JP2006067530A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 キャップの接着による不具合をなくし、小型で安定した外形の弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】 弾性表面波デバイス素子(10)と、この弾性表面波デバイス素子を収納するパッケージ(20、32)とを有し、前記パッケージは、両面の少なくとも一部に金属配線(21、22)が形成された樹脂基板(20)と、樹脂キャップ(32)とを含み、前記弾性表面波デバイス素子は、前記樹脂基板の一方の金属配線上に搭載され、前記樹脂キャップは、前記弾性表面波デバイス素子を覆うように前記樹脂基板に接着され、前記樹脂基板の各端面と前記樹脂キャップの各端面とがそれぞれ同一面上にある。
【選択図】 図2

Description

本発明は、例えばテレビジョン(以下、TVと略す)、ビデオテープレコーダ(以下、VTRと略す)、DVD(digital Versatile Disk)レコーダ、携帯電話機等のフィルタ素子、発振子等に用いることができる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイスと略す:SAWはSurface Acoustic Waveの略)は、例えば45MHz〜2GHzの周波数帯域における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ、局部発信フィルタ、アンテナ共用器、中間周波フィルタ、FM変調器等に広く用いられている。
また、これらの信号処理機器は小型化が進み、SAWデバイス等の電子部品に対しても小型化の要求が強くなってきている。特に、携帯電話機等の携帯用電子機器には表面実装で且つ低背のSAWデバイスが要求されるようになってきた。
近年、SAWデバイスに限らず、表面実装型の電子部品の製造方法として、SAWデバイス素子等の電子部品素子を搭載するパッケージ基板を、行と列とに周期的に多数個配置したシート状の基板とし、電子部品素子の搭載及びパッケージ基板との接続、キャップ等による封止を行った後に、前記シート状の基板を切断分割することにより個別の電子部品を完成する方法が提案されている。
特許文献1には、シート状のセラミックス基板上の行と列とに周期的に圧電振動子素子を多数個配置し、この圧電振動子素子を覆うセラミックス製のキャップをセラミックス基板上に接着固定した後に、セラミックス基板上に設けられたレーザースリットにより割断することにより、個別の圧電振動子を完成する技術が開示されている。
このセラミックスキャップは個々の圧電振動子素子を1つずつ覆うように個片のキャップから構成されている。キャップにエポキシなどの接着剤を塗布し、セラミックス基板上に搭載することによりセラミックス基板と接着し、圧電振動子を気密封止している。
特開昭59−010015号公報
しかしながら、このキャップをセラミックス基板上に搭載してから接着剤の硬化が完了するまでの間に、接着剤の表面張力により隣接するキャップ同士が引き合い、または振動子とキャップが引き合うことにより、キャップが移動する場合がある。この場合、個々の圧電振動子を割断しようとするとうまく分離できないことがある。また、圧電振動子の最終外形が不良となる場合がある。
上述した問題を従来のSAWデバイスの製造プロセスに照らし合わせて説明する。
図12は、従来のSAWデバイスの製造プロセスを説明する図である。図12(a)に示すように、素子移載ツール111によって、両面に金属配線が形成された樹脂基板120の一面上の行と列とに周期的にSAWデバイス素子110が多数個配置または搭載される。
次に、図12(b)に示すように、ボンディングキャピラリ113によってSAWデバイス素子110と樹脂基板120の金属配線121とが金属細線112により接続される。
次いで、図12(c)に示すように、キャップ移載ツール131によって樹脂キャップ130がSAWデバイス素子110を覆うように樹脂基板120上に移載され、接着剤を介して樹脂基板120に接着固定される。
次に、図12(d)に示すように、ダイシングブレード141により各樹脂キャップ130の隙間に沿って樹脂基板120が切断される。次いで、図12(e)に示すように、移載ツール142によりSAWデバイス101が分離される。
図13は、接着剤の表面張力による樹脂キャップ130の移動を説明する図である。図13(a)に示すように、樹脂キャップ130は、接着剤131により樹脂基板120に接着される。この場合、隣接する接着剤131同士が接触すると、接着剤131の表面張力により矢印Xのように樹脂キャップ130が移動する。したがって、樹脂キャップ130は搭載位置が外れることになる。
また、図13(b)に示すように、接着剤131が樹脂キャップ130内に流入してSAWデバイス素子110に接触することがある。この場合、矢印Yのように接着剤131の表面張力により樹脂キャップ130がSAWデバイス素子110に引き寄せられる。したがって、樹脂キャップ130は搭載位置から外れることになる。
図14は、SAWデバイス101の切断面を説明する図である。図14(a)は切断前のSAWデバイス101の断面図であり、図14(b)は切断後のSAWデバイス101の断面図である。
図14(b)に示すように、ダイシングブレードによる切断後においては、接着剤131と、対向する両面に形成された金属配線121及び122を有する樹脂基板120とが同一切断面を有することになる。この場合、樹脂キャップ130の外側にある接着剤131及び樹脂基板120の端部は、SAWデバイス101の各側面に形成された上記製造方法に起因して形成される無駄な領域である。無駄な領域がSAWデバイス101の各側面に形成されるので、SAWデバイス101を小型化することが難しい。また、樹脂キャップ131の位置ずれなどに起因して、分割後のSAWデバイス101ごとに無駄な部分の大きさや形が異なっている。従って、従来のSAWデバイス101は不安定な外形を有している。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、キャップの接着による不具合をなくし、小型で安定した外形の弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
本発明に係る弾性表面波デバイスは、弾性表面波デバイス素子と、この弾性表面波デバイス素子を収納するパッケージとを有する弾性表面波デバイスであって、パッケージは、両面の少なくとも一部に金属配線が形成された樹脂基板と、樹脂キャップとを含み、弾性表面波デバイス素子は樹脂基板の一方の金属配線上に搭載され、樹脂キャップは弾性表面波デバイス素子を覆うように樹脂基板に接着され、樹脂基板の各端面と樹脂キャップの各端面とがそれぞれ同一面上にあるものである。このように、樹脂基板の各端面と樹脂キャップの各端面とがそれぞれ同一面上にある構成としたので、小型で安定した外形の弾性表面波デバイスを提供することができる。
樹脂基板の両面の金属配線は、樹脂基板の少なくとも1つの端面に形成された1または複数の側面配線により接続され、側面配線はメタライズ処理された溝からなるものでもよい。この側面配線は内部をメタライズ処理された貫通配線をダイシングブレードなどにより切断することによって得ることができる。端面を有効に活用して、樹脂基板の両面の金属配線を電気的に接続することができる。
また、前記側面配線の前記弾性表面波デバイス素子側の端に樹脂フィルムの蓋を設けることができる。これにより、樹脂キャップを樹脂基板に接着する際に用いられる接着剤が前記側面配線内に漏れ出ることを防ぐことができ、外部との電気的接続の信頼性を高めることができる。
また、前記側面配線を樹脂で塞ぎ、前記樹脂が前記樹脂基板の端面と同一面上に切断面を有する構成とすることもできる。側面配線を保護して外部との電気的接続の信頼性を高めることができるとともに、弾性表面波デバイスの端面を一つの連続する平面とすることができる。
また、前記側面配線内に充填した樹脂の両端に金属めっきによる蓋を設けてもよい。金属めっきを用いて外部との電気的接続を形成することができるので、外部との電気的接続の信頼性を向上させることができる。
前記樹脂基板の両面の金属配線は、メタライズ処理が施された1または複数の貫通配線により接続され、前記樹脂基板を貫通する前記貫通配線は、前記樹脂キャップと前記樹脂基板とが接着される部分を除いた領域に形成されている構成とすることができる。
貫通配線は、弾性表面波デバイス素子の下に位置していることが好ましい。この配置により、弾性表面波デバイスを小型化することができる。
前記樹脂キャップは、前記樹脂基板上であって前記金属配線が設けられていない部分に接着される構成としてもよい。この場合、樹脂基板と樹脂キャップとは金属配線を介さずに接着される。それにより、樹脂基板と樹脂キャップとの接着面には段差が存在しないことになる。その結果、接着剤のボイドが発生しにくく、接着剤による安定した封止を実現することができる。
弾性表面波デバイス素子と樹脂基板の一方の金属配線とを接続する金属細線をさらに含み、樹脂キャップの内部天井断面形状は、金属細線のループ形状を避けるような窪み形状となっていてもよい。金属細線と樹脂キャップとが接触しないため、金属細線の変形を防ぐことができる。また、樹脂キャップの必要な箇所に窪みが設けられていればよいので、樹脂キャップの全体を薄くする必要がない。それにより、樹脂キャップの強度を低下させることなく、弾性表面波デバイスの高さを小さくすることができる。また、各窪みと金属細線との相対的な位置を高精度に決定する必要があるが、樹脂キャップの位置を基板単位で行うことができるため、樹脂基板及び樹脂キャップに位置決め用のガイド孔を設けることにより、樹脂基板と樹脂キャップと位置を高精度に決定することが可能である。
弾性表面波デバイス素子と樹脂基板の一方の金属配線とを接続する金属細線をさらに含み、樹脂キャップの弾性表面波デバイス素子を覆う部分は、金属からなるものであってもよい。弾性表面波デバイス素子を覆う部分の肉厚が小さくても樹脂に比較して十分な強度を得ることができる。したがって、十分な強度を保ちつつ、かつ、樹脂キャップと金属細線との絶縁性を維持しつつ、弾性表面波デバイスの厚さを小さくすることが可能である。また、樹脂基板と樹脂キャップとの位置を高精度に決定しなくても金属細線と樹脂キャップとが接触することはない。したがって、樹脂基板と樹脂キャップとの位置合わせを容易に行うことができる。
本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法は、両面に金属配線が形成され一方の金属配線上に弾性表面波デバイス素子が行と列とに周期的に複数搭載された第1の樹脂基板と、弾性表面波デバイス素子を覆うように第1の樹脂基板と同周期で行と列とに窪みが形成された第2の樹脂基板とを、窪みに弾性表面波デバイス素子が覆われるように互いに向かい合わせて接着剤により接着する工程と、弾性表面波デバイス素子を一つずつ有するように第1の樹脂基板と第2の樹脂基板とを同時に切断する工程とを含むものである。
本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法においては、樹脂キャップを樹脂基板に重ね合わせるだけでそれぞれの弾性表面波デバイス素子が覆われるので、樹脂キャップを一つずつ接着固定する工程が省略される。したがって、弾性表面波デバイスの製造工程が短縮化される。また、樹脂基板と樹脂基キャップとの間に一括して接着剤が塗布されることになるため、接着剤同士の接触がない。したがって、樹脂キャップの移動という問題は生じない。
本発明に係る他の弾性表面波デバイスの製造方法は、両面に形成された金属配線の一方の上に弾性表面波デバイス素子が行と列とに周期的に多数搭載されかつ弾性表面波デバイス素子を1つずつ囲むように樹脂枠が形成された樹脂基板と記弾性表面波デバイス素子及び樹脂枠を覆う樹脂蓋とを、樹脂枠を介して接着剤により接着する工程と、弾性表面波デバイス素子を一つずつ有するように樹脂基板と樹脂蓋とを同時に切断する工程とを含むものである。
本発明に係る他の弾性表面波デバイスの製造方法においては、樹脂基板及び樹脂蓋を重ね合わせるだけでそれぞれの弾性表面波デバイス素子が覆われるので、樹脂キャップを一つずつ接着固定する工程が省略される。したがって、弾性表面波デバイスの製造工程が短縮化される。また、樹脂枠と樹脂蓋との間に一括して接着剤が塗布されることになるため、接着剤同士の接触がない。したがって、樹脂キャップの移動という問題は生じない。
本発明によれば、個々のキャップの接着による不具合をなくし、小型で安定した外形の弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
図1は、本発明の第1実施例に係るSAWデバイスの製造方法について説明する図である。図1(a)に示すように、素子移載ツール11によって、両面に金属配線が形成された樹脂基板20の上面の行と列とに周期的にSAWデバイス素子10が多数個配置または搭載される。各SAWデバイス素子10は、LN(リチウムナイオベート)やLT(リチウムタンタレート)などの圧電基板と、この一表面上に形成されたくし型電極とを有する。SAWデバイス素子10にはトランスバーサル型フィルタやラダー型フィルタや多重モード型フィルタなど様々なタイプのものが知られているが、本発明は全てのタイプのSAWデバイス素子を含む。
次に、図1(b)に示すように、ボンディングキャピラリ13によって、SAWデバイス素子10と樹脂基板20の金属配線とが金属細線12により接続される。
図1(c)は、シートキャップ32を示す図である。図1(c)に示すように、シートキャップ32には、多数個の窪み321が形成されている。これらの窪み321は、樹脂基板20の上面とシートキャップ32の下面とを重ね合わせた場合に、SAWデバイス素子10を一つずつ覆いかつSAWデバイス素子10と接触しないように、シートキャップ32の下面の行と列とに周期的に形成されている。
次いで、図1(d)に示すように、樹脂基板20の上面とシートキャップ32の下面とが重ね合わせされ、接着剤により接着され、加圧及び加熱により封止される。
次に、図1(e)に示すように、ダイシングブレード41により、SAWデバイス素子10を一つずつ有するように、樹脂基板20及びシートキャップ32が切断される。
次いで、図1(f)に示すように、移載ツール42によりSAWデバイス1が樹脂基板20及びシートキャップ32から分離され、SAWデバイス1が完成する。この場合、シートキャップ32を樹脂基板20に重ね合わせるだけでそれぞれのSAWデバイス素子10がシートキャップ32に覆われるので、樹脂キャップを一つずつ接着固定する工程が省略される。したがって、SAWデバイスの製造工程が短縮化される。また、シートキャップ32と樹脂基板20との間に一括して接着剤が塗布されることになるため、接着剤同士の接触がない。したがって、樹脂キャップの移動という問題は生じない。
図2は、隣り合う2つのSAWデバイス1の部分断面図である。図2(a)はダイシングブレード41による切断前のSAWデバイス1の断面図であり、図2(b)はダイシングブレード41による切断後のSAWデバイス1の断面図である。
