JP2958154B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2958154B2 JP2958154B2 JP11353691A JP11353691A JP2958154B2 JP 2958154 B2 JP2958154 B2 JP 2958154B2 JP 11353691 A JP11353691 A JP 11353691A JP 11353691 A JP11353691 A JP 11353691A JP 2958154 B2 JP2958154 B2 JP 2958154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- die pad
- lead
- bent
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、よ
り詳しくは、パッケージに封止されて電子回路基板の表
面上に実装される半導体装置に関する。
り詳しくは、パッケージに封止されて電子回路基板の表
面上に実装される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、薄型化に伴って、表
面実装形式の封止樹脂型の半導体装置が多用され、例え
ば図４、５に示すような装置が提案されている。
面実装形式の封止樹脂型の半導体装置が多用され、例え
ば図４、５に示すような装置が提案されている。
【０００３】図４(A) は、第１の例を示すもので、半導
体チップを搭載するダイパッド４１とこの周りに形成さ
れたリード４２を同一平面上に形成し、リード４２と半
導体チップ４３をワイヤボンディングにより接続した状
態で、リード４２の内端、ダイパッド４１及び半導体チ
ップ４３を上下から樹脂材４４によって封止するものが
ある。
体チップを搭載するダイパッド４１とこの周りに形成さ
れたリード４２を同一平面上に形成し、リード４２と半
導体チップ４３をワイヤボンディングにより接続した状
態で、リード４２の内端、ダイパッド４１及び半導体チ
ップ４３を上下から樹脂材４４によって封止するものが
ある。
【０００４】この装置を電子回路基板に取付ける場合に
は、図４(B) に示すように、半導体装置の側方に露出し
たリード４２の露出部分を下方に折り曲げ、その底部を
回路基板４５に半田付けしている。
は、図４(B) に示すように、半導体装置の側方に露出し
たリード４２の露出部分を下方に折り曲げ、その底部を
回路基板４５に半田付けしている。
【０００５】しかし、この種の装置によれば、リード４
２を折り曲げる際に封止樹脂材４４に応力がかかって内
部に亀裂４６が生じ易いといった問題がある。
２を折り曲げる際に封止樹脂材４４に応力がかかって内
部に亀裂４６が生じ易いといった問題がある。
【０００６】このため、図４(C) に示すようにリード４
７の内端と半導体チップ４９の上を樹脂材５０により覆
い、その底面を一致させる装置が提案され、この装置に
よれば、リードを折り曲げずに電子回路基板４５に接続
することが可能になり、封止樹脂材５０の内部に亀裂が
生じることもない。
７の内端と半導体チップ４９の上を樹脂材５０により覆
い、その底面を一致させる装置が提案され、この装置に
よれば、リードを折り曲げずに電子回路基板４５に接続
することが可能になり、封止樹脂材５０の内部に亀裂が
生じることもない。
【０００７】ところが、この装置によれば、リード４７
の全体が封止樹脂材５０の下面から露出しているため
に、リード４７に下方への力が加わると、図４(D) に示
すように、リード４７が樹脂材５０から剥離してしま
い、ワイヤ５１に断線が生じ易くなるといった別の不都
合が生じる。
の全体が封止樹脂材５０の下面から露出しているため
に、リード４７に下方への力が加わると、図４(D) に示
すように、リード４７が樹脂材５０から剥離してしま
い、ワイヤ５１に断線が生じ易くなるといった別の不都
合が生じる。
【０００８】そこで、図５に示すように、予めリード５
２を折り曲げてその内端近傍に段部５３を形成するとと
もに、その上段とダイパッド部５４をほぼ同一の高さに
し、この状態でダイバッド５４と折れ曲げ部５３の上下
を樹脂材５４により封止し、また、リード５２の底面だ
けを封止樹脂材５４から露出して樹脂材５４の底面と一
致させた装置が、特開昭６２−２５６０号公報、特開昭
６３−１５１０５８号公報において提案されている。こ
れによれば、ワイヤの断線や封止樹脂の亀裂が生じるこ
とは避けられる。
２を折り曲げてその内端近傍に段部５３を形成するとと
もに、その上段とダイパッド部５４をほぼ同一の高さに
し、この状態でダイバッド５４と折れ曲げ部５３の上下
を樹脂材５４により封止し、また、リード５２の底面だ
けを封止樹脂材５４から露出して樹脂材５４の底面と一
致させた装置が、特開昭６２−２５６０号公報、特開昭
６３−１５１０５８号公報において提案されている。こ
れによれば、ワイヤの断線や封止樹脂の亀裂が生じるこ
とは避けられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この装置によ
れば、リード５２を階段状に折り曲げただけなので、そ
の立上がり部分は平坦であり、ダイパッド５４上の半導
体チップ５５とリード５７とをワイヤボンディングする
際に、ボンダーの押圧力によってリード５３が傾斜して
変形することになり、ボンディングの不良が生じるとい
った不都合が生じる。
れば、リード５２を階段状に折り曲げただけなので、そ
の立上がり部分は平坦であり、ダイパッド５４上の半導
体チップ５５とリード５７とをワイヤボンディングする
際に、ボンダーの押圧力によってリード５３が傾斜して
変形することになり、ボンディングの不良が生じるとい
った不都合が生じる。
【００１０】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、階段状の折り曲げのあるリードのワイヤ
ボンディングを良好に行うことができる半導体装置を提
供することを目的とする。
ものであって、階段状の折り曲げのあるリードのワイヤ
ボンディングを良好に行うことができる半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、厚さ方向に階段状に折り曲げられ、そ
の立上がりが周方向に湾曲し又は折曲げてあるリード３
〜５と、複数の前記リード３〜５に囲まれるダイパッド
２と、前記ダイパッド２に搭載され、前記リード３〜５
にワイヤボンディングにより接続される半導体チップ７
と、前記ダイパッド２と前記半導体チップ７と前記リー
ド３〜５の折り曲げ部分とを覆い、前記リード３〜５の
底面を露出させたパッケージ６とを有することを特徴と
する半導体装置によって解決する。
例示するように、厚さ方向に階段状に折り曲げられ、そ
の立上がりが周方向に湾曲し又は折曲げてあるリード３
〜５と、複数の前記リード３〜５に囲まれるダイパッド
２と、前記ダイパッド２に搭載され、前記リード３〜５
にワイヤボンディングにより接続される半導体チップ７
と、前記ダイパッド２と前記半導体チップ７と前記リー
ド３〜５の折り曲げ部分とを覆い、前記リード３〜５の
底面を露出させたパッケージ６とを有することを特徴と
する半導体装置によって解決する。
【００１２】または、前記ダイパッド２の周囲に複数配
置した前記リード３〜５の前記立上がり部が、同一円線
上に沿って周方向に湾曲していることを特徴とする上記
の半導体装置により解決する。
置した前記リード３〜５の前記立上がり部が、同一円線
上に沿って周方向に湾曲していることを特徴とする上記
の半導体装置により解決する。
【００１３】または、前記ダイパッド２の周囲に複数配
置した前記リード３〜５の前記立上がり部が、同一円線
上に沿って湾曲するとともに、前記パッケージ６の外側
面が前記リード３〜５の前記立ち上がり部の側面に沿っ
た形状に形成されていることを特徴とする上記の半導体
装置によって解決する。
置した前記リード３〜５の前記立上がり部が、同一円線
上に沿って湾曲するとともに、前記パッケージ６の外側
面が前記リード３〜５の前記立ち上がり部の側面に沿っ
た形状に形成されていることを特徴とする上記の半導体
装置によって解決する。
【００１４】
【作 用】本発明によれば、リード３〜５を厚み方向に
階段状に折り曲げるとともに、その立上がり部を周方向
に湾曲し又は折曲げるようにしている。
階段状に折り曲げるとともに、その立上がり部を周方向
に湾曲し又は折曲げるようにしている。
【００１５】このため、リード３〜５の立ち上がり部分
の断面係数が増加し、ワイヤボンディングや半導体チッ
プ取付けの際にリードに加わる押圧力によってその立ち
上がり部は容易に変形せず、ワイヤボンディングの不良
は生じにくくなる。また、これにともなって、外部から
の押圧力に対するパッケージ６の強度も増加して強固に
なる。
の断面係数が増加し、ワイヤボンディングや半導体チッ
プ取付けの際にリードに加わる押圧力によってその立ち
上がり部は容易に変形せず、ワイヤボンディングの不良
は生じにくくなる。また、これにともなって、外部から
の押圧力に対するパッケージ６の強度も増加して強固に
なる。
【００１６】また、第２の発明によれば、ダイパッド２
の周囲に複数配置したリード３〜５の立上がり部を、同
一円線上に沿って周方向に湾曲させているため、リード
３〜５の厚み方向への折り曲げをプレスによる絞り加工
によって行う場合等にその同方向の位置合わせの手間が
省け、作業が容易になる。
の周囲に複数配置したリード３〜５の立上がり部を、同
一円線上に沿って周方向に湾曲させているため、リード
３〜５の厚み方向への折り曲げをプレスによる絞り加工
によって行う場合等にその同方向の位置合わせの手間が
省け、作業が容易になる。
【００１７】さらに第３の発明によれば、パッケージ６
の外側面がリード３〜５の立上がり側面に沿った形状に
作成されているために、リード３〜５の外側を覆うパッ
ケージ６の肉厚が均一になり、局部的な脆さがなくな
り、強度的に有利になる。
の外側面がリード３〜５の立上がり側面に沿った形状に
作成されているために、リード３〜５の外側を覆うパッ
ケージ６の肉厚が均一になり、局部的な脆さがなくな
り、強度的に有利になる。
【００１８】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】図１(A) は本発明の一実施例を示す装置の
平面図、図１(B) は図１(A) のＸ−Ｘ線断面図、図１
(C) は図１(A) のＹ−Ｙ線断面図である。
平面図、図１(B) は図１(A) のＸ−Ｘ線断面図、図１
(C) は図１(A) のＹ−Ｙ線断面図である。
【００２０】図中符号１は半導体装置で、その内部に
は、ダイパッド部２を一体形成してその部分の幅を狭く
した第一のリード３と、ダイパッド部２の両側に臨む第
二、第三のリード４，５が取付けられ、また、第二、第
三のリード４，５の内端側には膨大部４ａ，５ａが形成
されており、これによりパッケージ６からの抜け出しが
防止されている。
は、ダイパッド部２を一体形成してその部分の幅を狭く
した第一のリード３と、ダイパッド部２の両側に臨む第
二、第三のリード４，５が取付けられ、また、第二、第
三のリード４，５の内端側には膨大部４ａ，５ａが形成
されており、これによりパッケージ６からの抜け出しが
防止されている。
【００２１】また、第一のリード３におけるダイバッド
部２の周囲と、第二、第三のリード４，５のうちの膨大
部４ａ，５ａの近傍は、それぞれ膜厚方向に階段状に折
り曲げられ、しかも、その立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂ
は周方向に湾曲されており、これによって断面係数を大
きくしている。
部２の周囲と、第二、第三のリード４，５のうちの膨大
部４ａ，５ａの近傍は、それぞれ膜厚方向に階段状に折
り曲げられ、しかも、その立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂ
は周方向に湾曲されており、これによって断面係数を大
きくしている。
【００２２】上記したパッケージ６は、ダイパッド部２
とこれに搭載される半導体チップ７と各リード３〜５の
折り曲げ部分とを一体的に封止するもので、その底はリ
ード３〜５の底部と同一平面上になるように形成されて
いる。また、このパッケージ６は、例えばエポキシ系樹
脂より形成され、各リード３〜５の立上がり部３ａ，４
ｂ，５ｂの外周面に沿った周面をもつ円柱状に成形され
ている。
とこれに搭載される半導体チップ７と各リード３〜５の
折り曲げ部分とを一体的に封止するもので、その底はリ
ード３〜５の底部と同一平面上になるように形成されて
いる。また、このパッケージ６は、例えばエポキシ系樹
脂より形成され、各リード３〜５の立上がり部３ａ，４
ｂ，５ｂの外周面に沿った周面をもつ円柱状に成形され
ている。
【００２３】なお、図中符号８は、半導体チップ７と各
リード３〜５を接続する金等のワイヤを示している。
リード３〜５を接続する金等のワイヤを示している。
【００２４】次に、上記した実施例装置の作用について
説明する。
説明する。
【００２５】上述した実施例において、複数のリード３
〜５を厚み方向に階段状に折り曲げるとともに、それら
の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂを周方向に湾曲させてい
るため、立上がり部の断面係数が増加して、ワイヤボン
ディング等の押圧力によってその側部は容易に変形しに
くくなる。この結果、ワイヤボンディングの不良は生じ
にくくなり、しかも、外部から半導体装置に加わる力に
対する強度も増加して強固になり、梱包や搬送において
変形し難くなる。
〜５を厚み方向に階段状に折り曲げるとともに、それら
の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂを周方向に湾曲させてい
るため、立上がり部の断面係数が増加して、ワイヤボン
ディング等の押圧力によってその側部は容易に変形しに
くくなる。この結果、ワイヤボンディングの不良は生じ
にくくなり、しかも、外部から半導体装置に加わる力に
対する強度も増加して強固になり、梱包や搬送において
変形し難くなる。
【００２６】また、パッケージ６の外周面がリード３〜
５の側面に沿った形状に作成されているために、リード
３〜５の外側を覆う封止樹脂の肉厚が均一になり、局部
的な脆さがなくなり、強度的に有利になる。
５の側面に沿った形状に作成されているために、リード
３〜５の外側を覆う封止樹脂の肉厚が均一になり、局部
的な脆さがなくなり、強度的に有利になる。
【００２７】次に、上記した半導体装置の形成工程につ
いて簡単に説明する。
いて簡単に説明する。
【００２８】まず、鉄ニッケル合金（FeNi）、銅合金等
のような厚さ数百μｍ導電性板を打ち抜いて、図２(A)
に示すような長尺状のリードフレーム１０を形成し、そ
の内部に上記状態に配置した３つのリード３〜５を複数
箇所に形成する。ついで、リード３〜５及びその周辺を
金や銀によって被覆する。
のような厚さ数百μｍ導電性板を打ち抜いて、図２(A)
に示すような長尺状のリードフレーム１０を形成し、そ
の内部に上記状態に配置した３つのリード３〜５を複数
箇所に形成する。ついで、リード３〜５及びその周辺を
金や銀によって被覆する。
【００２９】この後に、プレスによって厚み方向に絞り
加工を行い、図２(B) に示すようなダイパッド部２とそ
の周囲の領域を持ち上げるように各リード３〜５を階段
状に折り曲げる（図３(A))。その段の高さは数百μｍ程
度とする。
加工を行い、図２(B) に示すようなダイパッド部２とそ
の周囲の領域を持ち上げるように各リード３〜５を階段
状に折り曲げる（図３(A))。その段の高さは数百μｍ程
度とする。
【００３０】この場合、円柱状の絞り型を用い、リード
３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂの周が同一円線上
に湾曲するように成形する。この場合、同一円線上に沿
って湾曲させているために、その面方向の型の位置合わ
せが不要となって加工が容易となる。
３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂの周が同一円線上
に湾曲するように成形する。この場合、同一円線上に沿
って湾曲させているために、その面方向の型の位置合わ
せが不要となって加工が容易となる。
【００３１】次に、リード３〜５のダイパッド部２の上
に接着材を介して半導体チップ７を接着することになる
が、接着材としてロウ材を用いる場合には、図３(B) に
示すように、ダイパッド部２の上にロウ材１１と半導体
チップ７を載せた後に、加熱して溶着することになる。
に接着材を介して半導体チップ７を接着することになる
が、接着材としてロウ材を用いる場合には、図３(B) に
示すように、ダイパッド部２の上にロウ材１１と半導体
チップ７を載せた後に、加熱して溶着することになる。
【００３２】この溶着において若干の加圧が必要なため
に、同図に示すような円柱状の凸部を有する加熱ブロッ
ク１２を用いることになるが、リードの立上がり部３
ａ，４ｂ，５ｂは数百μｍと低く、しかも周方向に湾曲
して断面係数が大きいため、加熱ブロック１２を用いな
くてもよい。また加熱ブロック１２を用いる場合には、
その円柱の面方向の位置合わせは自由となり、作業性が
向上する。
に、同図に示すような円柱状の凸部を有する加熱ブロッ
ク１２を用いることになるが、リードの立上がり部３
ａ，４ｂ，５ｂは数百μｍと低く、しかも周方向に湾曲
して断面係数が大きいため、加熱ブロック１２を用いな
くてもよい。また加熱ブロック１２を用いる場合には、
その円柱の面方向の位置合わせは自由となり、作業性が
向上する。
【００３３】この後に、ダイパッド部２上の半導体チッ
プ７とリード３〜５とを金線によって接続するが、この
場合、リード３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂを周
方向に湾曲させているため、ワイヤボンディングの押圧
力により容易に変形しにくくなる。この結果、ワイヤボ
ンディングの不良は生じにくくなる。
プ７とリード３〜５とを金線によって接続するが、この
場合、リード３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂを周
方向に湾曲させているため、ワイヤボンディングの押圧
力により容易に変形しにくくなる。この結果、ワイヤボ
ンディングの不良は生じにくくなる。
【００３４】次に、トランスファーモールド法を用い、
図３(C) に示すような上部に凹部を有する型１３のキャ
ビティーの底部にリード３〜５を置き、その中央に折り
曲げ部分を位置させる。そして樹脂導入路から溶融した
樹脂を供給し、半導体チップ７、ダイパッド部２及びリ
ード３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂをこれにより
封止することになる。
図３(C) に示すような上部に凹部を有する型１３のキャ
ビティーの底部にリード３〜５を置き、その中央に折り
曲げ部分を位置させる。そして樹脂導入路から溶融した
樹脂を供給し、半導体チップ７、ダイパッド部２及びリ
ード３〜５の立上がり部３ａ，４ｂ，５ｂをこれにより
封止することになる。
【００３５】この後に、リード３〜５をリードフレーム
１０から切り離せば、図１に示すような半導体装置が完
成することになる。
１０から切り離せば、図１に示すような半導体装置が完
成することになる。
【００３６】なお、上記した実施例では折り曲げたリー
ドの立上がり部を周方向に湾曲させたが、周方向に直
角、鈍角等のような折り曲げ部を形成してもよい。
ドの立上がり部を周方向に湾曲させたが、周方向に直
角、鈍角等のような折り曲げ部を形成してもよい。
【００３７】また、上記したパッケージは、樹脂材によ
り形成したが、セラミック、ガラス等によって形成して
もよい。
り形成したが、セラミック、ガラス等によって形成して
もよい。
【００３８】さらに、上記した実施例ではリードの数を
３つにしたが、その数はこれに限るものではなく、ま
た、ダイパッド部をリードから切離すようにしてもよ
い。
３つにしたが、その数はこれに限るものではなく、ま
た、ダイパッド部をリードから切離すようにしてもよ
い。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、リー
ドを厚み方向に階段状に折り曲げるとともに、その立上
がり部を周方向に湾曲し又は折曲げるようにしたので、
リードの立上がり部分の断面係数が増加し、ワイヤボン
ディングや半導体チップ取付けの際にリードに加わる押
圧力によってその立ち上がり部は容易に変形せず、ワイ
ヤボンディングの不良を防止できる。また、これにとも
なって、外部からの押圧力に対するパッケージの強度を
増加して強固にすることができる。
ドを厚み方向に階段状に折り曲げるとともに、その立上
がり部を周方向に湾曲し又は折曲げるようにしたので、
リードの立上がり部分の断面係数が増加し、ワイヤボン
ディングや半導体チップ取付けの際にリードに加わる押
圧力によってその立ち上がり部は容易に変形せず、ワイ
ヤボンディングの不良を防止できる。また、これにとも
なって、外部からの押圧力に対するパッケージの強度を
増加して強固にすることができる。
【００４０】また、第２の発明によれば、ダイパッドの
周囲に複数配置したリードの立上がり部を同一円線上に
沿って周方向に湾曲させているため、リードの厚み方向
への折り曲げをプレスによる絞り加工によって行う場合
等にその周方向の位置合わせの手間が省け、作業性を向
上することができる。
周囲に複数配置したリードの立上がり部を同一円線上に
沿って周方向に湾曲させているため、リードの厚み方向
への折り曲げをプレスによる絞り加工によって行う場合
等にその周方向の位置合わせの手間が省け、作業性を向
上することができる。
【００４１】さらに第３の発明によれば、パッケージの
外側面がリードの立上がり部側面に沿った形状に作成さ
れているために、リードの外側を覆うパッケージの肉厚
が均一になり、局部的な脆さをなくして、強度を向上す
ることができる。
外側面がリードの立上がり部側面に沿った形状に作成さ
れているために、リードの外側を覆うパッケージの肉厚
が均一になり、局部的な脆さをなくして、強度を向上す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例装置を示す平面図及び断面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例装置に用いるリードフレーム
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例装置の形成工程の一例を示す
斜視図及び断面図である。
斜視図及び断面図である。
【図４】従来装置の第１、第２の例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来装置の第３の例を示す断面図である。
１ 半導体装置 ２ ダイパッド部 ３、４、５ リード ３ａ、４ｂ、５ｂ 立上がり部 ４ａ、５ａ 膨大部 ６ パッケージ ７ 半導体チップ ８ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】厚さ方向に階段状に折り曲げられ、その立
上がり部が周方向に湾曲し又は折曲げてあるリードと、 複数の前記リードに囲まれるダイパッドと、 前記ダイパッドに搭載され、前記リードにワイヤボンデ
ィングにより接続される半導体チップと、 前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードの折り
曲げ部分とを覆い、前記リードの底面を露出させたパッ
ケージとを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記ダイパッドの周囲に複数配置した前記
リードの前記立上がり部が、同一円線上に沿って周方向
に湾曲していることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】前記ダイパッドの周囲に複数配置した前記
リードの前記立上がり部が、同一円線上に沿って周方向
に湾曲するとともに、前記パッケージの外側面が前記リ
ードの前記立上がり部の側面に沿った形状に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353691A JP2958154B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11353691A JP2958154B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340755A JPH04340755A (ja) | 1992-11-27 |
| JP2958154B2 true JP2958154B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=14614812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11353691A Expired - Lifetime JP2958154B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958154B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3027954B2 (ja) | 1997-04-17 | 2000-04-04 | 日本電気株式会社 | 集積回路装置、その製造方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11353691A patent/JP2958154B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04340755A (ja) | 1992-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| KR100294719B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임 | |
| KR100975692B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US5227662A (en) | Composite lead frame and semiconductor device using the same | |
| US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
| US6358778B1 (en) | Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals | |
| WO2001003186A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and structure for mounting semiconductor device | |
| JPH04280462A (ja) | リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置 | |
| JP3492212B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 | |
| US6642082B2 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| JP3893624B2 (ja) | 半導体装置用基板、リードフレーム、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| US5382546A (en) | Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same | |
| JP2958154B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3127584B2 (ja) | 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置 | |
| JPH04352436A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005311099A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001177007A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06236956A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003017515A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2009231322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002164496A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2503029B2 (ja) | 薄型構造の半導体装置の製造方法 | |
| JPH03261153A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| JPH083016Y2 (ja) | 半導体用リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990713 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723 Year of fee payment: 12 |