JPS59191363A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59191363A
JPS59191363A JP58065339A JP6533983A JPS59191363A JP S59191363 A JPS59191363 A JP S59191363A JP 58065339 A JP58065339 A JP 58065339A JP 6533983 A JP6533983 A JP 6533983A JP S59191363 A JPS59191363 A JP S59191363A
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JP
Japan
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tab
lead
groove
pellet
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP58065339A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Kinoshita
木下　俊昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置およびその製法に関し、特にワイヤ
ボンディング時、リードフレームのタブがヒートブロッ
クから浮き上ることを防止した、半導体装置およびその
製法に関する。
〔背景技術〕
樹脂封止（レジンモールド）型半導体装置においては、
半導体ベレットを固着するために、ＩＪ　＋ドフレーム
の一部としてタブリードが設けられる。
そして、このタブリードをリードフレームの枠体に固定
するためにタブつりリードが設けられる。
このタブつりリードは樹脂封止後に、半導体装置の外部
接続端子となるリードの切断成形と同時に、封止体であ
る樹脂の外に露出した部分が切断除去される。この切断
を容易にするために、タブつりリードの表面すなわちペ
レットが固着される側に切断用の溝部を設げることが行
なわれている。
しかしながら、本発明者の検討により、リードフレーム
の表面に溝部を設けた場合には次のような問題があるこ
とがわかった。
すなわち、第１図に示すように、半導体ペレット１を銀
ペースト等の接合材料８により固着したリードフレーム
５はワイヤボンディング時にヒープロック１２上に載置
され加熱される。この加熱の際の熱伝導の影響でタブ３
には上方向に熱応力が加わる。この上方向の熱応力が溝
部１１に集中するため、タブつりリード２が溝部１１に
て折曲りタブ３が浮上ってしまうことがわかった。この
結果、ワイヤボンディング時に位置合せ用カメラのピン
トがくろうためボンディングの位置ずれを生じたり、ま
たヒートブロックからの熱伝導が悪くボンディングワイ
ヤの圧着が悪くはがれなどが生じたりし、半導体装置の
信頼性および歩留上悪影響を与えていることが判った。
〔発明の目的〕
本発明はタブリードのヒートブロックからの浮上りを防
止し、ボンディングワイヤの位置ずれ。
はがれなどの不良を低減し、信頼性および歩留の向上し
た半導体装置およびその製法を提供することを目的とし
たものである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
発明の記述および添付図面からあきらかになるであろう
。
〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、前述した溝部をタブつりリードの裏面すなわ
ちペレットが固着されない側に設けることによって、ヒ
ートブロック載置時のタブリードの浮き上りを防止し、
ワイヤボンディングを高い信頼性をもって行うものであ
る。
〔実施例〕
第２図および第３図は本発明の一実施例を示すものであ
り、第３図は第２図のＹ−Ｙ’切断線に沿う断面を示す
図である。
表面１５側に半導体ペレット１を固着した４２７０イ等
からなるリードフレーム５の裏面１６すなわちペレット
１の固着されていない側１６を示す平面である。このた
め、タブリード３に固着されたペレット１は点線で示し
である。
一方、タブつりリード２には溝部１３がペレット１の固
着されていない面１６に設けられている。
この溝部１３は、リードフレーム５のプレス成形時にプ
レスによって設ける（チ目コレートブレーク）か、リー
ドフレーム５のエツチングによって設ける（ハーフエッ
チ）ことができる。この溝によって、樹脂封止後にタブ
つりリード２をこの部分で容易に切断できる。
また、半導体装置の外部接続端子となる複数のリード４
にも、溝部４０が溝部１３と同様の面に設けられている
。
なお、７はリードフレームの長手方向の枠体、６は樹脂
（レジン）が金型から流出するのを防止するダム、１２
はリードフレームの幅方向の枠体である。
以上のような枠体７および１２によって区画されたフレ
ーム部分をくり返しの基本単位として、このフレーム部
分を長手方向に複数個連設してリードフレーム５が構成
されるが、第２図においては前記基本単位とな−る部分
を示し、他は省略しである。
第４図は、第２図に示したリードフレーム５をワイヤボ
ンディングを行うためにヒートブロック１２上に載置し
た際の第２図に示すＹ−Ｙ’断線に相当する断面を示す
。タブリード２の溝部１３を従来とは異なり裏側すなわ
ちペレット１の固着されていない側１６に設けた結果、
ワイヤボンディング時タブ３がヒートブロック１２から
浮上ることを防止できる。ワイヤボンディング時ヒート
ブロック１２によりペレット１を加熱する際にタブつり
リード２に働く熱応力は上向きである。これに対して溝
部１３がヒートブロック側に設けられテイルタめ、溝部
１３に熱応力が集中してたとしてもタブつりリード２は
折曲らない。つまり、応力は従来のように溝部１３の空
隙部に働くのではなく、溝部１３の肉厚の薄くなった金
属部に働くので、タブつりリード２を折曲げタブ３を浮
かせるまでには致らない。
このため、ワイヤボンディング時、位置合せ用のカメラ
の焦点がぼける等によるボンディングの位置ずれや、タ
ブ３が浮（ことによるワイヤの圧着不足による剥れ等の
不良が生ずることはない。
したがって、半導体装置の信頼性および歩留を向上でき
る。
なお、本実施例においては、リード４の切断用溝部４０
も溝部１３を設けた側すなわちペレット１を固着してい
ない側１６に設けたことにより、リード４の浮き上りを
防止でき、同様の効果が得られる。
第５図は、上述したリードフレームを用い、これ娑樹脂
封止した半導体装置の断面を示すものであり、第２図の
ｘ−ｘ’断線に相当する部分の断面である。
第５図に示す半導体装置は、タブ２上に固着した半導体
ベレット１のボンディングパットとリードフレーム４と
を例えば金のボンディングワイヤ９によって熱圧着法に
より電気的に接続し、樹脂１０により封止した後、リー
ドフレーム５の折曲げ切断が行なわれて完成する。
〔効果〕
本発明によれば、タブつりリードの切断用溝をベレット
の固着されない１１ＩＩに設けたことにより、ワイヤボ
ンディングの際ヒートブロック表面からのタブ浮きが防
止されるので、ボンディングの位置ずれや圧着不足によ
る剥れを生じることがない。
したがって、タブ浮きによる不良を防止でき高歩留で高
信頼性の半導体装置を得ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、タブつりリードの形は種々変形可能であり、第
６図に示す如き形状のタブつりリードを用いてもよい。
なお、１４は樹脂封止時の応力吸収のための穴である。
また、溝部を四角状にするなど各種形状にすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術の欠点を説明するための図、第２図は
本発明に係るリードフレームの平面図、第３図は第２図
のリードフレームのＹ−Ｙ’線に沿う断面図、 第４図は本発明によりタブ浮上りを防止した様子を説明
する断面図、 第５図は本発明による半導体装置の断面図、第６図は本
発明の変形例を示す平面図である。 １・・・ペレット、２・・・タブつりリード、３・・・
タブ、４・・・リード、５・・・リードフレーム、９・
・・ボンディングワイヤ、１０・・・封止体（レジン）
、１１・・・従来の溝部、１２・・叱−トブロック、１
３・・・本発明による溝部。 第　　１　　図　　。 第　　２　図 第　　３　　図 第　　４　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体ベレットと、これを固着するためのタブと、
    前記タブに連続してなるタブつりリードとを有してなる
    半導体装置において、前記タブつりリードの端部の厚さ
    を、前記半導体ペレットの固着された側とは逆の面を窪
    ませることによって薄（したことを特徴とする半導体装
    置。
JP58065339A 1983-04-15 1983-04-15 半導体装置 Pending JPS59191363A (ja)

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JP58065339A JPS59191363A (ja) 1983-04-15 1983-04-15 半導体装置

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JPS59191363A true JPS59191363A (ja) 1984-10-30

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ID=13284081

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JP58065339A Pending JPS59191363A (ja) 1983-04-15 1983-04-15 半導体装置

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JP (1) JPS59191363A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391439A (en) * 1990-09-27 1995-02-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Leadframe adapted to support semiconductor elements
EP1020913A2 (en) * 1999-01-12 2000-07-19 Sony Corporation Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391439A (en) * 1990-09-27 1995-02-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Leadframe adapted to support semiconductor elements
EP1020913A2 (en) * 1999-01-12 2000-07-19 Sony Corporation Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor
EP1020913A3 (en) * 1999-01-12 2003-05-14 Sony Corporation Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor

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