JPH088368A - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 携帯電話等のデジタル化に伴い高周波パッケ
ージの電磁漏洩のシールド効果を向上させる。 【構成】 キャップ２０の側面部の先端に複数の先端突
出部７を形成する一方、放熱板１の上記先端突出部７に
対応する位置に複数の貫通孔６を形成し、上記キャップ
２０の先端突出部７を上記放熱板１の貫通孔６に嵌合さ
せてパッケージを構成する。 【効果】 キャップ２０の先端突出部７が放熱板１に嵌
入している分、キャップ２０と放熱板１間の隙間が小さ
くなり、高周波回路基板３のシールド効果が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体パッケージに関
し、特に携帯用電話等に用いる高周波アンプモジュール
のパッケージの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話や自動車電話は小型軽量
化が進んでおり、それに使用される部品としての小型化
が要求されている。このような電話機においては、電磁
波の漏れは他の電子機器へ悪影響を及ぼすだけでなく、
通話内容の漏えい等の問題を生ずるという不具合が有す
るものがあり、このことについては法的にも規制があ
る。上記の小型化のために使用される周波数は高くなる
傾向にあり、一方、周波数が高くなると電磁波の漏えい
が発生しやすくなる傾向があり、このため部品のシール
ド効果の要求が高くなっている。

【０００３】図６は従来の高周波アンプモジュールパッ
ケージの構造を示す断面図であり、図において、１は高
周波回路基板を搭載する搭載部１ａを有する放熱板、３
は放熱板１の搭載部１ａ上に半田４を用いて固定された
高周波回路基板であり、該回路基板３はその上に高周波
増幅回路を形成しているものである。５は該放熱板１に
形成されたツメである。また、２は上記搭載部１ａに搭
載した高周波回路基板３を覆うよう、かつその側面部が
上記放熱板１の上記搭載部１ａの周辺部分と対向するよ
う配置されたキャップである。該キャップ２の側面部に
は、上記ツメ５が嵌入される嵌合孔（図示せず）が設け
られている。

【０００４】この従来の半導体パッケージは、放熱板１
の搭載部１ａ上に高周波回路基板３を半田４により接着
搭載したのち、該高周波回路基板３を覆うように、キャ
ップ２を、放熱板１のツメ５を変形させながら該ツメ５
が該キャップ３の嵌合孔（図示せず）に嵌入するまで圧
入嵌合させ、上記放熱板１上に該キャップ２を設置し
て、半導体パッケージを構成する。

【０００５】この従来の半導体装置のパッケージの構成
においては、キャップ２および放熱板１の成形状態によ
っては、該放熱板１とキャップ２との接触状態は、常に
一定になるとは限らず、放熱板１とキャップ２との間に
隙間８が生じると、電磁波が漏えいしてしまう，という
ことがあった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体パッケー
ジは、以上のように構成されており、製造誤差等によっ
て放熱板１とキャップ２との間には隙間が生じることが
あり、このような場合にはこの隙間８から電磁波が漏洩
することになるという問題点があった。

【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、キャップや放熱板の成形状態に
誤差があっても、パッケージ内の部品の充分なシールド
効果を得ることができる半導体パッケージを提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体パ
ッケージは、高周波回路基板を搭載する搭載部を有し、
該搭載部の周辺の所要位置に、貫通孔を有する放熱板
と、該搭載部に搭載した高周波回路基板の上方を覆い、
かつその側面部が上記放熱板の搭載部の周辺部分と対向
するよう配置され、その側面部の先端部分に、上記放熱
板の貫通孔と嵌合する先端突出部を有するキャップとを
備えたものである。

【０００９】またこの発明に係る半導体パッケージは、
高周波回路基板を搭載する搭載部を有し、該搭載部の周
辺の所要位置に、半田導入用の貫通孔を有する放熱板
と、上記放熱板上に、上記搭載部に搭載した高周波回路
基板を覆うよう、かつその側面部の先端部分が、上記放
熱板の上記搭載部の周辺部分と対向するよう配置され、
かつ該側面部の先端部分に、該搭載部の周辺部分の上記
放熱板の表面と対向当接するつば部を有するキャップと
を備え、該キャップのつば部は、上記放熱板の半田導入
用の貫通孔に対応する位置に、半田導入用の貫通孔を有
するものである。

【００１０】またこの発明は、上記半導体パッケージに
おいて、上記放熱板の貫通孔の内面と、上記キャップの
先端突出部の表面に、それぞれ予備半田をあらかじめ付
着し、上記放熱板を実装基板に半田付により接着する際
に、該予備半田が溶融して、該放熱板とキャップとを溶
着されてなるものである。

【００１１】

【作用】この発明においては、キャップの側面部の先端
突出部が放熱板の貫通孔内に嵌合するために、放熱板と
キャップとの接合時の隙間がきわめて小さくなる。

【００１２】また、キャップの側面部外縁のつば部と、
放熱板の搭載部の周辺部分の表面とが対向当接すること
により、キャップと放熱板との接合時の隙間がきわめて
小さくなり、また、放熱板を実装基板に半田付により接
着する際、放熱板とキャップのつば部にそれぞれ形成さ
れた半田導入用貫通孔を介して半田がキャップと放熱板
との間に入り込み、キャップと放熱板との隙間が一層小
さくなる。

【００１３】また、上記キャップの先端突出部の表面
と、放熱板の貫通孔の内面に施された予備半田が、半田
時に溶融し、上記キャップと放熱板との半田付けが容易
になる。

【００１４】

【実施例】

実施例１．以下、図１，図２に基づいて本発明の実施例
１による半導体パッケージについて説明する。なお図２
は、図１(a) のパッケージを矢印Ｆ方向から見た側面図
であるが、理解を容易にするため、構成のポイントのみ
を示している。

【００１５】図において、図６と同一符号は同一または
相当部分を示すが、１は高周波回路基板を搭載する搭載
部１ａを有する放熱板、３は放熱板１の搭載部１ａ上に
半田４を用いて固定された高周波回路基板であり、該回
路基板３はその上に高周波増幅回路を形成しているもの
である。５は該放熱板１に形成されたツメであり、６は
該放熱板１の上記搭載部１ａの周辺部分の、上記ツメ５
の下方に位置する部分に設けられた複数の貫通孔であ
る。

【００１６】また、２０は上記搭載部１ａに搭載した高
周波回路基板３を覆うよう、かつその側面部が上記放熱
板１の上記搭載部１ａの周辺部分と対向するよう配置さ
れたキャップである。該キャップ２０の側面部には、上
記ツメ５が嵌入される嵌合孔２０ｂが設けられていると
ともに、該キャップ２０の側面部先端には、複数の先端
突出部７が上記放熱板１に設けられた貫通孔６と嵌合す
るように設けられている。

【００１７】この本実施例１の半導体パッケージは、放
熱板１の搭載部１ａ上に高周波回路基板３を半田４によ
り接着搭載したのち、該高周波回路基板３を覆うよう
に、キャップ２０を、放熱板１のツメ５を変形させなが
ら該ツメ５が該キャップ３の嵌合孔２０ｂに嵌入するま
で圧入嵌合させ、かつ該キャップ２０の複数の先端突出
部７を、放熱板１の上記搭載部１ａの周辺部分に設けら
れた、複数の貫通孔６と、それぞれ嵌合させるようにす
る。

【００１８】このように、キャップ２０の側面部の先端
部に、くし形状の配置となる先端突出部７を設ける一
方、放熱板１にこれに対応して複数の貫通孔６を設け、
キャップ２０側面部の、上記複数の先端突出部７を、放
熱板１の複数の貫通孔６に嵌入させるようにして、キャ
ップ２を、上記放熱板１上の高周波回路基板３を覆うよ
うに設けることにより、図６に示す従来装置に比べて、
キャップ２０と放熱板１との間の隙間をきわめて小さく
することができ、これにより、該隙間からの電磁波の漏
洩を大きく低減することができる。

【００１９】また、図１(b) に示すように、上記放熱板
１を実装基板２２に半田２３により半田付けする際に、
放熱板１の貫通孔６を経由して半田２３が放熱板１とキ
ャップ２０の側面部との間に這い上がり、放熱板１とキ
ャップ２の複数の先端突出部７とが固着されることにな
る。これによって、これにより得られる半導体装置は、
部品としてのシールド性を大きく向上できることとな
る。

【００２０】さらに、放熱板１が実装基板２２上に半田
付される以前の状態においては、キャップ２０は放熱板
１から容易に取り外すことが可能であり、高周波特性測
定時等において、高周波増幅回路を構成する各部品に不
具合があるとき等における外部品の交換などを、容易に
行うことができる。

【００２１】なお、上記実施例においては、先端突出部
７を３つ形成した場合を例として説明したが、部品のシ
ールド効果を向上させるためには、さらに多数の先端突
出部を形成するようにしてもよい。ただしこの時、先端
突出部７の数によるシールド効果と、放熱板１の放熱効
果とはトレードオフの関係にあるため、この両者を勘案
してその数を設定する必要がある。

【００２２】実施例２．次に本発明の実施例２による半
導体パッケージを図について説明する。図３及び図４に
おいて、図１及び図２と同一符号は同一または相当部分
を示し、２１はキャップであり、その側面部は上記実施
例１におけると同様の嵌合孔２１ｂを有するとともに、
該側面部の先端周縁には、放熱板１の上記搭載部１ａの
周辺部分の表面と対向し、これと当接するつば部２１ａ
が形成されている。また、このつば部２１ａには、放熱
板１に設けられた複数の半田導入用の貫通孔８に対応す
る位置に、同じく半田導入用の貫通孔６ａが形成されて
いる。

【００２３】次に作用効果について図３を用いて説明す
る。本実施例２においては、高周波回路基板３の周囲に
おいて、放熱板１の表面と、キャップ２１の側面部周縁
のつば部２１ａとが対向当接しているため、上記実施例
１におけるよりも、放熱板１とキャップ２１間の間隔が
小さくなって、さらに高いシールド効果が得られること
となる。

【００２４】また、図３(b) に示すように、放熱板１を
実装基板２２上に半田２３により半田付けすると、該半
田２３が上記放熱板１の半田導入用の貫通穴６ａ，及び
キャップ２２の側面部に設けられた同様の，半田導入用
の貫通穴８を通して上方に這い上がることとなるため、
該放熱板１とキャップ２間のわずかに残る隙間があって
もその間隙が這い上がる半田２３で埋められ、より一層
高いシールド効果を得ることができる。

【００２５】実施例３．次に本発明の実施例３による半
導体パッケージを図について説明する。本実施例３は、
上記実施例１において、放熱板１の貫通孔６の内面、及
び、キャップ２０側面部の先端突出部７の表面に、それ
ぞれ予備半田を形成しておくようにしたものである。

【００２６】すなわち図５において、図１と同一符号は
同一部分を示し、９は放熱板１の貫通穴６の内面に設け
られた予備半田であり、これは、放熱板１の貫通孔６以
外の部分をマスク（図示せず）で覆い、該放熱板１を溶
融半田の中に浸す等して形成されたものである。また、
１０はキャップ２０のくし形配置となる先端突出部７の
表面に設けられた予備半田であり、これは、キャップ２
０のうちの、先端突出部７の部分のみを溶融半田の中に
浸す等して形成されたものである。

【００２７】次に作用効果について説明する。矢印１１
で示す方向に、キャップ２０を放熱板１に向けて降下さ
せていくと、キャップ２０の側面部の嵌合孔２０ｂより
下の部分は、矢印１２で示すように外側に向けてやや変
形し、ツメ５がキャップ２０の嵌合孔２０ｂに嵌合する
と、上記変形が復元されて該ツメ５が上記嵌合孔２０ｂ
内に嵌入されるとともに、キャップ２０の側面部の先端
突出部７が、放熱板１の貫通孔６に嵌合する。そして、
該放熱板１を実装基板（図５では図示しないが、図１の
２２に相当）に半田付する際に、予備半田９，１０が形
成されていることにより、放熱板１とキャップ２０との
半田付がより容易に行われ、シールド効果の高い半導体
装置を得ることができる。

【００２８】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体パ
ッケージによれば、キャップの側面部の、放熱板の搭載
部の周辺部分の表面と対向する部分の先端に、全体とし
てみれば、くし形配置となる先端突出部を設け、放熱板
に形成された貫通孔と上記先端突出部とを嵌合させるよ
うにしたので、キャップと放熱板との間に接合時に形成
される隙間が小さくなり、パッケージの電磁漏洩シール
ド効果を向上することができる効果がある。

【００２９】またこの発明によれば、キャップの側面部
の先端周縁につば部を設け、このキャップのつば部と放
熱板とを対向当接させるようにしたので、やはりキャッ
プと放熱板との接合時の隙間が小さくなり、また上記放
熱板とキャップのつば部とに半田導入用貫通孔を形成す
ることで、これら半田導入用貫通孔を介して半田がキャ
ップと放熱板との間に入り込み、キャップと放熱板との
隙間が一層小さくなり、パッケージの電磁波漏洩シール
ド効果をより一層向上することができる効果がある。

【００３０】またこの発明によれば、上記キャップの先
端突出部の表面と、放熱板の貫通孔の内面とに予備半田
を塗布形成するようにしたので、キャップと放熱板とを
半田付けする際、該予備半田が溶融して該キャップと放
熱板との半田付けをより容易に行うことができる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１による高周波アンプモジ
ュールパッケージの断面図（図１(a) ）、及び実装基板
にパッケージを実装したときの状態を示す断面図（図１
(b) ）。

【図２】 上記図１(a) の実施例１の高周波アンプモジ
ュールパッケージを、同図の矢印Ｆ方向から見た場合の
側面図。

【図３】 この発明の実施例２による高周波アンプモジ
ュールパッケージの断面図（図１(a) ）、及び実装基板
にパッケージを実装したときの状態を示す断面図（図１
(b) ）。

【図４】 上記実施例２の高周波アンプモジュールパッ
ケージの側面図。

【図５】 この発明の実施例３による高周波アンプモジ
ュールパッケージの断面図。

【図６】 従来の高周波アンプモジュールパッケージの
断面図。

【符号の説明】

１ 放熱板、３ 高周波回路基板、４，２３ 半田、５
ツメ、６ 貫通孔、７ 先端突出部、８ 貫通孔、
９，１０ 予備半田、２０，２１ キャップ、２０ｂ，
２１ｂ 嵌合孔、２１ａ つば部、２２ 実装基板、２
３ 半田。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波回路基板を搭載する搭載部を有
   し、該搭載部の周辺の所要位置に、貫通孔を有する放熱
   板と、 上記搭載部に搭載した高周波回路基板を覆うよう、かつ
   その側面部が上記放熱板の搭載部の周辺部分と対向する
   よう配置され、該側面部の先端部分に、上記放熱板の貫
   通孔と嵌合する先端突出部を有するキャップとを備えた
   ことを特徴とする半導体パッケージ。
2. 【請求項２】 高周波回路基板を搭載する搭載部を有
   し、該搭載部の周辺の所要位置に、半田導入用の貫通孔
   を有する放熱板と、 上記放熱板上に、上記搭載部に搭載した高周波回路基板
   を覆うよう、かつその側面部の先端部分が、上記放熱板
   の上記搭載部の周辺部分と対向するよう配置され、かつ
   該側面部の先端部分に、該搭載部の周辺部分の上記放熱
   板の表面と対向当接するつば部を有するキャップとを備
   え、 該キャップのつば部は、上記放熱板の半田導入用の貫通
   孔に対応する位置に、半田導入用の貫通孔を有すること
   を特徴とする半導体パッケージ。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体パッケージにおい
   て、 上記放熱板の貫通孔の内面と、上記キャップの先端突出
   部の表面に、それぞれ予備半田をあらかじめ付着し、上
   記放熱板を実装基板に半田付により接着する際に、該予
   備半田が溶融して、該放熱板とキャップとを溶着されて
   なることを特徴とする半導体パッケージ。