JPS6345005Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6345005Y2 JPS6345005Y2 JP7876181U JP7876181U JPS6345005Y2 JP S6345005 Y2 JPS6345005 Y2 JP S6345005Y2 JP 7876181 U JP7876181 U JP 7876181U JP 7876181 U JP7876181 U JP 7876181U JP S6345005 Y2 JPS6345005 Y2 JP S6345005Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor device
- metal terminals
- semiconductor
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体装置に係り、特にDHD形の
ガラス封止２端子素子の構造に関する。
ガラス封止２端子素子の構造に関する。
第１図に、DHD（Double Heatsink Diode）
形の半導体装置を示す。第１図に於いて、Ag等
により盛り上げられた電極２を持つ半導体ペレツ
ト１は、ガラススリーブ３内に、同軸上に配置さ
れた金属端子４および５によつて加圧接触されて
いる。
形の半導体装置を示す。第１図に於いて、Ag等
により盛り上げられた電極２を持つ半導体ペレツ
ト１は、ガラススリーブ３内に、同軸上に配置さ
れた金属端子４および５によつて加圧接触されて
いる。
上記の状態にて、カーボン治具内にセツトし、
650〜750℃で加熱して封着し、半導体ペレツト１
を気密封止する。
650〜750℃で加熱して封着し、半導体ペレツト１
を気密封止する。
さらに、金属端子４及び５の端部に、鉄又は黄
銅製のキヤツプ６及び７を機械的な圧力によつて
嵌合した後に、該キヤツプ６及び７の頂部中央部
に、半田メツキ銅線または、半田メツキ銅クラツ
ド鉄・ニツケル線の外部リード８及び９を溶接し
て製作される。
銅製のキヤツプ６及び７を機械的な圧力によつて
嵌合した後に、該キヤツプ６及び７の頂部中央部
に、半田メツキ銅線または、半田メツキ銅クラツ
ド鉄・ニツケル線の外部リード８及び９を溶接し
て製作される。
しかしながら、製作に当つて第２図に示すジユ
メツト（Dumet）からなる金属端子４及び５の
バリ９が種々の問題を引き起こし、不具合な所が
有る。
メツト（Dumet）からなる金属端子４及び５の
バリ９が種々の問題を引き起こし、不具合な所が
有る。
１ バリ９が離脱し、内封されシヨートまたはル
ーズコンタクトを生じ機能障害を発生する。
ーズコンタクトを生じ機能障害を発生する。
２ 金属端子４及び５の外周端部のバリ９によつ
てキヤツプ６及び７を嵌合させる際、印加圧力
のバランスが異常となり、ガラススリーブ３′
にクラツクまたは破損を生じ気密不良となる。
てキヤツプ６及び７を嵌合させる際、印加圧力
のバランスが異常となり、ガラススリーブ３′
にクラツクまたは破損を生じ気密不良となる。
３ 金属端子４及び５のガラススリーブ３接触面
のバリ９は、ペレツト１の加圧接触不良となつ
てルーズコンタクト不良またはオープン不良と
なる。
のバリ９は、ペレツト１の加圧接触不良となつ
てルーズコンタクト不良またはオープン不良と
なる。
本考案は、上記の欠点の原因であるバリ９を除
去し、信頼性を向上させたものである。
去し、信頼性を向上させたものである。
金属端子４及び５の断面図を第２図に示す。金
属端子４および５はガラススリーブ３に内接する
径すなわち細い線径のDumet線を用い金型でヘ
ツデイング加工と同様に、プレス整形して生産さ
せる。Dumet線の、芯材１０は鉄とニツケルの
合金材で、その外周部に銅層１１、最外周部に亜
酸化銅（Cu2O）１２が設けられた３層構造で形
成されている。
属端子４および５はガラススリーブ３に内接する
径すなわち細い線径のDumet線を用い金型でヘ
ツデイング加工と同様に、プレス整形して生産さ
せる。Dumet線の、芯材１０は鉄とニツケルの
合金材で、その外周部に銅層１１、最外周部に亜
酸化銅（Cu2O）１２が設けられた３層構造で形
成されている。
Dumet線のカツテイング時およびプレス時に
バリ９が発生し前記障害の発生源となる。
バリ９が発生し前記障害の発生源となる。
本考案は、そのバリ９の除去を目的とし、その
実施例を第２図を参照して第３図に紹介する。
実施例を第２図を参照して第３図に紹介する。
凸形頭頂面端と基底部端距離Ａよりも大きな半
径を持つアルミナ主成分としたボールによるボー
ルミル研摩を行い端部に発生したバリ９を除去
し、封着に必要なガラススリーブ３に内接する面
の亜酸化銅１２を損ねることなく端部６ケ所に
0.2〜0.5R程度まで加工することである。上記の
如く、端部の面取りを行なうことにより、バリが
皆無となるため前記１，２，３の問題の発生が無
くなる事と、治具挿入がスムース、キヤツプ嵌合
もスムースとなり、生産の能率と歩留、信頼度も
向上する。
径を持つアルミナ主成分としたボールによるボー
ルミル研摩を行い端部に発生したバリ９を除去
し、封着に必要なガラススリーブ３に内接する面
の亜酸化銅１２を損ねることなく端部６ケ所に
0.2〜0.5R程度まで加工することである。上記の
如く、端部の面取りを行なうことにより、バリが
皆無となるため前記１，２，３の問題の発生が無
くなる事と、治具挿入がスムース、キヤツプ嵌合
もスムースとなり、生産の能率と歩留、信頼度も
向上する。
第１図はDHD形の半導体装置を示す断面図、
第２図は金属端子の断面図、第３図は本考案の実
施例の金属端子の側面図である。 尚、図において、１は半導体ペレツト、２は盛
り上げ電極、３はガラススリーブ、４，５は金属
端子、６，７はキヤツプ、８，９は外部リード、
１０は芯材、１１は銅層、１２は亜酸化銅であ
る。
第２図は金属端子の断面図、第３図は本考案の実
施例の金属端子の側面図である。 尚、図において、１は半導体ペレツト、２は盛
り上げ電極、３はガラススリーブ、４，５は金属
端子、６，７はキヤツプ、８，９は外部リード、
１０は芯材、１１は銅層、１２は亜酸化銅であ
る。
Claims (1)
- 突起状の金属電極を有する半導体ペレツトの両
主面を、それぞれ金属端子に接続してなる半導体
装置に於いて、前記金属端子の断面形状が凸形を
有し、該金属端子部が、0.2〜0.5Rの範囲で面取
りを形成して有り、前記半導体ペレツトの金属電
極が、凸型の頭頂部面にて圧接された状態で、ガ
ラス封止されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7876181U JPS6345005Y2 (ja) | 1981-05-29 | 1981-05-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7876181U JPS6345005Y2 (ja) | 1981-05-29 | 1981-05-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57191062U JPS57191062U (ja) | 1982-12-03 |
| JPS6345005Y2 true JPS6345005Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=29874380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7876181U Expired JPS6345005Y2 (ja) | 1981-05-29 | 1981-05-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345005Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-05-29 JP JP7876181U patent/JPS6345005Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57191062U (ja) | 1982-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6345005Y2 (ja) | ||
| JPH04246813A (ja) | ヒューズ入り固体電解コンデンサ | |
| US5321307A (en) | Hermetically sealed metal stem or header for semiconductor device | |
| JPS5915080Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS637029B2 (ja) | ||
| CN215118893U (zh) | 一种预折弯引脚和包含该预折弯引脚的贴片式保护器 | |
| JPS6225903Y2 (ja) | ||
| JPS6317256Y2 (ja) | ||
| KR960009066Y1 (ko) | 탄탈 콘덴서의 리드 프레임의 접착 구조 | |
| JPH0546241Y2 (ja) | ||
| JPS636153B2 (ja) | ||
| JPS6347341B2 (ja) | ||
| JPS6225899Y2 (ja) | ||
| JPH032993Y2 (ja) | ||
| US3708272A (en) | Method of providing a lead wire seal | |
| JPS6330111Y2 (ja) | ||
| JPS6290952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0625958Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6142156A (ja) | ガラス封止形半導体パツケ−ジ | |
| JPS6120769Y2 (ja) | ||
| JPS6362360A (ja) | ガラス封止型ダイオ−ド | |
| JPS6031264Y2 (ja) | Ｄｈｄガラス封止ダイオ−ド | |
| JPS59191363A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH036662B2 (ja) | ||
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 |