図2(b)に示すように、ダイシングブレード41により切断すると、樹脂基板20及びシートキャップ32が一体となって切断されるため、樹脂基板20の端面とシートキャップ32(切断後のシートキャップ32を樹脂キャップ32ともいう)の端面とが同一面上にあることになる。樹脂基板20と樹脂キャップ32とがSAWデバイス1のパッケージを構成する。このように構成されたパッケージにおいては、従来のSAWデバイスのように、シートキャップ32の外側には接着剤や樹脂基板20の端部が存在することはないので、小型で安定した外形のSAWデバイスを提供することができる。
図3は、樹脂基板20の一例を示す平面図である。図3に示すように、樹脂基板20の上面には表金属配線21が形成されており、樹脂基板20の下面には裏金属配線22が形成されている(図3には現われない)。SAWデバイス素子10は、表金属配線21上に搭載されている。
表金属配線21は、複数の貫通配線23により裏金属配線22と接続されている。貫通配線23は、ダイシングブレード41の切断線上に列をなすように設けられている。したがって、貫通配線23は、ダイシングブレード41により長さ方向に2分割されることになる。
図1で説明したように、樹脂基板20上にはシートキャップ32が接着剤により接着される。この場合、接着剤が貫通配線23を通って樹脂基板20の下面に流入する場合がある。特に、接着剤の硬化前の粘度が小さい場合には、裏金属配線22にまで滲むことになる。裏金属配線22は、SAWデバイス1の外部端子として使用され、部品を搭載するプリント配線基板とはんだ等の金属により接続されるために使用される。接着剤がこの裏金属配線22にまで滲めば、はんだが融着せずに裏金属配線22の外部端子としての電気的接続が損なわれることになる。本発明に係るSAWデバイスにおいては、貫通配線23に種々の改善がなされている。以下、説明する。
図4は、図3のA−A’線断面図である。図4(a)はダイシングブレード41による切断前のSAWデバイス1の断面図であり、図4(b)はダイシングブレード41による切断後のSAWデバイス1の断面図である。
図4(a)に示すように、貫通配線23に蓋をするように樹脂基板20に樹脂フィルム24が貼り付けられている。この樹脂フィルム24として、例えば感光性材料等を用いることができる。樹脂フィルム24は、光露光及び現像によるパターニングをすることにより形成することができる。
この場合、樹脂基板20とシートキャップ32とを接着する接着剤31は、樹脂フィルム24により貫通配線23内に流入することはない。それにより、裏金属配線22の外部端子としての機能が損なわれることが防止される。
また、図4(b)に示すように、分割されたシートキャップ32である樹脂キャップ32の外側には従来のような接着剤は存在しないので、小型で安定した外形のSAWデバイスを提供することができる。
図5は、SAWデバイス1の他の例であるSAWデバイス1aの断面図である。図5(a)はダイシングブレード41による切断前のSAWデバイス1aの断面図であり、図5(b)はダイシングブレード41による切断後のSAWデバイス1aの断面図である。
図5(a)に示すように、貫通配線23に樹脂34が埋め込まれている。この樹脂34は、スキージ印刷等により形成することができる。この場合、樹脂基板20とシートキャップ32とを接着する接着剤31は、樹脂34により貫通配線23内に流入することなく、かつ裏面金属配線22まで滲んでしまうことを防止する。それにより、裏金属配線22の外部端子としての機能が損なわれることが防止される。
また、図5(b)に示すように、分割されたシートキャップ32で構成される樹脂キャップ32の外側には従来のような接着剤は存在せず、しかも各側面は連続する平面となっているので、小型で安定した外形のSAWデバイスを提供することができる。
図6は、SAWデバイス1のさらに他の例であるSAWデバイス1bの断面図である。図6(a)はダイシングブレード41による切断前のSAWデバイス1bの断面図であり、図6(b)はダイシングブレード41による切断後のSAWデバイス1bの断面図である。
図6(a)に示すように、貫通配線23に樹脂34が埋め込まれ、さらに樹脂基板20とシートキャップ32との接着面全体に金属めっき25が施されている。また、シートキャップ32の下面にも貫通配線23を覆うように金属めっき26が施されている。
この場合、樹脂基板20とシートキャップ32とを接着する接着剤31が貫通配線23内に流入することはない。それにより、裏金属配線22の外部端子としての機能が損なわれることが防止される。また、樹脂34の表面が金属めっき25により覆われることにより、樹脂基板20とシートキャップ32との密着性が向上する。
また、図6(b)に示すように、分割されたシートキャップ32で構成される樹脂キャップ32の外側には従来のような接着剤は存在せず、しかも各側面は連続する平面となっているので、小型で安定した外形のSAWデバイスを提供することができる。
図7は、樹脂基板20の他の例である樹脂基板20aを示す図である。図7(a)は樹脂基板20aの一部透過平面図であり、図7(b)は貫通配線23の断面図であり、図7(c)は図7(a)のB−B’線断面図である。
図7(a)及び図7(c)に示すように、樹脂基板20aの上面には表金属配線21が形成されており、樹脂基板20aの下面には裏金属配線22が形成されている。表金属配線21には、金属細線12が接続されるボンディングパッド27が設けられている。裏金属配線22は、外部端子として機能する。SAWデバイス素子10は、表金属配線21上に搭載されている。表金属配線21は、複数の貫通配線23により裏金属配線22と接続されている。貫通配線23は、SAWデバイス素子10下に設けられている。
この場合、樹脂基板20aとシートキャップ32との接着部分に貫通配線23が設けられていないため、接着剤が貫通配線23に流入することはない。したがって、裏金属配線22の外部端子としての機能が損なわれることが防止される。
また、樹脂基板20aとシートキャップ32との接着面には表金属配線21が形成されていない。この場合、樹脂基板20aとシートキャップ32とは表金属配線21を介さずに接着される。それにより、樹脂基板20aとシートキャップ32との接着面には段差が存在しないことになる。その結果、接着剤のボイドが発生しにくく、接着剤による安定した封止を実現することができる。
さらに、図7(b)に示すように、図7(a)に示す部分Cにある貫通配線23内には樹脂34が埋め込まれている。また、樹脂34を覆うように、樹脂基板20aの上面には金属めっき25が施され、樹脂基板20aの下面には金属めっき26が施されている。この場合、樹脂基板20aとシートキャップ32とを接着する接着剤が貫通配線23にまで流動しても、貫通配線23内に流入することを防止することができ、さらに金属めっきで樹脂34を覆うことにより貫通配線23の気密信頼性を向上することができる。したがって、裏金属配線22の外部端子としての機能が損なわれることが防止される。Cで示す貫通配線23以外の貫通配線23も同様に構成されている。
なお、貫通配線23の位置は上記の位置に限られず、樹脂基板20aとシートキャップ32との接着部分以外に設けられていればよい。ただし、樹脂34上の金属めっき25は、表金属配線21に比較して柔らかいため、金属細線12との接続信頼性は低くなる。したがって、貫通配線23とボンディングパッド27との距離を設ける必要があるが、貫通配線23をボンディングパッド27よりもSAWデバイス素子10側に設ければ、樹脂基板20aのサイズを大きくすることなく金属細線12と樹基板20aとの接続信頼性を向上させることができる。特に、図7で説明したように、SAWデバイス素子10下に設けられるのが好ましい。
次に、シートキャップ32について詳細に説明する。図8は、シートキャップ32の一例を示す断面図である。図8に示すように、金属細線12は、SAWデバイス素子10の上面から弧を描いて表金属配線21に接続されている。シートキャップ32には、金属細線12に接触しないように金属細線12を避けるように窪み33が設けられている。つまり、シートキャップ32の内部天井断面形状は、金属細線12のループ形状を避けるような窪み形状を有している。
この場合、金属細線12とシートキャップ32とが接触しないため、金属細線12の変形を防ぐことができる。また、シートキャップ32の必要な箇所に窪み33が設けられていればよいので、シートキャップ32の全体を薄くする必要がない。それにより、シートキャップ32の強度を低下させることなく、SAWデバイス1の高さを小さくすることができる。
さらに、各窪み33と各金属細線12との相対的な位置を高精度に決定する必要があるが、シートキャップ32の位置をシートキャップ単位で行うことができるため、樹脂基板20及びシートキャップ32に位置決め用のガイド孔を設けることにより、樹脂基板20とシートキャップ32との位置を高精度に決定することが可能である。
次に、SAWデバイス1の寸法を例示して説明する。図2のSAWデバイス1において、例えば、樹脂基板20の厚さは0.2mmであり、表金属配線21及び裏金属配線22の厚さは0.03mmであり、SAWデバイス素子10の厚さは0.4mmであり、金属細線12のループ高さの最大値は0.1mmであり、金属細線12の最大到達点からシートキャップ32の下面までのマージンは0.05mmであり、シートキャップ32の天井厚さは0.2mmである。この場合、図2のSAWデバイス1の厚さは1.01mmとなり、それぞれの寸法公差を考慮に入れると最大で1.1mmとなる。
これに対して、図8のSAWデバイス1においては、窪み33部分におけるシートキャップ32の天井厚さは、例えば、0.1mmとすることができる。この場合、図8のSAWデバイス1の厚さを最大でも1.0mmとすることが可能となる。
以上のことから、シートキャップ32に窪み33を設けることで、シートキャップ32の強度を低下させることなくSAWデバイス1の厚さを小さくすることが可能である。
なお、図14で示した従来のSAWデバイス101の樹脂キャップ130に図8の窪み33と同様の窪みを設けることで、SAWデバイス101の厚さを小さくすることもできる。
図9は、シートキャップ32の他の例であるシートキャップ32aを示す断面図である。図9に示すように、シートキャップ32aは、SAWデバイス素子10覆う金属キャップ35及び金属キャップ35がモールド固定されたシート樹脂36からなる。シートキャップ32aは、成形金型の中で金属キャップと樹脂とをインサートモールドすることによって形成することができる。樹脂基板20とシートキャップ32aとの接着は、このシート樹脂36を介してなされる。
金属キャップ35は、肉厚が0.1mm程度であっても樹脂に比較して十分な強度を有する。したがって、図8の窪み33を設けなくても、十分な強度を保ちつつ、かつ金属キャップ35と金属細線12との間の絶縁性を維持しつつ、SAWデバイス1の厚さを小さくすることが可能である。
また、シートキャップ32aは天井形状が平坦であるため、図8のシートキャップ32のように、樹脂基板20とシートキャップ32aとの位置を高精度に決定しなくても金属細線12と金属キャップ35とが接触することはない。したがって、樹脂基板20とシートキャップ32aとの位置合わせを容易に行うことができる。
なお、図9のキャップの断面構造は必ずしも本発明のシートキャップ32aを使用したものに制限されるものではなく、図12の従来の個別キャップ130を用いた樹脂基板120にも適用が可能である。ただし、図8のように金属細線12を避けたキャップ130の断面形状とした場合、キャップ130と金属細線の最高部との相対的な位置を精度良く決める必要がある。本発明のシートキャップ32を用いる方法ではキャップの位置決めをシート単位で行うことができるため、樹脂基板20とシートキャップ32とに位置決め用のガイド穴を設けることにより、キャップと樹脂基板とを精度良く合わせることが可能となる。
本実施例においては、樹脂基板20,20aが第1の樹脂基板に相当し、シートキャップ32,32aが第2の樹脂基板に相当する。
図10は、本発明の第2実施例に係るSAWデバイスの製造方法について説明する図である。図10(a)に示すように、シート状の樹脂枠27には、図10(b)のSAWデバイス素子1よりも大きい孔が行と列とに周期的に設けられている。図10の第2の実施例は図1の第1の実施例に対して、シートキャップ32の壁に相当する樹脂枠27が予め樹脂基板20上にモールド成形されている点が異なる。
図3の樹脂基板20上の金属配線21の場合、第1の実施例のシートキャップ32と樹脂基板20の接着部には金属配線21がある部分とない部分との約25μmの段差がある。第1の実施例ではこの接着部にこの金属配線21の段差を埋めるように十分な量の接着剤を塗布する必要がある。これに対し、第2の実施例では樹脂基板20上に樹脂枠27を予めモールド法により形成するため、金属配線21の段差を埋め込むことができる。結果的に樹脂枠27の上面を平坦にすることができ、樹脂蓋36と樹脂枠27の接着には最小限の接着樹脂の使用ですませることができる。
次に、図10(b)に示すように、素子移載ツール11により、樹脂枠27の各孔にSAWデバイス素子10が搭載される。次いで、図10(c)に示すように、ボンディングキャピラリ13によってSAWデバイス素子10と樹脂基板20上に設けられた金属配線とが金属細線12により接続される。
次に、図10(d)に示すように、樹脂枠27上にシート状の樹脂蓋36が接着剤37を介して接着され、加圧及び加熱により封止される。次いで、図10(e)に示すように、ダイシングブレード41により、SAWデバイス素子10を一つずつ有するように、樹脂基板20、樹脂枠27及び樹脂蓋36が切断される。次に、図10(f)に示すように、移載ツール42によりSAWデバイス1dが樹脂基板20、樹脂枠27及び樹脂蓋36から分離され、SAWデバイス1dが完成する。
この場合、樹脂基板20、樹脂枠27及び樹脂蓋36を重ね合わせるだけでそれぞれのSAWデバイス素子10が覆われるので、樹脂キャップを一つずつ接着固定する工程が省略される。したがって、SAWデバイスの製造工程が短縮化される。また、樹脂枠27と樹脂蓋36との間に一括して接着剤37が塗布されることになるため、接着剤同士の接触がない。したがって、樹脂キャップの移動という問題は生じない。
図11は、図10のSAWデバイス1dの断面図である。図11(a)はダイシングブレード41による切断前のSAWデバイス1dの断面図であり、図11(b)はダイシングブレード41による切断後のSAWデバイス1dの断面図である。
図11(b)に示すように、ダイシングブレード41により切断すると、樹脂基板20、樹脂枠27及び樹脂蓋36が一体となって切断されるため、樹脂基板20の端面と樹脂枠27の端面と樹脂蓋36の端面とが同一面上にあることになる。このように、従来のSAWデバイスのように、シートキャップ32の外側には接着剤や樹脂基板20の端部が存在することはないので、小型で安定した外形のSAWデバイスを提供することができる。
以上、本発明のいくつかの実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、他の実施例や変形例などを含む。
本発明の第1実施例に係るSAWデバイスの製造方法について説明する図である。 SAWデバイスの断面図である。 樹脂基板の一例を示す平面図である。 図3のA−A’線断面図である。 SAWデバイスの他の例の断面図である。 SAWデバイスのさらに他の例の断面図である。 樹脂基板の他の例を示す図である。 シートキャップの一例を示す断面図である。 シートキャップの他の例の断面図である。 本発明の第2実施例に係るSAWデバイスの製造方法について説明する図である。 図10のSAWデバイスの断面図である。 従来のSAWデバイスの製造プロセスを説明する図である。 接着剤の表面張力による樹脂キャップの移動を説明する図である。 SAWデバイス素子の切断面を説明する図である。
符号の説明
1 SAWデバイス
10 SAWデバイス素子
12 金属細線
20 樹脂基板
21 表金属配線
22 裏金属配線
23 貫通配線
24 樹脂フィルム
25,26 金属めっき
27 樹脂枠
32 シートキャップ
33 窪み
34 樹脂
35 金属キャップ
36 シート樹脂

Claims (12)

  1. 弾性表面波デバイス素子と、該弾性表面波デバイス素子を収納するパッケージとを有し、
    前記パッケージは、両面の少なくとも一部に金属配線が形成された樹脂基板と、樹脂キャップとを含み、
    前記弾性表面波デバイス素子は、前記樹脂基板の一方の金属配線上に搭載され、
    前記樹脂キャップは、前記弾性表面波デバイス素子を覆うように前記樹脂基板に接着され、
    前記樹脂基板の各端面と前記樹脂キャップの各端面とがそれぞれ同一面上にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。
  2. 前記樹脂基板の両面の金属配線は、前記樹脂基板の少なくとも1つの端面に形成された1または複数の配線により接続され、
    前記配線は、メタライズ処理された溝を含むことを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
  3. 前記配線の前記弾性表面波デバイス素子側の端に樹脂フィルムの蓋が設けられていることを特徴とする請求項2記載の弾性表面波デバイス。
  4. 前記メタライズ処理された溝は樹脂で塞がれており、
    前記樹脂は、前記樹脂基板の端面と同一面上に切断面を有することを特徴とする請求項2記載の弾性表面波デバイス。
  5. 前記樹脂の両端に金属めっきによる蓋が設けられていることを特徴とする請求項4記載の弾性表面波デバイス。
  6. 前記樹脂基板の両面の金属配線は、メタライズ処理が施された1または複数の貫通配線により接続され、
    前記樹脂基板を貫通する前記貫通配線は、前記樹脂キャップと前記樹脂基板とが接着される部分を除いた領域に形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
  7. 前記貫通配線は、前記弾性表面波デバイス素子の下に位置していることを特徴とする請求項6記載の弾性表面波デバイス。
  8. 前記樹脂キャップは、前記樹脂基板上であって前記金属配線が設けられていない部分に接着されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
  9. 前記弾性表面波デバイス素子と前記樹脂基板の一方の金属配線とを接続する金属細線をさらに含み、
    前記樹脂キャップの内部天井断面形状は、前記金属細線のループ形状を避けるような窪み形状となっていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
  10. 前記弾性表面波デバイス素子と前記樹脂基板の一方の金属配線とを接続する金属細線をさらに含み、
    前記樹脂キャップの前記弾性表面波デバイス素子を覆う部分は、金属からなることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
  11. 両面に金属配線が形成され一方の金属配線上に弾性表面波デバイス素子が行と列とに周期的に複数搭載された第1の樹脂基板と、前記弾性表面波デバイス素子を覆うように前記第1の樹脂基板と同周期で行と列とに窪みが形成された第2の樹脂基板とを、前記窪みに前記弾性表面波デバイス素子が覆われるように互いに向かい合わせて接着剤により接着する工程と、
    前記弾性表面波デバイス素子を一つずつ有するように前記第1の樹脂基板と前記第2の樹脂基板とを同時に切断する工程とを含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
  12. 両面に形成された金属配線の一方の上に弾性表面波デバイス素子が行と列とに周期的に多数搭載されかつ前記弾性表面波デバイス素子を1つずつ囲むように樹脂枠が形成された樹脂基板と、前記弾性表面波デバイス素子及び前記樹脂枠を覆う樹脂蓋とを、前記樹脂枠を介して接着剤により接着する工程と、
    前記弾性表面波デバイス素子を一つずつ有するように前記樹脂基板と前記樹脂蓋とを同時に切断する工程とを含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184789A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 京セラ株式会社 多数個取り回路配線基板および弾性表面波装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101113251B1 (ko) * 2009-08-28 2012-02-20 (주)와이솔 Smd형 소자의 lid 패키징 공법과 이를 위한 장치
KR101142150B1 (ko) * 2010-01-21 2012-05-10 (주)와이솔 표면 실장형 반도체 패키지, 표면 실장형 반도체 패키지 생산 시스템 및 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5910015A (ja) 1982-07-07 1984-01-19 Fujitsu Ltd 圧電振動子の製造方法
JPS61102757A (ja) 1984-10-26 1986-05-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH01231415A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置
JPH04179255A (ja) 1990-11-14 1992-06-25 Nec Corp Lcc型半導体装置およびその製造方法
US5438305A (en) * 1991-08-12 1995-08-01 Hitachi, Ltd. High frequency module including a flexible substrate
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JPH08204490A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Daishinku Co 表面実装型電子部品
JP3669463B2 (ja) * 1997-08-05 2005-07-06 Tdk株式会社 樹脂封止表面実装型電子部品
JP2000004139A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの封止構造及びその封止方法
JP2001094391A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2001110946A (ja) 1999-10-05 2001-04-20 Toshiba Corp 電子デバイスおよびその製造方法
JP2001196488A (ja) * 1999-10-26 2001-07-19 Nec Corp 電子部品装置及びその製造方法
US6914367B2 (en) * 2000-07-06 2005-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device
TW521555B (en) * 2000-08-25 2003-02-21 Hitachi Aic Inc Electronic device sealing electronic element therein and manufacturing method thereof, and printed wiring board suitable for such electronic device
US6700061B2 (en) * 2000-10-17 2004-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite electronic component
JP3444420B2 (ja) * 2001-03-26 2003-09-08 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2002330050A (ja) * 2001-05-07 2002-11-15 Nrs Technology Kk 中空樹脂モールド弾性表面波フィルタ
JP2002368028A (ja) * 2001-06-13 2002-12-20 Nec Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2004251103A (ja) 2003-08-29 2004-09-09 Sotome Kensetsu:Kk 鉄筋スペーサおよびコンクリート構造物の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184789A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 京セラ株式会社 多数個取り回路配線基板および弾性表面波装置

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