JPH0637401A - 光半導体容器 - Google Patents
光半導体容器Info
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- JPH0637401A JPH0637401A JP4191253A JP19125392A JPH0637401A JP H0637401 A JPH0637401 A JP H0637401A JP 4191253 A JP4191253 A JP 4191253A JP 19125392 A JP19125392 A JP 19125392A JP H0637401 A JPH0637401 A JP H0637401A
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- glass
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】金属ステムの外部導出リードの周囲にはい上っ
た気密端子用ガラスに、光半導体装置の選別工程時に発
生するリードの曲りによって欠けまたはクラックが発生
し、それが気密不良につながるという問題点を解決する
ため。 【構成】金属ステム１の貫通孔ａの内径を光半導体装置
内側では１．０ｍｍ、外部では１．４ｍｍとして、外部
の方を大きくくることによって、金属ステム下面１２よ
り下部に０．２ｍｍ以上気密端子用ガラスがはい上らな
いようにすることができる。このため、外部導出リード
が曲がった場合にも欠け、スラックが生ずることがな
く、気密不良が発生しない。
た気密端子用ガラスに、光半導体装置の選別工程時に発
生するリードの曲りによって欠けまたはクラックが発生
し、それが気密不良につながるという問題点を解決する
ため。 【構成】金属ステム１の貫通孔ａの内径を光半導体装置
内側では１．０ｍｍ、外部では１．４ｍｍとして、外部
の方を大きくくることによって、金属ステム下面１２よ
り下部に０．２ｍｍ以上気密端子用ガラスがはい上らな
いようにすることができる。このため、外部導出リード
が曲がった場合にも欠け、スラックが生ずることがな
く、気密不良が発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子を搭載し
た光半導体容器に関し、特に外部導出リードを有するも
のに関する。
た光半導体容器に関し、特に外部導出リードを有するも
のに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、外部導出リードを有する光半導体
容器には、金属ステムに設けられた貫通孔に外部導出リ
ードをガラスで気密封止した構造が多く用いられてい
る。
容器には、金属ステムに設けられた貫通孔に外部導出リ
ードをガラスで気密封止した構造が多く用いられてい
る。
【０００３】以下に、従来の光導体容器について図を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００４】図５は、従来の光半導体容器の断面図を、
図６はキャップを除いた光半導体容器の斜視図を示すも
のである。
図６はキャップを除いた光半導体容器の斜視図を示すも
のである。
【０００５】金属ステム１は、鉄あるいはコンバール
（鉄ーコバルトーニッケル合金）よりなり、ある内径で
上部から下部までくり貫かれた貫通孔ｃ３０４が設けら
ている。この貫通孔ｃには、鉄ーニッケル合金あるいは
コバールよりなる外部導出リード２が挿入され、気密端
子用ガラス３により機密封着されている。
（鉄ーコバルトーニッケル合金）よりなり、ある内径で
上部から下部までくり貫かれた貫通孔ｃ３０４が設けら
ている。この貫通孔ｃには、鉄ーニッケル合金あるいは
コバールよりなる外部導出リード２が挿入され、気密端
子用ガラス３により機密封着されている。
【０００６】この気密封着工程の前処理として、例えば
Ｎａ2 Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ2 より成る粉末状の気密端子
用ガラスを仮焼成し、中央に外部導出リードを挿入する
穴を設けた円筒状のガラスを形成し、一方、外部導出リ
ードには気密端子用ガラスとの密着性を高めるため、表
面に酸化膜を形成している。その後、金属ステムの貫通
孔に外部導出リードと円筒状の気密端子用ガラスを挿入
した状態で、高温炉にてガラスが融解する温度まで加熱
を行い、気密封着を行う。
Ｎａ2 Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ2 より成る粉末状の気密端子
用ガラスを仮焼成し、中央に外部導出リードを挿入する
穴を設けた円筒状のガラスを形成し、一方、外部導出リ
ードには気密端子用ガラスとの密着性を高めるため、表
面に酸化膜を形成している。その後、金属ステムの貫通
孔に外部導出リードと円筒状の気密端子用ガラスを挿入
した状態で、高温炉にてガラスが融解する温度まで加熱
を行い、気密封着を行う。
【０００７】このようにして形成された金属ステム１上
の所定の位置に、アルミナディスク１０を金ーシリコン
よりなるろう材で固着し、その上に、モニタ用ホトダイ
オード９を金ー錫よりなるろう材で固着する。そして、
それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１により、
外部導出リード２との電気的接続を行う。また、同様に
半導体レーザ７を固着したヒートシンク６を金ー錫など
のろう材を用いて金属ステムの突起部の側壁に固着した
後、それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１によ
り、外部導出リード２との電気的接続を行う。次に、光
半導体容器内部が窒素で気密封止されるように、中央部
に光透過性のガラス８が取付られた鉄あるいはコバール
よりなるキャップ５と金属ステム１を抵抗溶接により封
止する。
の所定の位置に、アルミナディスク１０を金ーシリコン
よりなるろう材で固着し、その上に、モニタ用ホトダイ
オード９を金ー錫よりなるろう材で固着する。そして、
それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１により、
外部導出リード２との電気的接続を行う。また、同様に
半導体レーザ７を固着したヒートシンク６を金ー錫など
のろう材を用いて金属ステムの突起部の側壁に固着した
後、それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１によ
り、外部導出リード２との電気的接続を行う。次に、光
半導体容器内部が窒素で気密封止されるように、中央部
に光透過性のガラス８が取付られた鉄あるいはコバール
よりなるキャップ５と金属ステム１を抵抗溶接により封
止する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような光半導体容
器においては、外部導出リード２と気密端子用ガラスと
の十分な気密封止を行うために、外部導出リードの表面
に酸化膜を形成するなどの処理を行っているため、外部
導出リード２の金属ステム下面１２より下の部分におい
て、リードの周囲に気密端子用ガラスが余分にはいあが
ってしまう。
器においては、外部導出リード２と気密端子用ガラスと
の十分な気密封止を行うために、外部導出リードの表面
に酸化膜を形成するなどの処理を行っているため、外部
導出リード２の金属ステム下面１２より下の部分におい
て、リードの周囲に気密端子用ガラスが余分にはいあが
ってしまう。
【０００９】従来例で示した光半導体装置は、組立後に
例えば図８に示すような測定治具１５のソケット１６に
外部導出リード２を挿入固定し、選別を行う。この治具
装着作業は手作業であるため、図７（ａ）に示すよう
に、光半導体容器１７の外部導出リード２が曲がってし
まう場合がある。このとき、図７（ｂ）に示すように、
外部導出リード２を形成して元通りのまっすぐな状態に
戻す必要がある。なぜならば、他の外部導出リードとの
接触を避けなければならないし、また後工程での光半導
体装置の取扱いを簡便にするためである。
例えば図８に示すような測定治具１５のソケット１６に
外部導出リード２を挿入固定し、選別を行う。この治具
装着作業は手作業であるため、図７（ａ）に示すよう
に、光半導体容器１７の外部導出リード２が曲がってし
まう場合がある。このとき、図７（ｂ）に示すように、
外部導出リード２を形成して元通りのまっすぐな状態に
戻す必要がある。なぜならば、他の外部導出リードとの
接触を避けなければならないし、また後工程での光半導
体装置の取扱いを簡便にするためである。
【００１０】ただし、図７（ｂ）に示すようにリード整
形する際に気密端子用ガラス２に応力がかかり、金属ス
テム下面１２より下部の余分にはい上がった気密端子用
ガラス２の一部に、クラック１３または欠け１４が発生
してしまう。このクラック１３または欠け１４は、とき
には気密端子用ガラス２の下部から上部に貫通して、気
密不良を起こしてしまうという問題点があった。
形する際に気密端子用ガラス２に応力がかかり、金属ス
テム下面１２より下部の余分にはい上がった気密端子用
ガラス２の一部に、クラック１３または欠け１４が発生
してしまう。このクラック１３または欠け１４は、とき
には気密端子用ガラス２の下部から上部に貫通して、気
密不良を起こしてしまうという問題点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は光半導体容器
は、従来のかかる欠点を除去し、信頼度品質に優れた光
半導体容器を提供するものである。
は、従来のかかる欠点を除去し、信頼度品質に優れた光
半導体容器を提供するものである。
【００１２】即ち、本発明の光半導体容器は金属ステム
の貫通孔に、電気的接続のための外部導出リードが絶縁
材によって封止固定されており、貫通孔の内径が光半導
体容器側よりも外側のほうが大きいことを特徴とする。
の貫通孔に、電気的接続のための外部導出リードが絶縁
材によって封止固定されており、貫通孔の内径が光半導
体容器側よりも外側のほうが大きいことを特徴とする。
【００１３】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明の光半導体容器の一実施例の
断面図を図２はキャップを除いた光半導体容器の斜視図
を示すものである。また、図３（ａ），（ｂ）はそれぞ
れ外部導出リードがまがった場合およびリード整形した
場合の拡大図である。
断面図を図２はキャップを除いた光半導体容器の斜視図
を示すものである。また、図３（ａ），（ｂ）はそれぞ
れ外部導出リードがまがった場合およびリード整形した
場合の拡大図である。
【００１５】金属ステム１は、鉄あるいはコバール（鉄
ーコバルトーニッケル合金）よりなり、貫通孔ａ１０４
が設けられている。この貫通孔ａは、まず最初に内径
１．０ｍｍでくり貫かれるが、金属ステム下面１２にお
いて内径１．４ｍｍになるように、円錐状に内径を広げ
た加工を行う。即ち、光半導体容器外側の貫通孔ａの内
径が、光半導体容器内側のそれより大きいことになる。
この貫通孔ａには、鉄ーニッケル合金あるいはコバール
よりなる外部導出リード２が挿入され、気密端子用ガラ
ス３により気密封着を行う。
ーコバルトーニッケル合金）よりなり、貫通孔ａ１０４
が設けられている。この貫通孔ａは、まず最初に内径
１．０ｍｍでくり貫かれるが、金属ステム下面１２にお
いて内径１．４ｍｍになるように、円錐状に内径を広げ
た加工を行う。即ち、光半導体容器外側の貫通孔ａの内
径が、光半導体容器内側のそれより大きいことになる。
この貫通孔ａには、鉄ーニッケル合金あるいはコバール
よりなる外部導出リード２が挿入され、気密端子用ガラ
ス３により気密封着を行う。
【００１６】この気密封着工程の前処理として、例えば
Ｎａ2 ＯーＢａＯーＳｉＯ2 より成る粉末状の気密端子
用ガラスを仮焼成し、中央に外部導出リードを挿入する
穴を設けた円筒状のガラスを形成し、一方、外部導出リ
ードには気密端子用ガラスとの密着性を高めるため、表
面に酸化膜を形成する。その後、金属ステムの貫通孔に
外部導出リードと円筒状の気密端子用ガラスを挿入した
状態で、高温炉にてガラスが融解する温度まで加熱を行
い、気密封着を行なう。
Ｎａ2 ＯーＢａＯーＳｉＯ2 より成る粉末状の気密端子
用ガラスを仮焼成し、中央に外部導出リードを挿入する
穴を設けた円筒状のガラスを形成し、一方、外部導出リ
ードには気密端子用ガラスとの密着性を高めるため、表
面に酸化膜を形成する。その後、金属ステムの貫通孔に
外部導出リードと円筒状の気密端子用ガラスを挿入した
状態で、高温炉にてガラスが融解する温度まで加熱を行
い、気密封着を行なう。
【００１７】このようにして形成された金属ステム１上
の所定の位置に、アルミナディスク１０を金ーシリコン
よりなるろう材で固着し、その上に、モニタ用ホトダイ
オード９を金ー錫よりなるろう材で固着する。そして、
それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１により、
外部導出リード２との電気的接続を行う。また、同様に
半導体レーザ７を固着したヒートシンク６を金ー錫など
のろう材を用いて固着した後、それぞれ金線よりなるボ
ンディングワイヤ１１により、外部導出リード２との電
気的接続を行う。
の所定の位置に、アルミナディスク１０を金ーシリコン
よりなるろう材で固着し、その上に、モニタ用ホトダイ
オード９を金ー錫よりなるろう材で固着する。そして、
それぞれ金線よりなるボンディングワイヤ１１により、
外部導出リード２との電気的接続を行う。また、同様に
半導体レーザ７を固着したヒートシンク６を金ー錫など
のろう材を用いて固着した後、それぞれ金線よりなるボ
ンディングワイヤ１１により、外部導出リード２との電
気的接続を行う。
【００１８】次に、光半導体容器内部が窒素で気密封止
されるように、中央部に光透過性のガラス８が取付られ
た鉄あるいはコバールよりなるキャップ５と金属ステム
１を抵抗溶接により、封止する。
されるように、中央部に光透過性のガラス８が取付られ
た鉄あるいはコバールよりなるキャップ５と金属ステム
１を抵抗溶接により、封止する。
【００１９】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２０】図４は第２の実施例の断面図であり、金属
ステム１に設けられた貫通孔ｂ２０４は、まず最初に内
径１．０ｍｍでくり貫かれ、次に金属ステム下面１２よ
り内径１．４ｍｍ、深さ方向０．２ｍｍに内径を広げた
加工を行っている。即ち、光半導体容器外側の貫通孔ｂ
の内径が、光半導体容器内側のそれより大きいことにな
る。
ステム１に設けられた貫通孔ｂ２０４は、まず最初に内
径１．０ｍｍでくり貫かれ、次に金属ステム下面１２よ
り内径１．４ｍｍ、深さ方向０．２ｍｍに内径を広げた
加工を行っている。即ち、光半導体容器外側の貫通孔ｂ
の内径が、光半導体容器内側のそれより大きいことにな
る。
【００２１】なお、その他については第一の実施例と同
じであるため、説明は省略する。
じであるため、説明は省略する。
【００２２】
【発明の効果】本発明の光半導体容器においては、貫通
孔の内径が光半導体容器内側よりも外側のほうが大きい
ため、外部導出リード２の金属ステム下面１２より下の
部分において、０．２ｍｍ以上、気密端子用ガラスが余
分にはいあがることがない。
孔の内径が光半導体容器内側よりも外側のほうが大きい
ため、外部導出リード２の金属ステム下面１２より下の
部分において、０．２ｍｍ以上、気密端子用ガラスが余
分にはいあがることがない。
【００２３】したがって、本発明の光半導体容器は、例
えば組立後に図８に示すような測定治具１５のソケット
１６に外部導出リード２を挿入固定し、選別を行い、外
部導出リード２がまがってしまった場合でも、以下に示
すように気密端子用ガラス２にクラックまたは欠けが発
生することがない。
えば組立後に図８に示すような測定治具１５のソケット
１６に外部導出リード２を挿入固定し、選別を行い、外
部導出リード２がまがってしまった場合でも、以下に示
すように気密端子用ガラス２にクラックまたは欠けが発
生することがない。
【００２４】図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ外部導出リ
ードが曲がった場合およびリード整形した場合の拡大図
である。図３（ｂ）に示すように、外部導出リード２を
整形して元通りのまっすぐな状態に戻した場合に、金属
ステム下面１２より下の部分に０．２ｍｍ以上気密端子
用ガラスがはいあがっていないため、気密端子用ガラス
２の一部にクラックまたは欠けが発生することがない。
ードが曲がった場合およびリード整形した場合の拡大図
である。図３（ｂ）に示すように、外部導出リード２を
整形して元通りのまっすぐな状態に戻した場合に、金属
ステム下面１２より下の部分に０．２ｍｍ以上気密端子
用ガラスがはいあがっていないため、気密端子用ガラス
２の一部にクラックまたは欠けが発生することがない。
【００２５】このため、従来０．１％生じた気密不良が
０％に減少した。
０％に減少した。
【図１】本発明の光導体容器の一実施例の断面図。
【図２】本発明の光半導体容器の一実施例のキャップを
除いた斜視図。
除いた斜視図。
【図３】（ａ）本発明の光半導体容器の一実施例の外部
導出リードがまがった場合の拡大図。 （ｂ）本発明の光半導体容器の一実施例のリード整形し
た場合の拡大図。
導出リードがまがった場合の拡大図。 （ｂ）本発明の光半導体容器の一実施例のリード整形し
た場合の拡大図。
【図４】本発明の光半導体容器の第２の実施例の断面
図。
図。
【図５】従来の光半導体容器の断面図。
【図６】従来の光半導体容器のキャップを除いた斜視
図。
図。
【図７】（ａ）従来の光半導体容器の外部導出リードが
曲がった場合の拡大図。 （ｂ）従来の光半導体容器のリード整形した場合の拡大
図。
曲がった場合の拡大図。 （ｂ）従来の光半導体容器のリード整形した場合の拡大
図。
【図８】光半導体容器と測定治具の概略図。
１ 金属ステム ２ 外部導出リード ３ 気密端子用ガラス １０４ 貫通孔ａ ２０４ 貫通孔ｂ ３０４ 貫通孔ｃ ５ キャップ ６ ヒートシンク ７ 半導体レーザ ８ 光透過性のガラス ９ モニタ用ホトダイオード １０ アルミナディスク １１ ボンディングワイヤ １２ 金属ステム下面 １３ ガラス部のクラック １４ ガラス部の欠け １５ 測定治具 １６ ソケット １７ 光半導体容器
Claims (1)
- 【請求項１】 光半導体素子を搭載する金属ステムの貫
通孔に、電気的接続のための外部導出リードが絶縁材に
よって封止固定されている光半導体容器において、貫通
孔の内径が光半導体容器内側よりも外側のほうが大きい
ことを特徴とする光半導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191253A JPH0637401A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光半導体容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191253A JPH0637401A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光半導体容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637401A true JPH0637401A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16271462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191253A Withdrawn JPH0637401A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光半導体容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637401A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000209026A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 高周波送受信装置および車載レ―ダシステム |
| JP2004207259A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 |
| JP2006080418A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | キャンパッケージ型光半導体装置および光モジュール |
| JP2006295223A (ja) * | 2002-03-25 | 2006-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2007043211A (ja) * | 2002-03-25 | 2007-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2008294258A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 電子チップ搭載用ベースとその製造方法、および電子装置 |
| US7889770B2 (en) | 2002-03-25 | 2011-02-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4191253A patent/JPH0637401A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000209026A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 高周波送受信装置および車載レ―ダシステム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |