JP2019067994A - 積層基板とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電子部品を内蔵する積層基板を好適に製造する。【解決手段】 積層基板であって、第1基板と、貫通孔を備える第2基板と、第3基板と、前記第1基板の裏面と前記第2基板の表面を接着する第1接着層と、前記第2基板の裏面と前記第3基板の表面を接着する第2接着層と、前記第1接着層を貫通しており、前記第1基板と前記第2基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第1ポストと、前記第2接着層を貫通しており、前記第2基板と前記第3基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第2ポストと、前記第3基板の前記表面に固定されており、前記第2基板の前記貫通孔内に配置されている電子部品を備える。【選択図】図1
Description
本明細書に開示の技術は、積層基板とその製造方法に関する。
特許文献1には、積層基板が開示されている。この積層基板は、複数の基板が積層された構造を有している。また、積層基板の内部に、電子部品が埋め込まれている。また、積層基板内の各基板(より詳細には、各基板の配線)は、層間接続体(以下、本明細書では、ポストと呼ぶ)によって電気的に接続されている。
また、特許文献2には、導電性ペーストによってポストを形成する技術が開示されている。この技術では、積層される前の基板の表面に導電性ペーストによってバンプを形成する。次に、各基板の間に接着シートを介在させた状態で複数の基板を積層する。このとき、バンプが接着シートに押圧されることで、バンプが接着シートを貫通する。次に、積層した基板をプレスしながら加熱して、基板を互いに接着させる。これによって、積層基板を形成する。バンプは、接着シートを貫通するので、接着シートの両側の基板を電気的に接続するポストとなる。この方法によれば、積層基板を低コストで製造できる。
特許文献2の方法では、積層した基板をプレスしながら加熱するときに、接着シートが軟化して流動する。このため、流動する接着シートによって導電性ペーストが流されて、ポストが斜めに形成されたり、ポストの位置がずれる場合がある。このため、ポストが配線に好適に接続されず、導通不良となる場合がある。したがって、本明細書では、電子部品を内蔵する積層基板をより好適に製造する技術を提案する。
本明細書に開示の積層基板は、第1基板と、貫通孔を備える第2基板と、第3基板と、前記第1基板の前記裏面と前記第2基板の前記表面を接着する第1接着層と、前記第2基板の前記裏面と前記第3基板の前記表面を接着する第2接着層と、前記第1接着層を貫通しており、前記第1基板と前記第2基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第1ポストと、前記第2接着層を貫通しており、前記第2基板と前記第3基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第2ポストと、前記第3基板の前記表面に固定されており、前記第2基板の前記貫通孔内に配置されている電子部品を備える。
この積層基板は、以下のように製造することができる。まず、第1貫通孔を備える第1接着シート(第1接着層となるシート)、第2貫通孔と第3貫通孔を備える第2接着シート(第2接着層となるシート)、及び、第4貫通孔を備える第2基板を準備する。また、接着前の第1基板、第2基板または第3基板に対して、以下の工程を行う。第1基板の裏面または第2基板の表面に高融点金属と低融点金属が混合された導電性ペーストを塗布し、塗布した導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第1ポストを形成する。また、第2基板の裏面または第3基板の表面に高融点金属と低融点金属が混合された導電性ペーストを塗布し、塗布した導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第2ポストを形成する。なお、本明細書において、半焼結状態とは、低融点金属の少なくとも一部が合金化せずに残存しており、複数の高融点金属の粒子が低融点金属によって接続されている状態を意味する。また、第3基板の表面に電子部品を固定する。以上の工程を行った後に、第1基板の裏面と第2基板の表面の間に第1接着シートを配置するとともに第2基板の裏面と第3基板の表面の間に第2接着シートを配置した状態で第1基板、第2基板、及び、第3基板を積層し、第1基板、第2基板、及び、第3基板を積層方向にプレスしながら加熱することで、第1基板、第2基板、及び、第3基板を互いに接着する。これによって、積層基板が得られる。ここでは、第1ポストが第1貫通孔の内部に配置されることで第1ポストによって第1基板が第2基板に電気的に接続される。また、第2ポストが第2貫通孔の内部に配置されることで第2ポストによって第2基板が第3基板に電気的に接続される。さらに、電子部品が第3貫通孔と第4貫通孔の内部に配置されることで、積層基板の内部に電子部品が埋め込まれる。また、この工程では、第1接着シートと第2接着シートに熱が加わる。各接着シートは、加熱状態で加圧されることで軟化して流動する。他方、半焼結状態の第1ポストと第2ポストでは高融点金属の粒子が低融点金属によって拘束されているので、第1ポストと第2ポストは比較的高い強度を有している。このため、接着シートが流動しても、第1ポストと第2ポストは流動し難い。したがって、接着シートの流動によって各ポストが導通不良となることを抑制することができる。このように、この積層基板の構造によれば、各ポストの導通不良を抑制しながら積層基板を製造することができる。
また、本明細書は、積層基板の製造方法を提案する。この製造方法は、第1接着シート準備工程、第2接着シート準備工程、第2基板準備工程、第1ポスト形成工程、第2ポスト形成工程、電子部品固定工程、及び、接着工程を有する。第1接着シート準備工程では、第1貫通孔を備える第1接着シートを準備する。第2接着シート準備工程では、第2貫通孔と第3貫通孔を備える第2接着シートを準備する。第2基板準備工程では、第4貫通孔を備える第2基板を準備する。前記第1ポスト形成工程では、第1基板の裏面または第2基板の表面に高融点金属と低融点金属が混合された導電性ペーストを塗布し、塗布した前記導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第1ポストを形成する。前記第2ポスト形成工程では、前記第2基板の裏面または第3基板の表面に前記高融点金属と前記低融点金属が混合された前記導電性ペーストを塗布し、塗布した前記導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第2ポストを形成する。前記電子部品固定工程では、前記第3基板の前記表面に電子部品を固定する。前記接着工程では、前記第1接着シートを準備する前記工程、前記第2接着シートを準備する前記工程、前記第2基板を準備する前記工程、前記第1ポストを形成する前記工程、前記第2ポストを形成する前記工程、及び、前記電子部品を固定する前記工程の後に、前記第1基板の前記裏面と前記第2基板の前記表面の間に前記第1接着シートを配置するとともに前記第2基板の前記裏面と前記第3基板の前記表面の間に前記第2接着シートを配置した状態で前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を積層し、前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を積層方向にプレスしながら加熱することで、前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を互いに接着する。前記接着工程では、前記第1ポストが前記第1貫通孔の内部に配置されることで前記第1ポストによって前記第1基板が前記第2基板に電気的に接続され、前記第2ポストが前記第2貫通孔の内部に配置されることで前記第2ポストによって前記第2基板が前記第3基板に電気的に接続され、前記電子部品が前記第3貫通孔と前記第4貫通孔の内部に配置される。
なお、第1接着シート準備工程、第2接着シート準備工程、第2基板準備工程、第1ポスト形成工程、第2ポスト形成工程、及び、電子部品接続工程は、どのような順序で行ってもよい。また、第1接着シート準備工程は、第1接着シートに第1貫通孔を形成する工程であってもよいし、第1貫通孔を備える第1接着シートを調達する工程であってもよい。また、第2接着シート準備工程は、第2接着シートに第2貫通孔と第3貫通孔を形成する工程であってもよいし、第2貫通孔と第3貫通孔を備える第2接着シートを調達する工程であってもよい。また、第2基板準備工程は、第2基板に第4貫通孔を形成する工程であってもよいし、第4貫通孔を備える第2基板を調達する工程であってもよい。
この製造方法によれば、接着シートが流動しても、半焼結状態の第1ポストと第2ポストは流動し難い。したがって、接着シートの流動によって各ポストが導通不良となることを抑制することができる。この製造方法によれば、各ポストの導通不良を抑制しながら積層基板を製造することができる。
図1は、実施形態の積層基板10の断面図を示している。積層基板10は、上部基板12、中間基板14、及び、下部基板16を積層した構造を備えている。上部基板12、中間基板14、及び、下部基板16のそれぞれは、プリント配線基板である。上部基板12は、絶縁体により構成された基板本体12aと、基板本体12aの上面及び下面に設けられた配線12bを備えている。配線12bは、銅によって構成されている。上部基板12の上面の配線12bと下面の配線12bは、スルーホール12c等によって接続されている。中間基板14は、絶縁体により構成された基板本体14aと、基板本体14aの上面及び下面に設けられた配線14bを備えている。配線14bは、銅によって構成されている。中間基板14の上面の配線14bと下面の配線14bは、スルーホール14c等によって接続されている。下部基板16は、絶縁体により構成された基板本体16aと、基板本体16aの上面及び下面に設けられた配線16bを備えている。配線16bは、銅によって構成されている。下部基板16の上面の配線16bと下面の配線16bは、スルーホール16c等によって接続されている。上部基板12の下面と中間基板14の上面の間には、プリプレグ20が配置されている。プリプレグ20は、上部基板12の下面と中間基板14の上面を接着している。プリプレグ20は、絶縁体により構成されている。中間基板14の下面と下部基板16の上面の間には、プリプレグ22が配置されている。プリプレグ22は、中間基板14の下面と下部基板16の上面を接着している。プリプレグ22は、絶縁体により構成されている。プリプレグ20、22が基板12、14、16を互いに接着していることで、基板12、14、16が一体化して積層基板10が構成されている。
上部基板12と中間基板14の間には、ポスト30が配置されている。ポスト30は、高融点金属(本実施形態では、Cu(銅))と低融点金属(本実施形態では、Sn−Bi合金(錫とビスマスの合金))とが合金化した金属により構成されている。ポスト30は、プリプレグ20を上面から下面まで貫通しており、上部基板12と中間基板14に接している。ポスト30は、上部基板12の下面の配線12bと中間基板14の上面の配線14bとを接続している。
中間基板14と下部基板16の間には、ポスト32が配置されている。ポスト32は、ポスト30と同様に、高融点金属(Cu)と低融点金属(Sn−Bi合金)とが合金化した金属により構成されている。ポスト32は、プリプレグ22を上面から下面まで貫通しており、中間基板14と下部基板16に接している。ポスト32は、中間基板14の下面の配線14bと下部基板16の上面の配線16bとを接続している。
上部基板12の下面には、電子部品40が固定されている。電子部品40は、はんだ及び導電性接合材(図示省略)によって、上部基板12の下面の配線12bに接続されている。中間基板14は、その上面から下面まで貫通する貫通孔14dを有している。電子部品40は、プリプレグ20を貫通して貫通孔14d内に挿入されている。すなわち、電子部品40の一部(図1における下端部)が、貫通孔14d内に配置されている。
下部基板16の上面には、電子部品42が固定されている。電子部品42は、はんだ及び導電性接合材(図示省略)によって、下部基板16の上面の配線16bに接続されている。中間基板14は、その上面から下面まで貫通する貫通孔14eを有している。電子部品42は、プリプレグ22を貫通して貫通孔14e内に挿入されている。すなわち、電子部品42の一部(図1における上端部)が、貫通孔14e内に配置されている。
なお、電子部品40、42は、例えば、コンデンサ、抵抗、ダイオード等である。電子部品40、42は、例えば、QFP(quad flat package)、TSOP(thin small outline package)、SOP(small outline package)、CSP(chip size package)、BGA(ball grid array)等のパッケージ品である。
次に、積層基板10の製造方法について説明する。図2は、積層基板10の製造方法を示している。図2に示すように、積層基板10の製造工程では、中間基板14に対する工程(ステップS2〜S6)、上部基板12に対する工程(ステップS8〜S10)、下部基板16に対する工程(ステップS12〜S14)、プリプレグ20に対する工程(ステップS16)及びプリプレグ22に対する工程(ステップS18)を個別に実施し、その後に、各部材を積層して互いに接着する工程(ステップS20〜S22)を行う。
ステップS2では、中間基板14を用意する。中間基板14は、一般的なプリント配線基板の製造工程と同様の工程で作製される。すなわち、基板本体14aの上面及び下面に所望のパターンで配線14bが設けられる。また、基板本体14aに、貫通孔14d、14eが形成される。ステップS2では、外部から中間基板14を調達してもよいし、中間基板14を作製してもよい。なお、図では中間基板14が2層板(2層の配線を有する基板)となっているが、中間基板14は多層板であってもよい。
ステップS4では、中間基板14の上面にポスト30を形成する。ステップS4では、ポスト30の印刷、ポスト30の乾燥、及び、ポスト30の加熱の3つの処理を行う。
まず、ポスト30の印刷を行う。ここでは、まず、図3に示すように、中間基板14の上面にメタルマスク50を設置する。メタルマスク50は、開口部50aを有している。開口部50aを、ポスト30を形成すべき位置にある配線14b上に配置する。次に、メタルマスク50の開口部50a内に導電性ペーストを充填することで、ポスト30を形成する。導電性ペーストは、高融点金属(本実施形態では、Cu)の粒子と低融点金属(本実施形態では、Sn−Bi合金)の粒子がバインダ樹脂中に分散されたペーストである。高融点金属の融点は、低融点金属の融点よりも高い。本実施形態では、高融点金属(Cu)の融点は1085℃であり、低融点金属(Sn−Bi合金)の融点は139℃である。開口部50a内に導電性ペーストを充填したら、メタルマスク50を中間基板14から取り外す。
次に、ポスト30の乾燥を行う。ここでは、ポスト30を乾燥させることで、導電性ペースト中のバインダ樹脂に含有されている溶剤を気化させる。図4は、ポスト30の乾燥が完了した段階におけるポスト30の内部構造を示している。図4に示すように、乾燥したバインダ樹脂60の内部に、高融点金属粒子62と低融点金属粒子64が分散した状態で存在している。この状態では、高融点金属粒子62と低融点金属粒子64がバインダ樹脂60によって保持されているので、ポスト30の機械的強度は低い。なお、高融点金属粒子62の粒径は、例えば、5〜15μmであり、低融点金属粒子64の粒径は、例えば、10〜40μmである。
次に、ポスト30の加熱を行う。ここでは、ポスト30が形成された中間基板14を、低融点金属の融点よりも高く、高融点金属の融点よりも低い温度で熱処理することで、ポスト30を半焼結状態にする。ここでは、例えば、加熱温度を140〜180℃とし、加熱時間を30秒〜10分とすることができる。図5は、加熱処理後のポスト30の内部構造を示している。図5に示すように、加熱処理後においても、低融点金属64(低融点金属粒子64(図4参照)を構成していた低融点金属)の大部分が合金化せずに残存している。また、加熱処理によって低融点金属粒子64が溶融するので、加熱処理後に低融点金属64が高融点金属粒子62の周囲に分布している。多数の高融点金属粒子62が、低融点金属64によって接続されている。このため、加熱処理前の状態(すなわち、図4のように、各粒子62、64がバインダ樹脂60によって接続されている状態)よりも、加熱後の半焼結状態の方が、ポスト30の機械的強度が高くなる。
次に、ステップS6において、中間基板14の下面にポスト32を形成する。ステップS6では、ステップS4と同様にして、ポスト32を形成する。すなわち、ポスト32の印刷、ポスト32の乾燥、及び、ポスト32の加熱の3つの処理によって、半焼結状態のポスト32を形成する。ステップS4、S6を実施することで、図6に示すように、中間基板14の上面の配線14b上にポスト30が設けられ、中間基板14の下面の配線14b上にポスト32が設けられる。
ステップS8では、上部基板12を用意する。上部基板12は、一般的なプリント配線基板の製造工程と同様の工程で作製される。すなわち、基板本体12aの上面及び下面に所望のパターンで配線12bが設けられる。ステップS8では、外部から上部基板12を調達してもよいし、上部基板12を作製してもよい。なお、図では上部基板12が2層板(2層の配線を有する基板)となっているが、上部基板12は多層板であってもよい。
ステップS10では、図7に示すように、上部基板12の下面の配線12bに、電子部品40を実装する。
ステップS12では、下部基板16を用意する。下部基板16は、一般的なプリント配線基板の製造工程と同様の工程で作製される。すなわち、基板本体16aの上面及び下面に所望のパターンで配線16bが設けられる。ステップS12では、外部から下部基板16を調達してもよいし、下部基板16を作製してもよい。なお、図では下部基板16が2層板(2層の配線を有する基板)となっているが、下部基板16は多層板であってもよい。
ステップS14では、図8に示すように、下部基板16の上面の配線16bに、電子部品42を実装する。
ステップS16では、貫通孔20aと貫通孔20bを備えるプリプレグ20を用意する。図9に示すように、貫通孔20a、20bは、プリプレグ20を上面から下面まで貫通している。貫通孔20aは、ポスト30(図6参照)に対応する位置にポスト30を挿入可能な大きさで形成される。また、貫通孔20bは、電子部品40(図7参照)に対応する位置に電子部品40を挿入可能な大きさで形成される。ステップS16では、プリプレグ20に貫通孔20a、20bを形成してもよいし、貫通孔20a、20bが形成されているプリプレグ20を外部から調達してもよい。
ステップS18では、貫通孔22aと貫通孔22bを備えるプリプレグ22を用意する。図10に示すように、貫通孔22a、22bは、プリプレグ22を上面から下面まで貫通している。貫通孔22aは、ポスト32(図6参照)に対応する位置にポスト32を挿入可能な大きさで形成される。また、貫通孔22bは、電子部品42(図8参照)に対応する位置に電子部品42を挿入可能な大きさで形成される。ステップS18では、プリプレグ22に貫通孔22a、22bを形成してもよいし、貫通孔22a、22bが形成されているプリプレグ20を外部から調達してもよい。
ステップS2〜S18を実施したら、ステップS20において、図11に示すように、下側から、下部基板16、プリプレグ22、中間基板14、プリプレグ20、上部基板12の順序でこれらを積層する。下部基板16上にプリプレグ22を載せるときに、プリプレグ22の貫通孔22b内に電子部品42が挿入される。プリプレグ22上に中間基板14を載せるときに、プリプレグ22の貫通孔22a内にポスト32が挿入されると共に、中間基板14の貫通孔14e内に電子部品42が挿入される。ポスト32は、貫通孔22a内で下部基板16の上面の配線16bと接触する。中間基板14上にプリプレグ20を載せるときに、プリプレグ20の貫通孔20a内にポスト30が挿入される。プリプレグ20上に上部基板12を載せるときに、電子部品40がプリプレグ20の貫通孔20b内と中間基板14の貫通孔14d内に挿入される。また、ポスト30が、上部基板12の下面の配線12bと接触する。
ステップS22では、図11に示す積層体10aを、積層方向にプレスしながら加熱する。ステップS22は、真空雰囲気下で実施することが好ましい。ステップS22では、ステップS4、S6におけるポスト30、32の加熱温度よりも高く、高融点金属の融点よりも低い温度で積層体を加熱する。ここでは、例えば、加熱時間を160℃〜200℃とし、加熱時間を5分〜90分とすることができる。また、プレス圧力を、例えば、1MPa〜4MPaとすることができる。ポスト30は、上部基板12の配線12bに向かって押し付けられた状態で加熱される。加熱によって、ポスト30が焼結するとともに、ポスト30が配線12bに接合される。また、ポスト32は、下部基板16の配線16bに向かって押し付けられた状態で加熱される。加熱によって、ポスト32が焼結するとともに、ポスト32が配線16bに接合される。また、加熱によって、プリプレグ20、22が、一旦軟化し、その後に硬化する。このため、硬化したプリプレグ20が上部基板12と中間基板14に接着し、硬化したプリプレグ22が中間基板14と下部基板16に接着する。このため、プリプレグ20、22を介して、上部基板12、中間基板14、及び、下部基板16が互いに接着される。その結果、図1に示す積層基板10が完成する。
ステップS22の初期に、加熱により軟化したプリプレグ20、22がプレスされることで、プリプレグ20、22が基板12、14、16に沿う方向に流動する。ポスト30の機械的強度が弱いと、流動するプリプレグ20によってポスト30が押し流されて、ポスト30の位置がずれたりポスト30が斜めに形成されることがある。これによって、ポスト30が配線12bに接続されずに導通不良となる場合がある。また、ポスト32の機械的強度が弱いと、流動するプリプレグ22によってポスト32が押し流されて、ポスト32の位置がずれたりポスト32が斜めに形成されることがある。これによって、ポスト32が配線16bに接続されずに導通不良となる場合がある。しかしながら、本実施形態では、焼結前のポスト30、32が、図5に示す半焼結状態(多数の高融点金属粒子62が低融点金属64によって互いに接続された状態)であるので、比較的高い機械的強度を有する。したがって、ポスト30、32が流されることを抑制することができ、ポスト30、32の導通不良を抑制することができる。
また、ステップS22では、ポスト30が加熱されることで、ポスト30の内部の低融点金属64が溶融し、溶融した低融点金属64が高融点金属粒子62(すなわち、Cu)及び隣接する配線12b、14b(すなわち、Cu)と合金化する。これによって、ポスト30が熱的により安定した構造となるとともに、ポスト30が配線12b、14bに対して強固に接続される。図12は、ステップS22を実施した後のポスト30の内部構造を示している。図12に示すように、Sn−Cu合金66中に高融点金属粒子62とBi粒子68が分散している。高融点金属粒子62の周辺に、Bi単体からなるBi粒子68が分散して配置されている。Sn−Cu合金66は、図5に示す低融点金属64(すなわち、Sn−Bi合金)に含まれるSnと高融点金属粒子62(すなわち、Cu)が合金化して生成された合金である。また、Bi粒子68は、図5に示す低融点金属64に含まれるビスマスが単体として析出した部分である。Sn−Cu合金66(Cu6Sn5またはCu3Sn)の融点は415℃以上であり、Bi粒子68(Bi単体)の融点は271℃である。Sn−Cu合金66及びBi粒子68の融点は、いずれも、低融点金属64(Sn−Bi合金)の融点(すなわち、139℃)よりも高い。このように、ポスト30が焼結することで、ポスト30が熱的に安定化する。また、ステップS22では、ポスト30と同様にして、ポスト32の低融点金属64が、高融点金属粒子62及び隣接する配線14b、16bと合金化する。すなわち、ポスト32の内部構造が、図12に示す構造となる。これによって、ポスト32が熱的に安定化するとともに、ポスト32が配線14b、16bに対して強固に接続される。
ステップS22を実施することで、図1に示すように、電子部品40、42を内蔵する積層基板10が完成する。上述したように、この製造方法によれば、導電性ペーストを用いてポスト30、32を形成できるので、低コストで積層基板10を製造することができる。また、プレス工程においてポスト30、32が流されることを抑制できるので、ポスト30、32が配線12b、14b、16bに対して導通不良となることを抑制することができる。したがって、この製造方法によれば、高い歩留まりで積層基板10を製造することができる。
なお、上述した実施形態では、積層工程(ステップS20)の前に、中間基板14の上面の配線14b上にポスト30を形成し、プレス工程(ステップS22)において、ポスト30を上部基板12の下面の配線12bに接合した。しかしながら、積層工程の前に、上部基板12の下面の配線12b上にポスト30を形成し、プレス工程において、ポスト30を中間基板14の上面の配線14bに接合してもよい。
また、上述した実施形態では、積層工程(ステップS20)の前に、中間基板14の下面の配線14b上にポスト32を形成し、プレス工程(ステップS22)において、ポスト32を下部基板16の上面の配線16bに接合した。しかしながら、積層工程の前に、下部基板16の上面の配線16b上にポスト32を形成し、プレス工程において、ポスト32を中間基板14の下面の配線14bに接合してもよい。
また、上述した実施形態では、導電性ペーストに含まれる高融点金属として銅を用いたが、アルミニウム、銀、金、銅合金、Cu−Sn合金等を用いてもよい。また、導電性ペーストに含まれる高融点金属粒子の表面が、錫または錫合金等によってメッキされていてもよい。また、上述した実施形態では、低融点金属としてSn−Bi合金を用いたが、錫単体等を用いてもよい。
また、上述した実施形態の積層基板10は3枚の基板を有していたが、3枚より多い多層の積層基板に本明細書に開示の技術を適用してもよい。
上述した実施形態の構成要素と、請求項の構成要素との関係について説明する。実施形態の電子部品42を、請求項の電子部品の一例と見ることができる。この場合、実施形態の上部基板12は、請求項の第1基板の一例である。また、実施形態の中間基板は、請求項の第2基板の一例である。また、実施形態の下部基板は、請求項の第3基板の一例である。また、実施形態のプリプレグ20は、請求項の第1接着層の一例であるとともに、請求項の第1接着シートの一例である。また、実施形態のプリプレグ22は、請求項の第2接着層の一例であるとともに、請求項の第2接着シートの一例である。また、実施形態のポスト30は、請求項の第1ポストの一例である。また、実施形態のポスト32は、請求項の第2ポストの一例である。
他方、実施形態の電子部品40を、請求項の電子部品の一例と見ることもできる。この場合、実施形態の下部基板16は、請求項の第1基板の一例である。また、実施形態の中間基板は、請求項の第2基板の一例である。また、実施形態の上部基板は、請求項の第3基板の一例である。また、実施形態のプリプレグ22は、請求項の第1接着層の一例であると共に、請求項の第1接着シートの一例である。また、実施形態のプリプレグ20は、請求項の第2接着層の一例であると共に、請求項の第2接着シートの一例である。また、実施形態のポスト32は、請求項の第1ポストの一例である。また、実施形態のポスト30は、請求項の第2ポストの一例である。
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
10:積層基板
12:上部基板
14:中間基板
16:下部基板
20:プリプレグ
22:プリプレグ
30:ポスト
32:ポスト
40:電子部品
42:電子部品
12:上部基板
14:中間基板
16:下部基板
20:プリプレグ
22:プリプレグ
30:ポスト
32:ポスト
40:電子部品
42:電子部品
Claims (2)
- 第1基板と、
貫通孔を備える第2基板と、
第3基板と、
前記第1基板の裏面と前記第2基板の表面を接着する第1接着層と、
前記第2基板の裏面と前記第3基板の表面を接着する第2接着層と、
前記第1接着層を貫通しており、前記第1基板と前記第2基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第1ポストと、
前記第2接着層を貫通しており、前記第2基板と前記第3基板を電気的に接続しており、高融点金属と低融点金属の合金により構成されている第2ポストと、
前記第3基板の前記表面に固定されており、前記第2基板の前記貫通孔内に配置されている電子部品、
を備える積層基板。 - 積層基板の製造方法であって、
第1貫通孔を備える第1接着シートを準備する工程と、
第2貫通孔と第3貫通孔を備える第2接着シートを準備する工程と、
第4貫通孔を備える第2基板を準備する工程と、
第1基板の裏面または前記第2基板の表面に高融点金属と低融点金属が混合された導電性ペーストを塗布し、塗布した前記導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第1ポストを形成する工程と、
前記第2基板の裏面または第3基板の表面に前記高融点金属と前記低融点金属が混合された前記導電性ペーストを塗布し、塗布した前記導電性ペーストを加熱して半焼結状態とすることで第2ポストを形成する工程と、
前記第3基板の前記表面に電子部品を固定する工程と、
前記第1接着シートを準備する前記工程、前記第2接着シートを準備する前記工程、前記第2基板を準備する前記工程、前記第1ポストを形成する前記工程、前記第2ポストを形成する前記工程、及び、前記電子部品を固定する前記工程の後に、前記第1基板の前記裏面と前記第2基板の前記表面の間に前記第1接着シートを配置するとともに前記第2基板の前記裏面と前記第3基板の前記表面の間に前記第2接着シートを配置した状態で前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を積層し、前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を積層方向にプレスしながら加熱することで、前記第1基板、前記第2基板、及び、前記第3基板を互いに接着する工程、
を備え、
接着する前記工程では、前記第1ポストが前記第1貫通孔の内部に配置されることで前記第1ポストによって前記第1基板が前記第2基板に電気的に接続され、前記第2ポストが前記第2貫通孔の内部に配置されることで前記第2ポストによって前記第2基板が前記第3基板に電気的に接続され、前記電子部品が前記第3貫通孔と前記第4貫通孔の内部に配置される、
製造方法。
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