JPS6290952A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6290952A
JPS6290952A JP61220129A JP22012986A JPS6290952A JP S6290952 A JPS6290952 A JP S6290952A JP 61220129 A JP61220129 A JP 61220129A JP 22012986 A JP22012986 A JP 22012986A JP S6290952 A JPS6290952 A JP S6290952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sleeve
pellet
semiconductor device
glass sleeve
metal terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP61220129A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatake Saito
齋藤 正武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6290952A publication Critical patent/JPS6290952A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はDHD形の半導体装置の製造方法にかかり、特
KDHD形の金属端子の構造及び封止の改良に関する。
従来のD HD (Double Haatsink 
Diode )形半導体装置を第1図に示す。第1図に
於いて、半導体ベンツ)1はガラススリープ2内に封入
され、同軸状に配置された金属端子(例えばジュメット
線)3及び4によって加圧接触されており、金属端子3
及び4にガラススリープ2の内壁を融着せしめることK
より半導体ペレット1を気密封止することが出来る。し
かしながらかかる構造の半導体装置は、與造中にガラス
スリープ20両端のエッチ部に割れやカケが多発しやす
く、その結果として歩留低下及び信頼度低下の原因とな
る。
本発明は、上記欠点を解決し、作業性が容易且つ信頼度
が高く、熱抵抗の小さい半導体装置を提供するものであ
る。
本発明によれば、突出状の金属電極を有する半導体ペレ
ットを金JI[子に接続してなるDHD形の半導体装置
に於いて、前記金属端子の形状が塔頂部と周辺突出部と
を有する凸型を有し、上記半導体ペレットの電極部が凸
型の塔頂面に圧接され、かつガラススリープの両端面は
前記凸型の周辺突出部でおおわれてこれらが融着された
状態でガラス封止されており、さらに前記6凰の周辺突
出部は前記ガラススリープから突出している半導体装置
を得る。
次に、本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する
N’ 2図に於いて、まず最初にカーボン製封入治具に
凸型金属内子(例えばジュメット線)14を挿入し、次
いでガラススリープ12を組込む。この時、ガラススリ
ープ12は金属端子の凸状の周辺部の突出部に配置され
る。次に、半導体ペンット11をガラススリープ12内
に挿入した場合はガラススリープ12の内壁がガイドと
なり、半導体ペレット11は凸型金属端子14の中央部
の塔頂部に載置される。次に前記半導体ペレット11の
一道極上に凸型金属端子13を載置せしめる。
前記の要領により組込み完了したカーボン製封入治具を
、例えばベルト方式の溶融炉にて650〜750℃の温
度でsls s己ガラススリーノ12を解融せしめると
、凸型金属端子13.14と融着し、半導体ペレット1
1は完全にガラススリープ12内に気密封止される。上
述のように本考案の半導体装置は、凸型金属端子の声径
が融着後のガラススリープの外径より大きい為、ガラス
スリープの両端のエッヂは金属端子により保護される為
、製造工程例えば選別、捺印或は梱包中に割れやカケ等
が発生しないという長所を有して(・る。又、第2図の
半導体装置の状態で組立、選別、そして捺印工程に進め
ることが出来る為、インデックスが向上し太幅に工数低
減が図れる。その上、不良品を廃棄する際、リード端子
を接続していないので、最小限に材料費の削減を図れる
ことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の断面図である。 第2図は本発明の一実施例によって得られる半導体装置
の断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 突出状の金属電極を有する半導体ペレットを金属端子に
    接続してなるDHD形の半導体装置に於いて、前記金属
    端子の形状が塔頂部と周辺突出部とを有する凸型を有し
    、上記半導体ペレットの電極部が凸型の塔頂面に圧接さ
    れ、かつガラススリープの両端面は前記凸型の周辺突出
    部でおおわれてこれらが融着された状態でガラス封止さ
    れており、さらに前記凸型の周辺突出部は前記ガラスス
    リープから突出していることを特徴とする半導体装置。
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