CN101110579B - 表面声波器件及其制造方法 - Google Patents

表面声波器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101110579B
CN101110579B CN2007101361967A CN200710136196A CN101110579B CN 101110579 B CN101110579 B CN 101110579B CN 2007101361967 A CN2007101361967 A CN 2007101361967A CN 200710136196 A CN200710136196 A CN 200710136196A CN 101110579 B CN101110579 B CN 101110579B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
acoustic wave
surface acoustic
electrode pad
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007101361967A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101110579A (zh
Inventor
宫地直己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Media Devices Ltd filed Critical Fujitsu Media Devices Ltd
Publication of CN101110579A publication Critical patent/CN101110579A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101110579B publication Critical patent/CN101110579B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer

Abstract

本发明涉及表面声波器件。提供了一种使得可以容易且可靠地将压电元件连接到具有外部连接端子的基板上的表面声波器件的制造方法，以及利用该制造方法能够制造得较小的表面声波器件。这种表面声波器件具有：第一基板，其在一面上具有叉指换能器和电极焊盘；以及第二基板，其具有外部端子和与外部端子相连的形成在侧面上的城堡，其中，第二基板的与其上形成有外部端子的表面相对的表面通过粘合层粘合到第一基板的电极焊盘，并且第一基板在尺寸上大于第二基板，并且第一基板的电极焊盘的伸出第二基板以外的部分通过镀层连接到所述城堡。

Description

表面声波器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及表面声波器件及其制造方法。
背景技术
表面声波器件具有表面声波元件，在表面声波元件中，压电元件的表面上形成有叉指换能器，表面声波器件通过在叉指换能器之间传播表面声波来实现作为谐振电路或滤波器的电特性。
因此，当表面声波元件被封装在表面声波器件内时，至少在压电元件的其上形成有叉指换能器的表面上需要空间。此外，由于当灰尘或湿气粘附到叉指换能器上时表面声波的传播特性会改变，因此期望对形成有叉指换能器的表面上的空间进行密封。
例如，满足这种需求的一种传统方法是以下结构：通过凸块来实现封装与压电元件之间的连接，堆叠部分充当壁，另外在其上焊接了盖，如日本专利特开平6-204293号公报中所说明的。
图1是进一步例示这种传统表面声波器件的剖面结构的图。
该传统表面声波器件具有封装基板1和压电元件3，封装基板1具有金属化图案10，压电元件3具有叉指换能器30和焊盘31，并且压电元件3的焊盘31通过凸块2连接到封装基板1的金属化图案10。
用于叉指换能器30的中空空间由凸块2的高度来保证。此外，通过城堡(castellation)12形成与封装基板1的外部连接端子11的电连接。
此外，在封装基板1的周缘上围绕着压电元件3设置有封装堆叠部分4，并且通过焊料13将覆盖压电元件3的盖5密封到封装堆叠部分4的上部。
发明内容
参见上述图1中所示的传统结构，需要封装1、封装堆叠部分4和盖5，因此，从使表面声波器件更小的观点来看，这种传统结构是不利的。另一问题在于，当通过在高温下加热压电元件3和封装1而利用凸块连接压电元件3时，压电元件3与封装1之间的线性膨胀系数的差异导致热应力，从而造成连接较差。
因此，鉴于以上问题，本发明的目的是提供一种使得可以简单且可靠地将压电元件连接到具有外部连接端子的基板上的表面声波器件制造方法，以及利用该制造方法能够制造得较小的表面声波器件。
本发明的解决上述问题的第一方面是一种表面声波器件，该表面声波器件具有：第一基板，其在一个面上具有叉指换能器和电极焊盘22；以及第二基板，其具有外部端子和与该外部端子相连的形成在侧面上的城堡，其中，第二基板的与其上形成有外部端子的表面相反的表面通过粘合层粘合到第一基板的电极焊盘22，第一基板在尺寸上大于第二基板，并且第一基板的电极焊盘22的伸出第二基板以外的部分通过镀层23连接到城堡。
在上述第一方面中，镀层23是在将第二基板安装到第一基板上之后通过电解镀方法而生长出的，并将第一基板的电极焊盘22的伸出第二基板以外的部分电连接到城堡。
此外，在上述第一方面中，粘合层也是通过曝光和显影方法形成的感光材料。
此外，在上述第一方面中，粘合层还由热固性材料制成，利用热固方法来粘合第二基板。
本发明的解决上述问题的第二方面是一种表面声波器件制造方法，该方法具有以下步骤：在其一面上形成有叉指换能器和电极焊盘22的第一基板上与电极焊盘22相对应的位置形成粘合层；安装第二基板，该第二基板在尺寸上小于第一基板，并包括外部端子和与该外部端子相连的形成在侧面上的城堡；通过在固定的加热温度下将第二基板压向第一基板而由粘合层将第二基板粘合到第一基板上；以及通过镀层23将第一基板的伸出第二基板以外的电极焊盘22连接到第二基板的城堡上。
此外，本发明的解决上述问题的第三方面是一种表面声波器件制造方法，该方法具有以下步骤：与形成在规定尺寸的单个压电基板上的多个表面声波元件的相应区域对应地形成叉指换能器和电极焊盘22；在与电极焊盘22相对应的位置形成粘合层；将第二基板安装到所述多个表面声波元件的区域中的每一个上，该第二基板在尺寸上小于一个表面声波元件的区域，并包括外部端子和与该外部端子相连的形成在侧面上的城堡；通过在固定的加热温度下将第二基板压向第一基板而由粘合层将第二基板粘合到第一基板上；通过镀层23将第一基板的伸出第二基板以外的电极焊盘22连接到第二基板的城堡上；以及随后利用切割来截断并分离所述多个表面声波元件的区域，从而获得单独的表面声波器件。
如根据上述特征所说明的，本发明通过利用以下电极结构使得可以实现外形薄、紧凑、粘合可靠性高的表面声波器件：不需要形成在压电元件的电极焊盘上的凸块，并且第二基板具有盖和封装的功能。
附图说明
图1例示了传统表面声波器件的剖面结构。
图2是根据本发明的表面声波器件的实施方式的结构的外视图。
图3是沿图2的线A-A的剖面图。
图4例示了形成在晶片上的多个表面声波器件。
图5例示了根据本发明的制造表面声波器件的工艺图。
具体实施方式
下面将参照附图来说明本发明的实施方式。
下面将利用图2和图3来说明根据本发明的表面声波器件的实施方式的结构。
图2是表面声波器件的实施方式的结构的外视图，图3是沿图2的线A-A的剖面图。
图2中所示的独立的表面声波器件是如图4所示形成在晶片上的多个表面声波器件中的一个。图2中所示的表面声波器件是利用切割从该晶片上的多个表面声波器件中切下并分离出的。
图5是例示了根据本发明的制造表面声波器件的工艺图。
下面将参照图5的工艺图来说明图2和图3中所示的结构的特征。
在图5中，首先制备包括150至200微米(μm)的压电基板的晶片100。在该晶片的整个表面上形成100至200纳米(nm)厚的铝(Al)电极膜101(处理步骤P1)。
在Al电极膜101的顶上涂覆光刻胶(处理步骤P2)，利用光刻构图出表面声波元件的电极(处理步骤P3)，然后进行蚀刻，留下被掩蔽的区域(处理步骤P4)。接下来去除光刻胶(处理步骤P5)。
此外，为了形成粘合层24，涂覆具有感光特性和热固特性的薄粘合剂来确保厚度，并且形成5μm至30μm的永久抗蚀剂层102(处理步骤P6)。
接下来，利用光刻对该永久抗蚀剂层102进行构图，并利用蚀刻来进行去除，留下粘合层24的区域(处理步骤P7)。
在以该方式形成的第一基板1的顶上安装第二基板。
这里，第二基板20具有形成在一个表面上的外部端子21，并在侧面上具有连接到外部端子21的城堡12。利用供给150℃固定温度的粘合工具200将第二基板20压向第一基板1，利用粘合层24通过热压粘合将第一基板1的焊盘22连接到第二基板20的城堡12上(处理步骤P8)。
接下来，在电极焊盘22的从第一基板1延伸到城堡12附近的位置的部分上形成约30μm的镍(Ni)金(Au)合金电解镀金属化层23(处理步骤P9)。通过使电流经过电极焊盘22和电解镀金属化层23来淀积和生长金属。因此，生长的镀达到第二基板20的城堡12，从而将第一基板1的电极焊盘22电连接到第二基板20。
接下来，利用切割将第一基板1截成独立的表面声波器件单元。此时第一基板比第二基板20稍大。
应容易理解，根据本发明，如上文所述可以实现外形薄、紧凑、粘合可靠性高的表面声波器件。
本申请基于2006年7月21日提交的在先日本专利申请No.2006-199321，并要求其优先权，通过引用将其全部内容合并于此。

Claims (6)

1.一种表面声波器件，该表面声波器件包括：
第一基板，其在一面上具有叉指换能器和电极焊盘；以及
第二基板，其具有外部端子和与所述外部端子相连的形成在侧面上的城堡，
其中，所述第二基板的与其上形成有所述外部端子的表面相反的表面通过粘合层粘合到所述第一基板的所述电极焊盘，并且
所述第一基板在尺寸上大于所述第二基板，并且所述第一基板的所述电极焊盘的伸出所述第二基板以外的部分通过镀层连接到所述城堡。
2.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述镀层是在将所述第二基板安装到所述第一基板上之后通过电解镀方法而生长出的，其将所述第一基板的所述电极焊盘的伸出所述第二基板以外的部分电连接到所述城堡。
3.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述粘合层是通过曝光和显影方法形成的感光材料。
4.根据权利要求3所述的表面声波器件，其中，所述粘合层还是热固性材料，其利用热固方法来粘合所述第二基板。
5.一种制造表面声波器件的方法，该方法包括以下步骤：
在其一面上形成有叉指换能器和电极焊盘的第一基板上与所述电极焊盘相对应的位置形成粘合层；
安装第二基板，该第二基板在尺寸上小于所述第一基板，并包括外部端子和与所述外部端子相连的形成在侧面上的城堡；
通过在固定的加热温度下将所述第二基板压向所述第一基板而由所述粘合层将所述第二基板粘合到所述第一基板上；以及
通过镀层将所述第一基板的伸出所述第二基板以外的所述电极焊盘连接到所述第二基板的城堡上。
6.一种制造表面声波器件的方法，该方法包括以下步骤：
与形成在规定尺寸的单个压电基板上的多个表面声波元件的相应区域对应地形成叉指换能器和电极焊盘；
在与所述电极焊盘相对应的位置形成粘合层；
将第二基板安装到所述多个表面声波元件的区域中的每一个上，该第二基板在尺寸上小于一个表面声波元件的区域，并包括外部端子和与所述外部端子相连的形成在侧面上的城堡；
通过在固定的加热温度下将所述第二基板压向所述第一基板而由所述粘合层将所述第二基板粘合到所述第一基板上；
通过镀层将所述第一基板的伸出所述第二基板以外的所述电极焊盘连接到所述第二基板的城堡上；以及
随后利用切割来截断并分离所述多个表面声波元件的区域，从而获得单独的表面声波器件。
CN2007101361967A 2006-07-21 2007-07-20 表面声波器件及其制造方法 Expired - Fee Related CN101110579B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006199321A JP5269301B2 (ja) 2006-07-21 2006-07-21 弾性表面波装置
JP2006-199321 2006-07-21
JP2006199321 2006-07-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101110579A CN101110579A (zh) 2008-01-23
CN101110579B true CN101110579B (zh) 2010-08-18

Family

ID=38564552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101361967A Expired - Fee Related CN101110579B (zh) 2006-07-21 2007-07-20 表面声波器件及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8022594B2 (zh)
EP (1) EP1881603A3 (zh)
JP (1) JP5269301B2 (zh)
KR (1) KR100885351B1 (zh)
CN (1) CN101110579B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012175492A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP6521059B2 (ja) * 2015-03-27 2019-05-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法
CN105810590A (zh) * 2016-03-18 2016-07-27 中国电子科技集团公司第二十六研究所 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺
KR20180055369A (ko) * 2016-11-17 2018-05-25 (주)와이솔 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법
JP6828754B2 (ja) 2017-02-03 2021-02-10 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
CN110082868A (zh) * 2018-01-25 2019-08-02 苏州旭创科技有限公司 光收发组件及具有其的光模块
TWI690156B (zh) 2019-07-10 2020-04-01 頎邦科技股份有限公司 表面聲波裝置及其製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297982A (ja) * 2002-04-01 2003-10-17 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 高周波電子デバイスとその製造方法
CN1534868A (zh) * 2003-03-28 2004-10-06 富士通媒体部品株式会社 表面声波器件及其制造方法
CN1784829A (zh) * 2003-05-29 2006-06-07 东洋通信机株式会社 压电器件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58197909A (ja) * 1982-05-13 1983-11-17 Murata Mfg Co Ltd チツプ状圧電振動部品の実装構造
JPH06204293A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP3123477B2 (ja) * 1997-08-08 2001-01-09 日本電気株式会社 表面弾性波素子の実装構造および実装方法
EP0961404B1 (en) * 1998-05-29 2008-07-02 Fujitsu Limited Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band
FR2786959B1 (fr) * 1998-12-08 2001-05-11 Thomson Csf Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective
JP2001094388A (ja) * 1999-09-17 2001-04-06 Seiko Epson Corp Ｓａｗデバイス及びその製造方法
JP3736226B2 (ja) * 1999-09-17 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 Ｓａｗデバイス
JP2001094390A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP3520414B2 (ja) * 2001-04-10 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置
JP3963862B2 (ja) * 2003-05-20 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタ及びそれを有する分波器
JP2004364041A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP4180982B2 (ja) * 2003-06-16 2008-11-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
JP4180985B2 (ja) * 2003-07-07 2008-11-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2005057447A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
JP2005203889A (ja) 2004-01-13 2005-07-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス
JP2006197554A (ja) * 2004-12-17 2006-07-27 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297982A (ja) * 2002-04-01 2003-10-17 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 高周波電子デバイスとその製造方法
CN1534868A (zh) * 2003-03-28 2004-10-06 富士通媒体部品株式会社 表面声波器件及其制造方法
CN1784829A (zh) * 2003-05-29 2006-06-07 东洋通信机株式会社 压电器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20080018415A1 (en) 2008-01-24
KR20080008994A (ko) 2008-01-24
US8022594B2 (en) 2011-09-20
KR100885351B1 (ko) 2009-02-26
EP1881603A2 (en) 2008-01-23
JP5269301B2 (ja) 2013-08-21
EP1881603A3 (en) 2013-01-02
JP2008028713A (ja) 2008-02-07
CN101110579A (zh) 2008-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101110579B (zh) 表面声波器件及其制造方法
CN101997511B (zh) 压电部件及其制造方法
JP4377500B2 (ja) 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
JP4208840B2 (ja) 半導体装置
WO2006093078A1 (ja) 弾性表面波装置
JP2002261582A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP2001196488A (ja) 電子部品装置及びその製造方法
CN101331681A (zh) 压电谐振片和压电谐振器件
JP2005294443A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4012753B2 (ja) 弾性表面波装置
JP4165169B2 (ja) フレーク型サーミスタの製造方法
JP2007335468A (ja) 中空封止素子およびその製造方法
JP2006074567A (ja) 圧電デバイス
WO2006123653A1 (ja) 圧電デバイス
JP2574893Y2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP3441199B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP4910953B2 (ja) 電子部品パッケージ構造
JP4904846B2 (ja) 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法
JP2514910Y2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2005045319A (ja) 小型電子部品の製造方法およびそれによって製造された小型電子部品
JP2003060106A (ja) 積層セラミックパッケージおよびこれを用いた電子部品
JP5995352B2 (ja) 水晶デバイス
JP2013138511A (ja) 弾性波装置
JP2003046017A (ja) 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法
JPH06275737A (ja) 半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU MEDIA DEVICES LTD

Effective date: 20101202

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: KANAGAWA PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20101202

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: Taiyo Yuden Co., Ltd.

Address before: Kanagawa

Patentee before: Fujitsu Media Devices Ltd

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100818

Termination date: 20150720

EXPY Termination of patent right or utility model