KR20030046941A - 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, SAW 필터 칩 외곽부에 외부댐 구조물이 형성되고, 기판 상면의 도전패턴의 내부영역에 소정의 높이를 갖는 내부댐 구조물이 추가적으로 형성한 패키지 구조 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 수지밀봉시 상기 기판과 칩 사이로 스며드는 수지의 흐름을 외부댐구조물은 상단에서 내부댐구조물은 하단에 각각 차단함으로써 상기 SAW 필터 칩의 활성화 영역을 오염시키는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 잇점이 있다.
나아가, 상기 내부댐 구조물은 도전패턴의 내부영역의 형상에 따라 형성되므로, 도전패턴에 의한 단차로 인한 틈이 발생되지 않도록 기판과 치밀하게 부착되어 수지의 침투를 보다 효과적으로 방지할 수 있다.

Description

표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE PACKAGE AND METHOD}
본 발명은 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave) 필터 칩의 패키지 구조 및그 제조방법에 관한 것으로, 특히, SAW 필터 칩의 활성화 영역을 보호하기 위해서 기판에 형성된 도전 패턴을 따라서 기판 내부에 댐 구조물을 형성시킨 표면 탄성파 필터 칩의 패키지 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
표면 탄성파 필터 칩(이하, SAW 필터 칩이라 함)는 주파수 선택도를 제공하기 위한 RF 또는 IF필터 칩로 응용되는 전자부품을 말한다. SAW 필터는 표면 근처나 표면을 따라 탄성파를 전파시키는 활성화영역을 갖는다. SAW 필터는 활성화영역의 상태에 따라 매우 민감한 영향을 받으므로, 외부의 물리적 영향을 차단하기 위해 밀봉상태로 패키징한다. 특히, 필터 칩의 활성화 영역은 에어갭 영역으로 보호되어야 한다.
이를 위해서, 종래에는 표면실장소자(Surface Mounted Device)형 방식으로 패키징하여 왔다. 도1a 내지 1d는 종래의 SMD 패키지방식에 따른 공정을 단계별로 도시한 것이다.
도1을 참조하면, 우선, 도1a와 같은 형상의 세라믹 재질의 패키지바디(2)를 마련한다. 상기 패키지바디(2)는 그 내부에 SAW 필터 칩(4)를 탑재할 수 있는 구조로 이루어진다. 이어, 도1b와 같이, SAW 필터 칩(4)를 플립 칩 본딩(flip chip bonding)방식으로 개별적으로 패키지 바디(2)의 내부에 탑재시킨다.
도1c에 도시된 바와 같이,각 패키지바디(2)에 리드(6)를 패키지 바디(2)의 개방면에 배치하여 정렬하고, 필요에 따라 가용접을 실시하여 정렬된 상태를 고정시킨다. 여기서 사용되는 리드(6)는 Au/Sn 물질이 양단에 마련된 것으로, 상기 패키지 바디(2)를 완전 밀봉하는데 사용된다. 끝으로, 도1(d)와 같이, 가열수단(8)을 이용하여 본융접을 실시함으로써 SAW 필터 칩의 패키지를 완성한다. 이 단계에서는 그라파이트 지그를 이용하여 열융착을 시키는 방식을 사용할 수도 있다.
이와 같이, 종래의 SAW 필터의 패키지 공정에 따르면, 리드의 틀어짐에 의해 불량이 발생하기 쉽다. 결국 이는 리드융착 후에 리키지불량을 야기한다. 또한, 일반적으로 사용되는 열융착용 그라파이트 지그는 제작비용이 클 뿐만 아니라, 경도가 낮은 흑연재질로 이루어져 기계적 손상에 매우 약하다는 문제가 있다. 한편, 공정 전반에 걸쳐 대부분의 공정이 개별 패키지 단위로 진행되므로, 공정의 생산효율이 매우 낮다. 또한, 일반적으로 사용되는 Au/Sn리드는 고가이어 생산비용에 문제가 있어 왔다.
이와 같은 공정의 복잡함과 비용문제를 해결하기 위해서, 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 에폭시 수지 등의 수지류를 이용한 패키징 방식이 사용되기도 하였다.
도2a 및 2b는 종래의 수지류를 이용한 패키지 구조의 예를 도시한다. 도2a 및 도2b에 도시된 기판(11,21)에 형성된 SAW 필터 칩(15,25)의 패키지 구조는, 댐구조물(19,29)을 이용하여 수지로 밀봉할 때에 SAW 필터 칩의 활성화 영역이 수지로 오여되는 것을 방지하는 구조이다.
도2a의 경우에는, 도전패턴(13)과 플립 칩 본딩을 위한 범프(17)의 외부에 댐(19)을 형성한 구조이며, 이와 반대로 도2b는 도전 패턴(23)에 연결하기 위한 범프(27)의 내부에 댐(29)을 형성한 구조이다.
이러한 SAW 필터 칩 패키지는 댐구조물(19,29)과 범프(17,27)의 높이를 정확히 조절해야 하는 문제가 있다. 만약, 댐구조물(19,29)이 범프(17,27)보다 높은 구조라면, 범프(17,27)를 이용한 플립본딩이 접착력이 저하되어, 기계적으로 약하게 연결될 수 있다. 반대로, 댐구조물(19,29)의 높이가 낮은 경우에는, 밀봉하는데 사용되는 수지는 점도가 낮고 흐름성이 크므로, 상기 수지로부터 보호해야 하는 SAW 필터 칩(15,25)의 활성화 영역이 오염되기 쉽다.
이를 해결하기 위해서는, 댐과 범프의 크기를 정확하게 일치시켜야 하나, 그 크기는 미세하므로 현실공정 상에서 정확히 일치시키는데는 한계가 있다.
또한, 기판의 상면에는 일정한 높이로 형성된 회로패턴을 가지고 있다. 댐 구조물의 형성 위치가 범프의 내부이든 외부이든 일정한 높이를 갖는 도전패턴에 의해 단차가 발생되고, 그 단차에 의한 수지의 침투는 SAW 필터 칩에 큰 영향을 주는 문제가 있다.
이와 같이, 수지류를 이용한 패키지방식은 공정이 비교적 단순하고 비용이 저렴한 측면에서 SMD 패키지 방식보다 우수하나, SAW 필터 칩의 활성화영역을 흐름성이 좋은 수지에 의한 오염으로부터 적절하게 보호하기 어려움이 있어 산업상 적용하는데 한계가 있어 왔다.
따라서, 당 기술분야에서는, 공정의 단순화와 비용절감 측면에서 우수한 수지류 패키지방법을 이용하면서도, SAW 필터 칩의 활성화 영역을 효과적으로 보호할 수 있는 새로운 패키지 및 그 제조방법이 요구되어 왔다.
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 칩형태의 SAW필터 칩 외곽부에 외부댐 구조물이 형성되고, 기판 상면의 도전패턴의 내부영역에 소정의 높이를 갖는 내부댐 구조물이 추가적으로 형성함으로서 수지밀봉시 상기 필터 칩의 활성화영역으로 스며드는 수지를 효과적으로 차단하는 SAW 필터 칩의 패키지를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 칩형태의 SAW 필터 칩의 양단 또는 그와 대응하는 기판 상에 외부댐구조물을 형성하고, 기판 상면의 회로패턴을 그 내부에 소정의 높이를 갖는 내부댐 구조물을 형성함으로써 밀봉에 사용되는 수지가 SAW 필터 칩의 활성화 표면에 스며드는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 패키지를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
도1a 내지 1d는 종래의 SMD 패키지 방식에 따른 단계별 공정단면도이다.
도2a 및 2b는 종래의 수지를 이용한 패키지의 단면을 도시한 개략도이다.
도3은 본 발명의 일실시형태에 따른 패키지의 단면을 도시한 개략도이다.
도4는 본 발명의 일실시형태에 따른 패키지에 적용되는 댐구조물을 도시한 평면도이다.
도5a 내지 5d는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 단계별 공정단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
31: 기판33: 도전패턴
35: SAW 필터 칩37: 범프
38: 제1 댐구조물39: 제2 댐구조물
40: 수지69: 제3 댐구조물
본 발명은, 도전패턴이 형성된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상면에 형성된 도전패턴의 내부영역에 제1 댐구조물을 형성하는 단계와, 상기 SAW 필터 칩에 상기 도전패턴에 연결하기 위한 복수개의 범프와 그 범프의 외곽의 칩 하단면을 따라 제2 댐구조물을 형성하는 단계와, 상기 도전패턴에 상기 SAW 필터 칩의 범프를 연결하여 상기 기판 상에 상기 SAW 필터 칩을 탑재하는 단계와, 상기 기판 상에 탑재된 SAW 필터 칩의 외부를 수지로 밀봉하는 단계를 포함하는 SAW 필터 칩의 패키징 방법을 제공한다.
본 발명의 일실시형태에 따르면, 상기 기판 상에 제2 댐구조물을 형성시에 SAW 필터 칩이 배치될 영역의 외곽부를 따라 제3 댐구조물울 추가적으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 제2 댐구조물의 높이는 상기 도전패턴의 높이보다는 크고 상기 범프의 높이보다는 작게 형성하는 것이 바람직하며, 상기 제2 댐구조물의 형성면적은 SAW 필터 칩의 활성화영역에 해당하는 부분을 포함하면 만족하나, 공정의 편의상 상기 도전패턴의 내부영역 전체에 형성할 수도 있다.
나아가, 상기 제2 댐구조물은 그 상면이 평탄한 메사형 구조로 형성함으로써 SAW 필터 칩의 활성화영역 사이의 공간을 안정적으로 확보할 수 있으며, 제1 댐구조물 및 제3 댐구조물과 마찬가지로, 옥사이드 글래스(oxide glass), 드라이필름등의 절연물질로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시형태에서는, 사출금형방법을 적용하여 열가소성 수지로 상기 SAW 필터 칩의 외곽부를 밀봉할 수 있다.
또한 본 발명은, 도전패턴이 상면에 형성되고, 상기 도전패턴의 내부영역에 형성된 제1 댐구조물을 갖는 기판과, 그 하면에 상기 도전패턴의 일부에 연결된 복수개의 범프를 갖는 SAW 필터 칩와, 상기 제1 댐구조물과 상기 SAW 필터 칩 사이에 형성된 에어갭과, 상기 범프가 형성된 상기 SAW 필터 칩의 하단면에 배치된 제2 댐구조물과, 상기 기판 상에 탑재된 SAW 필터 칩의 외부를 밀봉하는 수지부를 포함하는 SAW 패키지를 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도3은 본 발명의 일실시형태에 따른 패키지의 단면을 도시한 개략도이다.
본 실시형태의 패키지는 기판(31)에 칩형태로 이루어진 SAW 필터 칩(35)가 탑재되고, 그 외곽전체를 수지(40)로 밀봉한 구조를 갖는다. 상기 칩(35)은 플립 칩 본딩방식으로 상기 칩(35) 하단에 마련된 복수개의 범프(37)와 기판 상에 마련된 도전패턴(33)을 결합시킨다. 이로써, 상기 칩(35)은 도전패턴(33)으로 형성된 기판의 배선과 전기적으로 연결될 뿐만 아니라, 기계적으로도 기판(31) 상에 고정될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, SAW 필터 칩(35)의 패키지에서는 SAW 필터의 표면, 특히, 칩(35)의 일부영역에 해당하는 활성화 영역을 보호하는 것이 중요하다. 이를 위해서 수지를 이용하여 기판 상에 탑재된 칩의 외곽을 밀봉하는데, 문제는 기판과 칩 사이의 공간을 통해 수지가 스며들어, SAW 필터 칩의 활성화영역을 오염시켜 SAW 필터 기능에 악영향을 줄 수 있다는 것이다.
본 실시형태에서는, 각각 다른 위치에 배치된 제1 댐구조물(38) 및 제2 댐구조물(39)을 구비함으로써 SAW 필터 칩(35)의 활성화영역을 수지에 침투로부터 보호하도록 패키지를 구성한다. 상기 제1 댐구조물(38)은 상기 기판(31) 상면에 있는 도전패턴(33)의 내부영역에 형성되며, 상기 제2 댐구조물(39)은 상기 SAW 필터 칩(35) 하면의 범프(37) 외곽을 따라 형성된다.
이와 같이, SAW 필터칩을 향해 스며드는 수지의 흐름방향을 기준으로 하여, 상기 제1 댐구조물(38)의 경우에는 SAW 필터 칩(35)와 기판(31) 사이에서 상단 댐의 역할을 하며, 상기 제2 댐구조물(39)의 경우, SAW 필터 칩(35)의 활성화영역 하단에 형성되어 하단 댐의 역할을 하게 된다. 즉, 밀봉시에 수지가 상기 SAW 필터 칩(35)과 기판(31) 사이에 스며드는 경우에 칩(35) 하단면에 배치된 제2 댐구조물에 의해 1차적으로 차단하고, 제2 댐구조물(39)과 칩(35) 사이의 미세한 공간으로 스며드는 적은 양의 수지는 도전패턴(33)을 넘어 범프(37) 사이 공간으로 스며든다. 이러한 수지의 흐름은 상대적으로 매우 적은 양이 되고, 수지의 종류에 따라 일정정도 경화되어 흐름성을 상실하여 제1 댐구조물(38)에 의해 충분히 차단될 수 있다. 따라서, 밀봉에 사용되는 수지(40)가 SAW 필터 칩(35)의 활성화영역까지 이르는 것을 방지할 수 있다.
특히, 상기 제1 댐구조물(39)은 도전 패턴(33)의 내부영역에 형성되므로, 도전패턴(33)의 높이에 따른 단차를 고려하지 않은 일괄적인 직사각형 구조의 댐구조물과 달리 효과적으로 수지의 침투를 방지할 수 있다. 또한, 상기 칩(35)의 범프보다 낮게 형성되어 SAW 필터 칩의 활성화영역을 보호하기 위한 에어갭(36)을 형성하고, 도전패턴(33)보다 높게 형성되어 밀봉시에 사용되는 수지(40)가 상기 에어갭(36)으로 스며드는 것을 방지하기 위한 보다 효과적인 댐을 형성할 수 있다. 이러한 제1 댐구조물(38)은 평탄한 상면을 갖는 메사형 구조로 가지므로, SAW 필터 칩(35)의 하단면과 일정한 간격을 갖는 공간을 확보할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명의 패키지는 각각 다른 위치에 2 개의 댐구조물(38,39)을 형성하며, 특히 본 발명에서는, 제1 댐구조물(38)을 기판의 도전패턴에 따라 형성함으로써 일괄적인 직사각형 구조의 댐을 형성할 경우에 도전패턴에 의한 단차로 발생되는 틈을 완전하게 차단할 수 있다는 특징이 있다.
도4는 본 발명의 일실시형태에 따른 패키지에 적용되는 댐구조물을 도시한평면도이다. 도3의 패키지를 x-x'로 절개하여 본 정단면도이다. 상기 정단면도를 통해 본 실시형태에서 채용되는 제1 댐구조물(38)과 제2 댐구조물(39)의 형상과 위치를 보다 상세하게 살펴 볼 수 있다.
도4를 참조하면, 기판의 상면에 형성된 도전 패턴(33)은 일정하게 굴곡되어 형성되어 있다. 상기 도전패턴(33)은 예를 들어 SAW 필터 칩의 4개의 범프와 플립 칩 본딩을 위한 복수개의 도전 패드부(33a)를 갖는다. 본 발명에서는 범프의 외곽부, 즉 도전패드(33a)의 외곽부에 종래의 방식에 따른 직사각형 구조로 제2 댐구조물(39)을 형성한다. 다만, 도3을 통해 나타나지 않지만, 기판과 칩 사이를 침투하는 수지의 흐름방향에서 보면, 상기 제2 댐구조물(39)은 상부에 흐름을 차단할 수 있도록 SAW 필터 칩의 하면으로부터 형성되는 것을 특징으로 한다.
이와 달리, 제1 댐구조물(38)은 기판 상에 형성되며, 도전패턴(33)의 내부영역에서 댐역할을 한다. 상기 제1 댐구조물(38)은 도전패턴의 내부영역의 형상과 거의 일치하는 형상을 갖는다. 상기 제1 댐구조물(38)이 도전패턴의 내부영역에 따른 형상을 갖는 이유는 만약 제1 댐구조물(38)이 제2 댐구조물(39)과 같은 단순한 직사각형 구조로 배치될 경우에 도전패턴(33)의 높이에 따른 단차로 인해 댐 하부에 틈이 발생되고, 결국 틈으로 스며드는 수지로 인해 칩 표면이 오염되는 것을 완전하게 방지하기 위함이다.
이와 같은 제1 댐구조물(38)은 도전패턴(33)의 내부영역 전체에 형성하는 것이 댐구조를 형성하는데 용이하다. 하지만, 도전패턴(33)의 형상에 따라 내부영역이 SAW 필터 칩의 활성화 영역보다 큰 경우에는, SAW 필터 칩의 활성화 영역에 해당하는 부분에 형성하는 것만으로도 충분하다.
또한, 상기 제1 및 제2 댐구조물(38,39)의 높이는 범프 및 도전패턴의 높이를 고려하여 채택하는 것이 바람직하다. 제1 댐구조물(38)은 적어도 범프의 높이보다 작아야 하며, 제2 댐구조물(39)은 범프 높이보다는 작고, 도전패턴의 높이보다 높은 범위에서 형성해야 한다.
도5a 내지 5d는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 단계별 공정단면도이다.
도5a 내지 5d에 도시된 공정은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 공정으로서 상기 제1 및 제2 댐구조물 외에 추가적으로 제3 댐구조물을 형성한 실시형태에 대한 공정을 나타내는 것이다.
도5a를 참조하면, 우선 도전패턴(53)이 형성된 상면을 갖는 기판(51)과 상기 기판(51) 상에 탑재할 SAW 필터 칩(55)을 마련한다. 상기 SAW 필터 칩의 하단면은 상기 도전패턴의 연결부에 대응하도록 범프(57)를 형성시킨다.
이어, 본 발명에 따른 댐구조물을 형성한다. 즉, 도5b와 같이, 상기 기판(51) 상면에 형성된 도전패턴(53)의 내부영역에 제1 댐구조물(58)을 형성하고, 상기 SAW 필터 칩(55)에 상기 범프의 외부에 제2 댐구조물(59)을 형성한다. 또한, 본 실시형태에서는 제3 댐구조물(69)을 상기 제2 댐구조물(59)의 외측에 추가적으로 형성한다. 제3 댐구조물(69)은 수지로 밀봉할 측면영역에 포함되도록 배치하는 것이 바람직하다. 제3 댐구조물(69)은 제1 댐구조물(58)과 제2 댐구조물(59)이 칩 표면으로 향하는 수지의 흐름을 상, 하단에 교대로 차단하는 것과 같이, 상단에서차단하는 제2 댐구조물(59)에 앞서 하단에서 수지의 흐름을 1차적으로 차단하는 역할을 한다.
그 다음으로, 도5c와 같이, 상기 도전패턴(53)에 상기 SAW 필터 칩(55)의 범프(57)를 연결하여 상기 기판(51) 상에 상기 SAW 필터 칩을 탑재시킨다. 제1 댐구조물(58)의 높이는 도전패턴(53)의 높이보다 높고 범프(57)의 높이보다는 낮으므로, SAW 필터 칩(55)의 하면과 사이에서 일정한 공간의 에어갭(56)을 형성하게 된다.
끝으로, 도5d와 같이, 상기 기판(51) 상에 탑재된 SAW 필터 칩(55)의 외곽부 전체를 수지(60)로 밀봉시킨다. 수지류를 사용하여 밀봉하는 공정을 사출금형 방식으로 실행하는 것이 바람직하다. 이 공정에 사용되는 금형틀의 구조에 따라 최종제품의 외양을 도5d와 같이 직육면체 구조의 패키지로 형성할 수 있다. 사출금형 방식 외에도 EMC 금형작업 및 COB방식 등을 선택하여 사용할 수 있다.
여기서, 사용되는 수지류로는 열가소성 수지, 열경화성수지, 에폭시 수지 등의 수지류 중에 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있으나, 열가소성 수지를 사용하여 사출금형작업을 수행하는 것이 SAW 필터 칩의 표면 오염을 가장 최소화할 수 있는 잇점이 있다.
이와 같이, 수지밀봉단계에서 수지는 큰 흐름성을 가지므로 상기 SAW 필터 칩과 기판 사이로 스며들게 된다. 하지만, 본 실시형태에서는 제3 댐구조물과 제2 댐구조물을 통해 각각 하단 및 상단에서 그 흐름을 크게 차단하고, 단차없이 기판과 치밀하게 형성된 제1 댐구조물에 의해 완벽하게 수지의 침투를 차단할 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 패키징 방식은 복수개의 패키지를 웨이퍼 단위로 대량으로 생산할 수 있는 공정으로 쉽게 적용될 수 있다. 즉, 기판 상에 칩이 탑재될 영역마다 복수개의 제2 댐구조물을 형성하고, 제1 댐구조물을 갖는 복수개의 칩을 탑재한 후에, 복수개의 패키지 형상을 제공하는 금형틀을 이용하는 사출금형공정에 적용함으로써 단일 기판 상에 복수개의 패키지를 형성하고, 패키지별로 분리하기 위한 다이싱공정을 통해서 복수개의 패키지를 동시에 제조할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 명백할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, SAW 필터 칩 외곽부에 외부댐 구조물이 형성되고, 기판 상면의 도전패턴의 내부영역에 소정의 높이를 갖는 내부댐 구조물이 추가적으로 형성함으로서 수지밀봉시 상기 기판과 칩 사이로 스며드는 수지의 흐름을 외부댐구조물은 상단에서 내부댐구조물은 하단에 각각 차단함으로써 상기 SAW 필터 칩의 활성화 영역을 오염시키는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 상기 내부댐구조물은 도전패턴의 내부영역의 형상에 따라 형성되므로, 도전패턴에 의한 단차로 인한 틈이 발생되지 않도록 기판과 치밀하게 부착되어 수지의 침투를 보다 효과적으로 방지할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (12)

  1. 활성화영역을 갖는 표면 탄성파(SAW) 필터 칩을 패키징하는 방법에 있어서,
    도전패턴이 형성된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판 상면에 형성된 도전패턴의 내부영역에 제1 댐구조물을 형성하는 단계;
    상기 SAW 필터 칩에 상기 도전패턴에 연결하기 위한 복수개의 범프와 그 범프 외곽의 상기 칩 하단면에 제2 댐구조물을 형성하는 단계;
    상기 도전패턴에 상기 SAW 필터 칩의 범프를 연결하여 상기 기판 상에 상기 SAW 필터 칩을 탑재하는 단계; 및
    상기 기판 상에 탑재된 SAW 필터 칩의 외부를 수지로 밀봉하는 단계를 포함하는 패키지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 제2 댐구조물을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 상기 SAW 필터 칩의 배치될 영역의 외곽부를 따라 제3 댐구조물울 더 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키징 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 상기 도전패턴의 높이보다는 크고 상기 범프의 높이보다는 작은 높이인 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 상기 SAW 필터의 활성화영역에 해당하는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 상기 도전패턴의 내부영역 전체에 형성된 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 메사형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수지로 밀봉하는 단계는,
    사출금형공정을 이용하여 열가소성 수지로 상기 SAW 필터 칩의 외곽부를 밀봉하는 단계인 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 댐구조물은 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 패키지 제조방법.
  9. 활성화영역을 갖는 표면 탄성파(SAW) 필터 칩의 패키지에 있어서,
    도전패턴이 상면에 형성되고, 상기 도전패턴의 내부영역에 형성된 제1 댐구조물을 갖는 기판;
    그 하면에 상기 도전패턴의 일부에 연결된 복수개의 범프를 갖는 SAW 필터 칩;
    상기 제1 댐구조물과 상기 SAW 필터 칩 사이에 형성된 에어갭;
    상기 범프의 외부에 위치하고, 상기 SAW 필터 칩의 하단면에 형성된 제2 댐구조물; 및
    상기 기판 상에 탑재된 SAW 필터 칩의 외부를 밀봉하는 수지부를 포함하는 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 상기 SAW 필터의 활성화영역에 해당하는 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 댐구조물은 상기 도전패턴의 내부영역 전체에 형성된 것을 특징으로 하는 패키지.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 댐구조물은 메사형 구조인 것을 특징으로 하는 패키지.
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