KR20080008994A - 탄성 표면파 장치 - Google Patents
탄성 표면파 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080008994A KR20080008994A KR1020070072662A KR20070072662A KR20080008994A KR 20080008994 A KR20080008994 A KR 20080008994A KR 1020070072662 A KR1020070072662 A KR 1020070072662A KR 20070072662 A KR20070072662 A KR 20070072662A KR 20080008994 A KR20080008994 A KR 20080008994A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- pad electrode
- Prior art date
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
압전 소자와 외부 접속용 단자를 갖는 기판을 용이하게 신뢰성 좋게 접속할 수 있는 탄성 표면파 장치의 제조 방법 및, 이를 이용한 소형화 가능한 탄성 표면파 장치를 제공하는 것이다. 일면측에 빗형 전극과 패드 전극을 갖는 제1 기판과, 외부 단자와, 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션(castellation)을 갖는 제2 기판을 갖고, 상기 제1 기판의 패드 전극과 상기 제2 기판의 상기 외부 단자가 형성된 면과 반대측의 면이 접착층에 의해 접착되고, 상기 제1 기판의 사이즈가 제2 기판의 사이즈보다 크고, 상기 제1 기판의 패드 전극의 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 부분과 상기 캐스터레이션이, 도금층에 의해 접속되어 있다.
제1 기판, 범프, 제2 기판, 외부 단자, 캐스터레이션(castellation), 패드, 접착층
Description
본 발명은, 탄성 표면파 장치 및, 그 제조 방법에 관한 것이다．
탄성 표면파 장치는, 압전 소자의 표면에 빗형 전극이 형성된 탄성 표면파 소자를 갖고, 빗형 전극간을 탄성 표면파가 전파됨으로써 공진 회로 혹은 필터로서 전기적 특성을 얻고 있다.
따라서, 탄성 표면파 소자를 탄성 표면파 장치 내부에 봉입하는 경우, 적어도 압전 소자의 빗형 전극이 형성된 면 상에는 공간이 필요하다. 또한, 빗형 전극 상에 먼지나 수분 등이 부착될 경우, 탄성 표면파의 전파 특성이 변화되기 때문에, 빗형 전극이 형성된 면 상의 공간은 기밀 밀봉되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 요구를 만족하는 하나의 종래 방법으로서, 예를 들면 특허 문헌 1에 개시되는 바와 같은, 패키지와 압전 소자와의 접속에 범프로 접속하고, 적층부를 벽으로 하여, 또한 리드를 납땜하는 구성이 있다.
도 1은, 이러한 종래의 탄성 표면파 장치의 단면 구조를 더욱 설명하는 도면이다.
배선 패턴(10)을 갖는 패키지 기판(1)과, 빗형 전극(30) 및 패드(31)를 갖는 압전 소자(3)를 갖고, 압전 소자(3)의 패드(31)와 패키지 기판(1)의 배선 패턴(10)을 범프(2)를 통해 접속하고 있다.
범프(2)의 높이에 의해, 빗형 전극(30)에 대한 중공 공간을 확보하고 있다． 또한, 패키지 기판(1)의 외부 접속 단자(11)와는, 캐스터레이션(12)에 의해 전기적인 접속이 형성되어 있다.
또한, 압전 소자(3)를 둘러싸도록 패키지 기판(1)의 주변에 패키지 적층부(4)가 형성되고, 패키지 적층부(4)의 상부에 압전 소자(3)를 덮는 덮개(리드)(5)가, 땜납(13)에 의해 고정되어 있다.
<종래기술의 문헌 정보>
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평6-204293호 공보
상기 도 1에 도시한 종래 구성을 고찰하면, 패키지(1), 패키지 적층부(4), 리드(5)가 필요하게 되고, 따라서 탄성 표면파 장치의 소형화라는 관점에서 불리하다. 또한, 고온으로 가열하여 압전 소자를 접속하면 압전 소자(3)와 패키지(1)의 선팽창 계수차에 의해 열응력이 생겨 접속 불량을 일으킨다는 과제를 갖고 있었다.
따라서, 본 발명은 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 압전 소자와 외부 접속용 단자를 갖는 기판을 용이하게 신뢰성 좋게 접속할 수 있는 탄성 표면파 장치의 제조 방법 및, 이를 이용한 소형화 가능의 탄성 표면파 장치를 제공하는 데 있다.
상기의 문제를 해결하는 본 발명의 제1 측면은, 탄성 표면파 장치로서, 일면측에 빗형 전극과 패드 전극을 갖는 제1 기판과, 외부 단자와, 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션을 갖는 제2 기판을 갖고, 상기 제1 기판의 패드 전극과 상기 제2 기판의 상기 외부 단자가 형성된 면과 반대측의 면이 접착층에 의해 접착되고, 상기 제1 기판의 사이즈가 제2 기판의 사이즈보다 크고, 상기 제1 기판의 패드 전극의 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 부분과 상기 캐스터레이션이, 도금층에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기의 제1 측면에서, 또한 상기 도금층은, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판에 재치(載置) 후에 전해 도금법에 의해 성장되고, 상기 제1 기판의 패드 전극의 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 부분과 상기 캐스터레이션을 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 제1 측면에서, 또한 상기 접착층은, 노광과 현상법에 의해 형성되는 감광성 재료인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기에 있어서, 상기 접착층은, 또한 상기 제2 기판을 열경화법에 의해 접합하는 열경화 재료인 것을 특징으로 한다.
상기의 문제를 해결하는 본 발명의 제2 측면은, 탄성 표면파 장치의 제조 방법으로서, 일면측에 빗형 전극과 패드 전극을 형성된 제1 기판에, 상기 패드 전극에 대응하는 위치에 접착층을 형성하고, 상기 제1 기판의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖고, 외부 단자와 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션을 포함한 제2 기판을 재치하고, 상기 제2 기판을 일정 가열 온도에서 상기 제1 기판에 꽉 누르고, 상기 접착층에 의해, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 접착하고, 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 상기 제1 기판의 패드 전극과, 상기 제2 기판의 캐스터레이션이 도금층에 의해 접속되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 문제를 해결하는 본 발명의 제3 측면은, 탄성 표면파 장치의 제조 방법으로서, 소정 크기의 하나의 압전 기판에 형성되는 복수의 탄성 표면파 소자의 영역의 각각에 대응하여 빗형 전극과 패드 전극을 형성하고, 상기 패드 전극에 대응하는 위치에 접착층을 형성하고, 하나의 탄성 표면파 소자의 영역의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖고, 외부 단자와 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션을 포함한 제2 기판을 상기 복수의 탄성 표면파 소자의 영역의 각각에 재치하고, 상기 제2 기판을 일정 가열 온도에서 상기 제1 기판에 꽉 누르고, 상기 접착층에 의해, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 접착하고, 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 상기 제1 기판의 패드 전극과, 상기 제2 기판의 캐스터레이션이 도금층에 의해 접속되고, 이어서 상기 복수의 탄성 표면파 소자의 영역을 다이싱에 의해 절단 분리하여, 개별의 탄성 표면파 장치를 얻는 것을 특징으로 한다.
상기 특징에 의해 설명되는 바와 같이, 본 발명은 압전 소자의 전극 패드 상에 형성하는 범프가 불필요하고, 제2 기판이 리드와 패키지의 기능을 갖는, 전극 구조로 함으로써 저배(低背)이면서 소형으로 접합 신뢰성이 높은 탄성 표면파 장치를 실현할 수 있다.
이하에 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태예를 설명한다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 실시예 구조를 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다.
도 2는, 탄성 표면파 장치의 실시예 구조의 외관도이고, 도 3은 도2의 A-A선에 따른 단면도이다.
도2에 도시한 개별의 탄성 표면파 장치는, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 형상으로 복수개의 탄성 표면파 장치가 형성되어 있다. 이 웨이퍼 형상의 복수개의 탄성 표면파 장치로부터, 다이싱에 의해 잘라내어 개별화된 것이다.
도 5는, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 제조를 설명하는 공정도이다．
도 2 및 도 3에 도시한 구조의 특징을 도 5의 공정도를 참조하면서 설명한다.
도 5에 있어서, 우선 150 ∼ 200 ㎛의 압전 기판으로 이루어지는 웨이퍼(100)를 준비한다. 이 웨이퍼 상의 전체면에 100 ∼ 200 ㎚의 두께의 Al의 전극막(101)을 형성한다(처리 공정 P1).
Al의 전극막(101) 상에 포토레지스트를 도포하고(처리 공정 P2), 포토리소그래피에 의해 탄성 표면파 소자의 전극을 패터닝하고(처리 공정 P3), 마크된 영역을 남기고 에칭한다(처리 공정 P4). 이어서, 레지스트를 제거한다(처리 공정 P5).
또한, 접착층(24)으로 하기 위해, 미세하면서 두께를 확보하기 위해 감광성이며 열경화성을 갖는 접착제를 도포하여 5 ∼ 30 ㎛의 영구 레지스트층(102)을 형 성한다(처리 공정 P6).
