JPH05121603A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH05121603A JPH05121603A JP28256191A JP28256191A JPH05121603A JP H05121603 A JPH05121603 A JP H05121603A JP 28256191 A JP28256191 A JP 28256191A JP 28256191 A JP28256191 A JP 28256191A JP H05121603 A JPH05121603 A JP H05121603A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱的かつ機械的に信頼性の高い混成集積回路
装置を提供する。 【構成】 半導体装置が配設された基板と伝熱板、半導
体装置と伝熱板、または伝熱板相互の間の接着剤層の最
大厚みを接着面にわたって一様にするために、例えば表
面突起、凹部、メッシュ状シート、スペーサを伝熱板表
面上に設けた。 【効果】 良好な伝熱特性と接着層の機械的強度が得ら
れ、装置の信頼性が向上する。
装置を提供する。 【構成】 半導体装置が配設された基板と伝熱板、半導
体装置と伝熱板、または伝熱板相互の間の接着剤層の最
大厚みを接着面にわたって一様にするために、例えば表
面突起、凹部、メッシュ状シート、スペーサを伝熱板表
面上に設けた。 【効果】 良好な伝熱特性と接着層の機械的強度が得ら
れ、装置の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は伝熱特性を良好にしつ
つ接着強さを確保した混成集積回路装置に関するもので
ある。
つ接着強さを確保した混成集積回路装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図14は従来のパワー用の混成集積回路装
置の側面図である。混成集積回路装置は通常多種の半導
体素子がマウントされているが、ここでは代表的な発熱
素子であるパワートランジスタがマウントされたパワー
用の混成集積回路装置を例としている。１は発熱体であ
るパワートランジスタ、２はパワー用混成集積回路の基
板、３は基板２からの伝熱を冷却する伝熱板、すなわち
放熱板、４は基板２と放熱板３とを接着する接着剤、５
ははんだで、パワートランジスタ１の電極と基板２の回
路とを接続している。６はリード線である。図15は従来
のパワー用の混成集積回路装置の平面図であり、パワー
トランジスタ１、基板２等を取り除き、接着剤４および
放熱板３のみ示されている。
置の側面図である。混成集積回路装置は通常多種の半導
体素子がマウントされているが、ここでは代表的な発熱
素子であるパワートランジスタがマウントされたパワー
用の混成集積回路装置を例としている。１は発熱体であ
るパワートランジスタ、２はパワー用混成集積回路の基
板、３は基板２からの伝熱を冷却する伝熱板、すなわち
放熱板、４は基板２と放熱板３とを接着する接着剤、５
ははんだで、パワートランジスタ１の電極と基板２の回
路とを接続している。６はリード線である。図15は従来
のパワー用の混成集積回路装置の平面図であり、パワー
トランジスタ１、基板２等を取り除き、接着剤４および
放熱板３のみ示されている。
【０００３】次に動作について説明する。一般にパワー
トランジスタ１のような発熱を伴う素子を使用した混成
集積回路装置では、放熱性を良くするために、混成集積
回路の基板２を放熱板３に接着剤４で接着し、素子の発
熱を基板２を介して放熱板３により放熱し、素子の電気
的特性の劣化を防止している。この放熱板３と基板２と
の接着方法は、放熱板３上に接着剤４を塗布し接着剤４
上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに押圧力を加
え、乾燥させる。この放熱板３と基板２との間の接着剤
４の層厚みが厚すぎると伝熱効果が低下し、薄いと接着
層の機械的強度が低下するので、上記押圧力を調整して
良好な伝熱性を保ちつつ接着力が充分得られるように接
着剤４の層厚みを適切にすることが大切である。
トランジスタ１のような発熱を伴う素子を使用した混成
集積回路装置では、放熱性を良くするために、混成集積
回路の基板２を放熱板３に接着剤４で接着し、素子の発
熱を基板２を介して放熱板３により放熱し、素子の電気
的特性の劣化を防止している。この放熱板３と基板２と
の接着方法は、放熱板３上に接着剤４を塗布し接着剤４
上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに押圧力を加
え、乾燥させる。この放熱板３と基板２との間の接着剤
４の層厚みが厚すぎると伝熱効果が低下し、薄いと接着
層の機械的強度が低下するので、上記押圧力を調整して
良好な伝熱性を保ちつつ接着力が充分得られるように接
着剤４の層厚みを適切にすることが大切である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の混成集積回路装
置は以上の様に構成され、また製造されているので、基
板２と放熱板３とを接着するとき、押圧力を微妙に調整
せねば接着剤層厚みが一定せず、その上環境条件の変動
によっても接着剤層厚みが変動し、このため接着剤層厚
みを一定にすることが困難で、素子の伝熱効果と接着層
の機械的強度とのバランスが取れない。すなわち、接着
剤厚みが厚すぎると、熱抵抗が大きくなり、基板２の熱
が放熱板３に伝わり難く放熱板３の放熱効果が低下し、
これに反して、接着剤厚みが薄すぎると、放熱板３と基
板２の熱膨張差が吸収出来ずクラックが生じたり、製品
の取扱上で発生する僅かな衝撃を吸収できずクラックが
生ずるなど、機械的強度が低下するという問題点があ
り、延いては混成集積回路装置の信頼性を低下させると
いう問題点があった。
置は以上の様に構成され、また製造されているので、基
板２と放熱板３とを接着するとき、押圧力を微妙に調整
せねば接着剤層厚みが一定せず、その上環境条件の変動
によっても接着剤層厚みが変動し、このため接着剤層厚
みを一定にすることが困難で、素子の伝熱効果と接着層
の機械的強度とのバランスが取れない。すなわち、接着
剤厚みが厚すぎると、熱抵抗が大きくなり、基板２の熱
が放熱板３に伝わり難く放熱板３の放熱効果が低下し、
これに反して、接着剤厚みが薄すぎると、放熱板３と基
板２の熱膨張差が吸収出来ずクラックが生じたり、製品
の取扱上で発生する僅かな衝撃を吸収できずクラックが
生ずるなど、機械的強度が低下するという問題点があ
り、延いては混成集積回路装置の信頼性を低下させると
いう問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、熱的かつ機械的に信頼性の高い
混成集積回路装置の提供を目的としている。
ためになされたもので、熱的かつ機械的に信頼性の高い
混成集積回路装置の提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に関わる混成集
積回路装置は、半導体装置が配設された基板と伝熱板ま
たは伝熱板相互の接着剤層の最大厚みを接着面にわたっ
て一様にする手段を、伝熱板表面上に備えたものであ
る。また、第２の発明に関わる混成集積回路装置は、半
導体装置と伝熱板または伝熱板相互の接着剤層の最大厚
みを接着面にわたって一様にする手段を、伝熱板表面上
に備えたものである。
積回路装置は、半導体装置が配設された基板と伝熱板ま
たは伝熱板相互の接着剤層の最大厚みを接着面にわたっ
て一様にする手段を、伝熱板表面上に備えたものであ
る。また、第２の発明に関わる混成集積回路装置は、半
導体装置と伝熱板または伝熱板相互の接着剤層の最大厚
みを接着面にわたって一様にする手段を、伝熱板表面上
に備えたものである。
【０００７】
【作用】上記のように構成された混成集積回路装置にお
いては、接着剤層の最大厚みを接着面にわたって一様に
する手段を備えているので、押圧力の変動や環境条件の
変動を受けても、熱伝導が良好であると共に充分な機械
強度を持つ接着剤層の厚みを容易に確保することができ
る。
いては、接着剤層の最大厚みを接着面にわたって一様に
する手段を備えているので、押圧力の変動や環境条件の
変動を受けても、熱伝導が良好であると共に充分な機械
強度を持つ接着剤層の厚みを容易に確保することができ
る。
【０００８】
【実施例】実施例１．図１は第１の発明による混成集積
回路装置の一実施例を示す側面図であり、１〜６は上記
従来例と全く同一のものである。７は伝熱板３上に配設
された複数の突起である。図２は第１の発明の一実施例
を示す平面図であり、接着されるべき基板２が取り去ら
れた状態で示されている。突起７は、放熱板３の表面上
の、基板２が接着されるべき位置に、放熱板３の表面か
ら各々一様な高さで設けられている。第１の発明による
混成集積回路装置では基板２の回路上にパワートランジ
スタ１およびリード線６がはんだ５で接着されており、
この基板２は伝熱板３上に配設された突起の上に載置さ
れ、この突起配設領域に塗布された接着剤４で接着され
ている。この放熱板３と基板２との接着方法は、放熱板
３上に設けられた突起配設領域に接着剤４を塗布し接着
剤４上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板
２の底面と放熱板３上の突起７の先端とが一様に接触す
る程度の押圧力を加え、乾燥させる。
回路装置の一実施例を示す側面図であり、１〜６は上記
