JPS59213146A - ダブルヒ−トシンク形半導体装置 - Google Patents
ダブルヒ−トシンク形半導体装置Info
- Publication number
- JPS59213146A JPS59213146A JP8730683A JP8730683A JPS59213146A JP S59213146 A JPS59213146 A JP S59213146A JP 8730683 A JP8730683 A JP 8730683A JP 8730683 A JP8730683 A JP 8730683A JP S59213146 A JPS59213146 A JP S59213146A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- glass sleeve
- glass
- projection type
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダブルヒートシンク形（以下、ＤＨＤ形）の半
導体装置にかかシ、特にＤＨＤ形の金属端子の構造及び
封止の改良に関する。
導体装置にかかシ、特にＤＨＤ形の金属端子の構造及び
封止の改良に関する。
従来のリードｖスＤ ＨＤ （Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅａｔ
ｓｉｎｋｌ）ｉｏｄｅ）形半導体装置を第１図に示す。
ｓｉｎｋｌ）ｉｏｄｅ）形半導体装置を第１図に示す。
第１図に於いて、半導体ペレット１はガラススリーブ２
内に気密封止され、同軸状に配置されたヘッディング状
の凸型金属端子（飼えばジーメット線）３及び４によっ
て加圧接触されておシ、凸型金属端子３及び４にガラス
スリーブ２の内壁を融着せしめることによシ半導体ペレ
ット１を気密封止することが出来る。しかしながらかか
る構造の半導体装置は、例えばプリント基板酸セラミッ
ク基板のパターン部にソフトソルダー（半田）によシ実
装する際に、半田が前記半導体装置のガラススリーブ２
部に流出接触し、ガラススリーブ２の両端のエッヂ部に
クラックや割れが多発し易く、その結果として組立の歩
留低下及び信頼度低下の原因となる。
内に気密封止され、同軸状に配置されたヘッディング状
の凸型金属端子（飼えばジーメット線）３及び４によっ
て加圧接触されておシ、凸型金属端子３及び４にガラス
スリーブ２の内壁を融着せしめることによシ半導体ペレ
ット１を気密封止することが出来る。しかしながらかか
る構造の半導体装置は、例えばプリント基板酸セラミッ
ク基板のパターン部にソフトソルダー（半田）によシ実
装する際に、半田が前記半導体装置のガラススリーブ２
部に流出接触し、ガラススリーブ２の両端のエッヂ部に
クラックや割れが多発し易く、その結果として組立の歩
留低下及び信頼度低下の原因となる。
本発明は、上記欠点を解決し、熱放散性が良好でしかも
熱抵抗の小さい半導体装置を提供するものである。
熱抵抗の小さい半導体装置を提供するものである。
本発明の特徴は、半導体ベレットの両端にダブルヘッデ
ィング状の凸型金属端子の中央の塔頂面に圧接し、ガラ
ススリーブを凸型金属端子の側面に気密封止したことで
ある。
ィング状の凸型金属端子の中央の塔頂面に圧接し、ガラ
ススリーブを凸型金属端子の側面に気密封止したことで
ある。
次に、本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する
。第２図（ａ）に於いて、まず最初にカーボン製封入治
具に゛タ゛プルヘッディング状の凸型金属端子（飼えば
ジーメット線）１４を挿入し、次いでガラススリーブ１
２を組込む。この時、ガラススリーブ１２は前記金属端
子１４の凸状の周辺部の突出部に配置される。次に、半
導体ベレット１１をガラススリーブ１２内に挿入した場
合はガラススリーブ１２の内壁がガイドとなシ、半導体
ベレット１１はダブルヘッディング状凸型金属端子１４
の中央部の塔頂面に載置される。ここで半導体ベレット
１１の載置状態は必ずしも正位置（半導体ベレットの突
出部が上部方向になること）になるとは限らない。次に
前記半導体ベレット１１の他方の電極上にタ゛プルヘッ
ディング状凸型金属端子１３を載置せしめる。次いで、
荷重を前記金属端子１３部に加える。前記の要領によシ
組込完了した枚数のカーボン製封入治具を、例えばベル
ト方式の溶融炉にて６５０〜７５０℃の温度で、不活性
ガス（Ｎ、ガス）の雰囲気に於いて、前記ガラススリー
ブ１２を溶融せしめると、ダブルヘッディング状凸型金
属端子１３．１４と融着し、半導体ベレット１１は完全
にガラススリーブ１２内に気密封止される。
。第２図（ａ）に於いて、まず最初にカーボン製封入治
具に゛タ゛プルヘッディング状の凸型金属端子（飼えば
ジーメット線）１４を挿入し、次いでガラススリーブ１
２を組込む。この時、ガラススリーブ１２は前記金属端
子１４の凸状の周辺部の突出部に配置される。次に、半
導体ベレット１１をガラススリーブ１２内に挿入した場
合はガラススリーブ１２の内壁がガイドとなシ、半導体
ベレット１１はダブルヘッディング状凸型金属端子１４
の中央部の塔頂面に載置される。ここで半導体ベレット
１１の載置状態は必ずしも正位置（半導体ベレットの突
出部が上部方向になること）になるとは限らない。次に
前記半導体ベレット１１の他方の電極上にタ゛プルヘッ
ディング状凸型金属端子１３を載置せしめる。次いで、
荷重を前記金属端子１３部に加える。前記の要領によシ
組込完了した枚数のカーボン製封入治具を、例えばベル
ト方式の溶融炉にて６５０〜７５０℃の温度で、不活性
ガス（Ｎ、ガス）の雰囲気に於いて、前記ガラススリー
ブ１２を溶融せしめると、ダブルヘッディング状凸型金
属端子１３．１４と融着し、半導体ベレット１１は完全
にガラススリーブ１２内に気密封止される。
上述のように本発明の半導体装置は、第２図の）に示す
如く、基板実装に於いて、凸型金属端子１３．１４の第
１へンティンク部１５．１５’と第２ヘツデイング部１
６．１６’の中間部で半田１７が溶融する為、半田１７
が第１ヘッディング部１５．１５’のストッパー効果に
よシガシススリーブ１２部へ流れ出しが無くなシ、ガラ
ススリーブ１２と半田１７の接着が皆無である。この結
果、ガラススリーブ１２の両端エッヂにガラスクラック
や割れ等が発生しないという長所を有している。
如く、基板実装に於いて、凸型金属端子１３．１４の第
１へンティンク部１５．１５’と第２ヘツデイング部１
６．１６’の中間部で半田１７が溶融する為、半田１７
が第１ヘッディング部１５．１５’のストッパー効果に
よシガシススリーブ１２部へ流れ出しが無くなシ、ガラ
ススリーブ１２と半田１７の接着が皆無である。この結
果、ガラススリーブ１２の両端エッヂにガラスクラック
や割れ等が発生しないという長所を有している。
又、半田１７が半導体装置の外部に流出し々い為、実装
後の接続強直が向上し、実装信頼性が非常に高いことを
言うまでもない。
後の接続強直が向上し、実装信頼性が非常に高いことを
言うまでもない。
本発明は、リードレスの半導体装置の一実施例について
説明したが、本発明は第３図に示す如くダブルヘッディ
ング状凸型金属端子１３．１４０第２ヘッディング面に
外部リード１８．１９を抵抗溶接によυ接続し、一般的
なリード付半導装置を製造することが容易であることは
言うまでもない。
説明したが、本発明は第３図に示す如くダブルヘッディ
ング状凸型金属端子１３．１４０第２ヘッディング面に
外部リード１８．１９を抵抗溶接によυ接続し、一般的
なリード付半導装置を製造することが容易であることは
言うまでもない。
第１図は従来のリードレス半導体装置の断面図でおる。
第２図（ａ）及びΦ）は本発明一実施例の半導体装置の
断面図及び実装断面図である。第３図は本発明−実施的
の応用のリード付半導体装置の断面図でおる。 図中、１．１１・・・・・・半導体ペレツ）、２．１２
・・・・・・ガラススリーブ、３，４・・・・・・凸型
金属端子、１３．１４・・・・・・ダブルヘッディング
状凸型金属端子、１５．１５’・・・・・・第１ヘッデ
ィング部、１６゜１６′・・・・・・第２ヘッディング
部、１７・・・・・・半田、１８．１９・・・・・・外
部リード線である。
断面図及び実装断面図である。第３図は本発明−実施的
の応用のリード付半導体装置の断面図でおる。 図中、１．１１・・・・・・半導体ペレツ）、２．１２
・・・・・・ガラススリーブ、３，４・・・・・・凸型
金属端子、１３．１４・・・・・・ダブルヘッディング
状凸型金属端子、１５．１５’・・・・・・第１ヘッデ
ィング部、１６゜１６′・・・・・・第２ヘッディング
部、１７・・・・・・半田、１８．１９・・・・・・外
部リード線である。
Claims (1)
- 突出状の金属電極を有する半導体ペレットを金属端子に
接続してなるダブルヒートシンク形の半導体装置に於い
て、上記の金属端子の形状がダブルヘッディング状の凸
型を有し、上記半導体ベレットの電極部が凸型の塔頂面
に圧接した状態でガラス気密封止されたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730683A JPS59213146A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730683A JPS59213146A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213146A true JPS59213146A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13911140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8730683A Pending JPS59213146A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213146A (ja) |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8730683A patent/JPS59213146A/ja active Pending
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