이어서, 이 영구 레지스트층(102)을, 포토리소그래피에 의해 패터닝하고, 에칭에 의해 접착층(24)의 영역을 남기고 제거한다(처리 공정 P7).
이와 같이 형성된 제1 기판(1) 상에, 제2 기판을 탑재한다.
여기서, 제2 기판(20)은, 한 면에 외부 단자(21)가 형성되고, 또한 측면에 외부 단자(21)와 접속하는 캐스터레이션(castellation)(12)을 갖고 있다. 이와 같은 제2 기판(20)을, 150 ℃의 일정 온도를 부여하는 본딩 툴(200)에 의해 제1 기판(1)측을 꽉 누르고, 접착제(24)에 의해 제1 기판(1)의 패드(22)와 제2 기판(20)측의 캐스터레이션(12)을 열압착하여 접속한다(처리 공정 P8).
이어서, 제1 기판(1)측으로부터의 패드(22)가, 캐스터레이션(12)에 가까운 위치까지 뻗어 있는 부분에, 30 ㎛ 정도의 Ni와 Au 합금의 전해 도금 배선층(23)을 형성한다(처리 공정 P9). 패드(22)와 전해 도금 배선층(23)에 통전함으로써 금속이 석출되어 성장한다. 이 때문에, 성장한 도금이 제2 기판(20)의 캐스터레이션(12)에 도달하여, 제1 기판(1)의 패드(22)와 제2 기판(20)이 전기적으로 접속된다.
이어서, 다이싱에 의해 제1 기판(1)이 개별의 탄성 표면파 장치 단위로 분리된다. 이때, 제1 기판은 제2 기판(20)보다 약간 커진다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 저배이면서 소형으로 접합 신뢰성이 높은 탄성 표면파 장치를 실현할 수 있는 것을 용이하게 이해할 수 있다.
도 1은, 종래의 탄성 표면파 장치의 단면 구조를 설명하는 도면.
도 2는, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 실시예 구조의 외관도.
도 3은, 도 2의 A-A선에 따른 단면도.
도 4는, 웨이퍼 형상으로 복수개의 탄성 표면파 장치가 형성되는 것을 설명하는 도면.
도 5는, 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 제조를 설명하는 공정도．
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 제1 기판
2 : 범프
5 : 리드(덮개)
20 : 제2 기판
11, 21 : 외부 단자
12 : 캐스터레이션
22, 31 : 패드
23 : 전해 도금 배선층
24 : 접착층
30 : 빗형 전극
Claims (6)
- 일면측에 빗형 전극과 패드 전극을 갖는 제1 기판과,외부 단자와, 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션(castellation)을 갖는 제2 기판을 갖고,상기 제1 기판의 패드 전극과 상기 제2 기판의 상기 외부 단자가 형성된 면과 반대측의 면이 접착층에 의해 접착되고,상기 제1 기판의 사이즈가 상기 제2 기판의 사이즈보다 크고, 상기 제1 기판의 패드 전극의 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 부분과 상기 캐스터레이션이, 도금층에 의해 접속되어 있는것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제1항에 있어서,상기 도금층은, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판에 재치(載置) 후에 전해 도금법에 의해 성장되고, 상기 제1 기판의 패드 전극의 상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 부분과 상기 캐스터레이션을 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제1항에 있어서,상기 접착층은, 노광과 현상법에 의해 형성되는 감광성 재료인 것을 특징으 로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제3항에 있어서,상기 접착층은, 또한 상기 제2 기판을 열경화법에 의해 접합하는 열경화 재료인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 일면측에 빗형 전극과 패드 전극이 형성된 제1 기판에, 상기 패드 전극에 대응하는 위치에 접착층을 형성하고,상기 제1 기판의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖고, 외부 단자와 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션을 포함한 제2 기판을 재치하고,상기 제2 기판을 일정 가열 온도에서 상기 제1 기판에 꽉 누르고, 상기 접착층에 의해, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 접착하고,상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 상기 제1 기판의 패드 전극과, 상기 제2 기판의 캐스터레이션이 도금층에 의해 접속되는것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
- 소정 크기의 하나의 압전 기판에 형성되는 복수의 탄성 표면파 소자의 영역의 각각에 대응하여 빗형 전극과 패드 전극을 형성하고,상기 패드 전극에 대응하는 위치에 접착층을 형성하고,하나의 탄성 표면파 소자의 영역의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖고, 외부 단 자와 상기 외부 단자와 접속하는 측면에 형성된 캐스터레이션을 포함한 제2 기판을 상기 복수의 탄성 표면파 소자의 영역의 각각에 재치하고,상기 제2 기판을 일정 가열 온도에서 상기 제1 기판에 꽉 누르고, 상기 접착층에 의해, 상기 제1 기판과, 상기 제2 기판을 접착하고,상기 제2 기판 밖으로 뻗어 있는 상기 제1 기판의 패드 전극과, 상기 제2 기판의 캐스터레이션이 도금층에 의해 접속되고,이어서, 상기 복수의 탄성 표면파 소자의 영역을 다이싱에 의해 절단 분리하여, 개별의 탄성 표면파 장치를 얻는것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2006-00199321 | 2006-07-21 | ||
| JP2006199321A JP5269301B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080008994A true KR20080008994A (ko) | 2008-01-24 |
| KR100885351B1 KR100885351B1 (ko) | 2009-02-26 |
Family
ID=38564552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070072662A KR100885351B1 (ko) | 2006-07-21 | 2007-07-20 | 탄성 표면파 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8022594B2 (ko) |
| EP (1) | EP1881603A3 (ko) |
| JP (1) | JP5269301B2 (ko) |
| KR (1) | KR100885351B1 (ko) |
| CN (1) | CN101110579B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018093137A1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 주식회사 와이솔 | 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012175492A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| CN107251428B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-10-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法 |
| CN105810590A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-07-27 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺 |
| JP6828754B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-02-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| CN110082868A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 苏州旭创科技有限公司 | 光收发组件及具有其的光模块 |
| TWI690156B (zh) * | 2019-07-10 | 2020-04-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 表面聲波裝置及其製造方法 |
| CN111030626A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件的制作方法及声波器件 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197909A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ状圧電振動部品の実装構造 |
| JPH06204293A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP3123477B2 (ja) | 1997-08-08 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
| US6388545B1 (en) * | 1998-05-29 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
| FR2786959B1 (fr) * | 1998-12-08 | 2001-05-11 | Thomson Csf | Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective |
| JP2001094388A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-04-06 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗデバイス及びその製造方法 |
| JP3736226B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | Ｓａｗデバイス |
| JP2001094390A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
| JP3520414B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置 |
| JP2003297982A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-17 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 高周波電子デバイスとその製造方法 |
| JP2004297693A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
| JP3963862B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2007-08-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波フィルタ及びそれを有する分波器 |
| CN1784829A (zh) * | 2003-05-29 | 2006-06-07 | 东洋通信机株式会社 | 压电器件 |
| JP2004364041A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP4180982B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2008-11-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法 |
| JP4180985B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2008-11-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP2005057447A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| JP2005203889A (ja) | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| JP2006197554A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器 |
-
2006
- 2006-07-21 JP JP2006199321A patent/JP5269301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-04 EP EP07111697A patent/EP1881603A3/en not_active Withdrawn
- 2007-07-11 US US11/822,916 patent/US8022594B2/en active Active
- 2007-07-20 CN CN2007101361967A patent/CN101110579B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-20 KR KR1020070072662A patent/KR100885351B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018093137A1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 주식회사 와이솔 | 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080018415A1 (en) | 2008-01-24 |
| KR100885351B1 (ko) | 2009-02-26 |
| EP1881603A3 (en) | 2013-01-02 |
| CN101110579B (zh) | 2010-08-18 |
| JP5269301B2 (ja) | 2013-08-21 |
| JP2008028713A (ja) | 2008-02-07 |
| EP1881603A2 (en) | 2008-01-23 |
| CN101110579A (zh) | 2008-01-23 |
| US8022594B2 (en) | 2011-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100885351B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| KR100642932B1 (ko) | 압전 부품 | |
| JP4377500B2 (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
| WO2004012331A1 (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
| JP2009044123A (ja) | 電子部品の製造方法および電子部品。 | |
| US7876168B2 (en) | Piezoelectric oscillator and method for manufacturing the same | |
| JP2007243536A (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
| JP5171148B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2007096881A (ja) | 圧電発振器 | |
| JP4673670B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP4722204B2 (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
| US20120261816A1 (en) | Device package substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2010177984A (ja) | 圧電振動子および圧電デバイス | |
| WO2006123653A1 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP5340983B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2013138511A (ja) | 弾性波装置 | |
| JP4758123B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
| JP2008011309A (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2004340730A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5794778B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP4904846B2 (ja) | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 | |
| JP5468327B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP4910953B2 (ja) | 電子部品パッケージ構造 | |
| JP6068220B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2004153413A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130118 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150120 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |