KR100483042B1 - 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치 - Google Patents

표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 외부환경에 민감하게 반응하는 탄성 표면파 필터의 세라믹 패키지시, 상기 세라믹 본체부 내부에 내설되는 칩 부품 보호를 위해 상기 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이에 1차 시일링후, 금속 케이스의 주연으로 2차 시일링 작업을 수행하여 이중 밀봉에 따른 외부 전자계에 대한 차폐효과가 우수하게 이루어질 수 있도록한 세라믹 패키지 시일링장치를 제공하는 것으로 이는 특히, 세라믹 패키지로 구성되는 세라믹 본체부의 상측에 단턱이 형성되고, 상기 단턱상에 에폭시 수지 또는 절연성 접착제가 도포되어 금속 케이스 저면(底面)과 부착 고정토록 되는 1차 시일링하고, 상기 세라믹 본체부의 표면에 형성되는 전극층에는 금속 케이스와 세라믹 본체부를 솔더링 또는 도전성 접착제를 통해 결합하는 2차 시일링하여 세라믹 패키지를 시일링하는 것을 요지로 한다.

Description

표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR SEALING CERAMIC PACKAGE OF SAW FILTER}
본 발명은 쏘 듀플렉스 필터(SAW Duplexer Filter) 또는 쏘 필터(SAW Filter)등과 같은 외부환경에 민감하게 반응하는 탄성 표면파 필터의 세라믹 패키지(Package)시, 상기 세라믹 본체부 내부에 내설되는 칩부품 보호를 위해 상기 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이에 1차 시일링후, 금속 케이스의 주연으로 2차 시일링 작업을 수행하여 이중 밀봉에 따른 외부 전자계에 대한 차폐효과가 우수하게 이루어질 수 있도록 하며, 2차 시일링 작업시 일반 솔더링 작업 또는 도전성 접착제를 통해 작업성 및 원가의 절감을 이룩하면서도 밀봉이 확실하게 이루어질 수 있도록한 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 알려져있는 종래의 세라믹 패키징은, 각종 반도체 또는 표면 탄성파 필터 및 표면 탄성파 듀플렉스(Duplexer)등의 외부환경에 민감하게 작용하는 부품을 외부 환경으로부터 보호하고, 세라믹 패키지 내부에 가스 및 습기등의 발생이 일어나지 않도록 함으로써, 상기 세라믹 패키지 내부의 칩부품을 보호하기 위하여 기밀성을 유지하는 것이다.
이와같은 기술과 관련된 종래의 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 구성에 있어서는 도 1에 도시한 바와같이, 세라믹 본체부(10)의 칩 장착부(20) 내측으로 솔더볼을 개재하여 칩부품(40)이 장착되거나, 상기 칩부품(40)의 하면에 도전성 본드(30) 또는 자외선 경화 본드등을 도포하여 접합후, 칩 와이어(50)가 인출되어 본딩을 통해 전기적으로 연결토록 된다.
또한, 상기 세라믹 본체부(10)의 표면층에는 Ag로 구성된 표면 전극층(80) 및 Au/Sn으로 구성되는 브론징 매트리얼(60)(Brazing Material)을 개재하여 금속 케이스(70)가 열 융착에 의해 착설되는 구성으로 이루어진다.
상기와같은 구성을갖는 종래의 세라믹 패키지에 있어서는, 세라믹 본체부(10)에 요설되는 칩 장착부(20)의 내측에 칩 부품(40)을 솔더볼을 통해 장착하여 전기적,기구적으로 고정하거나, 상기 칩 부품(40)의 하면에 도전성 본드(30) 또는 자외선 경화 본드등을 도포하여 접합후, 칩 부품으로부터 Au 또는 Al로 구성된 칩 와이어(50)가 인출되어 본딩을 통해 전기적으로 연결토록 된다.
계속해서, 상기 세라믹 본체부(10)의 표면층에는 Ag로 이루어진 표면 전극층(80)을 형성한 후, 상기 세라믹 본체부(10) 내부의 칩 부품(40)을 밀페하기 위하여, 금속 케이스(70)와 세라믹 본체부(10) 사이에 고가의 Au(80%)/Sn(20%)로 구성되는 브론징 매트리얼(60)을 질소(N₂) 분위기하에서 약 300∼800℃의 온도로 5∼10분간 가열하여 상기 금속 케이스(70)를 부착함으로써, 상기 세라믹 패키지를 시일링하는 구성으로 이루어진다.
그러나, 상기와같은 세라믹 패키지의 시일링 작업시, 상기 세라믹 본체부(10)의 표면에 형성되는 Ag 전극층(80)을 융착시키기 위한 브론징 매트리얼(60) 작업시 약 300∼800℃의 온도도 질소(N₂) 분위기하에서 소성함에 따른 기 소성된 세라믹 본체부의 환원 및 미세구조의 취약성이 발생하게 되며, 특히 소성시 발생되는 가스가 세라믹 패키지 내부로 유입되어 내부의 칩 부품에 영향을 미치게 되는 단점이 있는 것이다.
또한, 세라믹 본체부(10)의 표면 전극층(80)은 소성공정시, 융착의 불균일로 인한 기밀성이 제대로 유지되기 어렵게 되며, 브론징 매트리얼(60)은 그 재료가 Au/Sn으로 구성되어 가격이 고가로 형성되며, 이에따라 세라믹 패키지의 시일링 작업에 따른 가격부담이 가중 되는등의 많은 문제점이 있는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점들을 개선시키기 위하여 안출된 것으로서 그 목적은, 세라믹 본체부 내부에 설치되는 칩 부품 보호를 위해 상기 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이에 1차 및 2차 시일링을 통한, 세라믹 패키지 내부의 오염을 방지토록 하며, 또한 세라믹 패키지의 이중 밀봉에 의해 외부 전자계에 대한 차폐효과가 우수하게 이루어질 수 있는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이의 1차 시일링 작업시, 에폭시 수지 및 절연성 수지등의 사용에 따른 가스 발생을 방지하여, 세라믹 패키지 내부로 가스의 유입에 따른 특성 저하를 방지하고, 금속 케이스 주연으로 솔더링 또는 도전성 접착제에 의한 2차 시일링작업을 통해, 소성공정이 필요 없이 상온 경화에 의해 세라믹 패키지의 시일링성을 향상시키면서, 시일링 작업성 및 원가의 절감을 이룩할 수 있는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기 세라믹 패키지의 본체부와 금속 케이스 사이의 시일링 작업시, 페이스트 상태의 접합수단을 사용하여 상기 세라믹 본체부 표면과 금속 케이스사이의 표면 조도와 관계없이 균일한 상태의 시일링이 이루어질 수 있는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법을 제공하는 데에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로서 본 발명은, 내부에 칩장착부가 형성되어 이에 칩부품이 실장되는 세라믹 본체부와,
상기 세라믹 본체부의 상측에 형성되는 단턱상에 1차 접합수단을 매개로 하여 금속 케이스가 부착 고정되는 1차 시일링부와,
상기 세라믹 본체부의 상단부 표면에 도포된 전극층에서 2차 접합수단을 매개로 하여 상기 금속케이스와 세라믹본체부를 서로 결합하는 2차 시일링부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치를 마련함에 의한다.
또한 본 발명은, 내부에 칩 장착부가 형성되어 칩 부품이 실장토록 마련되는 세라믹 본체부와,
상기 세라믹 본체부의 상측에 형성되는 단턱 상에 전극이 도포된 표면 전극층이 형성되고 접합수단에 의해 금속 케이스가 부착 고정되는 1차 시일링부와,
상기 세라믹 본체부의 표면으로 접합수단에 의해 금속 케이스와 결합토록 하는 2차 시일링부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치를 마련함에 의한다.
또한 본 발명은, i)내부에 칩부품 장착부가 형성되는 세라믹 패키지를 제공하는 단계;
ii)세라믹 본체부의 상측으로 표면 전극층을 형성하는 단계;
iii)상기 세라믹 본체부의 칩부품 장착부에 칩 부품 및 칩 와이어를 고정하는 단계;
iv)상기 세라믹 본체부에 금속 케이스를 1차 시일링하는 단계; 및
v) 세라믹 본체부의 표면 전극층과 일체로 금속 케이스와 상기 세라믹 본체부를 2차 시일링하는 단계를 포함하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법을 마련함에 의한다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지의 시일링구조를 나타낸 측단면 구성도이고, 도 3은 도 2의 A부 확대 구조도로서, 세라믹 패키지(100)로 구성되는 세라믹 본체부(110)의 칩 장착부(120) 내측으로 솔더볼을 개재하여 칩부품(140)이 장착되거나, 상기 칩부품(140)의 하면에 도전성 본드(130) 또는 자외선 경화 본드등을 도포하여 접합후, 칩 부품으로부터 Au 또는 Al로 구성된 칩 와이어(150)가 인출되어 본딩을 통해 전기적으로 연결토록 된다.
또한, 상기 세라믹 본체부(110)의 표면층에는 Ag에 Ni 및 Au가 도금된 표면 전극층(220)이 형성된후, 금속 케이스(170)가 착설된다.
계속해서, 상기 세라믹 본체부(110)의 상측에는 단턱(160)이 형성되고, 상기 단턱(160)상에 에폭시 수지 또는 절연성 접착제등과 같은 1차 접합수단(180)이 도포되어 금속 케이스(170)의 저면(底面)과 부착되어 고정되는 1차 시일링부(190)가 마련되고, 상기 세라믹 본체부(110)의 표면으로 형성되는 표면 전극층(220)에는 금속 케이스(170)와 세라믹 본체부(110)를 도전성 접착제 또는 솔더링등과 같은 2차 접합수단(200)을 통해 부착되는 2차 시일링부(210)를 마련하여 세라믹 패키지를 시일링하는 구성으로 이루어진다.
이와같은 구성으로 이루어진 본 발명의 세라믹 패키지 시일링방법을 설명하면 다음과 같다.
도2 및 도 3에 도시한 바와같이, 세라믹 패키지(100)로 구성되는 세라믹 본체부(110)의 내측으로 요홈부가 마련되는 칩 장착부(120)를 형성하며, 상기 세라믹 본체부(110)의 상측 표면에는 Ag가 프린팅에 의해 인쇄 및 소성 된후, 그 상측에 Ni 및 Au가 일정두께 도금되어 세라믹 패키지의 표면 전극층(220)을 형성하게 된다.
상기 세라믹 본체부(110) 표면으로 표면 전극층(220)을 형성 완료후, 상기 세라믹 본체부(110)의 칩 장착부(120) 내부에는 솔더볼을 개재하여 칩부품(140)이 장착되거나, 상기 칩부품(140)의 하면에 도전성 본드(130) 또는 자외선 경화 본드 등을 도포하여 접합후, 칩 부품으로부터 본딩 와이어(150)가 인출되어 본딩(Bonding)처리에 의해 상기 칩 부품(140)의 실장을 완료하게 된다.
계속해서, 상기 세라믹 본체부(110)의 표면에 형성된 표면 전극층(220)에는 상기 세라믹 본체부(110)의 표면과 금속 케이스(170)를 착설하여 세라믹 패키지(100)를 완성하게 된다.
한편, 상기 세라믹 패키지(100)의 시일링작업을 수행할 경우, 상기 세라믹 본체부(110)의 상측으로 단턱(160)을 형성시킨 후, 상기 단턱(160)에는 에폭시 수지 또는 절연성 접착제로 구성되는 1차 접합수단(180)을 통해 상기 세라믹 본체부(110)세라믹 본체부(110)속 케이스(170)의 저면(底面)이 위치되도록 함으로써, 상기 슬러리(slurry) 상태의 1차 접합수단(180)이 상온 또는 저온 경화에 의해 금속 케이스(170)와 균일한 조도로 접합되어 시일링 되는 1차 시일링부(190)를 형성하게 된다.
계속해서, 상기 세라믹 본체부(110)의 표면에 형성되는 표면 전극층(220) 상측으로 솔더링 또는 도전성 접착제등과 같은 2차 접합수단(200)이 도포 경화되어 상기 금속 케이스(170)와 세라믹 본체부(110)의 표면을 2차로 시일링하게 된다.
상기 2차 시일링부(210)는, 상기 표면 전극층(220)이 2차 접합수단(200)에 의해 금속 케이스(170)와 연결 접속되면서 세라믹 본체부(110)와 시일링되고, 이때 상기 세라믹 본체부(110)와 금속 케이스(170)의 시일링 작업시 발생되는 가스는 세라믹 패키지(100)의 내부로 침투가 불가능하게 되어, 상기 세라믹 패키지의 내부 오염을 방지하게 된다.
또한, 상기 세라믹 본체부(110)와 금속 케이스(170)의 시일링시, 1차 및 2차 접합수단(180)(200)이 페이스트(Paste) 상태의 절연성 접착제 및 에폭시 수지, 또는 솔더, 도전성 접착제등에서 선택됨으로써, 세라믹 본체부(110) 표면과 금속 케이스(170)사이의 표면 조도와 관계없이 균일한 상태의 시일링이 이루어질 수 있게 되며, 상기 접합수단이 상온 경화에 의해 접합토록 되어, 종래와같은 고온 소성 공정이 필요없게 되는 것이다.
한편, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지의 시일링방법을 나타낸 세라믹 패키지 시일링부의 요부 확대 단면도로서, 상기 세라믹 패키지(100)로 구성되는 세라믹 본체부(110)의 표면에 형성된 전극층(220)과, 이에 솔더링(200)되는 금속 케이스(170)가 수평상태로 위치되어 솔더링(200)에 의해 2차 시일링부(210)가 형성됨으로써, 솔더링 작업성 및 세라믹 패키지(100)의 실장성을 용이하게 수행할 수 있는 것이다.
다른한편, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 표면탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링 방법을 나타낸 측단면 구성도로서, 상술한 일실시예와 동일한 구성을 갖는 반면에, 상기 세라믹 본체부(110)의 표면으로 형성되는 표면 전극층(220)은, 상기 세라믹 본체부(110)의 단턱(160)상에 형성된후, 도전성 접착제 또는 절연성 접착제에 의해 1차 시일링부(190)가 형성되고, 상기 세라믹 본체부(110)상측에는 금속케이스(170)의 저면이 위치되어, 절연성 접착제 또는 에폭시 수지를 통한 2차 시일링부(210)를 형성하여도, 상기 일실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있는 것이다.
이상과 같이 본 발명인 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법 및 장치에 의하면, 세라믹 패키지 내부에 설치되는 칩 부품 보호를 위해 상기 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이에 1차 및 2차 시일링을 통하여, 상기 세라믹 패키지 내부의 오염을 방지할 수 있게 되며, 상기 세라믹 패키지의 이중 밀봉에 의해 외부 전자계에 대한 차폐효과가 우수하게 이루어질 수 있는 잇점이 있는 것이다.
또한, 상기 세라믹 본체부와 금속 케이스 사이의 1차 시일링 작업시, 에폭시 수지 및 절연성 수지등의 사용에 따른 가스 발생을 방지하여, 세라믹 패키지 내부로 가스의 유입에 따른 특성 저하를 방지하고, 금속 케이스 주연으로 솔더링 또는 도전성 접착제에 의한 2차 시일링작업을 통해, 소성공정이 필요 없이 상온 또는 저온 경화에 의해 세라믹 패키지의 시일링성을 향상시키면서, 시일링 작업성 및 원가의 절감을 이룩할 수 있는 것이다.
이에 더하여, 상기 세라믹 패키지의 본체부와 금속 케이스 사이의 시일링 작업시, 페이스트 상태의 접합수단을 사용하여 상기 세라믹 본체부 표면과 금속 케이스사이의 표면 조도와 관계없이 균일한 상태의 시일링이 이루어질 수 있는 우수한 효과가 있다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다.
도 1은 종래의 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지의 시일링방법에 의한 세라믹 패키지의 측단면 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링 방법에 의한 세라믹 패키지의 측단면 구성도.
도 3은 도 2의 A부 확대 구조도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링 방법을 나타낸 요부 확대 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 표면탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링 방법에 의한 세라믹 패키지의 측단면 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100...세라믹 패키지 110...세라믹 본체부
120...칩 장착부 130...솔더볼
140...칩 부품 150...본딩와이어
160...단턱 170...금속 케이스
180...1차 접합수단 190...1차 시일링부
200...2차 접합수단 210..2차 시일링부
220...표면 전극층

Claims (19)

  1. 내부에 칩장착부가 형성되어 이에 칩부품이 실장되는 세라믹 본체부와,
    상기 세라믹 본체부의 상측에 형성되는 단턱상에 1차 접합수단을 매개로 하여 금속 케이스가 부착 고정되는 1차 시일링부와,
    2차 접합수단을 매개로 하여, 상기 금속케이스와 세라믹본체부를 상기 세라믹 본체부의 상단부 표면에 도포된 전극층을 통하여 서로 결합하는 2차 시일링부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 본체부와 금속케이스를 부착하여 고정하는 1차 접합수단은, 에폭시 수지 또는 절연성 접착제인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 본체부와 금속케이스를 부착하여 고정하는 2차 접합수단은, 솔더링 또는 도전성 접착제인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 2차 시일링부는, 상기 표면 전극층이 2차 접합수단으로 금속 케이스와 연결 접속되면서 세라믹 본체부와 시일링되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 본체부의 표면에는 형성되는 표면 전극층은, Ag전극으로 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 본체부의 표면에는 형성되는 표면 전극층은, Ag인쇄층의 상측으로 Ni 및 Au가 일정두께 도금 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 세라믹 패키지로 구성되는 세라믹 본체부의 표면에 형성된 전극층은, 상기 전극층에 접합되는 금속 케이스가 수평상태로 위치되어 2차 시일링부가 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  8. 내부에 칩 장착부가 형성되어 칩 부품이 실장토록 마련되는 세라믹 본체부와,
    상기 세라믹 본체부의 상측에 형성되는 단턱 상에 전극이 도포된 표면 전극층이 형성되고, 접합수단에 의해 금속 케이스가 상기 표면 전극층을 통하여 세라믹 본체부에 부착 고정되는 1차 시일링부와,
    상기 세라믹 본체부의 표면과 금속 케이스를 접합수단에 의해 결합토록 하는 2차 시일링부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 세라믹 본체부와 금속케이스를 부착하여 고정하는 1차 접합수단은, 도전성 접착제인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 세라믹 본체부와 금속케이스를 부착하여 고정하는 2차 접합수단은, 에폭시 수지 또는 절연성 접착제인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 1차 시일링부는, 상기 표면 전극층이 1차 접합수단으로 금속 케이스와 연결 접속되면서 세라믹 본체부와 시일링되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 세라믹 본체부의 단턱 표면에는 형성되는 표면 전극층은, Ag전극으로 구성됨을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 세라믹 본체부의 단턱 표면에는 형성되는 표면 전극층은, Ag인쇄층의 상측으로 Ni 및 Au가 일정두께 도금 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링장치.
  14. i)내부에 칩부품 장착부 및 단턱이 형성되는 세라믹 패키지를 제공하는 단계;
    ii)세라믹 본체부의 상측으로 표면 전극층을 형성하는 단계;
    iii)상기 세라믹 본체부의 칩부품 장착부에 칩 부품 및 칩 와이어를 고정하는 단계;
    iv)상기 세라믹 본체부에 금속 케이스를 1차 시일링하는 단계; 및
    v) 상기 금속 케이스와 상기 세라믹 본체부를 세라믹 본체부의 표면 전극층을 통해 2차 시일링하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 시일링 및 제2 시일링 중의 어느 하나에 의해 상기 금속 케이스가 상기 세라믹 본체부에 형성되는 단턱에 부착되도록 하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 ii)의 세라믹 본체부의 상측으로 표면 전극층을 형성하는 단계는, 상기 세라믹 본체부의 상측 표면에는 Ag가 프린팅에 의해 인쇄 및 소성 된후, 그 상측에 Ni 및 Au가 일정두께 도금되어 세라믹 패키지의 표면 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 iv)의 세라믹 본체부에 금속 케이스를 1차 시일링하는 단계는, 상기 세라믹 본체부의 상측으로 단턱의 형성후, 상기 단턱에 에폭시 수지 또는 절연성 접착제를 도포하고, 상기 세라믹 본체부의 단턱으로 금속 케이스의 저면이 위치되도록 하여 1차 시일링 하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
  17. 제 14항에 있어서, 상기 v)의 2차 시일링단계는, 상기 세라믹 본체부의 표면에 형성되는 표면 전극층의 상측으로 솔더링 또는 도전성 접착제가 도포 경화되어, 상기 금속 케이스와 세라믹 본체부의 표면을 2차로 시일링하게 하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 금속 케이스와 세라믹 본체부를 1차 시일링하는 에폭시 수지 또는 절연성 접착제는, 페이스트(Paste) 상태로 도포되어 상온 경화에 의해 세라믹 본체부 및 금속 케이스 접합면과 균일한 조도로 접합되어 시일링 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
  19. 제 14항에 있어서, 상기 금속 케이스와 세라믹 본체부를 2차 시일링하는 도전성 접착제는, 페이스트 상태로 도포되어 상온 경화에 의해 세라믹 본체부 및 금속 케이스와 균일한 조도로 접합되어 시일링 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 필터의 세라믹 패키지 시일링방법.
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