类的绝缘树脂、或者诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。绝缘层24具有使散热片10与布线图34隔离的功能,以及将散热片10粘着到布线图34的功能。绝缘层24的厚度可以例如约为50μm至130μm。而且,在绝缘层24具有高绝缘特性的情况下,从散热的观点看,绝缘层24优选薄薄地形成。
另外,在绝缘层24的第一主表面24A(图17B中的上表面)中,在必要位置(图17B(五个))处形成凹入部分25。每个凹入部分25在厚度方向上从绝缘层24的第一主表面24A到绝缘层24的中间位置形成,即,被形成使得凹入部分25的底表面25A在厚度方向上位于绝缘层24的中间。如图17A中所示,凹入部分25的平面形状在平面图中形成为带形或者在平面图中为矩形形状。另外,多个凹入部分25被并行地形成,以相互邻近。
如图17B中所示,在各个凹入部分25的底表面25A上形成布线图34。多个布线图34被并行地形成以相互邻近。布线图34的侧表面的一部分由形成凹入部分25的侧壁的绝缘层24覆盖(与绝缘层24接触),并且其剩余侧表面由绝缘层61覆盖。另外,相邻的布线图34通过形成凹入部分25的侧壁的绝缘层24和绝缘层61电隔离。同样地,布线图34的一部分被形成为嵌入绝缘层24中。另外,虽然未示出,但是以与凹入部分25的平面形状相同的方式,每个布线图34的平面形状在平面图中形成为带形或者在平面图中形成为矩形形状。而且,作为布线图34的材料,例如,可以使用铜或铜合金。布线图34的厚度可以例如约为30μm至100μm。另外,相邻的布线图34之间的距离可以例如约为0.1mm至0.3mm。
同样地,在本实施例的布线基板1B中,相互完整地形成在凹入部分25的底表面25A(第一表面)上形成布线图34的绝缘层24(第一绝缘层)和被形成为覆盖布线图34的侧表面的一部分的绝缘层24(第二绝缘层)。另外,绝缘层24被形成为使得其第一主表面24A低于布线图34的第一主表面34A(图17B中的上表面)。
金属层44被形成为覆盖每个布线图34的整个第一主表面34A。具体地,如图17A中所示,在平面图中具有带形(在平面图中的矩形形状)的多个(在图17A中为五个)金属层44被并行地形成以相互邻近。另外,相邻的金属层44通过绝缘层61电隔离。如图17B中所示,每个金属层44被形成,使得其第一主表面44A(图17B中的上表面)与绝缘层61的第一主表面61A(图17B中的上表面)齐平。为此,在金属层44中,其整个第一主表面44A从绝缘层61暴露。而且,如图17A中所示,从绝缘层61暴露的金属层44具有作为装配发光元件70(参考图3A和图3B)的装配区CA的多个区域,并且具有用作电极端子的一对端部区域TA。在此,装配区CA被布置为金属层44上的矩阵(图17A中为4×4)。装配区CA包括一对金属层44,其用作发光元件70被粘结到的焊盘44P和将该对金属层44相互电隔离的绝缘层61。另外,一对端部区域TA形成在设置在五个金属层44的最外位置处的两个金属层44上并且被形成到设置在金属层44中的装配区CA的外部。金属层44的示例可以包括Ag层、Ni/Au层、Ni/Ag层、Ni/Pd/Au层、Ni/Pd/Ag层、Ni/Pd/Ag/Au层等。而且,在金属层44例如是Ni/Au层的情况下,Ni层的厚度可以约为1μm至10μm,并且Au层的厚度可以约为0.05μm至2μm。
如图17B中所示,绝缘层61形成在绝缘层24的第一主表面24A上,以覆盖布线图34的侧表面的一部分和金属层44的整个侧表面。从另一个观点看,与凹入部分25连通的开口61X在绝缘层61中形成在与绝缘层24的凹入部分25相对的位置处。如图17A中所示,开口61X的平面形状被形成为平面图中的带形或者被形成为平面图中的矩形形状。另外,多个开口61X被并行地形成以相互邻近。如图17B中所示,在开口61X中形成布线图34和金属层44。
绝缘层61具有高反射率。具体地,绝缘层61在波长450nm至700nm之间具有50%或更高(适当地为80%或更高)的反射率。绝缘层61还被称为白色抗蚀层或反射层。作为绝缘层61的材料,例如,可以使用白色绝缘树脂。作为白色绝缘树脂,例如,可以使用由白色氧化钛(TiO2)或硫酸钡(BaSO4)形成的装填物或颜料包含在环氧树脂、硅树脂、或有机聚硅氧烷树脂中的树脂材料。另外,绝缘层61的厚度可以例如为20μm至50μm。
(布线基板的制造方法)
接下来,将参考图18A至图21B描述布线基板1B的制造方法。
首先,为了制造布线基板1B,如图18A中所示,制备多片支撑基板90。支撑基板90具有多个布线基板形成区域,这些布线基板形成区域是以与基板10A相同的方式形成布线基板1B的区域。在支撑基板90中,对应于布线基板1B的结构在每个布线基板形成区域中形成,并且在支撑基板90被去除之后,使用切割刀片等沿着与多片基板10A的切割线D1(参见图4)相对应的位置被切割,并且由此与布线基板1B相对应的结构被形成为单位片。
作为支撑基板90,例如,可以使用金属板或金属箔,并且在本实施例中,例如,使用铜板。支撑基板90的厚度可以例如为0.3mm至1.0mm。另外,为了便于说明,在随后描述的图18B至图21B中,示出单个布线基板形成区域的结构。
接下来,在图18B中所示的步骤中,在支撑基板90的第一主表面90A(图中的上表面)上形成具有开口91X的抗蚀层91,并且形成覆盖支撑基板90的整个第二主表面90B(图中的下表面)的抗蚀层92。开口91X被形成为暴露支撑基板90的第一主表面90A与布线图34和金属层44(参考图17B)的形成区域相对应的部分。换句话说,如图18C中所示,在平面图中具有带形形状(平面图中为矩形形状)的多个(在此为5个)开口91X并行地形成,以在抗蚀层91中相互邻近。如图18B中所示,抗蚀层91被相对厚地(例如,约0.05mm至0.15mm)形成。抗蚀层91可以通过使多个抗蚀层重叠形成。另一方面,只要抗蚀层92覆盖整个第二主表面90B以防止支撑基板90的第二主表面90B在随后步骤中被电镀,抗蚀层92的厚度就是足够的,并且可以例如约为0.02mm至0.05mm。另外,作为抗蚀层91和92的材料,可以使用电镀抗蚀材料。具体地,作为抗蚀层91和92的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂、丙烯酸树脂等的液体抗蚀剂)等。例如,在使用光敏干膜抗蚀剂的情况下,通过热压缩在支撑基板90的两个表面上都形成干膜,并且通过曝光和显影来图案化在支撑基板90的第一主表面90A上形成的干膜,由此形成抗蚀层91和92。而且,在还使用液体光致抗蚀剂的情况下,可以通过相同步骤形成抗蚀层91和92。
接下来,在图18D中所示的步骤中,通过使用抗蚀层91和92作为电镀掩膜,对支撑基板90的第一主表面90A执行将支撑基板90用作电镀馈送层的电解电镀。具体地,通过对从抗蚀层91的开口91X暴露的支撑基板90的第一主表面90A执行电解电镀,在开口91X中顺序地形成金属层44和布线图34。例如,在金属层44是Au层和Ni层以该顺序被顺序地形成的结构,并且布线图34是Cu层的情况下,首先,通过支撑基板90被用作电镀馈送层的电解电镀方法,在支撑基板90的第一主表面90A上顺序地形成Au层和Ni层,由此形成金属层44。接下来,通过支撑基板90被用作电镀馈送层的电解电镀方法在金属层44上形成Cu层,由此形成布线图34。
接下来,在图19A中所示的步骤中,通过例如碱性带剥离剂去除图18D中所示的抗蚀层91和92。此时,如图19B中所示,在支撑基板90的第一主表面90A中暴露在平面图中具有带形形状的多个布线图34(具体地布线图34的第二主表面34B)。
接下来,在图19C中所示的步骤中,在从布线图34暴露的支撑基板90的第一主表面90A上形成绝缘层61,以覆盖金属层44的整个侧表面和布线图34的侧表面的一部分。绝缘层61被形成为使得其第二主表面61B(图中的上表面)低于布线图34的第二主表面34B。为此,在绝缘层61和布线图34之间的界面处形成阶梯差异(step difference)。换句话说,凹入部分形成在布线图34之间并且在到布线图34的外部的区域中。可以根据例如使用树脂糊剂的丝网印刷方法形成绝缘层61。接下来,在图19C中所示的步骤中,通过在约150℃的温度环境下执行热固化处理,来固化绝缘层61。
接下来,在图20A中所示的步骤中,制备其中将变为绝缘层24的薄片形绝缘层24B粘着到基板10A的结构24C。作为基板10A的材料,可以使用诸如例如铜、铝或铁、或者包括这些金属中的至少一种的合金的具有良好热导率的金属。作为绝缘层24B的材料,例如,可以使用诸如热固性环氧树脂或聚酰亚胺树脂之类的绝缘树脂、或诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。绝缘层24B使用在B-级状态(半固化状态)下的一种。绝缘层24B的厚度可以例如约为50μm至130μm。
另外,在图20A中所示的步骤中,在图19C中所示的结构的上表面侧上设置结构24C。此时,在绝缘层24B面向下使得绝缘层24B面对绝缘层61的第二主表面61B(图20B中的上表面)和布线图34的状态下,设置结构24C。另外,通过热压缩在图19C中所示的结构上形成薄片形结构24C。通过此时的热压缩,如图20B中所示,从绝缘层61暴露的布线图34被推到绝缘层24B中。由此,绝缘层61的第二主表面61B、布线图34的侧表面、以及从绝缘层61暴露的布线图34的整个第二主表面34B通过绝缘层24B覆盖。此后,通过在约150℃的温度环境下执行热固化处理,来固化绝缘层24B,由此形成绝缘层24。当绝缘层24B被固化时,绝缘层24被粘着到绝缘层61和布线图34,并且基板10A被粘着到绝缘层24。
通过该步骤,在绝缘层24的第一主表面24A中形成容纳一部分布线图34的凹入部分25,并且在凹入部分25的底表面25A上形成布线图34。另外,布线图34的侧表面的一部分由绝缘层24覆盖(与绝缘层24接触)。具体地,布线图34的侧表面的一部分与形成凹入部分25的侧壁的绝缘层24接触。由此,与仅布线图34的第二主表满34B与绝缘层24接触的情况相比,布线图34和绝缘层24之间的接触面积如布线图34的侧表面与绝缘层24接触那么多地增加。由此,从布线图34到绝缘层24的热传导量增加。另外,此时,由于绝缘层61被形成为覆盖布线图34的侧表面的一部分,在绝缘层61上形成的绝缘层24的第一主表面24A(图20B中的下表面)被形成为高于(在垂直倒转的情况则低于)布线图34的第一主表面34A。
接下来,在图20C中所示的步骤中,形成覆盖基板10A的一整个表面(图20C中的上表面)的抗蚀层93。抗蚀层93被形成为防止基板10A的上表面在随后步骤中被蚀刻。另外,作为抗蚀层93的材料,可以使用抗蚀刻材料。具体地,作为抗蚀层93的材料,可以使用光敏干膜抗蚀剂、液体光致抗蚀剂(例如,干膜抗蚀剂或酚醛树脂、丙烯酸树脂等的液体抗蚀剂)等。
接下来,在图20D中所示的步骤中,去除被用作临时基板的支撑基板90(参见图20C)。例如,在铜板被用作支撑基板90的情况下,通过使用氯化铁溶液、氯化铜溶液、过硫酸铵溶液等的湿蚀刻,来去除支撑基板90。此时,由于从绝缘层61暴露的金属层44的最外表面是Au层等,只有作为铜板的支撑基板90可以被选择性地蚀刻。当以此方式去除支撑基板90时,沿着支撑基板90的第一主表面90A的形状形成的金属层44的第一主表面44A和绝缘层61的第一主表面61A相互齐平。此后,通过例如碱性剥离剂去除抗蚀层93。
接下来,在图21A中所示的步骤中,沿着切割线D1切割相同图中所示的结构。由此,如图21B中所示,根据本实施例的布线基板1B被形成为单位片,由此制造出多个布线基板1B。另外,在图21A中,相同图中的结构被示出为被垂直倒转至图20D中所示的那样。
根据上述实施例,除了第一实施例的(1)至(4)中的效果之外,可以实现以下效果。
(7)在装配发光元件70的装配表面侧的最外表面中形成的绝缘层61的第一主表面61A(最外表面)被形成为与用作焊盘44P的金属层44的第一主表面44A(最外表面)齐平。由此,由于绝缘层61不比焊盘44P的表面进一步向上突出,绝缘层61和被倒装粘结至焊盘44P的发光元件70之间的干扰(接触)被适当地抑制。为此,即使发光元件70的凸块71制作得精细,并且由此发光元件70和焊盘44P之间的间隙变窄,也可以适当地抑制绝缘层61和发光元件70之间的干扰。从而,发光元件70可以使用精细凸块71装配,并且由此可以使整个发光器件小型化。
(8)由于使用支撑基板90作为馈送层执行电解电镀方法,所以不必须形成用于电解电镀的馈线。
(第三实施例的修改示例)
另外,通过适当地修改实施例,可以在以下方面执行第三实施例。
第三实施例中的绝缘层24被省略,并且布线图34的整个侧表面可以由用作反射层的绝缘层覆盖。在该情况下,可以根据例如以下制造方法制造布线基板。具体地,如图22A中所示,在金属层44和布线图34形成在支撑基板90的第一主表面90A上的结构之上设置薄片形绝缘层62被粘结到基板10A的结构62A。此时,结构62A被设置为绝缘层62面向下的状态,使得绝缘层62面对布线图34和支撑基板90。作为基板10A的材料,可以使用诸如例如铜、铝或铁、或包括这些金属中的至少一种的合金的具有良好热导率的金属。作为绝缘层62的材料,例如,可以使用具有高反射率和热固化性能的白色绝缘树脂。另外,绝缘层62的材料优选为具有高热导率的绝缘树脂。而且,作为白色绝缘树脂,例如,可以使用由白色氧化钛或硫酸钡形成的装填物或颜料包含在环氧树脂或硅树脂中的树脂材料。
另外,通过热压缩在支撑基板90的第一主表面90A上形成薄片形结构62A。通过此时的热压缩,如图22B中所示,布线图34和金属层44被推动到绝缘层62中。由此,支撑基板90的第一主表面90A、布线图34的整个侧表面、金属层44的整个侧表面、以及布线图34的整个第二主表面34B由绝缘层62覆盖。此后,通过在约150℃的温度环境下执行热固化处理,来固化绝缘层62,由此形成绝缘层63。
另外,通过该步骤,容纳布线图34和绝缘层63的第一主表面63A中的金属层44的凹入部分64、以及布线图34形成在凹入部分64的底表面64A上。另外,绝缘层63被形成为覆盖金属层44的整个侧表面、布线图34的整个侧表面、以及布线图34的整个第二主表面34B。
根据该制造方法,布线图34和金属层44被推到绝缘层62中,并且形成覆盖布线图34和金属层44的绝缘层63。为此,根据该制造方法,即使布线图34之间的间隙和金属层44之间的间隙变窄,绝缘层63也可以容易地形成在布线图34之间和金属层44之间。另外,在真空环境中形成绝缘层62,并且由此可以抑制空隙被生成到绝缘层62中。
此后,以与图20C至图21B中所示的步骤相同的方式,支撑基板90通过蚀刻被去除,基板10A等沿着切割线D1被切割,以形成为单位片,并且由此可以获得图22C中所示的布线基板1C。另外,在布线基板1C中,省略绝缘层24,并且从而用作反射层的绝缘层63具有将散热片10粘着到布线图并且使散热片10与布线图34绝缘的功能。另外,在布线基板1C中,在凹入部分64的底表面64A(第一表面)上形成布线图34的绝缘层63(第一绝缘层)和被形成为覆盖布线图34的侧表面的一部分的绝缘层63(第二绝缘层)被整体形成。而且,在布线基板1C中,由于绝缘层24被省略,布线图34和散热片10之间插入的树脂层可以制成薄的,并且从而其可以改进散热性能。
另外,例如,如图23A中所示,绝缘层63可以被形成为覆盖在支撑基板90的第一主表面90A上形成的金属层44和布线图34,并且可以在绝缘层63上形成基板10A。甚至在该情况下,如图23B所示,基板10A和布线图34经由绝缘层63相互粘着,并且基板10A和布线图34通过绝缘层63相互绝缘。另外,绝缘层63被形成为覆盖金属层44的整个侧表面、布线图34的整个表面、以及布线图34的整个第二主表面34B。即,甚至使用该制造方法,也可以制造具有与图22C中所示的布线基板1C的结构相同的结构的布线基板。而且,在该情况下的绝缘层63优选被整体应用,并且从而可以使用树脂糊剂,根据例如不仅丝网印刷方法而且胶辊包贴方法形成。
另外,例如,如图24A和图24B中所示,由于可以在覆盖金属层44的整个侧表面和布线图34的侧表面的一部分的绝缘层61形成在支撑基板90的第一主表面90A上的结构上形成与绝缘层61的材料相同的材料制成的薄片形绝缘层62被粘着到基板10A的结构62A。具体地,如图24A中所示,通过热压缩在绝缘层61的第二主表面61B上形成薄片形结构62A。通过此时的热压缩,如图24B中所示,从绝缘层61暴露的布线图34被推动到绝缘层62中。由此,绝缘层61的第二主表面61B、以及布线图34的侧表面和从绝缘层61暴露的布线图34的整个第二主表面34B由绝缘层62覆盖。此后,通过在约150℃的温度环境下执行热固化处理,来固化绝缘层62,由此形成绝缘层63。通过该步骤,在绝缘层61的第二主表面61B上形成绝缘层63和基板10A。甚至在该结构和制造方法中,可以实现与第一实施例的(1)至(4)相同的效果。
虽然在第三实施例中,薄片形绝缘树脂被用作变为绝缘层24的绝缘层24B的材料,但是液体或糊状绝缘树脂可以用作绝缘层24B的材料。另外,虽然在关于图22A至图22C和图24A至图24B描述的修改示例中,薄片形绝缘树脂被用作变为绝缘层63的绝缘层62的材料,但是液体或糊状绝缘树脂可以用作绝缘层62的材料。
(其他实施例)
另外,可以通过适当地修改实施例在以下方面执行每个上述实施例。
每个实施例使用多片制造方法实现,但是可以使用单片制造方法实现。换句话说,使用与单个布线基板1、1A、1B或1C相对应的尺寸的基体材料,代替多片基板10A,并且可以制造布线基板1、1A、1B或1C和发光器件2。
每个实施例中的每个布线基板1、1A、1B或1C和发光器件2的平面形状不限于矩形形状,并且可以是例如诸如三角形或五边形形状的多边形形状、或者圆形形状。
不特别限制装配在每个实施例中的布线基板1、1A、1B或1C上的发光元件70的数量或布置。
不特别限制每个实施例中的布线图30或34的形状。例如,可以对如图25A中所示的布线图进行修改。换句话说,在平面图中具有近似矩形形状的多个布线图35可以在平面图中被设置为近似于W形状。在该情况下,在图的垂直方向上延伸的槽形状开口35X形成在在图的水平方向上相互邻近的布线图35之间。另外,在图的水平方向上延伸的带形开口35Y形成在在图的垂直方向上相互邻近的布线图35之间。多个布线图35通过开口35X和35Y相互分离。在布线图35上形成用作焊盘40P的金属层。布线图35将装配区域CA(参考虚线圆圈)布置为矩阵(在此为4×4)。另外,在布线图35上形成用作电极端子41P的一对金属层。该对电极端子41P被分别形成在位于布置为近似于W形的多个布线图35中的W形的起点和终点处的布线图35上。在发光元件装配在提供有布线图35和电极端子41P的布线基板上的情况下,在一个电极端子41P和另一个电极端子41P之间串联连接多个(在此为16个)发光元件。
可替换地,存在对如图25B中所示的布线图的修改。换句话说,在平面图中具有近似带形形状的布线图36可以被设置,并且可以并行于布线图36设置以相互邻近的在平面图中具有近似矩形形状的多个布线图37可以被设置为矩阵(在此为6×2)。即,关于两行相邻的布线图37共同提供布线图36。在该情况下,在图的垂直方向上延伸的槽形状开口37X形成在布线图36和37之间以及在图的水平方向上相互邻近的各个布线图37之间。另外,在图的垂直方向上相互邻近的布线图37之间形成在图的水平方向上延伸的带状开口37Y。布线图36和37、以及布线图37通过开口37X和37Y分别相互分离。在布线图36和37上形成用作焊盘40P的金属层。布线图36和37将装配区域CA(参考虚线圆圈)布置为矩阵(在此为6×6)。另外,布线图37具有一对电极端子37P。在离布线图36最远的两个布线图37中形成该对电极端子37P。在提供有布线图36和37以及电极端子37P的布线基板上装配发光元件的情况下,布置为矩阵(在此为6×3)的发光元件在布线图36和一个电极端子37P之间串联和并联连接。另外,布置为矩阵的发光元件在布线图36和另一个电极端子37P之间串联和并联连接。而且,串联和并联连接的发光元件组串联连接。
可替换地,可以对如图26中所示的布线图进行修改。换句话说,可以形成在平面图中具有近似于梳子形状的一对布线图38。具体地,布线图38具有在平面图中形成为矩形形状的电极部分38A,并且具有在其上形成用作电极端子41P的金属层的上表面,以及具有从电极部分38A向内延伸的梳齿形状的多个(在图26中为2)延伸部分38B。该对布线图38被设置为使得相互延伸部分38B交替地布置。在该情况下,在布线图38之间形成在平面图中具有近似于Z形状的开口38X。该对布线图38通过开口38X相互分离。在延伸部分38B上形成用作焊盘40P的金属层。布线图38将装配区域CA布置为矩阵(在此为3×2)。装配区CA包括在由开口38X分离的一对布线图38上形成的焊盘40P。在提供有布线图38和电极端子41P的布线基板上装配发光元件的情况下,多个发光元件在一个电极端子41P和另一个电极端子41P之间串联和并联连接。
(发光器件的应用示例)
图27示出当根据第一实施例的发光器件2被应用至照明装置3时的截面图。
照明装置3包括发光器件2、其上装配有发光器件2的安装板100、以及其中安装有安装板100的装置主体120。另外,照明装置3包括:盖子130,其被安装在装置主体120中并且覆盖发光器件2;固定台140,其固定装置主体120;以及发光电路150,其被安装至固定台140并且接通发光元件70。
