JP2009032899A

JP2009032899A - 半導体装置

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Publication number: JP2009032899A
Application number: JP2007195417A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Misumi; 和幸三角; Kazushi Hatauchi; 和士畑内
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2007-07-27
Filing date: 2007-07-27
Publication date: 2009-02-12

Abstract

【課題】樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１３の周りに複数のインナーリード１４が設けられている。ダイパッド１３と複数のインナーリード１４との間に、ＧＮＤリング１６が設けられている。ＧＮＤリング１６は、ＧＮＤリング１６よりも外側へ延在する吊りリード１８と接続されている。複数のインナーリード１４の先端部の上面及びＧＮＤリング１６の上面に銀めっき１９が形成されている。ダイパッド１３上に搭載された半導体チップ２１上の複数のパッド２２は、複数の金ワイヤ２３により、複数のインナーリード１４及びＧＮＤリング１６の銀めっき１９が形成された部分にそれぞれ接続されている。半導体チップ２１等はモールド樹脂１１により封止されている。ＧＮＤリング１６上において、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４の近傍に銀めっき１９が形成されていない非めっき領域２５が存在する。
【選択図】図４

Description

本発明は、ダイパッドと複数のインナーリードとの間に導体リングが設けられた半導体装置に関し、特に樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置に関するものである。

ダイパッドと複数のインナーリードとの間に、接地されたＧＮＤリングが設けられた半導体装置が用いられている。ＧＮＤリングは、ＧＮＤリングよりも外側へ延在する吊りリードと接続されている。このような半導体装置では、ダイパッド上に搭載された半導体チップのどこからでも共通のＧＮＤに接続することができるため、ノイズを低減することができる。

ＧＮＤリングは銅フレームにより形成されるので、金ワイヤとの接合を改善するために表面に銀めっきが形成される。しかし、銀めっきはモールド樹脂との密着性が悪い。そして、ＧＮＤリングと吊りリードの接続部の近傍において、密着性の悪い樹脂とめっきの界面が大きくなる。これにより、剥離が発生するという問題があった。

また、電力を供給する電極リードは他のインナーリードに比べて幅が広い。そして、この電極リードも、金ワイヤとの接合を改善するために表面に銀めっきが形成される。このため、電極リード上において、密着性の悪いモールド樹脂と銀めっきの界面が大きくなり、剥離が発生するという問題があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を得るものである。

本発明の一実施例に係る半導体装置では、導体リング上において、導体リングと吊りリードの接続部の近傍にめっきが形成されていない非めっき領域が存在する。

この実施例によれば、導体リングと吊りリードの接続部の近傍において、密着性の悪い樹脂とめっきの界面が小さくなるため、樹脂の剥離を抑制することができる。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す平面図である。半導体チップ（後述）をモールド樹脂１１で封止したパッケージ本体から複数のアウターリード１２が出ている。

図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。また、図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のパッケージ本体の内部を示す平面図である。

ダイパッド１３の周りに複数のインナーリード１４及び電極リード１５が設けられている。複数のインナーリード１４及び電極リード１５は、それぞれ対応するアウターリード１２に接続されている。ダイパッド１３と複数のインナーリード１４及び電極リード１５との間に、ダイパット１３を取り囲む環状のＧＮＤリング１６（導体リング）が設けられている。ダイパッド１３とＧＮＤリング１６は吊りリード１７により接続されている。また、ＧＮＤリング１６は、ＧＮＤリング１６よりも外側へ延在する吊りリード１８と接続されている。ＧＮＤリング１６は接地される一方、複数のインナーリード１４よりも先端部の幅が広い電極リード１５は、半導体装置外部からの電源電圧を半導体チップ２１へ給電するものとする。

ダイパッド１３、複数のインナーリード１４、電極リード１５及びＧＮＤリング１６は銅フレームにより形成される。そして、複数のインナーリード１４の先端部の上面、電極リード１５の先端部の上面、及びＧＮＤリング１６の上面に銀めっき１９（めっき）が形成されている。

ダイパッド１３上に半導体チップ２１が搭載されている。半導体チップ２１上の複数のパッド２２は、複数の金ワイヤ２３（ワイヤ）により、複数のインナーリード１４、電極リード１５及びＧＮＤリング１６の銀めっき１９が形成された部分にそれぞれ接続されている。

半導体チップ２１、金ワイヤ２３、複数のインナーリード１４、電極リード１５及びＧＮＤリング１６は、モールド樹脂１１（樹脂）により封止されている。ただし、半導体チップ２１の放熱経路を確保するために、ダイパッド１３の下面はモールド樹脂１１から露出している。

図４は、ＧＮＤリングと吊りリードの接続部の近傍を拡大した平面図である。なお、説明を簡単にするため、半導体チップ２１や金ワイヤ２３は省略している。ＧＮＤリング１６上において、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４の近傍に銀めっき１９が形成されていない非めっき領域２５が存在する。ＧＮＤリングと吊りリードの接続部は、吊りリードの対向する２辺が、インナーリード先端との隣接部分から内部方向に伸び、それぞれ反対方向に折れ曲がる点を結んだ直線の部分であり、この実施の形態では、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４は、吊りリード１８の両側辺とＧＮＤリング１６の外周が交差する２点を結んだ直線上に存在する。吊りリード１８の延伸方向における非めっき領域２５の幅αは、接続部２４の一方の端点から吊りリード１８の対向する辺までの幅方向に沿った幅βよりも広い。幅βはそのままパッケージ外周方向に延びる吊りリード１８の幅に相当し、図３に示すようにパッケージ周縁付近を除いてほぼ一定の幅とする。

上記の半導体装置の製造工程について説明する。まず、図５に示すように、ダイパッド１３、複数のインナーリード１４、電極リード１５、ＧＮＤリング１６、及び吊りリード１７，１８を含むリードフレームを形成する。実際には図示される部分が複数個多連に接続されてなるリードフレームが使用されるが、図５では１つのパッケージが形成される部分のみを示すものとする。

次に、図６に示すように、複数のインナーリード１４の先端部の上面、電極リード１５の先端部の上面、及びＧＮＤリング１６の上面に銀めっき１９を形成する。この際に、吊りリード１８と、ＧＮＤリング１６の吊りリード１８の接続部の近傍領域とをそれぞれマスク（不図示）で覆って銀めっき１９が形成されないようにする。また、吊りリード１８よりも太いマスクを用いて、吊りリード１８の幅方向における非めっき領域２５の幅αが吊りリード１８の幅βよりも広くなるようにする（図４）。要するに、ＧＮＤリング１６の一部から接続部を超えて吊りリード１８の少なくとも一部（本実施の形態では吊りリード１８の全体）にかけて銀めっきが形成されない領域ができる。めっき後に、リードフレームの沈めを行う。図７は、図６のＹ−Ｚにおける断面図である。図中の符号Ｓ１，Ｓ２の部分が沈み込み部である。

次に、ダイパッド１３上に半導体チップ２１を搭載し、ワイヤボンディングを行う。そして、半導体チップ２１、金ワイヤ２３、複数のインナーリード１４、電極リード１５及びＧＮＤリング１６をモールド樹脂１１により封止する。以上の工程により本実施の形態に係る半導体装置が製造される。

上記のように、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４の近傍に非めっき領域２５を設けることにより、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４とＧＮＤリング１６の内周との間に形成された銀めっき１９の最小幅Ａは、ＧＮＤリング１６の周辺方向に垂直な方向の幅Ｂよりも小さくなる（図４）。例えば、幅Ｂが０．５ｍｍであるのに対し、幅Ａは０．３ｍｍ以下となる。これにより、ＧＮＤリング１６と吊りリード１８の接続部２４の近傍において、密着性の悪いモールド樹脂１１と銀めっき１９の界面が小さくなるため、樹脂の剥離を抑制することができる。

実施の形態２．
図８は、本発明の実施の形態２に係る電極リードを示す平面図である。電極リード１５の先端は櫛状に枝分かれしている。枝分かれした部分の幅は、それぞれ０．２ｍｍ、０．２０６ｍｍ、０．２ｍｍである。そして、電極リード１５の上面において銀めっき１９は櫛状に枝分かれした部分にのみ形成されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。

これにより、幅の広い電極リード１５上において、密着性の悪いモールド樹脂１１と銀めっき１９の界面が小さくなるため、樹脂の剥離を抑制することができる。

また、図９は、本発明の実施の形態２に係る電極リードの変形例を示す平面図である。枝分かれした部分の幅は、それぞれ０．１５４ｍｍ、０．２１１ｍｍ、０．１５ｍｍである。このように図６の電極リード１５よりも枝分かれした部分の幅を狭くすることで、密着性の悪いモールド樹脂１１と銀めっき１９の界面が更に小さくなり、更に確実に樹脂の剥離を抑制することができる。

実施の形態３．
図１０は、本発明の実施の形態３に係る電極リードを示す平面図である。電極リード１５の上面において銀めっき１９はストライプ状に分離して形成されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。これにより、幅の広い電極リード１５上において、密着性の悪いモールド樹脂１１と銀めっき１９の界面が小さくなるため、樹脂の剥離を抑制することができる。

本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す平面図である。本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。また、本発明の実施の形態１に係る半導体装置のパッケージ本体の内部を示す平面図である。ＧＮＤリングと吊りリードの接続部の近傍を拡大した平面図である。本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造工程を説明するための平面図である。図６のＹ−Ｚにおける断面図である。本発明の実施の形態２に係る電極リードを示す平面図である。本発明の実施の形態２に係る電極リードの変形例を示す平面図である。本発明の実施の形態３に係る電極リードを示す平面図である。

符号の説明

１１モールド樹脂（樹脂）
１３ダイパッド
１４インナーリード
１５電極リード
１６ＧＮＤリング（導体リング）
１８吊りリード
１９銀めっき（めっき）
２１半導体チップ
２３金ワイヤ（ワイヤ）
２４接続部
２５非めっき領域

Claims

ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに設けられた複数のインナーリードと、
前記ダイパッドと前記複数のインナーリードとの間に設けられた導体リングと、
前記導体リングと接続され、前記導体リングよりも外側へ延在する吊りリードと、
前記複数のインナーリードの先端部の上面及び前記導体リングの上面に形成されためっきと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記複数のインナーリード及び前記導体リングの前記めっきが形成された部分と前記半導体チップ上の複数のパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリード、前記導体リング及び前記吊りリードを封止する樹脂とを備え、
前記導体リング上において、前記導体リングと前記吊りリードとの接続部の近傍に前記めっきが形成されていない非めっき領域が存在することを特徴とする半導体装置。
非めっき領域は吊りリードにも達しており、前記吊りリードの幅方向における前記非めっき領域の幅は、前記吊りリードの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに設けられた複数のインナーリードと、
前記ダイパッドと前記複数のインナーリードとの間に設けられた導体リングと、
前記導体リングと接続され、前記導体リングよりも外側へ延在する吊りリードと、
前記複数のインナーリードの先端部の上面及び前記導体リングの上面に形成されためっきと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記複数のインナーリード及び前記導体リングの前記めっきが形成された部分と前記半導体チップ上の複数のパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリード、前記導体リング及び前記吊りリードを封止する樹脂とを備え、
前記導体リングと前記吊りリードの接続部と前記導体リングの内周との間に形成された前記めっきの最小幅は、前記導体リングの幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに設けられた複数のインナーリードと、
前記ダイパッドと前記複数のインナーリードとの間に設けられた導体リングと、
前記導体リングと接続され、前記導体リングよりも外側へ延在する吊りリードと、
前記複数のインナーリードの先端部の上面及び前記導体リングの上面に形成されためっきと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記複数のインナーリード及び前記導体リングの前記めっきが形成された部分と前記半導体チップ上の複数のパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリード、前記導体リング及び前記吊りリードを封止する樹脂とを備え、
前記吊リードにおいて、前記導体リングと前記吊りリードとの接続部からパッケージの外側に向かって延びる部分にかけてめっきは形成されていないことを特徴とする半導体装置。
前記導体リングと前記吊りリードの接続部は、前記吊りリードの両側辺と前記導体リングの外周が交差する２点を結んだ線上に存在することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに設けられた複数のインナーリード及び電極リードと、
前記複数のインナーリードの先端部の上面及び前記電極リードの先端部の上面に形成されためっきと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記複数のインナーリード及び前記電極リードの前記めっきが形成された部分と前記半導体チップ上の複数のパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリード及び前記電極リードを封止する樹脂とを備え、
前記電極リードの先端は櫛状に枝分かれしており、前記電極リードの上面において前記めっきは櫛状に枝分かれした部分にのみ形成されていることを特徴とする半導体装置。
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに設けられた複数のインナーリード及び電極リードと、
前記複数のインナーリードの先端部の上面、及び前記電極リードの先端部の上面に形成されためっきと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記複数のインナーリード及び前記電極リードの前記めっきが形成された部分と前記半導体チップ上の複数のパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記インナーリード及び前記電極リードを封止する樹脂とを備え、
前記電極リードの上面において前記めっきはストライプ状に分離して形成されていることを特徴とする半導体装置。
前記ダイパッドの下面は、前記樹脂から露出していることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体装置。