JPS61208852A - ２端子半導体装置の製造方法 - Google Patents
２端子半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61208852A JPS61208852A JP5090885A JP5090885A JPS61208852A JP S61208852 A JPS61208852 A JP S61208852A JP 5090885 A JP5090885 A JP 5090885A JP 5090885 A JP5090885 A JP 5090885A JP S61208852 A JPS61208852 A JP S61208852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass tube
- sealing
- fusion
- sealing jig
- welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 22
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｄ ＨＤ （Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅａｔｓｉｎ
ｋ Ｄｉｏｄｅ：ダブルヒートシンクダイオード）型２
端子半導体装置の製造方法に関し、特に、封止炉中で周
囲の雰囲気によシ加熱する場合の、ガラス管と外部導出
リードの融着方法に関する。
ｋ Ｄｉｏｄｅ：ダブルヒートシンクダイオード）型２
端子半導体装置の製造方法に関し、特に、封止炉中で周
囲の雰囲気によシ加熱する場合の、ガラス管と外部導出
リードの融着方法に関する。
従来、この檀のＤＨＤ型２型子端子半導体装置造方法は
、封止治具上に、ガラス管、外部導出リード等を直接組
み合せ、封止炉内で素子を、ガラス管を使用した場合的
６６０″ＯＩ／ｃなる様に窒素雰囲気で加熱させ、ガラ
ス管と外部導出リードを融着させた後、封止炉出口よシ
空気中に取シ出されるようになっていた。
、封止治具上に、ガラス管、外部導出リード等を直接組
み合せ、封止炉内で素子を、ガラス管を使用した場合的
６６０″ＯＩ／ｃなる様に窒素雰囲気で加熱させ、ガラ
ス管と外部導出リードを融着させた後、封止炉出口よシ
空気中に取シ出されるようになっていた。
一方、封止治具としては、酸化速度の遅いステンレス鋼
が一般的に採用されているが、封止炉からの治具取出し
温度が、約１５０℃と高いため、封止治具の多数個のく
り返し使用により、封止治具上Ｋｋ化膜が形成される。
が一般的に採用されているが、封止炉からの治具取出し
温度が、約１５０℃と高いため、封止治具の多数個のく
り返し使用により、封止治具上Ｋｋ化膜が形成される。
従来の製造方法では、封正治真上にガラス管を直接接触
させであるため、ガラス管を融着する段階で、封止治具
上に形成された酸化膜のために、封止治具とガラス管の
一部が融着し、素子を取出す時に、ガラス管か割れ、素
子の歩留、信頼性を低下するといった欠点があった〇 次に１この従来の技術を図面を用いてより詳細に説明す
る。
させであるため、ガラス管を融着する段階で、封止治具
上に形成された酸化膜のために、封止治具とガラス管の
一部が融着し、素子を取出す時に、ガラス管か割れ、素
子の歩留、信頼性を低下するといった欠点があった〇 次に１この従来の技術を図面を用いてより詳細に説明す
る。
第５図は従来よフ知られているＤＨＤ型２型子端子半導
体装置止治具の断面図であシ、第６図。
体装置止治具の断面図であシ、第６図。
第７図はそれぞれ融着前後の素子の断面図である。
封止治具表面８に、外部導出リード５ａ及び５ｂ、ガラ
ス管６．半導体ペレット７をアセンブリし、封止治具１
ａ ＃ １ ｂを封止炉で、例えばコーニング＃８８
７０ガラス管を使用した場合６６０℃前後にて窒素中で
外部導出リード５ａ、５ｂとガラス管６を融着させる。
ス管６．半導体ペレット７をアセンブリし、封止治具１
ａ ＃ １ ｂを封止炉で、例えばコーニング＃８８
７０ガラス管を使用した場合６６０℃前後にて窒素中で
外部導出リード５ａ、５ｂとガラス管６を融着させる。
このとき、封止炉の治具取出し時に封止治具１ａ、ｌｂ
の取出し温度が約１５０℃と高いため、治具のくシ返し
使用によシ封止治具表面８が酸化される。
の取出し温度が約１５０℃と高いため、治具のくシ返し
使用によシ封止治具表面８が酸化される。
封止を終えたものは、第７図に示す様、外部導出リード
９ａ、９ｂと、ガラス管１０が融着面１１にて封止され
る。このとき、封止治具表面１３に酸化膜が形成されて
いると、ガラス管１０と封止治具表面１３間でも融着が
行なわれ、素子の取シ出し時に融着面１２からガラス管
１０の一部が割れ、素子の歩留シ、信頼性を低下させる
という欠点がある。
９ａ、９ｂと、ガラス管１０が融着面１１にて封止され
る。このとき、封止治具表面１３に酸化膜が形成されて
いると、ガラス管１０と封止治具表面１３間でも融着が
行なわれ、素子の取シ出し時に融着面１２からガラス管
１０の一部が割れ、素子の歩留シ、信頼性を低下させる
という欠点がある。
本発明によるＤＨＤ型２型子端子半導体装置造方法では
、封止治具上にガラス管、外部導出ＩＪ ＋ドを直接ア
センブリした後、一度封止炉にてガラスの軟化点程度の
温度でガラス管の一部と外部導出リードを融着（以下仮
融着と称す）シ、次に外部導出リードの下端を封止治具
下より突き上け、更に１ガラス管と外部導出リードとを
融着（以下本融着と称す）させる本のである。
、封止治具上にガラス管、外部導出ＩＪ ＋ドを直接ア
センブリした後、一度封止炉にてガラスの軟化点程度の
温度でガラス管の一部と外部導出リードを融着（以下仮
融着と称す）シ、次に外部導出リードの下端を封止治具
下より突き上け、更に１ガラス管と外部導出リードとを
融着（以下本融着と称す）させる本のである。
次に本発明を図面を用いてよシ詳細に説明する。
第１図は、本発明による封止治具の断面図で、第２図は
融着前、第３図は低融着後、第４図は本融着後の素子の
断面図である。
融着前、第３図は低融着後、第４図は本融着後の素子の
断面図である。
封止治具表面２２に外部導出リード１９ ａ ｓ １９
ｂｓガラス管２４．半導体ペレット２１をアセンブリ
するまでは、従来から知られている製造方法と同じであ
る。
ｂｓガラス管２４．半導体ペレット２１をアセンブリ
するまでは、従来から知られている製造方法と同じであ
る。
本発明は、第２図の様にアセンブリされた素子を、封止
炉にてガラスの軟化点程度、例えばコーニング＃８８７
０ガラス管を使用した場合、５８０℃程度で、ガラス管
２４のぬれ角をほぼ９０度に保つ様にすると、封止治具
表面２６に酸化膜が存在していても、ガラス管２４と封
止治具表面２６とが融着する前に、ガラス管２４と外部
導出リード２３ａ、２３ｂとを融着面２５で低融着させ
ることができる。
炉にてガラスの軟化点程度、例えばコーニング＃８８７
０ガラス管を使用した場合、５８０℃程度で、ガラス管
２４のぬれ角をほぼ９０度に保つ様にすると、封止治具
表面２６に酸化膜が存在していても、ガラス管２４と封
止治具表面２６とが融着する前に、ガラス管２４と外部
導出リード２３ａ、２３ｂとを融着面２５で低融着させ
ることができる。
この様にして低融着を終えた封止治具１４ａ。
１４ｂを、封止治具１８上に乗せ、外部導出り−ド１５
ｂを浮かせる。このとき、ガラス管１６の一部は、外部
導出リード１５ａ、１５ｂと融着されているため、ガラ
ス管１６を、封止治具表面から離すことができる。
ｂを浮かせる。このとき、ガラス管１６の一部は、外部
導出リード１５ａ、１５ｂと融着されているため、ガラ
ス管１６を、封止治具表面から離すことができる。
次にこの状態のまま、６６０℃程度の封止炉で本融着さ
せることで、外部導出リード２７ａ、２７ｂとガラス管
２８とを、融着面２９にて気密封止することができる。
せることで、外部導出リード２７ａ、２７ｂとガラス管
２８とを、融着面２９にて気密封止することができる。
以上説明した様に、本発明はガラス管を封止治具表面か
ら離した状態で、ガラス管と外部導出リードを融着させ
ることＫよシ、封止治具表面の酸化膜の存在による、ガ
ラス管と封止治具表面の融着を防止することが出来、ガ
ラス管割れによる素子の歩留、信頼性の低下を防ぐこと
ができる。
ら離した状態で、ガラス管と外部導出リードを融着させ
ることＫよシ、封止治具表面の酸化膜の存在による、ガ
ラス管と封止治具表面の融着を防止することが出来、ガ
ラス管割れによる素子の歩留、信頼性の低下を防ぐこと
ができる。
第１図は、本発明によるＤＨＤ型２型子端子半導体装置
止治具の断面図であシ、第２図、第３図。 第４図はおのおの融着前、低融着後１ホー着後の素子の
断面図である。 第５図は、従来から知られているＤＨＤ型２型子端子半
導体装置止治具の断面図であシ、第６図。 第７図は、融着前後の素子の断面図を示したものである
。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・封止治具、２ａ 、２ｂ・・・
・・・外部導出リード、３・・・・・・ガラス管、４・
・・・・・半導体ベレッ）、５ａ、５ｂ・・・・・・外
部導出リード、６・旧・・ガラス管、７・・・・・・半
導体ペレット、８・・・・・・封止治具表面、９ａ、９
ｂ・・・・・・外部導出リード、１０・・・・・・ガラ
ス管、１１・・・・・・融着面、１２・・・・・・融着
面、１３・・・・・・封止治具表面、 １４ａ、１４ｂ
・・・・・・封止治具、１５ａ、１５ｂ・・・・・・外
部導出リード、１６・・・・・・ガラス管、１７・・・
・・・半導体ペレット、１８・・・・・・封止治具台、
１９ａ、１９ｂ・・・・・・外部導出リード、２０・・
・・・・ガラス管、２１・・・・・・半導体ペレット、
２２・・・・・・封止治具表面、２３ａ、２３ｂ・・・
・・・外部導出リード、２４・・・・・・ガラス管、２
５・・・・・・低融着面、２６・・・・・・封止治具表
面、２７ａ、２７ｂ・・・・・・外部導出リード、２８
・・・・・・ガラス管、２９・・・・・・本融着面、３
０・−・・・・封止治具表面。 第 １ 語
止治具の断面図であシ、第２図、第３図。 第４図はおのおの融着前、低融着後１ホー着後の素子の
断面図である。 第５図は、従来から知られているＤＨＤ型２型子端子半
導体装置止治具の断面図であシ、第６図。 第７図は、融着前後の素子の断面図を示したものである
。 ｌａ、ｌｂ・・・・・・封止治具、２ａ 、２ｂ・・・
・・・外部導出リード、３・・・・・・ガラス管、４・
・・・・・半導体ベレッ）、５ａ、５ｂ・・・・・・外
部導出リード、６・旧・・ガラス管、７・・・・・・半
導体ペレット、８・・・・・・封止治具表面、９ａ、９
ｂ・・・・・・外部導出リード、１０・・・・・・ガラ
ス管、１１・・・・・・融着面、１２・・・・・・融着
面、１３・・・・・・封止治具表面、 １４ａ、１４ｂ
・・・・・・封止治具、１５ａ、１５ｂ・・・・・・外
部導出リード、１６・・・・・・ガラス管、１７・・・
・・・半導体ペレット、１８・・・・・・封止治具台、
１９ａ、１９ｂ・・・・・・外部導出リード、２０・・
・・・・ガラス管、２１・・・・・・半導体ペレット、
２２・・・・・・封止治具表面、２３ａ、２３ｂ・・・
・・・外部導出リード、２４・・・・・・ガラス管、２
５・・・・・・低融着面、２６・・・・・・封止治具表
面、２７ａ、２７ｂ・・・・・・外部導出リード、２８
・・・・・・ガラス管、２９・・・・・・本融着面、３
０・−・・・・封止治具表面。 第 １ 語
Claims (1)
- 突起状の金属電極を有する半導体ペレットの両面を、お
のおの外部導出リードと圧着させ、ガラス管で半導体ペ
レットと外部導出リードの一部を覆った後、適度な温度
に設定してある封止炉にて、ガラス管と外部導出リード
を融着して気密性を持たせる２端子半導体装置の製造方
法において、ガラス管を融着させる段階でガラス管を封
止治具と接触させることなく融着させることを特徴とす
る２端子半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090885A JPS61208852A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ２端子半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090885A JPS61208852A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ２端子半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208852A true JPS61208852A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12871870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090885A Pending JPS61208852A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | ２端子半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208852A (ja) |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP5090885A patent/JPS61208852A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3404213A (en) | Hermetic packages for electronic components | |
| JPS61208852A (ja) | ２端子半導体装置の製造方法 | |
| US3535099A (en) | Method of forming a hermetic enclosure for electronic devices | |
| US5321307A (en) | Hermetically sealed metal stem or header for semiconductor device | |
| US2965818A (en) | Manufacture of semiconductor rectifier devices | |
| GB2101401A (en) | Glass encapsulated semiconductor device | |
| US4161746A (en) | Glass sealed diode | |
| JP2577315B2 (ja) | 口金付管球 | |
| JPS5915080Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60182748A (ja) | 半導体装置のパツケ−ジおよびその組立方法 | |
| JPS59117238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61125051A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6290952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0723962Y2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS61156842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5998538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6024581B2 (ja) | リ−ド線の気密封止方法 | |
| JPS6155778B2 (ja) | ||
| JPS60262447A (ja) | ガラススリ−ブ形半導体装置 | |
| JPH06325906A (ja) | サーミスタの製造法 | |
| JPS58124248A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0631730Y2 (ja) | ガスレーザ管 | |
| JPS59214244A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 | |
| JPS59112635A (ja) | 半導体装置用セラミツクパツケ−ジの製造方法 |