装置主体120在平面图中形成为合适的去掉尖端的圆锥形形状。装置主体120具有大直径的截面120A,其中,安装有安装板100和盖子130,并且具有小直径的截面120B。装置主体120由例如具有良好热导率的铝等制成。使用众所周知的安装工具(在此为螺丝钉)将安装板100安装在装置主体120的截面120A中。另外,装置主体120被提供有在截面120A和截面120B之间穿过的通孔120X。经由安装板100电连接至发光器件2的发光元件70的电线160被设置在通孔120X中。电线160经由通孔120X从截面120A侧被引导至截面120B侧。
在外视图中形成为近似圆屋顶形状的盖子130通过诸如硅树脂的粘合剂被固定至装置主体120的截面120A,使得盖子130的内部处于密封状态。另外,盖子130由例如硬质玻璃制成。
固定台140由例如聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂或聚苯醚砜(PES)树脂制成。使用众所周知的安装工具(粘合剂、螺丝钉等)将固定台140安装在装置主体120的截面120B中。插口(未示出)被安装至固定台140。发光电路150容纳在固定台140和插口内部。例如,其上装配有电路组件的发光电路150的电路板(未示出)被附着至固定台140。发光电路150是将从插口提供的AC电压转换为DC电压,并且经由电线160将DC电压提供给发光元件70,使得发光元件70发光的电路。
接下来,将描述发光器件2装配在安装板100上的详细示例。
(发光器件的安装示例1)
图28A示出当发光器件2装配在安装板100A上时的截面图。
安装板100A包括金属板101、形成在金属板101的上表面上的绝缘层102、以及形成在绝缘层102的上表面上的布线图103。作为金属板101的材料,可以使用诸如例如铝和铜的具有良好热导率的金属。作为绝缘层102的材料,例如,可以使用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂的绝缘树脂、或诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。作为布线图103的材料,例如,可以使用铜或铜合金。
在绝缘层102中形成暴露一部分金属板101作为发光器件2的装配区的开口102X。另外,发光器件2装配在装配区中,即,从开口102X暴露的金属板101上。具体地,在发光器件2中,在其下表面上形成的散热片10通过热传导件104被热粘结到金属板101。另外,热传导件104可以使用例如诸如铟(In)、硅(或碳化氢)油脂、金属装填物、或石墨之类通过树脂粘合剂以薄片形式产生的高热传导物质的热传导件。
另外,装配在安装板100A上的发光器件2的电极端子41P经由类似弹簧的连接端子105(在此为导线引脚)电连接至安装板100A的布线图103。
根据该结构,由于发光器件2的散热片10被粘结至安装板100A的金属板101,从发光器件2生成的热可以散发至金属板101。此时,绝缘层50被形成为与布线图30和金属层40的一部分接触,从而从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量增加。从而,由发光元件70生成的热可以有效地传导至散热片10,进一步地,由发光元件70生成的热可以有效地传导至金属板101。
(发光器件的装配示例2)
图28B示出当发光器件2装配在安装板100B上时的截面图。
安装板100B包括金属板111、在金属板111的上表面上形成的绝缘层112、以及在绝缘层122的上表面上形成的布线图113。作为金属板111的材料,可以使用诸如例如铝和铜的具有良好热导率的金属。作为绝缘层112的材料,例如可以使用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂的绝缘树脂、或诸如二氧化硅或氧化铝之类的装填物与树脂混合的树脂材料。作为布线图113的材料,例如,可以使用铜或铜合金。
在布线图113上装配发光器件2。具体地,在发光器件2中,在其下表面上形成的散热片10通过热传导件114热粘结至布线图113。另外,热传导件114可以使用例如热传导件,其中,通过树脂粘合剂以薄片形式产生诸如铟、硅(或碳化氢)油脂、金属装填物或石墨之类的高热导率物质。
另外,装配在安装板100B上的发光器件2的电极端子41P经由焊线115电连接至安装板100B的布线图113。
根据该结构,由于发光器件2的散热片10经由热传导件114热粘结至布线图113,因此从发光器件2生成的热可以经由布线图113和绝缘层112从散热片10扩散至金属板111。此时,绝缘层50被形成为与布线图30和金属层40的一部分接触,并且从而从布线图30和金属层40到绝缘层20和50的热传导量增加。从而,由发光元件70生成的热可以有效地传导至散热片10,进一步地,由发光元件70生成的热可以有效地传导至布线图113、绝缘层112、以及金属板111。而且,被热粘结至布线图113的散热片10的布线图113用作用于散热的布线层。另外,在该装配示例中,在绝缘层112中不形成用于暴露金属板111的开口;然而,在绝缘层112薄的情况下,从发光器件2生成的热可以经由绝缘层112扩散至金属板111。
虽然已经参考其特定示例性实施例示出和描述了本发明,但是其他实现在权利要求的范围内。本领域技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的发明的精神和范围的情况下,在此可以从形式和细节上作出多种形式的改变。
Claims (16)
1.一种布线基板,包括:
散热片(10);
第一绝缘层(20),在所述散热片(10)上;
多个布线图(30),在所述第一绝缘层(20)的第一表面(20A)上,其中,所述布线图(30)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(30)包括:
第一表面,
第二表面,其与每个布线图(30)的第一表面相对,每个布线图(30)的第二表面面向所述第一绝缘层(20),和
处在每个布线图(30)的第一表面与每个布线图(30)的第二表面之间的侧表面;
第二绝缘层(50),在所述第一绝缘层(20)上,使得所述布线图(30)从所述第二绝缘层(50)暴露,其中第二绝缘层(50)的一个表面低于所述布线图(30)的第一表面,所述第二绝缘层(50)的一个表面与所述第二绝缘层(50)的另一个表面相对,所述第二绝缘层(50)的另一个表面与所述第一绝缘层(20)的第一表面(20A)接触,并且所述第二绝缘层(50)覆盖所述布线图(30)的侧表面的至少一部分;和
第一反射层(60),在所述第二绝缘层(50)上,其中所述第一反射层(60)覆盖所述布线图(30)的第一表面以及与所述第二绝缘层(50)的所述另一个表面相对的第二绝缘层(50)的所述表面的一部分。
2.根据权利要求1所述的布线基板,其中,所述第一绝缘层(20)的热导率和所述第二绝缘层(50)的热导率在1W/mK至10W/mK的范围内。
3.根据权利要求1所述的布线基板,还包括:
金属层(40),在所述布线图(30)上,用以接触所述布线图(30)的所述第一表面和所述布线图(30)的所述侧表面,其中,所述发光元件(70)将经由所述金属层(40)被装配在所述布线图(30)上,
其中,所述第二绝缘层(50)接触所述金属层(40)的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的布线基板,其中:
第一反射层(60)具有开口(60X),使得所述金属层(40)从所述开口(60X)暴露,并且所暴露的金属层(40)用作用于在其上装配所述发光元件(70)的焊盘(40P)。
5.根据权利要求1所述的布线基板,其中,所述第一绝缘层(20)和所述第二绝缘层(50)由相同材料制成。
6.根据权利要求1所述的布线基板,还包括:
金属层(40),在所述布线图(30)上,其中
所述金属层(40)包括第一金属层和第二金属层,
所述布线图(30)暴露在所述第一金属层和所述第二金属层之间,
所述布线图(30)包括第一布线图和第二布线图,
每个第一金属层形成在第二布线图上,相应的第二金属层形成在第一布线图上,所述第一布线图与第二布线图相邻并构成一对焊盘,并且
所述第一反射层(60)形成在每个第一布线图的第一表面位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分。
7.一种布线基板,包括:
散热片(10);
第一绝缘层(24),在所述散热片(10)上;
多个布线图(34),在所述第一绝缘层(24)的第一表面(24A)上,其中,所述布线图(34)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(34)包括:
第一表面(34A),
第二表面(34B),其与每个布线图(34)的第一表面(34A)相对,每个布线图(34)的第二表面(34B)面向所述第一绝缘层(24),和
处在每个布线图(34)的第一表面(34A)与每个布线图(34)的第二表面(34B)之间的侧表面;
第一绝缘层(24)覆盖所述布线图(34)的侧表面的一部分,并且所述第一绝缘层(24)的表面(24A)低于所述布线图(34)的第一表面(34A);
金属层(44)布置在布线图(34)上,其中所述金属层(44)完全覆盖布线图(34)的第一表面(34A);以及
第一反射层(61)布置在第一绝缘层(24)上,其中所述第一反射层(61)覆盖所述布线图(34)的侧表面的剩余部分,所述第一反射层(61)与金属层(44)的整个侧表面接触,并且所述金属层(44)的暴露表面(44A)与所述第一反射层(61)的暴露表面(61A)齐平。
8.一种发光器件,包括:
权利要求1所述的布线基板(1);
发光元件(70),装配在所述布线基板(1)上;以及
封装树脂(75),封装所述发光元件(70)。
9.一种制造布线基板(1)的方法,所述方法包括:
(a)在第一绝缘层(20)的第一表面(20A)上形成多个布线图(30),该第一绝缘层(20)形成在散热片(10)上,其中所述布线图(30)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(30)包括:
第一表面,
第二表面,其与每个布线图(30)的第一表面相对,每个布线图(30)的第二表面面向所述第一绝缘层(20),和
处在每个布线图(30)的第一表面与每个布线图(30)的第二表面之间的侧表面;
(b)在所述第一绝缘层(20)上形成第二绝缘层(50),使得所述布线图(30)从所述第二绝缘层(50)暴露,其中第二绝缘层(50)的一个表面低于所述布线图(30)的第一表面,所述第二绝缘层(50)的一个表面与所述第二绝缘层(50)的另一个表面相对,所述第二绝缘层(50)的另一个表面与所述第一绝缘层(20)的第一表面(20A)接触,并且所述第二绝缘层(50)覆盖所述布线图(30)的侧表面的至少一部分;以及
(c)形成在所述第二绝缘层(50)上具有开口(60X)的第一反射层(60),其中所述第一反射层(60)覆盖所述布线图(30)的第一表面以及与所述第二绝缘层(50)的所述另一个表面相对的第二绝缘层(50)的所述表面的一部分。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第二绝缘层(50)的材料不同于所述第一绝缘层(20)的材料。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括:
(d)在所述布线图(30)上形成金属层(40),以接触所述布线图(30)的所述第一表面和所述布线图(30)的所述侧表面,其中,所述发光元件(70)将经由所述金属层(40)被安装在所述布线图(30)上,所述第二绝缘层(50)与所述金属层(40)的至少一部分接触。
12.根据权利要求9所述的方法,
其中,步骤(a)包括:
在所述第一绝缘层(20)的第一表面(20A)上形成布线图(30)、用于电解电镀的馈线(31)、以及将所述布线图(30)连接至所述馈线(31)的连接部分(32),
其中,所述方法还包括:
(d)在所述布线图(30)上形成金属层(40),以通过使用所述布线层(30)、馈线(31)和连接部分(32)作为馈送层的电解电镀,来接触所述布线层(30)的所述第一表面和所述布线层(30)的所述侧表面;以及
(e)在步骤(d)之后去除所述馈线(31)和所述连接部分(32)中的至少一个,
其中,所述步骤(b)包括:
在所述第一绝缘层(10)上形成所述第二绝缘层(50),以覆盖所述金属层(40)的至少一部分,以及
其中,所述步骤(c)包括:
在所述步骤(d)之后使用丝网印刷方法在所述第二绝缘层(50)上形成所述第一反射层(60)。
13.根据权利要求9所述的方法,还包括:
(d)在所述布线图(30)上形成金属层(40),其中
所述金属层(40)包括第一金属层和第二金属层,
所述布线图(30)暴露在所述第一金属层和所述第二金属层之间,
所述布线图(30)包括第一布线图和第二布线图,
每个第一金属层形成在第二布线图上,相应的第二金属层形成在第一布线图上,所述第一布线图与第二布线图相邻并构成一对焊盘,并且
所述第一反射层(60)形成在每个第一布线图的第一表面位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分。
14.一种制造布线基板(1A)的方法,所述方法包括:
(a)在第一绝缘层(21)上形成布线图(30),该第一绝缘层(21)形成在散热片(10A)上,其中所述布线图(30)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(30)包括:
第一表面,
第二表面,其与每个布线图(30)的第一表面相对,每个布线图(30)的第二表面面向所述第一绝缘层(21),和
处在每个布线图(30)的第一表面与布线图(30)的第二表面之间的侧表面;
第一绝缘层(21)覆盖所述布线图(30)的侧表面的一部分,并且所述第一绝缘层(21)的表面(21A)低于所述布线图(30)的第一表面;
(b)在加热所述布线图(30)的同时,将所述第一绝缘层(21)按压在所述布线图(30)上,使得所述布线图(30)的一部分嵌入所述第一绝缘层(21)中;以及
(c)形成在所述第一绝缘层(21)的第一表面上具有开口(60X,60Y)的第一反射层(60),使得一部分布线图(30)从所述开口(60X,60Y)暴露。
15.一种制造布线基板(1B)的方法,所述方法包括:
(a)在支撑基板(90)上形成具有开口(91X)的抗蚀层(91);
(b)通过使用所述支撑基板(90)作为馈送层的电解电镀,在从所述开口(91X)暴露的所述支撑基板(90)的一部分上形成金属层(44),并且在所述金属层(44)上形成布线图(34);
(c)去除所述抗蚀层(91);
(d)在所述支撑基板(90)上形成第一反射层(61),以覆盖所述金属层(44)的整个侧表面;
(e)在所述第一反射层(61)上形成第一绝缘层(24),以覆盖所述布线图(34);以及
(f)去除所述支撑基板(90),其中所述布线图(34)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(34)包括:
第一表面(34A),
第二表面(34B),其与每个布线图(34)的第一表面(34A)相对,每个布线图(34)的第二表面(34B)面向所述第一绝缘层(24),和
处在每个布线图(34)的第一表面(34A)与每个布线图(34)的第二表面(34B)之间的侧表面;
第一绝缘层(24)覆盖所述布线图(34)的侧表面的一部分,并且所述第一绝缘层(24)的表面(24A)低于所述布线图(34)的第一表面(34A);
金属层(44)布置在布线图(34)上,其中所述金属层(44)完全覆盖布线图(34)的第一表面(34A);以及
第一反射层(61)布置在第一绝缘层(24)上,其中所述第一反射层(61)覆盖所述布线图(34)的侧表面的剩余部分,所述第一反射层(61)与金属层(44)的整个侧表面接触,并且所述金属层(44)的暴露表面(44A)与所述第一反射层(61)的暴露表面(61A)齐平。
16.一种布线基板,包括:
散热片(10);
第一绝缘层(21),在所述散热片(10)上;
多个布线图(30),在所述第一绝缘层(21)上,其中,所述布线图(30)被配置成在其上装配发光元件(70),并且每个布线图(30)包括:
第一表面,
第二表面,其与每个布线图(30)的第一表面相对,每个布线图(30)的第二表面面向所述第一绝缘层(21),和
处在每个布线图(30)的第一表面与每个布线图(30)的第二表面之间的侧表面;
第一绝缘层(21)覆盖所述布线图(30)的侧表面的一部分,并且所述第一绝缘层(21)的表面(21A)低于所述布线图(30)的第一表面;
第一反射层(60)形成为覆盖所述布线图(30)的第一表面的一部分、所述布线图(30)的侧表面的一部分以及所述第一绝缘层(21)的表面(21A)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013241A JP5848976B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
JP2012-013241 | 2012-01-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103227275A CN103227275A (zh) | 2013-07-31 |
CN103227275B true CN103227275B (zh) | 2017-06-09 |
Family
ID=47709853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310030269.XA Active CN103227275B (zh) | 2012-01-25 | 2013-01-25 | 布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9000474B2 (zh) |
EP (1) | EP2620980B1 (zh) |
JP (1) | JP5848976B2 (zh) |
CN (1) | CN103227275B (zh) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2681488B1 (en) * | 2011-03-03 | 2014-12-17 | Koninklijke Philips N.V. | Light-emitting device with spring-loaded led-holder |
JP5835133B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2015-12-24 | 豊田合成株式会社 | Led搭載用基板及びその製造方法 |
KR102056832B1 (ko) | 2013-05-31 | 2019-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 조명 유닛 |
CN105594005B (zh) * | 2013-10-03 | 2018-07-03 | 夏普株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
CN105874619B (zh) * | 2014-01-10 | 2019-08-20 | 夏普株式会社 | 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法 |
JP6316731B2 (ja) * | 2014-01-14 | 2018-04-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージ |
US9326373B2 (en) * | 2014-04-09 | 2016-04-26 | Finisar Corporation | Aluminum nitride substrate |
US10359181B2 (en) * | 2014-12-08 | 2019-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for light emitting device and manufacturing method of substrate for light emitting device |
KR102434189B1 (ko) | 2015-05-07 | 2022-08-19 | 서울바이오시스 주식회사 | 자외선 발광 장치 |
KR101629749B1 (ko) * | 2015-11-13 | 2016-06-14 | 우종구 | 비메탈 양면 pcb를 이용한 광고판용 양면 발광 엘이디 램프 |
TWM521008U (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-01 | Lite On Technology Corp | 車燈裝置及其發光模組 |
US10823355B2 (en) * | 2016-01-27 | 2020-11-03 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Light-emitting module for vehicle lamp |
WO2017147151A1 (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method of manufacturing an implantable neural electrode interface platform |
US10403792B2 (en) | 2016-03-07 | 2019-09-03 | Rayvio Corporation | Package for ultraviolet emitting devices |
CN105899042B (zh) * | 2016-04-15 | 2019-07-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种导热件、其生产方法以及具有该导热件的智能设备 |
US20180006203A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Rayvio Corporation | Ultraviolet emitting device |
JP6333894B2 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-05-30 | Towa株式会社 | 配線基板、配線基板の製造方法、電子部品、および電子部品の製造方法 |
WO2018079595A1 (ja) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール |
US20200091120A1 (en) * | 2017-05-30 | 2020-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module, display device, and semiconductor module manufacturing method |
US10290584B2 (en) * | 2017-05-31 | 2019-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive vias in semiconductor packages and methods of forming same |
DE102018129575A1 (de) * | 2018-11-23 | 2020-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittereinheit mit wenigstens einem VCSEL-Chip |
CN111278216B (zh) * | 2018-12-04 | 2023-06-20 | 湖南中车时代电动汽车股份有限公司 | Pcb的散热与防焊接偏移的封装结构及其设计方法 |
US20200395731A1 (en) * | 2019-06-11 | 2020-12-17 | Trumpf Photonics Inc. | Insulated Laser Coolers |
CN112490344A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光封装结构及其制造方法及复合基板 |
CN114258192A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 庆鼎精密电子(淮安)有限公司 | 具有高反射率的电路板及其制作方法 |
CN113690228B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-06-23 | 福建天电光电有限公司 | 集成式led发光器件及其制备方法 |
US11729915B1 (en) * | 2022-03-22 | 2023-08-15 | Tactotek Oy | Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure |
CN116169031B (zh) * | 2023-04-24 | 2023-07-14 | 长电集成电路(绍兴)有限公司 | 一种芯片封装结构的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101690423A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-03-31 | 电气化学工业株式会社 | 金属基底电路板 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE568197A (zh) | 1957-06-12 | |||
JPH07123186B2 (ja) * | 1992-09-25 | 1995-12-25 | 松下電工株式会社 | 回路装置 |
JP3169907B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | 多層配線構造およびその製造方法 |
US6744135B2 (en) * | 2001-05-22 | 2004-06-01 | Hitachi, Ltd. | Electronic apparatus |
JP4067802B2 (ja) | 2001-09-18 | 2008-03-26 | 松下電器産業株式会社 | 照明装置 |
US6936336B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-08-30 | Kyocera Corporation | Transfer sheet and production method of the same and wiring board and production method of the same |
US7201497B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-04-10 | Lumination, Llc | Led lighting system with reflective board |
WO2007145237A1 (ja) | 2006-06-14 | 2007-12-21 | Panasonic Corporation | 放熱配線基板とその製造方法 |
JP5405731B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-02-05 | 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 | 光源モジュール |
KR20090068587A (ko) | 2007-12-24 | 2009-06-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 기판모듈과 그 제조방법 및 백라이트 유닛과그 제조방법 |
JP2009203261A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | 熱伝導性材料及びこれを用いた放熱基板とその製造方法 |
MY154125A (en) | 2008-05-29 | 2015-05-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Metal base circuit board |
EP2455991B1 (en) * | 2009-07-17 | 2017-05-10 | Denka Company Limited | Led chip assembly, led package, and manufacturing method of led package |
JP5810302B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2015-11-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置 |
JP5198638B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 発光素子モジュール基板の製造方法 |
CN103855142B (zh) * | 2012-12-04 | 2017-12-29 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置及照明装置 |
-
2012
- 2012-01-25 JP JP2012013241A patent/JP5848976B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-24 EP EP13152503.2A patent/EP2620980B1/en active Active
- 2013-01-24 US US13/748,903 patent/US9000474B2/en active Active
- 2013-01-25 CN CN201310030269.XA patent/CN103227275B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101690423A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-03-31 | 电气化学工业株式会社 | 金属基底电路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2620980B1 (en) | 2020-04-15 |
CN103227275A (zh) | 2013-07-31 |
EP2620980A1 (en) | 2013-07-31 |
US20130187190A1 (en) | 2013-07-25 |
JP2013153067A (ja) | 2013-08-08 |
US9000474B2 (en) | 2015-04-07 |
JP5848976B2 (ja) | 2016-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103227275B (zh) | 布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法 | |
US9029891B2 (en) | Wiring substrate, light emitting device, and manufacturing method of wiring substrate | |
EP2621250B1 (en) | Wiring substrate, light emitting device, and manufacturing method of wiring substrate | |
CN101779301B (zh) | 发光器件 | |
JP5940799B2 (ja) | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 | |
JP4910220B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
KR20150013066A (ko) | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지 | |
WO2009028738A1 (ja) | 発光モジュールおよびその製造方法 | |
JP5801685B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
JP2010140820A (ja) | 灯具、配線基板及び配線基板の製造方法 | |
JPWO2014064871A1 (ja) | 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体 | |
JP6280710B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
US20060145340A1 (en) | Substrate and method for fabricating the same | |
JP6392163B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置 | |
JP2009081194A (ja) | 発光モジュールおよびその製造方法 | |
JP2009021384A (ja) | 電子部品及び発光装置 | |
JP2012104542A (ja) | Led発光素子用リードフレーム及びそれを用いたledパッケージ、およびその製造方法 | |
JP2006165138A (ja) | 表面実装型led | |
JP2009283654A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
KR20140008911A (ko) | 광 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP2012004412A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
JP2009021383A (ja) | 電子部品 | |
JP2003338579A (ja) | 放熱板付き配線基板 | |
JP2018523918A (ja) | エレクトロニクスデバイス | |
KR101822167B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |