JP2732991B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレーム上に
絶縁材を介して搭載される半導体素子を有する半導体装
置に関する。
絶縁材を介して搭載される半導体素子を有する半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム上に絶縁材を介して半導
体素子を搭載した半導体装置は従来、例えば図７のよう
に構成されていた。すなわち、銅合金，鉄合金等からな
るリードフレーム１０上に接着剤１１により絶縁性のシ
ート１２が固定され、この絶縁性のシート１２上に接着
剤１３により半導体素子１４が固定され、さらに半導体
素子１４にはワイヤ１５が接続されている。前記絶縁性
のシート１２，半導体素子１４等は樹脂モールドされて
いる。
体素子を搭載した半導体装置は従来、例えば図７のよう
に構成されていた。すなわち、銅合金，鉄合金等からな
るリードフレーム１０上に接着剤１１により絶縁性のシ
ート１２が固定され、この絶縁性のシート１２上に接着
剤１３により半導体素子１４が固定され、さらに半導体
素子１４にはワイヤ１５が接続されている。前記絶縁性
のシート１２，半導体素子１４等は樹脂モールドされて
いる。
【０００３】このような半導体装置は例えば次のように
製造されていた。まず、接着剤１１によって絶縁性のシ
ート１２を接着する。そして絶縁性のシート１２上に接
着剤１３によって半導体素子１４を接着する。さらに半
導体素子１４にワイヤボンドによってワイヤ１５を接続
し、その後樹脂モールドを施す。
製造されていた。まず、接着剤１１によって絶縁性のシ
ート１２を接着する。そして絶縁性のシート１２上に接
着剤１３によって半導体素子１４を接着する。さらに半
導体素子１４にワイヤボンドによってワイヤ１５を接続
し、その後樹脂モールドを施す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記のような
従来の半導体装置の構成であると次のような問題が生じ
ていた。
従来の半導体装置の構成であると次のような問題が生じ
ていた。
【０００５】 半導体素子１４上にワイヤ１５をボン
ディングするとき、ボンディングの熱で絶縁性のシート
１２をリードフレーム１０に固定している接着剤１１や
半導体素子１４を絶縁性のシート１２に固定している接
着剤１３が軟化状態や溶融状態になり、半導体素子１４
の位置がずれてワイヤボンドできなくなってしまうこと
があった。
ディングするとき、ボンディングの熱で絶縁性のシート
１２をリードフレーム１０に固定している接着剤１１や
半導体素子１４を絶縁性のシート１２に固定している接
着剤１３が軟化状態や溶融状態になり、半導体素子１４
の位置がずれてワイヤボンドできなくなってしまうこと
があった。
【０００６】 上記接着剤として熱硬化性の絶縁ペー
ストが用いられることがあるが、接着剤１３にこの絶縁
ペーストを用いた場合、ペーストの塗布量を精度良く制
御することが難しいために、半導体素子のボンディング
エリアにこのペーストが付着し、ワイヤボンドを行えな
くなってしまうことがあった。また熱硬化性のペースト
を用いた場合、接着剤が硬化するために数時間を要し、
その間、半導体素子の組み立て工程を中断しなければな
らず、製造工程に時間が掛かってしまう問題があった。
ストが用いられることがあるが、接着剤１３にこの絶縁
ペーストを用いた場合、ペーストの塗布量を精度良く制
御することが難しいために、半導体素子のボンディング
エリアにこのペーストが付着し、ワイヤボンドを行えな
くなってしまうことがあった。また熱硬化性のペースト
を用いた場合、接着剤が硬化するために数時間を要し、
その間、半導体素子の組み立て工程を中断しなければな
らず、製造工程に時間が掛かってしまう問題があった。
【０００７】 絶縁性のシート１２は摩擦等によって
静電気を帯び、表面にゴミが付着してしまうことがあ
る。このゴミは搭載される半導体素子に悪影響を与える
ことがあり防止しなければならない。したがって絶縁性
のシート１２が静電気を帯びてしまうような取扱いは避
けなければならず、取扱いが面倒になっていた。
静電気を帯び、表面にゴミが付着してしまうことがあ
る。このゴミは搭載される半導体素子に悪影響を与える
ことがあり防止しなければならない。したがって絶縁性
のシート１２が静電気を帯びてしまうような取扱いは避
けなければならず、取扱いが面倒になっていた。
【０００８】 絶縁性のシート上に搭載した半導体素
子１４が発熱性のものである場合、絶縁性のシート１２
を介して放熱を行う必要があるが、一般の絶縁性のシー
トは熱伝導率が低く十分な放熱を行うことができなかっ
た。
子１４が発熱性のものである場合、絶縁性のシート１２
を介して放熱を行う必要があるが、一般の絶縁性のシー
トは熱伝導率が低く十分な放熱を行うことができなかっ
た。
【０００９】この発明の半導体装置は上記の問題に鑑
み、ワイヤボンド時の半導体素子の位置ずれを防止する
こと、製造時間が必要以上に長くなってしまうのを防止
すること、絶縁性のシートの取扱いが容易になること、
および、半導体素子が十分な放熱性を有すること、を目
的としている。
み、ワイヤボンド時の半導体素子の位置ずれを防止する
こと、製造時間が必要以上に長くなってしまうのを防止
すること、絶縁性のシートの取扱いが容易になること、
および、半導体素子が十分な放熱性を有すること、を目
的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置は
リードフレーム上に絶縁性材料を介して半導体素子を搭
載してなる半導体装置であって、前記絶縁性材料を絶縁
層と、この絶縁層の上下に設けられた上面層および下面
層と、の３層構造に構成するとともに、前記上面層およ
び下面層を下記の（ａ）〜（ｃ）のいずれかの層とし、
かつ、前記上面層または下面層の少なくともいずれか一
方を（ａ）または（ｃ）の層としたことを特徴とする。
リードフレーム上に絶縁性材料を介して半導体素子を搭
載してなる半導体装置であって、前記絶縁性材料を絶縁
層と、この絶縁層の上下に設けられた上面層および下面
層と、の３層構造に構成するとともに、前記上面層およ
び下面層を下記の（ａ）〜（ｃ）のいずれかの層とし、
かつ、前記上面層または下面層の少なくともいずれか一
方を（ａ）または（ｃ）の層としたことを特徴とする。
【００１１】（ａ）金属層 （ｂ）ワイヤボンド温度よりも高くかつ半田付け温度よ
りも低い熱変形温度を有する熱可塑性樹脂、または、熱
硬化性樹脂からなる層（以下、非導電性層という） （ｃ）ワイヤボンド温度よりも高くかつ半田付温度より
も低い熱変形温度を有し導電性粒子を含む熱可塑性樹
脂、または、導電性粒子を含む熱硬化性樹脂からなる層
（以下、導電性層という） なお前記絶縁層には放熱用フィラーを含ませてもよい。
りも低い熱変形温度を有する熱可塑性樹脂、または、熱
硬化性樹脂からなる層（以下、非導電性層という） （ｃ）ワイヤボンド温度よりも高くかつ半田付温度より
も低い熱変形温度を有し導電性粒子を含む熱可塑性樹
脂、または、導電性粒子を含む熱硬化性樹脂からなる層
（以下、導電性層という） なお前記絶縁層には放熱用フィラーを含ませてもよい。
【００１２】
【作用】この発明の半導体装置では、リードフレーム上
に半導体素子を絶縁状態で搭載させるための絶縁材料と
して絶縁性のシートがそのままの状態で用いられること
がなく、絶縁性のシート（絶縁層）の上面および下面に
金属層，非導電性層，導電性層のいずれかが形成された
ものが用いられる。
に半導体素子を絶縁状態で搭載させるための絶縁材料と
して絶縁性のシートがそのままの状態で用いられること
がなく、絶縁性のシート（絶縁層）の上面および下面に
金属層，非導電性層，導電性層のいずれかが形成された
ものが用いられる。
【００１３】金属層を設けた場合には、半田を用いるこ
とによって絶縁材料をリードフレームまたは半導体素子
に接続することができる。また非導電性層または導電性
層を設けた場合には例えば他の部分で半田付けが行われ
るときにこの非導電性層または導電性層（に含まれるワ
イヤボンド温度よりも高くかつ半田付け温度よりも低い
熱変形温度を有する熱可塑性樹脂、または、熱硬化性樹
脂）が熱変形を起こして接着性を生じ、絶縁材料をリー
ドフレームまたは半導体素子に接続することができる。
ここで、他の部分で半田付けが行われるとき、とは、例
えば上面層を金属層にして下面層を非導電性層または導
電性層にした場合に金属層の半田付けを行うとき、等で
あってこのような場合には金属層の半田付けを行うとき
に同時に非導電性層の接着が行われる。また、熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂からなる層を設けた場合には、
加熱等の処理をするだけで接着が行われる。このとき、
熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂は予め絶縁層の上面または
下面に設けられているため、製造工程時には塗布等の処
理（従来、熱硬化性樹脂の場合にはペースト状であった
ため、製造工程時に塗布する必要があった）を行う必要
がない。
とによって絶縁材料をリードフレームまたは半導体素子
に接続することができる。また非導電性層または導電性
層を設けた場合には例えば他の部分で半田付けが行われ
るときにこの非導電性層または導電性層（に含まれるワ
イヤボンド温度よりも高くかつ半田付け温度よりも低い
熱変形温度を有する熱可塑性樹脂、または、熱硬化性樹
脂）が熱変形を起こして接着性を生じ、絶縁材料をリー
ドフレームまたは半導体素子に接続することができる。
ここで、他の部分で半田付けが行われるとき、とは、例
えば上面層を金属層にして下面層を非導電性層または導
電性層にした場合に金属層の半田付けを行うとき、等で
あってこのような場合には金属層の半田付けを行うとき
に同時に非導電性層の接着が行われる。また、熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂からなる層を設けた場合には、
加熱等の処理をするだけで接着が行われる。このとき、
熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂は予め絶縁層の上面または
下面に設けられているため、製造工程時には塗布等の処
理（従来、熱硬化性樹脂の場合にはペースト状であった
ため、製造工程時に塗布する必要があった）を行う必要
がない。
【００１４】また、半田またはワイヤボンド温度よりも
高くかつ半田付け温度よりも低い熱変形温度を有する熱
可塑性樹脂、または、熱硬化性樹脂で、リードフレーム
と絶縁性材料、半導体素子と絶縁性材料とが接着される
が、これらの接着を行うための材料が変形を起こす温度
は、ワイヤボンドの温度よりも高くなっている。このた
めワイヤボンドのときにそれらの層（熱可塑性樹脂，熱
硬化性樹脂）が変形してしまうことはない。なおこれは
例えば、半田付けには例えば溶融温度が３００℃程度の
ものを用い、ワイヤボンドを２００℃程度で行い、熱可
塑性樹脂の変形温度が２５０℃程度のものを用いること
によって実施することが可能である。
高くかつ半田付け温度よりも低い熱変形温度を有する熱
可塑性樹脂、または、熱硬化性樹脂で、リードフレーム
と絶縁性材料、半導体素子と絶縁性材料とが接着される
が、これらの接着を行うための材料が変形を起こす温度
は、ワイヤボンドの温度よりも高くなっている。このた
めワイヤボンドのときにそれらの層（熱可塑性樹脂，熱
硬化性樹脂）が変形してしまうことはない。なおこれは
例えば、半田付けには例えば溶融温度が３００℃程度の
ものを用い、ワイヤボンドを２００℃程度で行い、熱可
塑性樹脂の変形温度が２５０℃程度のものを用いること
によって実施することが可能である。
【００１５】また本発明では絶縁層の両面に設けられた
上面層，下面層の少なくともいずれか一方を金属層また
は導電性層としている。金属層，導電性層は静電気を帯
びてしまうことがない。このため例えば絶縁性材料をリ
ール状にして引出しながらリードフレーム上にセットし
てゆく場合でも、絶縁性の層どうしが擦れ合ってしまう
ことがなく、引出し時に絶縁性材料が静電気を帯びてし
まうということがなく、ゴミ等の付着を防止できる。
上面層，下面層の少なくともいずれか一方を金属層また
は導電性層としている。金属層，導電性層は静電気を帯
びてしまうことがない。このため例えば絶縁性材料をリ
ール状にして引出しながらリードフレーム上にセットし
てゆく場合でも、絶縁性の層どうしが擦れ合ってしまう
ことがなく、引出し時に絶縁性材料が静電気を帯びてし
まうということがなく、ゴミ等の付着を防止できる。
【００１６】また請求項２に示したように絶縁性材料の
絶縁層に放熱用フィラーを混入させた場合、この放熱用
フィラーが熱伝導を助けるので放熱性が向上する。
絶縁層に放熱用フィラーを混入させた場合、この放熱用
フィラーが熱伝導を助けるので放熱性が向上する。
【００１７】
【実施例】図１（Ａ），（Ｂ）はこの発明の実施例に係
る半導体装置の平面図，側面図である。
る半導体装置の平面図，側面図である。
【００１８】リードフレーム１上には電力半導体素子２
が半田を介して搭載されるとともに、制御素子（半導体
素子）３が絶縁性材料４を介して搭載されている。半導
体素子２−３間、半導体素子２−リードフレーム１間、
および半導体素子３−リードフレーム１間はワイヤ５に
よって電気的に接続されている。さらに、リードフレー
ム1 の一部、および半導体素子２，３はモールド樹脂６
によってモールドされている。
が半田を介して搭載されるとともに、制御素子（半導体
素子）３が絶縁性材料４を介して搭載されている。半導
体素子２−３間、半導体素子２−リードフレーム１間、
および半導体素子３−リードフレーム１間はワイヤ５に
よって電気的に接続されている。さらに、リードフレー
ム1 の一部、および半導体素子２，３はモールド樹脂６
によってモールドされている。
【００１９】絶縁性材料４は真ん中に絶縁層を有する３
層構造のものである。図２は絶縁性材料の断面構成例を
示している。絶縁性材料４は絶縁層４１と、その上面に
上面層４２、下面に下面層４３を有するものである。絶
縁層４１は例えば、ポリイミド等の耐熱性を有する材料
からなる。絶縁層４１には、絶縁性フィラー、例えば熔
融シリカや結晶シリカ等のフィラーを混入させてもよ
い。上面層４２と下面層４３とは、金属層，非導電性
層，導電性層の３種類を組み合わせた構成のものが用い
られ、上面層，下面層の少なくともいずれか一方が金属
層または導電性層になっている。したがってこの組み合
わせは次の〜のいずれかになる。
層構造のものである。図２は絶縁性材料の断面構成例を
示している。絶縁性材料４は絶縁層４１と、その上面に
上面層４２、下面に下面層４３を有するものである。絶
縁層４１は例えば、ポリイミド等の耐熱性を有する材料
からなる。絶縁層４１には、絶縁性フィラー、例えば熔
融シリカや結晶シリカ等のフィラーを混入させてもよ
い。上面層４２と下面層４３とは、金属層，非導電性
層，導電性層の３種類を組み合わせた構成のものが用い
られ、上面層，下面層の少なくともいずれか一方が金属
層または導電性層になっている。したがってこの組み合
わせは次の〜のいずれかになる。
【００２０】金属層−絶縁層−金属層 金属層−絶縁層−非導電性層 金属層−絶縁層−導電性層 非導電性層−絶縁層−導電性層 導電性層−絶縁層−導電性層 金属層は例えば蒸着処理によって絶縁層４１の表面に成
膜される。導電性層は、層中に導電性の粒子を混入させ
たものであり、層自体は熱可塑性樹脂または熱硬化性樹
脂で構成されている。導電性層の母体に熱可塑性樹脂を
用いる場合、この熱可塑性樹脂には、その熱変形温度が
ワイヤボンド温度よりも高く、半田付け温度よりも低い
ものが用いられる。例えば２００℃程度でワイヤボンド
が行われ、３００℃程度で半田付けが行われる場合、そ
の間の温度、例えば２５０℃程度で熱変形される公知の
熱可塑性樹脂が用いられる。また導電性層の母体に熱硬
化性樹脂を用いる場合、硬化速度が速い公知の熱硬化性
樹脂が用いられる。また非導電性層は、導電性層に対し
て導電性粒子を混入しない構成のものである。
膜される。導電性層は、層中に導電性の粒子を混入させ
たものであり、層自体は熱可塑性樹脂または熱硬化性樹
脂で構成されている。導電性層の母体に熱可塑性樹脂を
用いる場合、この熱可塑性樹脂には、その熱変形温度が
ワイヤボンド温度よりも高く、半田付け温度よりも低い
ものが用いられる。例えば２００℃程度でワイヤボンド
が行われ、３００℃程度で半田付けが行われる場合、そ
の間の温度、例えば２５０℃程度で熱変形される公知の
熱可塑性樹脂が用いられる。また導電性層の母体に熱硬
化性樹脂を用いる場合、硬化速度が速い公知の熱硬化性
樹脂が用いられる。また非導電性層は、導電性層に対し
て導電性粒子を混入しない構成のものである。
【００２１】上記の〜の絶縁性材料を用いて半導体
装置を製造する場合の製造の手順を説明する。図３〜図
６は絶縁材料を用いて半導体素子を搭載した状態を示し
た図であり、図１（Ｂ）中Ａで示した部分の拡大図であ
る。
装置を製造する場合の製造の手順を説明する。図３〜図
６は絶縁材料を用いて半導体素子を搭載した状態を示し
た図であり、図１（Ｂ）中Ａで示した部分の拡大図であ
る。
【００２２】＜実施例１＞の絶縁性材料を用いる場
合、図３に示したように半田７によってリードフレーム
１−絶縁性材料４間、絶縁性材料４−半導体素子３間の
接着を行う。まず、リードフレーム１を加熱し、リード
フレーム１上で半田ペレット（７）を熔融させる。これ
に絶縁性材料４を載せて半田付けし、さらに加熱状態を
維持しながら絶縁材料４上に半田ペレットを載せて熔融
させ、半導体素子３を半田付けする。
合、図３に示したように半田７によってリードフレーム
１−絶縁性材料４間、絶縁性材料４−半導体素子３間の
接着を行う。まず、リードフレーム１を加熱し、リード
フレーム１上で半田ペレット（７）を熔融させる。これ
に絶縁性材料４を載せて半田付けし、さらに加熱状態を
維持しながら絶縁材料４上に半田ペレットを載せて熔融
させ、半導体素子３を半田付けする。
【００２３】さらにリードフレーム１の温度を下げ（２
００℃程度）ワイヤボンドを行う。
００℃程度）ワイヤボンドを行う。
【００２４】＜実施例２＞またはの絶縁性材料を用
いる場合、金属層を下面にするか非導電性層，導電性層
を下面にするかで製造方法が変わる。まず金属層を下面
にする場合には、図４に示したように半田７によってリ
ードフレーム１−絶縁材料４間を接着し、絶縁材料４−
半導体素子３間は非導電性層４ｂまたは導電性層４ｃに
よって接着する。まず図３の場合と同様にリードフレー
ム１を加熱して半田ペレット（７）を熔融させ、絶縁材
料４を半田付けする。加熱状態（半田付け温度）を維持
しながら絶縁性材料４上に半導体素子３を搭載する。す
ると、絶縁材料４の上面層である非導電性層４ｂまたは
導電性層４ｃが溶融または軟化状態になって半導体素子
３が接着される。この後リードフレームの温度を下げて
（２００℃程度）ワイヤボンドを行う。
いる場合、金属層を下面にするか非導電性層，導電性層
を下面にするかで製造方法が変わる。まず金属層を下面
にする場合には、図４に示したように半田７によってリ
ードフレーム１−絶縁材料４間を接着し、絶縁材料４−
半導体素子３間は非導電性層４ｂまたは導電性層４ｃに
よって接着する。まず図３の場合と同様にリードフレー
ム１を加熱して半田ペレット（７）を熔融させ、絶縁材
料４を半田付けする。加熱状態（半田付け温度）を維持
しながら絶縁性材料４上に半導体素子３を搭載する。す
ると、絶縁材料４の上面層である非導電性層４ｂまたは
導電性層４ｃが溶融または軟化状態になって半導体素子
３が接着される。この後リードフレームの温度を下げて
（２００℃程度）ワイヤボンドを行う。
【００２５】＜実施例３＞またはの絶縁性材料を用
いる場合で非導電性層や導電性層を下面にする場合には
次のように半導体装置が製造される。図５に示したよう
にリードフレーム１−絶縁材料４間は非導電性層４ｂま
たは導電性層４ｃによって接着され、絶縁性材料４−半
導体装置３間は半田付けによって接着される。まず、リ
ードフレーム１が加熱され、絶縁性材料４が載せられ
る。すると非導電性層４ｂまたは導電性層４ｃが溶融ま
たは軟化状態になり、絶縁性材料４がリードフレーム１
上に接着される。さらに加熱状態を維持しながら、絶縁
性材料４上に半田ペレットを載せて熔融させ、半導体素
子３をセットして固定させる。次にリードフレーム１の
温度を下げてワイヤボンドを行う。
いる場合で非導電性層や導電性層を下面にする場合には
次のように半導体装置が製造される。図５に示したよう
にリードフレーム１−絶縁材料４間は非導電性層４ｂま
たは導電性層４ｃによって接着され、絶縁性材料４−半
導体装置３間は半田付けによって接着される。まず、リ
ードフレーム１が加熱され、絶縁性材料４が載せられ
る。すると非導電性層４ｂまたは導電性層４ｃが溶融ま
たは軟化状態になり、絶縁性材料４がリードフレーム１
上に接着される。さらに加熱状態を維持しながら、絶縁
性材料４上に半田ペレットを載せて熔融させ、半導体素
子３をセットして固定させる。次にリードフレーム１の
温度を下げてワイヤボンドを行う。
【００２６】＜実施例４＞またはの絶縁性材料を用
いる場合には同様の工程で接着がされる。図６はまた
はの絶縁性材料を用いた場合の構成を示している。ま
ずリードフレーム１を加熱し、絶縁性材料４を載せる。
すると絶縁性材料４の下面層（非導電性層または導電性
層）が溶融または軟化状態になり、絶縁性材料４がリー
ドフレーム１上に接着される。引き続き加熱を続けなが
ら絶縁性材料４上に半導体素子３を載置すると、上面層
（非導電層または導電性層）が溶融または軟化状態にな
り、上面層４２上に半導体素子３が接着される。この後
温度を下げてワイヤボンドが行われる。
いる場合には同様の工程で接着がされる。図６はまた
はの絶縁性材料を用いた場合の構成を示している。ま
ずリードフレーム１を加熱し、絶縁性材料４を載せる。
すると絶縁性材料４の下面層（非導電性層または導電性
層）が溶融または軟化状態になり、絶縁性材料４がリー
ドフレーム１上に接着される。引き続き加熱を続けなが
ら絶縁性材料４上に半導体素子３を載置すると、上面層
（非導電層または導電性層）が溶融または軟化状態にな
り、上面層４２上に半導体素子３が接着される。この後
温度を下げてワイヤボンドが行われる。
【００２７】以上のようにしてリードフレーム１上に絶
縁性材料４を介して半導体素子３が接着される。このよ
うな製造を行う場合、絶縁性材料４はリールに巻回し
て、必要量づつ引き出してカットして用いることができ
る。本実施例の絶縁性材料４は、少なくとも片面が金属
層または導電性粒子を含む樹脂で構成されている。この
ため、リール状に巻回した場合に絶縁性材料どうしが摩
擦しあっても表面が静電気を帯びてしまうことがない。
そのため、リール状にして用いることができ、絶縁性材
料４の取扱いが容易になる。
縁性材料４を介して半導体素子３が接着される。このよ
うな製造を行う場合、絶縁性材料４はリールに巻回し
て、必要量づつ引き出してカットして用いることができ
る。本実施例の絶縁性材料４は、少なくとも片面が金属
層または導電性粒子を含む樹脂で構成されている。この
ため、リール状に巻回した場合に絶縁性材料どうしが摩
擦しあっても表面が静電気を帯びてしまうことがない。
そのため、リール状にして用いることができ、絶縁性材
料４の取扱いが容易になる。
【００２８】また、上面層や下面層が金属であったり導
電性粒子を含む場合、特に両方が含む場合（，の導
電性材料）には金属や導電性粒子が熱を効率良く伝達す
るため半導体素子３で発生した熱を素早くリードフレー
ム１に伝え、効率良く放熱を行うことができる利点があ
る。
電性粒子を含む場合、特に両方が含む場合（，の導
電性材料）には金属や導電性粒子が熱を効率良く伝達す
るため半導体素子３で発生した熱を素早くリードフレー
ム１に伝え、効率良く放熱を行うことができる利点があ
る。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば以下のような効果を奏
する。
する。
【００３０】リードフレームと絶縁性材料、絶縁性材
料と半導体素子とが、半田または絶縁性材料の上面層，
下面層を構成する熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂で接着さ
れ、ワイヤボンド時の処理温度よりもこれらの接着層の
熱変形温度が高いため、ワイヤボンド時の半導体素子の
位置ずれが生じることがない。
料と半導体素子とが、半田または絶縁性材料の上面層，
下面層を構成する熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂で接着さ
れ、ワイヤボンド時の処理温度よりもこれらの接着層の
熱変形温度が高いため、ワイヤボンド時の半導体素子の
位置ずれが生じることがない。
【００３１】樹脂接着の場合、絶縁性材料に設けられ
た熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂を用いて行われるため、
ペースト状の接着剤を用いる必要がなく、接着処理が簡
単で、処理時間を短縮することができるとともに、ペー
スト状の接着剤が不要になるため、材料コストおよび製
造コストが安価になる。
た熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂を用いて行われるため、
ペースト状の接着剤を用いる必要がなく、接着処理が簡
単で、処理時間を短縮することができるとともに、ペー
スト状の接着剤が不要になるため、材料コストおよび製
造コストが安価になる。
【００３２】絶縁性材料の少なくとも一面は金属また
は導電性層であるため、絶縁性材料をロール状にして絶
縁性材料が擦りあった場合にも静電気を帯びてしまうこ
とがなく、絶縁性材料をロール状にできるので絶縁性材
料の取扱いが容易になる。
は導電性層であるため、絶縁性材料をロール状にして絶
縁性材料が擦りあった場合にも静電気を帯びてしまうこ
とがなく、絶縁性材料をロール状にできるので絶縁性材
料の取扱いが容易になる。
【００３３】請求項２に示したように絶縁層に絶縁性
フィラーを混入させた場合には、絶縁性を維持しながら
優れた放熱性を有する半導体装置を提供できる。
フィラーを混入させた場合には、絶縁性を維持しながら
優れた放熱性を有する半導体装置を提供できる。
【図１】半導体装置の構成を示した図であり、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は側面図
平面図、（Ｂ）は側面図
【図２】絶縁性材料の構成を示した断面図
【図３】実施例に係る半導体装置（モールド無し）の構
成例を示した図
成例を示した図
【図４】他の半導体装置（モールド無し）の構成例を示
した図
した図
【図５】他の半導体装置（モールド無し）の構成例を示
した図
した図
【図６】他の半導体装置（モールド無し）の構成例を示
した図
した図
【図７】従来の半導体装置（モールド無し）の構成例を
示した図
示した図
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレーム上に絶縁性材料を介して半
導体素子を搭載してなる半導体装置であって、 前記絶縁性材料を絶縁層と、この絶縁層の上下に設けら
れた上面層および下面層と、の３層構造に構成するとと
もに、前記上面層および下面層を下記の（ａ）〜（ｃ）
のいずれかの層とし、かつ、前記上面層または下面層の
少なくともいずれか一方を（ａ）または（ｃ）の層とし
たことを特徴とする半導体装置。 （ａ）金属層 （ｂ）ワイヤボンド温度よりも高くかつ半田付温度より
も低い熱変形温度を有する熱可塑性樹脂、または、熱硬
化性樹脂からなる層 （ｃ）ワイヤボンド温度よりも高くかつ半田付温度より
も低い熱変形温度を有し導電性粒子を含む熱可塑性樹
脂、または、導電性粒子を含む熱硬化性樹脂からなる層 - 【請求項２】前記絶縁層が放熱用フィラーを含む層であ
る請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249090A JP2732991B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249090A JP2732991B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104299A JPH06104299A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2732991B2 true JP2732991B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17187840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249090A Expired - Fee Related JP2732991B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732991B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249090A patent/JP2732991B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104299A (ja) | 1994-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |