JPS6095976A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPS6095976A
JPS6095976A JP58202593A JP20259383A JPS6095976A JP S6095976 A JPS6095976 A JP S6095976A JP 58202593 A JP58202593 A JP 58202593A JP 20259383 A JP20259383 A JP 20259383A JP S6095976 A JPS6095976 A JP S6095976A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame structure
ceramic
state image
solid state
image pick
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58202593A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiya Izumi
泉 章也
Masahiko Kadowaki
正彦 門脇
Makoto Kawachi
誠 河内
Yoshio Iwata
岩田 吉雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58202593A priority Critical patent/JPS6095976A/ja
Publication of JPS6095976A publication Critical patent/JPS6095976A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は固体−像装置、特に固体撮像素子を収納するパ
ッケージの構造に関するものである。
〔発明の背景〕
第1図は従来の固体撮像装置の一例を示す!!部部面面
図ある。同図において、セラミック枠体la、lbが積
層されてなるパッケージ枠体1はその中央平面部に段部
1cと底部1dとからなる凹部1eが形成され、その段
部1cの所定位置にはポンディングパッド2が被着形成
されている。そしてこのポンディングパッド2はセラミ
ック枠体la、Ib間に形成された金用導電ノくターン
3に接続され、パッケージ枠体1の端面に固着配置され
た外部リード端子4に接続されている。また、このパッ
ケージ枠体1の凹部1e内の底部1dには半導体撮像素
子5が接着して収納され、この半導体素子5のポンディ
ングパッド5aはボンディングワイヤ6を介して上記パ
ッケージ段部ICに形成されたポンディングパッド2に
接続されている。一方セラミックからなるキャップ枠体
7にフリットガラス8を介して光入射窓用透明ガラス板
9が接着固定されてなるキャップ10が、シール材11
を介してパッケージ枠体1の上方で半導体撮像素子5に
対向して固定されている。
従来キャップ10とパッケージ枠体lの封止は、第2図
に示す様にセラミックからなるキャップ枠体7とセラミ
ックからなるパッケージ枠体1aの対向面を、ともに段
差のない平行平面のままで半田封止していた。しかしな
がらこのような封止を行った場合、次のようが不都合点
が生じていた。
(1)外観不良が発生し易い。
従来の半田制止は、封止性を良くするため、パッケージ
枠体lとキャップ枠体7双方の制止面に、第2図に示す
lla、llbの如く半田をプリフォームをして制止を
行っている。このため、半田の量が必然的に多くなり、
封止時に過剰の半田が制止面からはみだし、半田球を形
成し外観不良が高率に発生していた。
(2) 封止時の荷重許容範囲が極めて狭い。
半田で封止する場合、半田の融着を完全に行うため溶融
した半田の表面の酸化膜を破る必要がある。そのために
は通常数十グラム以上の荷重でキャップ10とパッケー
ジ枠体lを加圧する方法が取られており、またその荷重
は大きい程その効果は大きい。したがって封止の信頼性
を上げるには、荷重は可及的大とすることが必要である
。一方前述の外観不良は、荷重が小さい程発生率が低い
。しかしながら低い荷動下では、溶融した半田表面の酸
化膜破壊が不十分なため、融着が完全でなく、気密リー
ク不良が高率に発生し、致命的な欠陥となる。このため
、従来方式では、信頼性を重視して、数十グラムの荷重
をかけているため、十数多板上の外観不良が発生し、半
田封止量産化の大きな障害となっていた。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、キャップ枠体と
パッケージ枠体の半田封止に於て、外観不良の発生率を
可及的ゼロとし、かつ高い信頼性を備えた固体撮像装置
のパッケージ構造とその11i造方法を提供することに
ある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明は、ガラスキャ
ップ枠体側又はパッケージ枠体側の制止面に所定の高さ
の段差を形成し、荷重をかけた場合でも封止材の厚さが
常に一定値となるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
一般にセラミック表面上に段差を形成するには、(1)
 所定の厚さのグリーンシートを積層する積層法 (2)所定の段差を持つ金型を用いて粉末成形する粉末
成形法 がある。半田封止時の封止厚さは、0.05〜0.5餌
の範囲、とくに0.1〜0.2 mであることが望まし
い。この様な厚さの段差を形成する場合、上記(1)は
グリーンシートの厚さの下限が0.4 a程度であるた
め、0.1〜02範の段差を形成することが技術的に極
めて困難である。また上記(2]は、技術的には可能で
あるが、粉末成形法は一般にコストが高いため、価格面
から、コスト低減を目標としている半田封止には不適で
ある。本発明は、上記輛2方法の間組点を解決し、安価
で量産性の高い段差形成方法を実現し、半田封止の高信
頼性化を実現したものである。具体的には、グリーンシ
ートを積層後、封止部分の所定の位置にシルクスクリー
ン印刷法でセラミックペーストを印刷し、乾燥後焼成す
る。−回のスクリーン印刷で所定の厚さが得られない場
合は、多数回印刷をくり返しても良い。また、段差の形
成は、構造の単純なガラスキャップ10側のセラミック
枠体7に実施する方が良いが、パッケージ枠体lの封止
部分に形成しても同様の効果が得られる。シルクスクリ
ーン印刷法は既に確立された技術であり景浬性、安定性
共に優れ、本発明による段差形成は極めて実用性の高い
ものである。
次に図面を用いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
第3図は本発明による固体撮像装置の一例を示す要部断
面図であり、第1図と同記号は同一要素となるので、そ
の説明は省略する。同図において、封止面における段差
は封止面上であるが刺止材の存在する領域の外に設けで
ある。
セラミックからなるキャップ枠体7の所定部分にシルク
スクリーン法でアルミナペーストを印刷し段差12を形
成する。段差高さは焼成後で0.1〜0.15銑となる
様印刷厚さを次める。印刷後封止面部分にタングステン
(W)メタライズペースト13を同じくシルクスクリー
ン法で印刷する。
次にこのキャップ枠体7を1200〜+500”Cで約
50時間遠元性雰囲気中で焼成する。焼成後前記封止面
AK所定のメッキを施し最後にAuメッキを行う。メッ
キ後このキャップ枠体7とガラス板9とをフリットガラ
ス8にて450″G、30分加熱して融着する。完成し
たカラスキャップ? 10封止面A K 19 サ約0. l vm I) 
P b −63S S r息半田鈴を枠状にロジン系フ
ラックスを用いて220°C5分間空気中で加熱しプリ
フォームする。同様にセラミックからなるパッケージ枠
体lの封止面BK4.Pb−63%Sn半田をプリフォ
ームする。
プリフォーム後のガラスキャップ10とセラミックパッ
ケージ枠体1を所定の治具にセットし、100?の荷重
をかけて、N!雰囲気のベルトコンベア炉中で、200
℃IO分間加熱し封止する。
本実施例によれば、第1図の従来方式での半田刺止では
約13%発生していた外観不良率を1%以下に低減する
ことができ、また、十分な荷重をかけることができるの
で、初期リーク不良率も05チ以下となり、かつ信頼性
についても温度す゛イクル試験(−55°C〜150°
C)を300サイクル以上クリアすることができ、目標
値を達成することができた。
第4図は、本発明による固体撮像装置の他の一実施例の
要部断面図で、段差12を封止材jl内に設けた場合で
あり、前記実施例と全く同様の効果を得ることができた
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれげ、外観不良率を従来
方式のI/10以下とすることができ、また信頼性につ
いても、初期リーク不良率05%以下、温[サイクル試
験300サイクル以上を得ることができた。またセラミ
ックペースト印刷によって段差を形成するに要する費用
は、ガラスキャップのコスト!%程度であシ、コスト的
にも十分引合うという極めて優れた効果がもたらされる
【図面の簡単な説明】
第!、2図は従来の固体撮像装置の一例を示す要部断面
図、第3図は本発明による固体撮像装置の一例を示す要
部断面図、第4図は本発明による固体撮像装置の他の一
実施例を示す要部断面図である。 1・・・・パッケージ枠体、5・・・・半導体撮像素子
、7・・・・ キャップ枠体、9・・・・ガラス板、1
0・・・・キャップ、If・・・・封止材、I2・・・
・段差、I3・・・・Wメタライズ。 第5図 72図 第4凶

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 !、 固体撮像素子が収納配置された第1のセラミック
    枠体と、前記固体撮像床7のための光入射窓用ガラス板
    を備える第2のセラミック枠体とを制止剤を介して積層
    封止してなる固体撮像装置において、前記セラミック枠
    体の少なくとも一方の封止部の少なくとも一部に前記封
    止剤の厚みを規定する段差を有することを特徴とする固
    体撮像装置。 2、前記段差は第2のセラミック枠体に、セラミックペ
    ーストをシルクスクリーン法で印刷後焼成して形成式れ
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固
    体撮像装置。
JP58202593A 1983-10-31 1983-10-31 固体撮像装置 Pending JPS6095976A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58202593A JPS6095976A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58202593A JPS6095976A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6095976A true JPS6095976A (ja) 1985-05-29

Family

ID=16460043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58202593A Pending JPS6095976A (ja) 1983-10-31 1983-10-31 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6095976A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018522425A (ja) * 2015-07-01 2018-08-09 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 電子デバイスを製造するための方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018522425A (ja) * 2015-07-01 2018-08-09 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 電子デバイスを製造するための方法
US10446298B2 (en) 2015-07-01 2019-10-15 Epcos Ag Method for producing an electrical component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4554573A (en) Glass-sealed ceramic package type semiconductor device
JPS6031102B2 (ja) 集積回路パツケージおよびその製作方法
US4558346A (en) Highly reliable hermetically sealed package for a semiconductor device
JP2001068654A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
JPS6095976A (ja) 固体撮像装置
JP3462479B2 (ja) 表面弾性波フィルターのセラミックパッケージのシーリング方法及び装置
JPH04137663A (ja) 固体撮像装置
JPS58127474A (ja) 固体撮像装置
JPS6362266A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH0547988A (ja) 半導体装置
JPS5992552A (ja) 半導体装置
JPH06241889A (ja) 半導体装置
JPH08316504A (ja) 光学部品およびその製造方法
JP2685083B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JPS5853838A (ja) 半導体装置
JPH0229167B2 (ja) Tokomado
JPH02303053A (ja) 半導体パッケージの製造方法
JPS62106649A (ja) 半導体装置の実装方法
JPS634350B2 (ja)
JPS60123044A (ja) 半導体装置
JPS60132347A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3060645B2 (ja) チップイングラス型蛍光表示パネル
JPH01238129A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS60170956A (ja) 半導体素子封止装置
JPH04321257A (ja) 低融点ガラス封止型半導体装置