従来例と全く同一のものである。７は伝熱板３上に配設
された複数の突起である。図２は第１の発明の一実施例
を示す平面図であり、接着されるべき基板２が取り去ら
れた状態で示されている。突起７は、放熱板３の表面上
の、基板２が接着されるべき位置に、放熱板３の表面か
ら各々一様な高さで設けられている。第１の発明による
混成集積回路装置では基板２の回路上にパワートランジ
スタ１およびリード線６がはんだ５で接着されており、
この基板２は伝熱板３上に配設された突起の上に載置さ
れ、この突起配設領域に塗布された接着剤４で接着され
ている。この放熱板３と基板２との接着方法は、放熱板
３上に設けられた突起配設領域に接着剤４を塗布し接着
剤４上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板
２の底面と放熱板３上の突起７の先端とが一様に接触す
る程度の押圧力を加え、乾燥させる。
【０００９】次に動作について説明する。上記の様に構
成された混成集積回路装置においては、製造工程におい
て放熱板３上に設けられた突起７上に載置された基板２
が押圧されるが、その押圧力は突起７の先端で受けら
れ、突起７の先端は僅か変形するが、放熱板３と基板２
との接着剤の最大厚みは接着領域全体にわたってほぼ一
様に保たれる。このためパワートランジスタ１から発生
し基板２に伝導された熱は、基板２から突起７の先端を
介して効果的に放熱板３に伝導されると共に、基板２と
放熱板３との間に突起７の高さに基づく接着剤厚みが確
保されるため、充分な機械的強度が確保される。
成された混成集積回路装置においては、製造工程におい
て放熱板３上に設けられた突起７上に載置された基板２
が押圧されるが、その押圧力は突起７の先端で受けら
れ、突起７の先端は僅か変形するが、放熱板３と基板２
との接着剤の最大厚みは接着領域全体にわたってほぼ一
様に保たれる。このためパワートランジスタ１から発生
し基板２に伝導された熱は、基板２から突起７の先端を
介して効果的に放熱板３に伝導されると共に、基板２と
放熱板３との間に突起７の高さに基づく接着剤厚みが確
保されるため、充分な機械的強度が確保される。
【００１０】上記の説明では、突起７が放熱板３上の、
基板２が接着されるべき位置に配設される例を記載した
が、放熱板３上の一部あるいは全面に設けてもよい。放
熱板３上の全面に設けた場合は放熱面積が増加し放熱特
性が向上する。また、上記の説明では、放熱板３上に突
起７を設けたが、逆に放熱板３の表面に凹部を設けて接
着剤の最大厚みを確保しつつ、放熱板３の表面に基板２
を密着させ熱伝導性を高めてもよい。このように凹部１
０を設けた場合には、粘性の小さな接着剤でも凹部１０
に注入することができて、接着剤の流出がない。図３は
凹部１０を設けた場合の実施例の側面図、図４は図３の
場合の平面図であり、図５は凹部１０を設けた場合の他
の実施例の側面図、図６は図５の場合の平面図であり、
図４及び図６は共に接着されるべき基板２が取り去られ
た状態で示されている。各図において１〜６はは上記従
来例と全く同一のものであり、１０は凹部である。
基板２が接着されるべき位置に配設される例を記載した
が、放熱板３上の一部あるいは全面に設けてもよい。放
熱板３上の全面に設けた場合は放熱面積が増加し放熱特
性が向上する。また、上記の説明では、放熱板３上に突
起７を設けたが、逆に放熱板３の表面に凹部を設けて接
着剤の最大厚みを確保しつつ、放熱板３の表面に基板２
を密着させ熱伝導性を高めてもよい。このように凹部１
０を設けた場合には、粘性の小さな接着剤でも凹部１０
に注入することができて、接着剤の流出がない。図３は
凹部１０を設けた場合の実施例の側面図、図４は図３の
場合の平面図であり、図５は凹部１０を設けた場合の他
の実施例の側面図、図６は図５の場合の平面図であり、
図４及び図６は共に接着されるべき基板２が取り去られ
た状態で示されている。各図において１〜６はは上記従
来例と全く同一のものであり、１０は凹部である。
【００１１】実施例２．図７は第１の発明による混成集
積回路装置の他の実施例を示す側面図であり、１〜６は
上記従来例と全く同一のものである。８は放熱板３上に
配設されたメッシュ状シートで例えばテフロンなどのエ
ンジニアリングプラスチックで製造されている。メッシ
ュ状シート８の厚みは一定、例えば５０μｍ、に調製さ
れている。図８は第１の発明の他の実施例を示す平面図
であり、接着されるべき基板２が取り去られた状態で示
されている。この放熱板３と基板２との接着方法は、メ
ッシュ状シート８を接着剤４に浸しておき、このメッシ
ュ状シート８を放熱板３上に載置しさらに、その上に基
板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板２の底面と
メッシュ状シート８と放熱板３とが各々一様に接触する
程度の押圧力を加え、乾燥させる。上記の様に構成され
た混成集積回路装置においては、基板２とメッシュ状シ
ート８およびメッシュ状シート８と放熱板３とが各々密
着されると共に、メッシュ状シート８のメッシュ間には
接着剤４が保持され、基板２と放熱板３とがほぼメッシ
ュ状シート８の厚み程度の間隔で接着されるので、パワ
ートランジスタ１から発生し基板２に伝導された熱は、
基板２からメッシュ状シート８を介して効果的に放熱板
３に伝導されると共に、基板２と放熱板３の間にメッシ
ュ状シート８の厚み程度の接着剤厚みが確保されるた
め、充分な機械的強度が確保される。さらにメッシュ状
シート８を使用することにより、放熱板に突起あるいは
凹部の前加工の必要がなく通常の金属板が使用できるの
で加工が容易である。そのうえ、メッシュ状シート８は
ほぼ均一な網目となっているので基板２から放熱板３へ
均一に熱伝導されるので基板２の温度分布が均一とな
り、反りが生じ難い。
積回路装置の他の実施例を示す側面図であり、１〜６は
上記従来例と全く同一のものである。８は放熱板３上に
配設されたメッシュ状シートで例えばテフロンなどのエ
ンジニアリングプラスチックで製造されている。メッシ
ュ状シート８の厚みは一定、例えば５０μｍ、に調製さ
れている。図８は第１の発明の他の実施例を示す平面図
であり、接着されるべき基板２が取り去られた状態で示
されている。この放熱板３と基板２との接着方法は、メ
ッシュ状シート８を接着剤４に浸しておき、このメッシ
ュ状シート８を放熱板３上に載置しさらに、その上に基
板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板２の底面と
メッシュ状シート８と放熱板３とが各々一様に接触する
程度の押圧力を加え、乾燥させる。上記の様に構成され
た混成集積回路装置においては、基板２とメッシュ状シ
ート８およびメッシュ状シート８と放熱板３とが各々密
着されると共に、メッシュ状シート８のメッシュ間には
接着剤４が保持され、基板２と放熱板３とがほぼメッシ
ュ状シート８の厚み程度の間隔で接着されるので、パワ
ートランジスタ１から発生し基板２に伝導された熱は、
基板２からメッシュ状シート８を介して効果的に放熱板
３に伝導されると共に、基板２と放熱板３の間にメッシ
ュ状シート８の厚み程度の接着剤厚みが確保されるた
め、充分な機械的強度が確保される。さらにメッシュ状
シート８を使用することにより、放熱板に突起あるいは
凹部の前加工の必要がなく通常の金属板が使用できるの
で加工が容易である。そのうえ、メッシュ状シート８は
ほぼ均一な網目となっているので基板２から放熱板３へ
均一に熱伝導されるので基板２の温度分布が均一とな
り、反りが生じ難い。
【００１２】実施例３．図９は第１の発明による混成集
積回路装置の他の実施例を示す断面図であり、１〜６は
上記従来例と全く同一のものである。９は放熱板３上に
塗布された接着剤４に混在された、熱伝導率の良い素材
からなるスペーサである。このスペーサ９は例えば粒径
の揃った金属粒とか、短く切断されたグラスファイバな
どである。図１０は第１の発明の他の実施例を示す平面
図であり、接着されるべき基板２が取り去られた状態で
示されている。この放熱板３と基板２との接着方法は、
放熱板３上に接着剤４を塗布し、この接着剤４にスペー
サ９を散布して、接着剤４にスペーサ９を混在させ、こ
の上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板２
の底面と放熱板３上の間で各スペーサ９が一様に接触す
る程度の押圧力を加え、乾燥させる。接着剤４にスペー
サ９を混在させる方法として、接着剤４にあらかじめス
ペーサ９を混入しておき、スペーサ９が混入された接着
剤４を放熱板３上に塗布してもよい。上記の様に構成さ
れた混成集積回路装置においては、基板２とスペーサ９
と放熱板３とが密着されると共に、基板２と放熱板３と
がスペーサ９の粒径の間隔に一様に保たれて接着され、
パワートランジスタ１から発生し基板２に伝導された熱
は基板２からスペーサ９を介して効果的に放熱板３に伝
導されると共に、基板２と放熱板３との間にスペーサ９
の直径に基づく接着剤厚みが確保されるため充分な機械
的強度が確保される。さらに、スペーサ９を使用する場
合は、パワートランジスタ１の熱発生の程度に応じてス
ペーサ９の混入率を適切に制御できるので、接着層の伝
熱と機械的強度のバランスを容易に最適化できる。ま
た、図１１は例えば第１の発明の実施例１をシングルイ
ンタイプの混成集積回路装置に適用した応用例を示す側
面図であり、図１２は同様に第１の発明の実施例１をデ
ュアルインタイプの混成集積回路装置に適用した応用例
を示す側面図である。
積回路装置の他の実施例を示す断面図であり、１〜６は
上記従来例と全く同一のものである。９は放熱板３上に
塗布された接着剤４に混在された、熱伝導率の良い素材
からなるスペーサである。このスペーサ９は例えば粒径
の揃った金属粒とか、短く切断されたグラスファイバな
どである。図１０は第１の発明の他の実施例を示す平面
図であり、接着されるべき基板２が取り去られた状態で
示されている。この放熱板３と基板２との接着方法は、
放熱板３上に接着剤４を塗布し、この接着剤４にスペー
サ９を散布して、接着剤４にスペーサ９を混在させ、こ
の上に基板２を載置し、放熱板３と基板２とに、基板２
の底面と放熱板３上の間で各スペーサ９が一様に接触す
る程度の押圧力を加え、乾燥させる。接着剤４にスペー
サ９を混在させる方法として、接着剤４にあらかじめス
ペーサ９を混入しておき、スペーサ９が混入された接着
剤４を放熱板３上に塗布してもよい。上記の様に構成さ
れた混成集積回路装置においては、基板２とスペーサ９
と放熱板３とが密着されると共に、基板２と放熱板３と
がスペーサ９の粒径の間隔に一様に保たれて接着され、
パワートランジスタ１から発生し基板２に伝導された熱
は基板２からスペーサ９を介して効果的に放熱板３に伝
導されると共に、基板２と放熱板３との間にスペーサ９
の直径に基づく接着剤厚みが確保されるため充分な機械
的強度が確保される。さらに、スペーサ９を使用する場
合は、パワートランジスタ１の熱発生の程度に応じてス
ペーサ９の混入率を適切に制御できるので、接着層の伝
熱と機械的強度のバランスを容易に最適化できる。ま
た、図１１は例えば第１の発明の実施例１をシングルイ
ンタイプの混成集積回路装置に適用した応用例を示す側
面図であり、図１２は同様に第１の発明の実施例１をデ
ュアルインタイプの混成集積回路装置に適用した応用例
を示す側面図である。
【００１３】実施例４．図１３は第２の発明による混成
集積回路装置の一実施例を示す側面図であり、１、３、
４、７は第１の発明の実施例１で説明したものと同一で
ある。この発明においては、パワートランジスタ１が直
接、突起７の設けられた放熱板３上に載置され接着剤４
で接着されている。パワートランジスタ１は必ずしも回
路基板に配設されるわけではなく、直接放熱板３に取り
付けられて冷却される場合がある。この場合にパワート
ランジスタ１と放熱板３との間で伝熱特性の向上と接着
層の充分な機械的強度を確保するため、放熱板３上に突
起７を設け接着面の接着層の最大厚さを、接着面にわた
って一様にすると共にパワートランジスタ１と放熱板３
とを密着させている。製造方法及び動作については、第
１の発明では、基板２と放熱板３とを接着する場合につ
いて説明しているが、第２の発明では、パワートランジ
スタ１と放熱板３とを接着する場合になるだけで、第１
の発明と同様である。このような構成にすることにより
パワートランジスタ１と放熱板３の間で良好な伝熱特性
を保持しつつ接着層の充分な機械的強度が確保され、更
にパワートランジスタ１の発生熱がより直接的に放熱板
３に伝導され放熱される。また、第２の発明では突起７
を設ける場合について説明したが、第１の発明と同様に
凹部１０を設けたり、メッシュ状シートやスペーサを設
けてもよい。この構成による効果も第１の発明の説明と
同様である。
集積回路装置の一実施例を示す側面図であり、１、３、
４、７は第１の発明の実施例１で説明したものと同一で
ある。この発明においては、パワートランジスタ１が直
接、突起７の設けられた放熱板３上に載置され接着剤４
で接着されている。パワートランジスタ１は必ずしも回
路基板に配設されるわけではなく、直接放熱板３に取り
付けられて冷却される場合がある。この場合にパワート
ランジスタ１と放熱板３との間で伝熱特性の向上と接着
層の充分な機械的強度を確保するため、放熱板３上に突
起７を設け接着面の接着層の最大厚さを、接着面にわた
って一様にすると共にパワートランジスタ１と放熱板３
とを密着させている。製造方法及び動作については、第
１の発明では、基板２と放熱板３とを接着する場合につ
いて説明しているが、第２の発明では、パワートランジ
スタ１と放熱板３とを接着する場合になるだけで、第１
の発明と同様である。このような構成にすることにより
パワートランジスタ１と放熱板３の間で良好な伝熱特性
を保持しつつ接着層の充分な機械的強度が確保され、更
にパワートランジスタ１の発生熱がより直接的に放熱板
３に伝導され放熱される。また、第２の発明では突起７
を設ける場合について説明したが、第１の発明と同様に
凹部１０を設けたり、メッシュ状シートやスペーサを設
けてもよい。この構成による効果も第１の発明の説明と
同様である。
【００１４】なお、上記説明において、第１の発明では
基板２と放熱板３とが、また第２の発明ではパワトラン
ジスタ１と放熱板３とが直接接触する場合について記載
したが、基板２と放熱板３との間、またはパワトランジ
スタ１と放熱板３との間に伝熱板が介在した場合でも、
この発明を適用することが出来る。さらに、第１の発明
では基板２と放熱板３との接着面において基板２側に、
また第２の発明では半導体装置と放熱板３との接着面に
おいて半導体装置側に突起をもうけても同様の効果があ
る。
基板２と放熱板３とが、また第２の発明ではパワトラン
ジスタ１と放熱板３とが直接接触する場合について記載
したが、基板２と放熱板３との間、またはパワトランジ
スタ１と放熱板３との間に伝熱板が介在した場合でも、
この発明を適用することが出来る。さらに、第１の発明
では基板２と放熱板３との接着面において基板２側に、
また第２の発明では半導体装置と放熱板３との接着面に
おいて半導体装置側に突起をもうけても同様の効果があ
る。
【００１５】ところで上記説明では、パワトランジスタ
について説明したが、他の半導体装置または基板の接着
にも利用できることはいうまでもない。
について説明したが、他の半導体装置または基板の接着
にも利用できることはいうまでもない。
【００１６】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、基板と伝導板、半導体装置と伝導板そして
伝導板相互の間に良好な伝熱特性が得られると共に必要
な接着剤厚みが確保されて接着層の充分な機械的強度が
得られる。延いては装置の信頼性が向上する。
ているので、基板と伝導板、半導体装置と伝導板そして
伝導板相互の間に良好な伝熱特性が得られると共に必要
な接着剤厚みが確保されて接着層の充分な機械的強度が
得られる。延いては装置の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の発明の一実施例を示す側面図である。
【図２】第１の発明の一実施例を示す平面図である。
【図３】第１の発明の凹部を設けた場合の一実施例を示
す側面図である。
す側面図である。
【図４】第１の発明の凹部を設けた場合の一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】第１の発明の凹部を設けた場合の他の実施例を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図６】第１の発明の凹部を設けた場合の他の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図７】第１の発明の他の実施例を示す側面図である。
【図８】第１の発明の他の実施例を示す平面図である。
【図９】第１の発明の他の実施例を示す側面図である。
【図１０】第１の発明の他の実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図１１】第１の発明のシングルインタイプの混成集積
回路装置への応用例を示す側面図である。
回路装置への応用例を示す側面図である。
【図１２】第１の発明のデュアルインタイプの混成集積
回路装置への応用例を示す側面図である。
回路装置への応用例を示す側面図である。
【図１３】第２の発明の一実施例を示す側面図である。
【図１４】従来のパワー用の混成集積回路装置の側面図
である。
である。
【図１５】従来のパワー用の混成集積回路装置の平面図
である。
である。
１ 半導体装置 ２ 基板 ３ 伝熱板 ７ 突起 ８ メッシュ状シート ９ スペーサ 10 凹部
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置が配設された基板と、 この基板を載置する伝熱板と、 この伝熱板表面上に配設され、伝熱板と上記基板または
伝熱板相互を接着する接着剤層の最大厚みを接着面にわ
たって一様にする手段とを備えた混成集積回路装置。 - 【請求項２】半導体装置と、 この半導体装置を載置する伝熱板と、 この伝熱板表面上に配設され、伝熱板と上記半導体装置
または伝熱板相互とを接着する接着剤層の最大厚みを接
着面にわたって一様にする手段とを備えた混成集積回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256191A JPH05121603A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256191A JPH05121603A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121603A true JPH05121603A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17654083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28256191A Pending JPH05121603A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121603A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005024941A1 (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2007088365A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2007202367A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電気接続箱 |
| JP2009045551A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電霧化装置 |
| JP2016001744A (ja) * | 2009-12-25 | 2016-01-07 | ローム株式会社 | 機能素子モジュール |
| CN105990530A (zh) * | 2015-01-27 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | 具有散热功能oled模组的制造方法及散热结构 |
| CN114106726A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 散热膜及具有该散热膜的电子设备 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28256191A patent/JPH05121603A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005024941A1 (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体装置 |
| KR100713979B1 (ko) * | 2003-09-04 | 2007-05-04 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| CN100413060C (zh) * | 2003-09-04 | 2008-08-20 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
| US7786565B2 (en) | 2003-09-04 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | Semiconductor apparatus including power semiconductor device constructed by using wide band gap semiconductor |
| JP2007088365A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| US7649739B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-01-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
| JP4711792B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-06-29 | 三洋電機株式会社 | 回路装置 |
| JP2007202367A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電気接続箱 |
| JP2009045551A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電霧化装置 |
| JP2016001744A (ja) * | 2009-12-25 | 2016-01-07 | ローム株式会社 | 機能素子モジュール |
| CN105990530A (zh) * | 2015-01-27 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | 具有散热功能oled模组的制造方法及散热结构 |
| CN114106726A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 散热膜及具有该散热膜的电子设备 |
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