JPH083016Y2 - 半導体用リードフレーム - Google Patents
半導体用リードフレームInfo
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- JPH083016Y2 JPH083016Y2 JP12769789U JP12769789U JPH083016Y2 JP H083016 Y2 JPH083016 Y2 JP H083016Y2 JP 12769789 U JP12769789 U JP 12769789U JP 12769789 U JP12769789 U JP 12769789U JP H083016 Y2 JPH083016 Y2 JP H083016Y2
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- Japan
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- lead
- semiconductor
- lead frame
- die
- die bond
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えば半導体集積回路装置における半導体
チップからのリード導出に用いられる半導体用リードフ
レームに関する。
チップからのリード導出に用いられる半導体用リードフ
レームに関する。
本考案は半導体用リードフレームに関し、半導体ペレ
ットのダイボンド部のコーナー部に、ダイボンド部のリ
ード導出部から離間した位置に限定的に半導体ペレット
のダイボンド位置検出用光反射層を設けたことにより、
ダイボンド位置の検出を精度良く行い、このリードフレ
ームによって構成した半導体装置の信頼性及び生産性の
向上をはかるものである。
ットのダイボンド部のコーナー部に、ダイボンド部のリ
ード導出部から離間した位置に限定的に半導体ペレット
のダイボンド位置検出用光反射層を設けたことにより、
ダイボンド位置の検出を精度良く行い、このリードフレ
ームによって構成した半導体装置の信頼性及び生産性の
向上をはかるものである。
半導体集積回路等の半導体装置の構造過程において、
ウェーハから分離した半導体ペレットを、リードフレー
ムのダイボンド部上に固定する工程いわゆるダイボンド
の工程において、リードフレームの位置すなわちそのダ
イボンド部の位置を例えば光学的に検出することによっ
て、半導体ペレットとリードフレームとの位置合せが行
われる。この位置合せの方法としては特開昭56-29357号
公報や実開昭63-191650号公報に、それぞれリードフレ
ームのリード先端部に複数個の凹状の穴を穿設したり、
リードフレームのアウターレール（外枠）に複数個のパ
イロットホールを穿設したりすることによって位置合せ
を行う方法が開示されている。しかしながらリードフレ
ームの先端部は微小な歪みや曲がりを生じ易く、またリ
ードフレーム外枠に穿設された凹部での検出は位置ずれ
が発生し易いため、上述の２方法では共に検出が不安定
になる。
ウェーハから分離した半導体ペレットを、リードフレー
ムのダイボンド部上に固定する工程いわゆるダイボンド
の工程において、リードフレームの位置すなわちそのダ
イボンド部の位置を例えば光学的に検出することによっ
て、半導体ペレットとリードフレームとの位置合せが行
われる。この位置合せの方法としては特開昭56-29357号
公報や実開昭63-191650号公報に、それぞれリードフレ
ームのリード先端部に複数個の凹状の穴を穿設したり、
リードフレームのアウターレール（外枠）に複数個のパ
イロットホールを穿設したりすることによって位置合せ
を行う方法が開示されている。しかしながらリードフレ
ームの先端部は微小な歪みや曲がりを生じ易く、またリ
ードフレーム外枠に穿設された凹部での検出は位置ずれ
が発生し易いため、上述の２方法では共に検出が不安定
になる。
これに対して、リードフレームのダイボンド部に全面
的にはんだ付けを良好に行うための金属メッキ例えば銀
（Ag）メッキを施し、その角部で位置合せの検出を行う
方法がある。第２図に従来のリードフレームの略線的拡
大平面図を示す。
的にはんだ付けを良好に行うための金属メッキ例えば銀
（Ag）メッキを施し、その角部で位置合せの検出を行う
方法がある。第２図に従来のリードフレームの略線的拡
大平面図を示す。
第２図に示すように、この場合、ダイボンド部（１）
を全面的にAgメッキを行い、さらにハッチング部分で示
す用にダイボンド部（１）の周辺のリード導出部（３）
及びリード先端部（５）に同様にAgメッキを行い、半導
体ペレットとリードフレームとの位置合せはコーナー部
（２）を基準として行う。
を全面的にAgメッキを行い、さらにハッチング部分で示
す用にダイボンド部（１）の周辺のリード導出部（３）
及びリード先端部（５）に同様にAgメッキを行い、半導
体ペレットとリードフレームとの位置合せはコーナー部
（２）を基準として行う。
一方、近年半導体装置の信頼性向上をはかるため、半
導体ペレットの耐湿性が問題となっており、リードフレ
ーム等の基板に回路を封止する際の樹脂の密着性を高め
る必要が生じてきた。しかしながら、Agメッキと封止樹
脂例えばエポキシ樹脂との密着性が悪く、従来のような
ダイボンド部（１）に全面的にAgメッキを行う方法で
は、その後の熱処理工程で加熱する際にAgメッキとエポ
キシ樹脂との界面において、樹脂が吸収した水分が爆発
して剥離（隙間）を生じたり、その水分の進路となって
クラック（亀裂）を生じたりするため、封止樹脂とリー
ドフレームとの密着性の劣化を来す。このためダイボン
ド部（１）及びリード導出部（３）にAgめっきを行わな
い方法が試みられている。この場合、Agメッキはリード
先端部（５）のみに行い、ダイボンド用には部分的にAg
ペーストを盛って、150℃程度の加熱を約１時間行っ
て、半導体ペレットの接着を行う。リードフレームは、
例えば銅合金や鉄ニッケル合金等により成形されて成
り、光反射率が悪いため半導体ペレットとリードフレー
ムとの位置合せは、光反射率の良いリード先端部（５）
のAgメッキ部分を基準として行う。ところが前述したよ
うにリード先端部（５）は微小な歪みや曲がりを生じ易
く検出が安定しない。このため、半導体ペレットの位置
合せ精度が低下し、位置ずれによるリードワイヤ接着不
良や、耐湿性の劣化等の問題が生じ、信頼性及び生産性
の劣化を来す。
導体ペレットの耐湿性が問題となっており、リードフレ
ーム等の基板に回路を封止する際の樹脂の密着性を高め
る必要が生じてきた。しかしながら、Agメッキと封止樹
脂例えばエポキシ樹脂との密着性が悪く、従来のような
ダイボンド部（１）に全面的にAgメッキを行う方法で
は、その後の熱処理工程で加熱する際にAgメッキとエポ
キシ樹脂との界面において、樹脂が吸収した水分が爆発
して剥離（隙間）を生じたり、その水分の進路となって
クラック（亀裂）を生じたりするため、封止樹脂とリー
ドフレームとの密着性の劣化を来す。このためダイボン
ド部（１）及びリード導出部（３）にAgめっきを行わな
い方法が試みられている。この場合、Agメッキはリード
先端部（５）のみに行い、ダイボンド用には部分的にAg
ペーストを盛って、150℃程度の加熱を約１時間行っ
て、半導体ペレットの接着を行う。リードフレームは、
例えば銅合金や鉄ニッケル合金等により成形されて成
り、光反射率が悪いため半導体ペレットとリードフレー
ムとの位置合せは、光反射率の良いリード先端部（５）
のAgメッキ部分を基準として行う。ところが前述したよ
うにリード先端部（５）は微小な歪みや曲がりを生じ易
く検出が安定しない。このため、半導体ペレットの位置
合せ精度が低下し、位置ずれによるリードワイヤ接着不
良や、耐湿性の劣化等の問題が生じ、信頼性及び生産性
の劣化を来す。
なお、上述した例において位置合せを形状パターンの
光学的検出により行う方法については、特開昭63-26544
0号公報にその開示がある。
光学的検出により行う方法については、特開昭63-26544
0号公報にその開示がある。
［考案が解決しようとする課題〕 本考案は、半導体ペレットのダイボンド位置検出工程
において、精度良く検出を行い、半導体装置の信頼性及
び生産性の向上をはかるものである。
において、精度良く検出を行い、半導体装置の信頼性及
び生産性の向上をはかるものである。
本考案による半導体用リードフレームの１実施例の略
線的拡大平面図を第１図に示す。本考案は第１図に示す
ように、半導体ペレットのダイボンド部（１）のコーナ
ー部（２）に、ダイボンド部（１）のリード導出部
（３）から離間した位置に限定的に半導体ペレットのダ
イボンド位置検出用光反射層（４）を設けて成る。
線的拡大平面図を第１図に示す。本考案は第１図に示す
ように、半導体ペレットのダイボンド部（１）のコーナ
ー部（２）に、ダイボンド部（１）のリード導出部
（３）から離間した位置に限定的に半導体ペレットのダ
イボンド位置検出用光反射層（４）を設けて成る。
本考案は上述したように第１図に示すように、ダイボ
ンド部（１）のコーナー部（２）に互いに直交するｘ及
びｙ方向に沿う縁部（4x）（4y）を有するダイボンド位
置検出用光反射層（４）を設けるので、この縁部（4x）
（4y）の位置を光学的に検出することによって、ダイボ
ンド部（１）の位置を検出することができる。従って、
このダイボンド部（１）の所定部に半導体ペレットを持
ち来してこれをダイボンドすれば正確にリード導出を行
うことができ、位置ずれによるリードワイヤ接着不良
や、耐湿性の劣化等の問題が生じることがなく、信頼性
及び生産性の向上をはかることができる。
ンド部（１）のコーナー部（２）に互いに直交するｘ及
びｙ方向に沿う縁部（4x）（4y）を有するダイボンド位
置検出用光反射層（４）を設けるので、この縁部（4x）
（4y）の位置を光学的に検出することによって、ダイボ
ンド部（１）の位置を検出することができる。従って、
このダイボンド部（１）の所定部に半導体ペレットを持
ち来してこれをダイボンドすれば正確にリード導出を行
うことができ、位置ずれによるリードワイヤ接着不良
や、耐湿性の劣化等の問題が生じることがなく、信頼性
及び生産性の向上をはかることができる。
特に、リード導出部（３）に位置検出用光反射層
（４）例えばAgメッキを設けないため、Agメッキが封止
樹脂との界面から外まで延在することがなく、その後の
加熱処理工程においてAgメッキとエポキシ樹脂との界面
に剥離やクラックを生じることによる封止樹脂とリード
フレームとの密着性の劣化を回避することができ、半導
体装置の耐湿性の向上をはかることができる。
（４）例えばAgメッキを設けないため、Agメッキが封止
樹脂との界面から外まで延在することがなく、その後の
加熱処理工程においてAgメッキとエポキシ樹脂との界面
に剥離やクラックを生じることによる封止樹脂とリード
フレームとの密着性の劣化を回避することができ、半導
体装置の耐湿性の向上をはかることができる。
本考案による半導体用リードフレームの１実施例を、
第１図を参照して詳細に説明する。
第１図を参照して詳細に説明する。
第１図に示すように、金属板ないしは金属箔を打ち抜
きプレス或はパターンエッチング等によって所要のパタ
ーンのリードフレーム（10）を得る。このリードフレー
ム（10）は、例えば第１図中鎖線ａで示す位置に半導体
ペレット例えばIC（半導体集積回路）ペレットをダイボ
ンドするダイボンド部（１）と例えばその相対向する辺
の中央から一方向例えばｘ方向に延びるリード導出部
（３）とこのダイボンド部（１）を囲んで、ダイボンド
部（１）上にボンディングされる半導体ペレット上の外
部リード導出電極に、金（Au）線等のリードワイヤ（図
示せず）によって接続される複数のリード（６）のリー
ド先端部（５）が配置されて成り、ダイボンド部（１）
がリード導出部（３）の外端及びリード部（６）の外端
がそれぞれ枠体（７）に連結されて、全体として機械的
に一体化されて成る。
きプレス或はパターンエッチング等によって所要のパタ
ーンのリードフレーム（10）を得る。このリードフレー
ム（10）は、例えば第１図中鎖線ａで示す位置に半導体
ペレット例えばIC（半導体集積回路）ペレットをダイボ
ンドするダイボンド部（１）と例えばその相対向する辺
の中央から一方向例えばｘ方向に延びるリード導出部
（３）とこのダイボンド部（１）を囲んで、ダイボンド
部（１）上にボンディングされる半導体ペレット上の外
部リード導出電極に、金（Au）線等のリードワイヤ（図
示せず）によって接続される複数のリード（６）のリー
ド先端部（５）が配置されて成り、ダイボンド部（１）
がリード導出部（３）の外端及びリード部（６）の外端
がそれぞれ枠体（７）に連結されて、全体として機械的
に一体化されて成る。
そしてダイボンド部（１）の例えば１のコーナー部
（２）と、リードワイヤを接着する各リード（６）の各
リード先端部（５）とに、例えばAgメッキを限定的に行
って、ダイボンド部（１）のコーナー部（２）にAgメッ
キによる位置検出用光反射層（４）を形成する。
（２）と、リードワイヤを接着する各リード（６）の各
リード先端部（５）とに、例えばAgメッキを限定的に行
って、ダイボンド部（１）のコーナー部（２）にAgメッ
キによる位置検出用光反射層（４）を形成する。
このような構成によればリードフレーム（10）のコー
ナー部（２）に形成された光反射層（４）は、例えば互
いに直交する縁部（4x）及び（4y）を有する。
ナー部（２）に形成された光反射層（４）は、例えば互
いに直交する縁部（4x）及び（4y）を有する。
このリードフレーム（10）にまず半導体チップのダイ
ボンドを行う。このダイボンドに当たっては、光反射層
（４）の縁部（4x）及び（4y）を光学的に光反射層
（４）他部との光反射率の差によってその位置を検出し
て、ダイボンド部（１）の位置を正確に検知して所定の
半導体ペレットのダイボンド位置ａに半導体ペレットを
配置し、例えばあらかじめダイボンド（１）上に盛った
Agペーストによってダイボンドする。そして半導体ペレ
ット上のリード導出を行うべき電極と対応するリード
（６）のリード先端部（５）をAu線等のリードワイヤを
もって電気的接続を行う。その後半導体ペレットとリー
ドワイヤを含んでダイボンド部（１）とその周囲のリー
ド先端部（５）を覆って樹脂モールドを施す。
ボンドを行う。このダイボンドに当たっては、光反射層
（４）の縁部（4x）及び（4y）を光学的に光反射層
（４）他部との光反射率の差によってその位置を検出し
て、ダイボンド部（１）の位置を正確に検知して所定の
半導体ペレットのダイボンド位置ａに半導体ペレットを
配置し、例えばあらかじめダイボンド（１）上に盛った
Agペーストによってダイボンドする。そして半導体ペレ
ット上のリード導出を行うべき電極と対応するリード
（６）のリード先端部（５）をAu線等のリードワイヤを
もって電気的接続を行う。その後半導体ペレットとリー
ドワイヤを含んでダイボンド部（１）とその周囲のリー
ド先端部（５）を覆って樹脂モールドを施す。
この場合、リード先端部（５）のAgメッキ部が樹脂に
よって覆われている部分の外周にまで及ぶことがないよ
うに、リード先端部（５）におけるAgメッキの位置と樹
脂をモールドの厚さ輪郭形状等を選定する。その後、枠
体（７）を鎖線ｂで示す位置で切断排除して各リード導
出部（３）及びリード（５）を電気的に分離する。この
ようにすれば、樹脂モードルによって全体が機械的に一
体に保持され、半導体ペレットと各リード先端部（５）
への接続部が外部と気密的に遮断された半導体装置を得
ることができる。
よって覆われている部分の外周にまで及ぶことがないよ
うに、リード先端部（５）におけるAgメッキの位置と樹
脂をモールドの厚さ輪郭形状等を選定する。その後、枠
体（７）を鎖線ｂで示す位置で切断排除して各リード導
出部（３）及びリード（５）を電気的に分離する。この
ようにすれば、樹脂モードルによって全体が機械的に一
体に保持され、半導体ペレットと各リード先端部（５）
への接続部が外部と気密的に遮断された半導体装置を得
ることができる。
そしてこのように構成された半導体装置は、位置合せ
用光反射層（４）例えばAgメッキを設けることにより、
正確にリードの導出を行うことができ、さらに、樹脂に
よって包囲された部分とリード部との間に渡ってAgメッ
キ部を設けないことにより、Agメッキが樹脂との界面か
ら外までのびることがなく、封止樹脂とリードフレーム
との密着性の劣化を回避することができ、耐湿性に優れ
た半導体装置を得ることができる。
用光反射層（４）例えばAgメッキを設けることにより、
正確にリードの導出を行うことができ、さらに、樹脂に
よって包囲された部分とリード部との間に渡ってAgメッ
キ部を設けないことにより、Agメッキが樹脂との界面か
ら外までのびることがなく、封止樹脂とリードフレーム
との密着性の劣化を回避することができ、耐湿性に優れ
た半導体装置を得ることができる。
本考案は上述したように第１図に示すように、ダイボ
ンド部（１）のコーナー部（２）に互いに直交するｘ及
びｙ方向に沿う縁部（4x）（4y）を有するダイボンド位
置検出用光反射層（４）を設けるので、この縁部（4x）
（4y）の位置を光学的に検出することによって、ダイボ
ンド部（１）の位置を検出することができる。従って、
このダイボンド部（１）の所定部に半導体ペレットを持
ち来してこれをダイボンドすれば正確にリードの導出を
行うことができ、位置ずれによるリードワイヤ接着不良
や、耐湿性の劣化等の問題が生じることがなく、信頼性
及び生産性の向上をはかることができる。
ンド部（１）のコーナー部（２）に互いに直交するｘ及
びｙ方向に沿う縁部（4x）（4y）を有するダイボンド位
置検出用光反射層（４）を設けるので、この縁部（4x）
（4y）の位置を光学的に検出することによって、ダイボ
ンド部（１）の位置を検出することができる。従って、
このダイボンド部（１）の所定部に半導体ペレットを持
ち来してこれをダイボンドすれば正確にリードの導出を
行うことができ、位置ずれによるリードワイヤ接着不良
や、耐湿性の劣化等の問題が生じることがなく、信頼性
及び生産性の向上をはかることができる。
特に、リード導出部（３）に位置検出用光反射層
（４）例えばAgメッキを設けないため、Agメッキが封止
樹脂との界面から外まで延在することがなく、その後の
加熱処理工程においてAgメッキとエポキシ樹脂との界面
に剥離やクラックを生じることによる封止樹脂とリード
フレームとの密着性の劣化を回避することができ、半導
体装置の耐湿性の向上をはかることができる。
（４）例えばAgメッキを設けないため、Agメッキが封止
樹脂との界面から外まで延在することがなく、その後の
加熱処理工程においてAgメッキとエポキシ樹脂との界面
に剥離やクラックを生じることによる封止樹脂とリード
フレームとの密着性の劣化を回避することができ、半導
体装置の耐湿性の向上をはかることができる。
第１図は本考案による半導体用リードフレームの１実施
例における略線的拡大平面図、第２図は従来の半導体用
リードフレームの略線的拡大平面図である。 （１）はダイボンド部、（２）はコーナー部、（３）は
リード導出部、（４）は位置検出用光反射層、（4x）及
び（4y）は縁部、（５）はリード先端部、（６）はリー
ド、（７）は枠体、（10）はリードフレームである。
例における略線的拡大平面図、第２図は従来の半導体用
リードフレームの略線的拡大平面図である。 （１）はダイボンド部、（２）はコーナー部、（３）は
リード導出部、（４）は位置検出用光反射層、（4x）及
び（4y）は縁部、（５）はリード先端部、（６）はリー
ド、（７）は枠体、（10）はリードフレームである。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ペレットのダイボンド部のコーナー
部に、上記ダイボンド部のリード導出部から離間した位
置に限定的に半導体ペレットのダイボンド位置検出用光
反射層を設けて成る半導体用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12769789U JPH083016Y2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12769789U JPH083016Y2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365242U JPH0365242U (ja) | 1991-06-25 |
| JPH083016Y2 true JPH083016Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31675444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12769789U Expired - Fee Related JPH083016Y2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 半導体用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083016Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032899A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP12769789U patent/JPH083016Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365242U (ja) | 1991-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |