JP5405731B2 - 光源モジュール - Google Patents
光源モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP5405731B2 JP5405731B2 JP2007274622A JP2007274622A JP5405731B2 JP 5405731 B2 JP5405731 B2 JP 5405731B2 JP 2007274622 A JP2007274622 A JP 2007274622A JP 2007274622 A JP2007274622 A JP 2007274622A JP 5405731 B2 JP5405731 B2 JP 5405731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- substrate
- light emitting
- emitting element
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 57
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 57
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
又は、
L3≧d×2 式4
Claims (16)
- 反射面を有する第1のリフレクタを搭載したサブストレートを用意する第1の工程と、
前記サブストレート上に複数の発光素子を搭載する工程であって、前記発光素子からの光が前記第1のリフレクタの反射面に反射するように、前記発光素子を前記反射面に接近するように搭載する第2の工程と、
電極を有する配線基板を前記サブストレート上に搭載する工程であって、前記配線基板の電極が前記発光素子に接近するように、且つ、前記第1のリフレクタと前記配線基板とによって前記発光素子を挟むように、前記配線基板を搭載する第3の工程と、
前記発光素子の電極と前記配線基板の電極間を金属ワイヤで接続する第4の工程と、
反射面を有する第2のリフレクタを前記配線基板上に搭載する工程であって、前記発光素子からの光が前記第2のリフレクタの反射面に反射するように、且つ、前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタによって前記発光素子を挟むように、前記第2のリフレクタを搭載する第5の工程と、
前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタとの間の空間に樹脂を充填し前記発光素子を封止する第6の工程と、を有する光源モジュールの製造方法。 - 前記第2の工程において、前記発光素子は、サブマウント上に装着された状態で前記サブストレート上に搭載され、前記第1のリフレクタと前記発光素子の間の隙間は、前記発光素子の厚さ寸法以上であることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記サブストレート上に搭載された前記サブマウントと前記配線基板の間の間隙は50ミクロンメートル以上であるか又は前記金属ワイヤの直径の2倍以上であることを特徴とする請求項2記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記配線基板の電極のワイヤの延びる方向の寸法は、前記金属ワイヤの直径の4倍以上であることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記サブストレートは、高熱伝導性材料によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記第1のリフレクタは、高熱伝導性材料によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記第1のリフレクタの反射面と前記第2のリフレクタの反射面の少なくとも一方は前記サブストレートに対して傾斜していることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- 前記サブストレートには前記配線基板を収容するための凹部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の光源モジュールの製造方法。
- サブストレートと、前記サブストレート上に設けられ反射面を有する第1のリフレクタと、前記サブストレート上に装着された発光素子と、前記サブストレート上に設けられた配線基板と、前記配線基板上に設けられた第2のリフレクタと、前記第1のリフレクタの反射面と前記第2のリフレクタの反射面によって挟まれた前記発光素子を封止する樹脂と、を有する光源モジュールにおいて、
前記発光素子は、上面と裏面に電極を有し、銀ペーストによってサブマウント上に装着された状態で前記サブストレート上に搭載され、
前記発光素子の平面寸法をL1、前記発光素子の厚さをt1、前記サブマウントの平面寸法をL2として、
(L2−L1)/2≧t1
の関係を満たすことを特徴とする光源モジュール。 - 請求項9記載の光源モジュールにおいて、前記サブストレート上に搭載された前記サブマウントと前記配線基板の間の間隙は50ミクロンメートル以上であるか又は前記発光素子の電極と前記配線基板の電極間を接続する金属ワイヤの直径の2倍以上であり、
電極の寸法をL4として、
L4≧d×(4〜5)
の関係を満たすことを特徴とする光源モジュール。 - 請求項9記載の光源モジュールにおいて、
前記サブストレートに凹部が形成され、
前記配線基板は、多層配線基板であり、且つ、前記凹部に配置されていることを特徴とする光源モジュール。 - 請求項9記載の光源モジュールにおいて、前記第1及び第2のリフレクタに直交する方向に延びる第3のリフレクタを設け、前記3つのリフレクタによって前記発光素子を囲むように構成され、前記第3のリフレクタの両側又は片側に隙間が形成されており、
前記樹脂は単一の液面を形成し、
前記発光素子の幅寸法をL5、前記第3のリフレクタの幅寸法をL6として、
L6>L5
の関係を満たすことを特徴とする光源モジュール。 - 請求項9記載の光源モジュールと導光板とを有するバックライトモジュールにおいて、
前記第1のリフレクタと前記サブストレートは一体構造を有し、
前記サブストレートは、前記第2のリフレクタと同様な形状を有するリフレクタ部を有し、
前記導光板は、前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタの上に配置されていることを特徴とするバックライトモジュール。 - バックライトモジュールと放熱用ヒートシンクと液晶パネルモジュールとを有する液晶表示装置において、
前記バックライトモジュールは、光源モジュールと導光板とを有し、
前記光源モジュールは、サブストレートと、前記サブストレート上に設けられ反射面を有する第1のリフレクタと、前記サブストレート上に装着された発光素子と、前記サブストレート上に設けられた配線基板と、前記配線基板上に設けられた第2のリフレクタと、前記第1のリフレクタの反射面と前記第2のリフレクタの反射面によって挟まれた前記発光素子を封止する樹脂と、を有し、
前記発光素子は、サブマウント上に装着された状態で前記サブストレート上に搭載され、
前記発光素子の平面寸法をL1、前記発光素子の厚さをt1、前記サブマウントの平面寸法をL2として、
(L2−L1)/2≧t1
の関係を満たし、
前記第1のリフレクタと前記サブストレートは一体の構造を有し、
前記導光板は前記第1のリフレクタと前記第2のリフレクタの上に配置されており、
前記放熱用ヒートシンクは、前記第1のリフレクタの反射面の背面側に配置され、前記第1のリフレクタと熱的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項14記載の液晶表示装置において、前記第1のリフレクタの上端に前記導光板の下端が係合するための凹部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項15記載の液晶表示装置において、前記第2のリフレクタの上端に前記液晶パネルモジュールを支持するための支持部が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007274622A JP5405731B2 (ja) | 2007-10-23 | 2007-10-23 | 光源モジュール |
US12/254,852 US8547502B2 (en) | 2007-10-23 | 2008-10-21 | Light source module |
CN2008101700941A CN101418938B (zh) | 2007-10-23 | 2008-10-22 | 光源模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007274622A JP5405731B2 (ja) | 2007-10-23 | 2007-10-23 | 光源モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009105173A JP2009105173A (ja) | 2009-05-14 |
JP5405731B2 true JP5405731B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=40563135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007274622A Expired - Fee Related JP5405731B2 (ja) | 2007-10-23 | 2007-10-23 | 光源モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8547502B2 (ja) |
JP (1) | JP5405731B2 (ja) |
CN (1) | CN101418938B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5187746B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2013-04-24 | Necライティング株式会社 | 発光装置 |
JP5277085B2 (ja) | 2009-06-18 | 2013-08-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US20120091495A1 (en) * | 2009-06-26 | 2012-04-19 | Fujifilm Corporation | Light reflecting substrate and process for manufacture thereof |
JP5396215B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2014-01-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置 |
US20120061698A1 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Toscano Lenora M | Method for Treating Metal Surfaces |
CN102412361B (zh) * | 2010-09-21 | 2016-06-08 | 佳胜科技股份有限公司 | 层叠散热基板以及使用此层叠散热基板的电子组装结构 |
WO2013073897A2 (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
JP5848976B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2016-01-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
JP6096413B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2017-03-15 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
US8933473B1 (en) * | 2012-06-01 | 2015-01-13 | Valery Dubin | Method, apparatus and system for providing light source structures on a flexible substrate |
CN102878465A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种高亮led平板灯 |
DE102013200990A1 (de) * | 2013-01-22 | 2014-07-24 | Osram Gmbh | Beleuchtungsanordnung mit optoelektronischem Bauelement |
JP6398222B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
DE102013207308B4 (de) * | 2013-04-23 | 2023-01-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe |
DE102013114345A1 (de) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
CN105047790B (zh) * | 2015-08-14 | 2018-01-12 | 南陵旺科知识产权运营有限公司 | 一种实用的大功率led封装结构 |
CN109424864B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光源结构、电子装置及光源结构制作方法 |
JP2019067994A (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-25 | トヨタ自動車株式会社 | 積層基板とその製造方法 |
JP6890165B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-06-18 | Nissha株式会社 | 照光表示パネルおよびその製造方法 |
JP7088985B2 (ja) * | 2020-06-05 | 2022-06-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法、積層基板の製造方法、及び半導体発光装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08201805A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Minolta Co Ltd | 液晶表示面の照明構造 |
JP3621175B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2005-02-16 | ローム株式会社 | 面発光照明装置 |
DE10023353A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
TW567619B (en) * | 2001-08-09 | 2003-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lighting apparatus and card-type LED light source |
JP4045781B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2008-02-13 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
JP2004079750A (ja) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光装置 |
JP2004200207A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP4360858B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 |
JP2005353507A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | バックライト装置 |
JP2006093672A (ja) | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
TWI420686B (zh) * | 2004-12-10 | 2013-12-21 | Panasonic Corp | 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置 |
JP2006203080A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
CN1881023B (zh) * | 2005-06-16 | 2011-11-23 | 清华大学 | 背光模组 |
JP2007184319A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Showa Denko Kk | 半導体発光装置 |
JP2007242856A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
DE102006015335B4 (de) * | 2006-04-03 | 2013-05-02 | Ivoclar Vivadent Ag | Halbleiter-Strahlungsquelle sowie Lichthärtgerät |
-
2007
- 2007-10-23 JP JP2007274622A patent/JP5405731B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-21 US US12/254,852 patent/US8547502B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-22 CN CN2008101700941A patent/CN101418938B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009105173A (ja) | 2009-05-14 |
CN101418938B (zh) | 2011-01-12 |
CN101418938A (zh) | 2009-04-29 |
US8547502B2 (en) | 2013-10-01 |
US20090103005A1 (en) | 2009-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5405731B2 (ja) | 光源モジュール | |
US7671534B2 (en) | Liquid crystal display, illuminant module and its manufacturing method | |
KR101386846B1 (ko) | 파워 표면 마운트 발광 다이 패키지 | |
TWI331380B (en) | Power surface mount light emitting die package | |
US8334585B2 (en) | LED package and fabrication method thereof | |
KR101028329B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
KR101141492B1 (ko) | 복합 리드프레임 led 패키지 및 그 제조 방법 | |
US7655958B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and surface light source using the same | |
JP5018318B2 (ja) | バックライトユニット | |
WO2011136358A1 (ja) | Ledモジュール | |
JP2010238540A (ja) | 発光モジュールおよびその製造方法 | |
KR20110107631A (ko) | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
KR100764461B1 (ko) | 버퍼층을 갖는 반도체 패키지 | |
CN112636160B (zh) | 激光器 | |
EP2341284A2 (en) | Illumination device | |
JP6087098B2 (ja) | 光源装置、ledランプ、および液晶表示装置 | |
JP2015065293A (ja) | 光学素子実装モジュール、および光学素子実装モジュールの製造方法 | |
JP5819469B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
CN115864122A (zh) | 一种发光装置、发光装置制备方法以及光源模组 | |
JP2011187312A (ja) | サイドエッジ型面状発光装置 | |
JP2014067967A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2009289854A (ja) | 発光装置および照明ユニット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130910 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131031 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |