CN101331681A - 压电谐振片和压电谐振器件 - Google Patents
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Abstract
一种压电器件包括压电振动片，固定压电振动片的基底，用于密封地封闭固定在基底上的压电片的盖子，以及由脆性材料形成用于减小到压电振动片的外部应力的支撑元件。压电振动片经由支撑元件固定在基底上。这里，基底、压电振动片和支撑元件通过使用结合凸起基底结合材料和压电振动片结合材料由FCB方法超声地结合。基底和支撑元件经由基底结合材料在支撑元件的多个区域上通过超声结合而电学机械结合。而且，压电振动片和支撑元件经由压电振动片结合材料在压电振动片的一个区域上通过超声结合而电学机械结合。
Description
技术领域
[0001]本发明涉及一种压电谐振片，以及一种压电谐振器件。
背景技术
[0002]当前，压电谐振器件的实例包括晶体振荡器、晶体谐振器等。这种压电谐振器件具有由矩形平行六面体封装形成的外壳。该封装包括基底和盖子。在封装中，压电谐振片容纳于其中并且使用导电粘合剂与基底结合。通过将基底与盖子结合，压电谐振片密封地封闭在封装中(参看例如下面的专利文献1)。
专利文献1：JP 2005-191709A
发明内容
本发明解决的问题
[0003]在专利文献1中，当压电谐振片固定在基底上时，使用导电粘合剂将压电谐振片与基底结合。而且，具有相反极性的电极提供在基底上，并且导电粘合剂涂敷在每个电极上。
[0004]因此，在专利文献1中公开的压电谐振器件的情况下，为了避免具有相反极性的电极之间的短路，固定封装中基底上导电粘合剂涂敷的区域(结合区)，并且依赖于涂敷面积设置导电粘合剂的涂敷量(使用量)是必要的。因此，专利文献1中公开的压电谐振器件不适合小型化。
[0005]因为，为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种适合于小型化的压电谐振片和压电谐振器件。
解决问题的方法
[0006]为了实现上述目的，本发明提供一种压电谐振器件，其中通过将基底与盖子结合形成封装，压电谐振片固定在封装中的基底上，并且封装的内部密封地封闭。压电谐振片经由脆性材料制成的支撑元件固定在基底上。基底经由基底结合元件使用超声波在支撑元件的多个区域中与支撑元件电学和机械结合，并且压电谐振片经由压电谐振片结合元件使用超声波在压电谐振片的一个区域中与支撑元件电学和机械结合。基底结合元件和压电谐振片结合元件是连接凸起(bump)。
[0007]根据本发明，压电谐振片经由支撑元件固定在基底上。基底经由基底结合元件使用超声波在支撑元件的多个区域中与支撑元件电学和机械结合，并且压电谐振片经由压电谐振片结合元件使用超声波在压电谐振片的一个区域中与支撑元件电学和机械结合。基底结合元件和压电谐振片结合元件是连接凸起。因此，即使当压电谐振片固定在基底上时或者当盖子与基底结合时应力施加到封装，抑制应力施加到压电谐振片是可能的。而且，抑制封装中压电谐振片安装的位置的变化是可能的。而且，封装优选地小型化。特别地，本发明的效果比如常规技术中压电谐振片经由导电粘合剂与基底直接结合的压电谐振器件的效果更显著。
[0008]在上述结构中，抑制压电谐振片弯曲的压电谐振片软垫部分可以提供在支撑元件上。
[0009]在该情况下，抑制压电谐振片弯曲的压电谐振片软垫部分提供在支撑元件上。因此，当使用压电谐振片结合元件将压电谐振片与支撑元件结合时，可以稳定地放置压电谐振片而不相对于压电谐振片在支撑元件上的安装位置倾斜。当通过使用超声波的结合技术将压电谐振片与支撑元件结合时，该效果特别优选。
[0010]在上述结构中，支撑元件的多个区域可以是支撑元件的彼此相对的两个侧面附近的区域。压电谐振片的一个区域可以在压电谐振片的侧面部分附近。
[0011]在该情况下，支撑元件的多个区域是支撑元件的彼此相对的两个侧面附近的区域。压电谐振片的一个区域在压电谐振片的侧面部分附近。因此，可以优选地抑制当支撑元件经由基底结合元件使用超声波与基底结合时或者当压电谐振片经由压电谐振片结合元件使用超声波与支撑元件结合时，因基底或支撑元件的变形而引起的压电谐振片特性的变化。
[0012]而且，为了实现上述目的，本发明提供一种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合。多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。绝缘材料在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
[0013]根据本发明，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。绝缘材料在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。因此，即使当使得FCB装置的超声波发射元件使用FCB直接接触与在一个主表面中形成的引出尖端部分相对的另一个主表面的相对位置时，可以防止在另一个主表面的相对位置形成的绝缘材料在相对位置固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。而且，根据本发明，当多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合时，外部电极连接的衬底上的位置可以全部位于一个主表面的一个侧面部分附近，也就是一个区域，这有利于压电谐振片的小型化。
[0014]在上述结构中，绝缘材料可以是金属氧化物化合物。作为选择，绝缘材料可以是表面绝缘的材料。
[0015]而且，为了实现上述目的，本发明提供一种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合。多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。由单个铬层制成的材料在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
[0016]根据本发明，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。由单个铬层制成的材料在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。因此，即使当使得FCB装置的超声波发射元件使用FCB直接接触与在一个主表面中形成的引出尖端部分相对的另一个主表面的相对位置时，因为在另一个主表面的相对位置形成的由单个铬层制成的材料比金坚硬并且更容易与压电谐振片的衬底结合，由单个铬层制成的材料比由金制成的材料更不固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。而且，当多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合时，外部电极连接的衬底上的位置可以全部位于一个主表面的一个侧面部分附近，也就是一个区域，这有利于压电谐振片的小型化。
[0017]而且，为了实现上述目的，本发明提供一种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合。多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。衬底在衬底的另一个主表面的位置处暴露，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
[0018]根据本发明，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。衬底在压电谐振片的另一个主表面的位置处暴露，该位置与在一个主表面上形成的引出尖端部分相对。因此，即使当使得FCB装置的超声波发射元件直接接触与在一个主表面中形成的引出尖端部分相对的另一个主表面的相对位置以便使用FCB时，在另一个主表面的相对位置的衬底不会固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。而且，当多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合时，外部电极连接的衬底上的位置可以全部位于一个主表面的一个侧面部分附近，也就是一个区域，这有利于压电谐振片的小型化。
[0019]在上述结构中，多个引出电极的引出尖端部分可以延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极可以经由压电谐振片结合元件与引出尖端部分电学和机械结合。多个压电谐振片结合元件可以与每个引出电极结合。
[0020]在该情况下，多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极可以经由压电谐振片结合元件与引出尖端部分电学和机械结合。多个压电谐振片结合元件与每个引出电极结合。因此，压电谐振片与外部电极连接的衬底上的位置可以全部位于一个主表面的一个侧面部分附近，也就是一个区域，这有利于压电谐振片的小型化，并且可以增加压电谐振片与外部电极之间的结合强度。
[0021]在上述结构中，衬底可以具有矩形平行六面体的外围形状。多个压电谐振片结合元件可以沿着衬底的横向与每个引出电极的引出尖端部分结合。
[0022]在该情况下，衬底具有矩形平行六面体的外围形状。多个压电谐振片结合元件沿着衬底的横向与每个引出电极的引出尖端部分结合。因此，例如，防止因使用导电粘合剂而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着压电谐振片进一步小型化，该效果变得更加显著。
[0023]而且，为了实现上述目的，本发明提供一种压电谐振片，其中至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合。多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。引出电极的引出尖端部分形成得比其他部分高。外部电极与比引出尖端部分的其他部分高的部分电学和机械结合。外部电极使用超声波与较高部分电学和机械结合特别优选。
[0024]根据本发明，多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合。引出电极的引出尖端部分形成得比其他部分高。外部电极与比引出尖端部分的其他部分高的部分电学和机械结合。因此，将引出电极与外部电极结合而不另外使用结合元件是可能的。结果，防止因使用结合元件而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着压电谐振片进一步小型化，该效果变得更加显著。
[0025]在上述结构中，包括较高部分的引出电极可以由光刻法形成。
[0026]在该情况下，包括较高部分的引出电极由光刻法形成。因此，较高部分可以在形成引出电极的同时形成。因此，引出电极可以与外部电极结合，而不另外使用结合元件或者不通过引出电极形成步骤之外的另外步骤形成较高部分，从而使得能够抑制制造成本。
[0027]在上述结构中，较高部分可以通过电镀形成。
[0028]当较高部分通过电镀形成时，在批量处理中形成较高部分而不出现因通过电镀在压电谐振片上形成较高部分而引起的机械应力负荷是可能的，使得可以相当大地提高设计较高部分的表面面积、形状和厚度的自由度。而且，当较高部分通过电镀形成时，可以将装备成本抑制到低级别。虽然较高部分在这里通过电镀形成，本发明并不局限于此。可以通过汽相沉积或溅射形成较高部分。
[0029]在上述结构中，较高部分可以由铬和金形成。
[0030]在该情况下，较高部分由铬和金形成。因此，使得与外部电极的结合更容易。
发明效果
[0031]根据本发明，可以提供一种适合于小型化的压电谐振片和压电谐振器件。
附图说明
[0032][图1]图1是示意地显示根据该实例的晶体谐振器的结构图。图1(a)是示意地显示晶体谐振器的内部的平面图。图1(b)是沿着图1(a)的线A-A而获得的横截面视图。
[图2]图2是示意地显示根据该实例的晶体谐振片的结构的图。图2(a)是示意地显示晶体谐振片的平面图。图2(b)是示意地显示晶体谐振片的后侧的图。
[图3]图3是显示该实例的晶体谐振器和常规晶体谐振器的老化特性的测量结果的图。
[图4]图4是显示该实例的晶体谐振器、根据常规技术1的晶体谐振器，以及根据常规技术2的晶体谐振器的温度特性的测量结果的图。
[图5]图5是示意地显示根据本发明另一个实例的晶体谐振片的结构的平面图。
[图6]图6是示意地显示根据本发明另一个实例的晶体谐振片的图。图6(a)是示意地显示晶体谐振片的平面图。图6(b)是沿着图6(a)的线B-B而获得的横截面视图。
[图7]图7(a)-7(g)是示意地显示根据本发明其他实例的晶体谐振片的平面图。
[图8]图8是示意地显示根据本发明另一个实例的晶体谐振器的内部的平面图。
[图9]图9是显示容纳在图8的晶体谐振器中的晶体谐振片的结构的图。图9(a)是示意地显示晶体谐振片的平面图。图9(b)是示意地显示晶体谐振片的后侧的图。
[图10]图10是示意地显示根据本发明另一个实例的晶体谐振片的结构的图。图10(a)是示意地显示晶体谐振片的平面图。图10(b)是示意地显示晶体谐振片的后侧的图。
[图11]图11(a)是示意地显示图2(b)的晶体谐振片的变化的平面图。图11(b)是示意地显示图9(b)的晶体谐振片的变化的平面图。
附图标记描述
1晶体谐振器(压电谐振器件)
2晶体谐振片(压电谐振片)
21衬底
221，222两个主表面
231，232激励电极
241，242引出电极
251，252引出尖端部分
26衬底的区域
27衬底的侧面部分
28相对位置
291，292较高部分
3基底
4盖子
5支撑元件
51晶体谐振片结合区
521，522基底结合区
6封装
71基底结合元件
72晶体谐振片结合元件
8音叉晶体谐振片(压电谐振片)
81衬底
841，842两个主表面
861，862激励电极
871，872引出电极
881，882引出尖端部分
89相对位置
具体实施方式
[0034]在下文，将参考附随附图描述本发明的实施方案。注意，在下面描述的实例中，本发明适用于作为压电谐振器件的晶体谐振器。
[0035]如图1(图1(a)和1(b))中所示，根据该实例的晶体谐振器1包括厚度切变振动晶体谐振片2(如这里使用的压电谐振片)，固定晶体谐振片2的基底3，用于密封地封闭固定在基底3上的晶体谐振片2的盖子4，以及用于减小晶体谐振片2上的外部应力的支撑元件5。
[0036]在晶体谐振器1中，基底3和盖子4构成封装6。内部空间通过将基底3与盖子4结合而在封装6中形成。晶体谐振片2经由支撑元件5固定在封装6的内部空间中基底3上，同时封装6的内部空间密封地封闭。在该情况下，如图1中所示，基底3、晶体谐振片2和支撑元件5经由结合元件(基底结合元件71和晶体谐振片结合元件72)由使用超声波的FCB(倒装片结合)彼此电学和机械结合。注意，在该实例中使用的基底结合元件71和晶体谐振片结合元件72是金属材料的连接凸起。接下来，将描述晶体谐振器1的部件。
[0037]如图1中所示，基底3以具有底部部分31和从底部部分31向上伸出的壁部分32的盒子形状形成。在基底3中，由陶瓷材料制成的矩形平行六面体整体地层叠并且通过在如从顶部看具有矩形形状的板上以凹入形状燃烧而形成。而且，壁部分32在底部部分31的表面上沿着外围形成。壁部分32的顶面是将基底3与盖子4结合的区域。在结合区中，提供用于与盖子4结合的金属化层33(例如通过使用镍和金以该次序电镀钨金属化层而获得的结构，或者由锡和金，或锡和银制成的结构)。注意，可以提供玻璃层代替金属化层33。基底3与盖子4之间的结合强度可以通过形成玻璃层而增加。与晶体谐振片2的激励电极231和232电学和机械结合的多个电极垫板(electrode pad)(没有显示)在基底3上形成。这些电极垫板与在基底3的背面的外围上形成的端电极(没有显示)电学和机械地结合。这些端电极连接到外部部件或外部装置。注意，端电极和电极垫板通过在印刷金属化层例如钨、钼等之后燃烧而在基底3上整体地形成。此后，端电极和电极垫板的一部分通过在金属化上形成镍电镀以及在镍电镀上形成金电镀而构造。
[0038]盖子4由金属材料制成并且形成从顶部看具有矩形形状的板，如图1(b)中所示。焊料材料(没有显示)在盖子4的底面上形成。盖子4通过技术例如缝焊、束焊等与基底3结合，从而构成晶体谐振器1的封装6(盖子4和基底3)。注意，盖子4由例如具有不同热膨胀系数的四层金属材料形成。具体地，银焊料层(焊料材料)、铜层、科伐(kovar)层和镍层从连接到基底3的盖子4的底面起依次层叠。因为银焊料层和铜层更靠近盖子的底面而提供，与其他层相比较，容易实现与由陶瓷制成的基底3的热结合。而且，因为科伐层层叠在银焊料层和铜层上，使得盖子4能够具有与由陶瓷制成的基底3基本上相同的热膨胀系数，从而盖子4与基底3以相同级别热变形是可能的。而且，因为镍层形成在最上表面，容易实现基底3与盖子4的缝焊。注意，科伐层设计得尽可能厚以便实现相同级别的热变形。
[0039]如图1和2(图2(a)和2(b))中所示，晶体谐振片2包括衬底21，衬底21是AT切割晶体条，并且形成从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板。换句话说，衬底21的外围形状是矩形平行六面体。凹入部分201在衬底21的两个主表面221和222的每个中形成以便对应于更高频率的晶体谐振片2。激励电极231和232在各自的凹入部分201中形成。从激励电极231和232延伸的引出电极241和242形成以便将激励电极231和232与外部电极(在该实例中基底3的电极垫板)电学和机械结合。而且，晶体谐振片2在衬底21的区域26中由晶体谐振片结合元件72结合到支撑元件5。注意，在该实例中衬底21的区域26位于衬底21的侧面部分27附近。具体地，如图2中所示，引出电极241和242的引出尖端部分251和252延伸到主表面221的侧面部分27附近。激励电极231和232在引出尖端部分251和252处由晶体谐振片结合元件72和基底结合元件71经由支撑元件5与基底3的电极垫板电学和机械结合。而且，如图1和2中所示，在晶体谐振片2中，衬底21在衬底21的主表面222的位置(在下文称作相对位置28)暴露，该部分与在主表面221中形成的引出尖端部分251和252相对。注意，激励电极231和232以及引出电极241和242由光刻法形成，其中例如，从衬底21，铬和金(Cr-Au)以该次序层压；或者铬、金和铬(Cr-Au-Cr)以该次序层压；或者铬、金和镍(Cr-Au-Ni)以该次序层压；或者铬、银和铬(Cr-Ag-Cr)以该次序层压；或者铬和镍(Cr-Ni)以该次序层压；或者镍和铬(Ni-Cr)以该次序层压。
[0040]支撑元件5是由脆性材料的晶体条形成的Z板。支撑元件5的外部形状设计成与晶体谐振片2基本上相同或小于晶体谐振片2，如图1中所示。支撑元件5形成如从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板。
[0041]而且，如图1中所示，用于与晶体谐振片2结合的晶体谐振片结合区51提供在支撑元件5的一个主表面(图1中的正面)上，而用于与基底3结合的基底结合区521和522提供在支撑元件5的另一个主表面(图1中的背面)上。延伸电极(没有显示)在晶体谐振片结合区51与基底结合区521和522之间延伸。这里使用的晶体谐振片结合区51提供在支撑元件5的纵向上的侧面部分附近以及在支撑元件5的横向上的中间部分附近，如图1中具体显示的。而且，这里使用的基底结合区521和522都是支撑元件5的彼此相对的侧面附近的区域，并且如图1中具体显示的，提供在支撑元件5的横向(widthwise direction)上的两个侧面部分附近以及在支撑元件5的纵向(lengthwise direction)上的中间部分附近。
[0042]而且，如图1中所示，基底3在两个基底结合区521和522中的两个点由基底结合元件71使用超声波与支撑元件5结合。晶体谐振片2在单个晶体谐振片结合区51中的两个点由晶体谐振片结合元件72使用超声波与支撑元件5电学和机械结合。通过这些结合过程，晶体谐振片2的激励电极231和232经由引出电极241和242、晶体谐振片结合元件72、支撑元件5的延伸电极以及基底结合元件71与基底3的各自电极垫板电学和机械结合。注意，在晶体谐振片2的激励电极231和232与基底3的电极垫板电学和机械结合的封装6中，基底结合元件71的两点之间的线段称作第一线段，并且晶体谐振片结合元件72的两点之间的线段称作第二线段。该实例的第一线段和第二线段设计成具有关系，即当从顶部看封装6时，第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交。
[0043]当支撑元件5与基底3结合，并且晶体谐振片2与支撑元件5热结合时，外部形变或扭曲在每个部件中发生。应力例如热应力因外部形变或扭曲而在封装6中发生。应力经由支撑元件5施加到晶体谐振片2。
[0044]但是，根据上述该实例的晶体谐振器1，晶体谐振片2经由脆性材料制成的支撑元件5固定在基底3上。因此，即使当晶体谐振片2固定在基底3上或者盖子4与基底3结合时应力施加到封装6，抑制应力施加到晶体谐振片2是可能的。特别地，该实例的晶体谐振器1的效果比如常规技术中晶体谐振片经由导电粘合剂与基底直接结合的晶体谐振器的效果更显著。
[0045]具体地，晶体谐振片2经由脆性材料制成的支撑元件5固定在基底3上。基底3在支撑元件5的多个区域(该实例中基底结合区521和522)中经由基底结合元件71使用超声波与支撑元件5结合。另外，晶体谐振片2在晶体谐振片2的区域26(该实例中支撑元件5的晶体谐振片结合区51)中经由晶体谐振片结合元件72使用超声波与支撑元件5电学和机械结合。基底结合元件71和晶体谐振片结合元件72是连接凸起。因此，即使当晶体谐振片2固定在基底3上或者盖子4与基底3结合时应力施加到封装6，抑制应力施加到晶体谐振片2是可能的。而且，抑制晶体谐振片2安装在封装6上的位置的变化是可能的。而且，避免因位置接近的连接点引起的短路和因连接点大小的减小引起的连接性降低是可能的，由此本发明有利于封装6的小型化。
[0046]而且，如图1中所示，支撑元件5具有用于与晶体谐振片2结合的晶体谐振片结合区51以及用于与基底3结合的基底结合区521和522。具体地，这里使用的支撑元件的多个区域都是支撑元件5的彼此相对的侧面(基底结合区521和522)附近的区域。这里使用的晶体谐振片的区域是晶体谐振片2的侧面部分27附近的区域(支撑元件5的晶体谐振片结合区51)。因此，可以优选地抑制当支撑元件5经由基底结合元件71使用超声波与基底3结合时或者当晶体谐振片2经由晶体谐振片结合元件72使用超声波与支撑元件5结合时引起的基底3或支撑元件5的变形而导致的晶体谐振片2的特性的变化。具体地，支撑元件5可以减小来自在晶体谐振片2的制造期间用于结合每个部件的支撑系统(例如结合元件等)的外部压力，由此可以缓冲对晶体谐振片2的特性具有不利影响的应力。结果，减小施加到晶体谐振器1的支撑系统(例如基底3，结合元件等)的应力，从而使得能够改进晶体谐振器1的特性，例如等效常数(串联谐振电阻值)特性、乱真特性、温度特性、老化特性等是可能的。虽然支撑系统在这里涉及用来将基底3与支撑元件5结合的结合元件，外部应力包括其他支撑系统中的应力，例如在基底3与盖子4之间的结合中发生的应力等。
[0047]接下来，关于该实例的晶体谐振器1和晶体谐振片经由连接凸起与基底直接结合的常规晶体谐振器，在大约200小时上测量它们的老化特性。结果在图3中显示。注意，在图3中，该实例的晶体谐振器的老化特性由参考数字1表示，而常规晶体谐振器的老化特性由参考数字2表示。如图3中所示，在该实例的晶体谐振器1的老化特性中，频率偏移在大约200小时上抑制在1ppm内。与此相反，常规技术的频率偏移超过1ppm。换句话说，频率的变化随着时间过去在常规技术中发生。由此可以清楚地理解，该实例的晶体谐振器1具有令人满意的老化特性。
[0048]而且，关于该实例的晶体谐振器1，晶体谐振片经由连接凸起与基底直接结合的第一常规晶体谐振器，以及晶体谐振片经由导电粘合剂与基底直接结合的第二常规晶体谐振器，测量155-MHz波段中它们的温度特性。结果在图4中显示。注意，在图4中，第一常规晶体谐振器的温度特性由参考数字1表示，该实例的晶体谐振器的温度特性由参考数字2表示，以及第二常规晶体谐振器的温度特性由参考数字3表示。如图4中所示，在晶体谐振片经由连接凸起与基底直接结合的第一常规技术中，晶体谐振器的温度特性是令人满意的(频率偏移为大约±20ppm)。但是，在第一常规技术中，如上所述的外部应力转移到晶体谐振片，使得晶体谐振器的串联谐振电阻值特性、乱真特性、老化特性等退化。与此相反，在晶体谐振片经由导电粘合剂与基底直接结合以便抑制晶体谐振器的串联谐振电阻值特性、乱真特性等的退化的第二常规技术中，温度特性退化(频率偏移为大约±40ppm)，如图4中所示。与第一和第二常规技术相反，在该实例的晶体谐振器1中，温度特性不退化，并且另外，晶体谐振器1的其他特性(串联谐振电阻值特性、乱真特性和老化特性(图3)等)不退化，如图4中所示。由此可以清楚地理解，该实例的晶体谐振器1具有令人满意的温度特性。
[0049]而且，因为衬底21在晶体谐振片2的相对位置28暴露，即使当使得FCB装置中发射超声波的元件通过FCB直接接触相对位置28，相对位置28的衬底21不会固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。
[0050]而且，因为支撑元件5由脆性材料制成，支撑元件5的膨胀系数接近晶体谐振片2的膨胀系数。因此，提供在基底3与晶体谐振片2之间的支撑元件5不会引起晶体谐振片2特性的退化并且可以缓冲外部应力。
[0051]而且，如图1中所示，因为支撑元件5的外部形状设计成与晶体谐振片2的外部形状基本上相同或者小于晶体谐振片2的外部形状，支撑元件5不会防止晶体谐振器1的小型化，使得晶体谐振器1可以小型化。
[0052]而且，因为晶体谐振片2是晶体条并且支撑元件5是由晶体条制成的Z板，也就是，这些由较少受各向异性影响的材料制成，在形成支撑元件5时的刻蚀期间，这些部件较少受各向异性影响，使得支撑元件5可以容易地形成任何形状。注意，当支撑元件5由与晶体谐振片类似的AT切割板形成时，AT切割板比Z板更容易受形成支撑元件5时的刻蚀所影响。因此，在该情况下，即使期望刻蚀在与先前设置的轴垂直的方向上执行时，刻蚀在倾斜方向上执行，使得难以将支撑元件5形成任何形状。因此，支撑元件5由Z板制成是优选的。而且，因为支撑元件5由较少受各向异性影响的材料制成，支撑元件5不受晶体谐振片2的振动影响，并且支撑元件5可以防止晶体谐振片2特性的退化。而且，因为晶体谐振片2和支撑元件5由相同的晶体条制成，它们具有相同的膨胀系数。因此，提供在基底3与晶体谐振片2之间的支撑元件5优选地缓冲外部应力。
[0053]而且，当从顶部看封装6时，第一线段和第二线段不相交，此外，第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交。因此，抑制通过经由基底结合元件71将支撑元件5与基底3结合或者经由晶体谐振片结合元件72将晶体谐振片2与支撑元件5结合引起的基底3的变形而导致的晶体谐振片2特性的变化是可能的。例如，作为比较实例，在当从顶部看封装时第一线段方向和第二线段方向平行的晶体谐振器的情况下，当晶体条与基底结合时热应力施加到支撑元件，使得支撑元件在它弯曲时与基底结合。此后，当晶体谐振片与弯曲的支撑元件结合时，热应力施加到晶体谐振片，使得晶体谐振片在它相对于弯曲的支撑元件弯曲时与支撑元件结合。因此，在该晶体谐振器中，外部应力容易施加到晶体谐振片，因此，即使当支撑元件置于基底和晶体谐振片之间时，不会显著地表现出抑制外部应力的上述效果。换句话说，晶体谐振片上的外部应力没有充分地缓冲，使得晶体谐振片的特性受外部应力影响。与此相反，根据该实例的晶体谐振器1，当从顶部看封装6时，第一线段和第二线段不相交，此外，第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交。因此，上述问题不出现，并且避免对晶体谐振片2的特性具有不利影响的外部应力是可能的。注意，在该实例的晶体谐振器1中显示的第一线段和第二线段之间的关系是抑制晶体谐振片上的外部应力的优选实例，并且比较实例仅用于描述第一线段和第二线段之间的关系的说明性目的。
[0054]虽然晶体条在该实例中用作支撑元件5，本发明并不局限于此。支撑元件5可以由任何脆性材料制成。例如，可以使用不各向异性的玻璃材料。
[0055]而且，虽然以从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板的形状形成的盖子4和以凹入形状形成的基底3如图1中所示在该实例中使用，本发明并不局限于此。基底3和盖子4可以具有任何形状，只要晶体谐振片2可以由基底和盖子密封地封闭。
[0056]而且，虽然一个激励电极231或232在该实例中在晶体谐振片2的两个主表面221和222的每个中形成，本发明并不局限于此。任意数目的激励电极可以提供在主表面221和222的每个中，取决于使用的目的。例如，两个激励电极可以在两个主表面的每个中形成，或者一个激励电极可以在一个主表面中形成而两个激励电极可以在另一个主表面中形成(滤波器元件结构)。
[0057]而且，虽然如图1和2中所示在该实例的晶体谐振片2中，引出电极241和242的引出尖端部分251和252使用每个引出尖端部分一个晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合，本发明并不局限于此。多个晶体谐振片结合元件可以用于每个引出电极。具体地，如图5中所示，两个晶体谐振片结合元件72可以沿着晶体谐振片2的横向与引出尖端部分251和252的每个结合。
[0058]在该情况下，多个晶体谐振片结合元件72用于一个引出电极241(242)，外部电极连接的晶体谐振片2的衬底21上的位置(在该实例中支撑元件5)可以全部提供在主表面221的侧面部分27附近，也就是区域26内，这有利于晶体谐振片2的小型化。另外，晶体谐振片2与外部电极(在该实例中支撑元件5)的结合强度可以增加。特别地，如图5中所示，当连接凸起用作晶体谐振片结合元件72时，这有利于晶体谐振片2的小型化。而且，多个晶体谐振片结合元件72沿着每个引出电极241(242)的衬底的横向与引出尖端部分251(252)结合。因此，例如，防止因使用具有大的结合区的导电粘合剂而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着晶体谐振片2进一步小型化，该效果变得更加显著。
[0059]虽然如图1中所示在该实例中，晶体谐振片2的引出电极241和242的引出尖端部分251和252经由支撑元件5、晶体谐振片结合元件72以及基底结合元件71与基底3的电极垫板结合，本发明并不局限于此。例如，如图6(图6(a)和6(b))中所示，晶体谐振片2的引出电极241和242的引出尖端部分251和252可以形成得比其他部分厚(较大高度)，并且基底3的电极垫板可以与形成得比其他部分高的引出尖端部分251和252的较高部分291和292电学和机械结合。在引出电极241和242形成的同时，较高部分291和292通过光刻法由铬和金的连续层形成。而且，图6的较高部分291和292通过电镀形成。注意，这里使用的电镀由电镀技术或无电电镀技术执行。而且，当使用电镀技术时，用于共同地连接所有电镀凸起形成区域的引出电极是必需的。而且，用于电镀的材料的具体实例包括金、金-锡、焊料等。而且，当在光刻法中使用的光致抗蚀剂的厚度为大约25μm的一般厚度时，电镀的厚度优选地设置为光致抗蚀剂厚度的大约80％。在该情况下，电镀的厚度优选地为大约20μm。
[0060]在该情况下，晶体谐振片2的两个引出电极241和242的引出尖端部分251和252延伸到主表面221的侧面部分27附近，基底3的电极垫板与引出尖端部分251和252电学和机械结合，引出电极241和242的引出尖端部分251和252形成得比其他部分厚(较大高度)，并且基底3的电极垫板与比引出尖端部分的其他部分形成得高的较高部分291和292电学和机械结合，使得基底3的电极垫板可以与引出电极241和242结合而不另外提供结合元件例如连接凸起、导电粘合剂等。结果，防止因使用结合元件(特别地，导电粘合剂)而引起的电极之间的短路是可能的。特别地，随着晶体谐振片2进一步小型化，该效果变得更加显著。而且，包括较高部分291和292的引出电极241和242由光刻法形成，使得较高部分291和292也可以在引出电极241和242形成的同时形成。因此，基底3的电极垫板可以与晶体谐振片2的引出电极241和242结合，而不另外使用结合元件以及不通过形成引出电极241和242的步骤之外的另外步骤形成较高部分291和292，从而使得能够抑制制造成本。此外，当较高部分291和292包括铬和金时，它容易与外部电极(参看图1和6的支撑元件5)结合。而且，当较高部分291和292通过电镀形成时，在批量处理中形成较高部分291和292而不出现因通过电镀在晶体谐振片2上形成较高部分291和292而引起的机械应力负荷是可能的，使得可以相当大地提高设计较高部分291和292的表面面积、形状和厚度的自由度。而且，当较高部分291和292通过电镀形成时，可以将装备成本抑制到低级别。虽然较高部分291和292在这里通过电镀形成，本发明并不局限于此。可以通过汽相沉积或溅射形成较高部分291和292。
[0061]而且，在该实例中，通过使得FCB装置中发射超声波的元件使用FCB直接接触晶体谐振片2的相对位置28，晶体谐振片2经由晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合。当由金制成的电极在与FCB装置的超声波发射元件接触的晶体谐振片2的相对位置28形成时(虽然这是与该实例不同的实施方案)，由金制成的电极粘结到FCB装置的超声波发射元件，也就是由金制成的电极从晶体谐振片2剥离并且固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。因此，当另一个晶体谐振片2与支撑元件5结合而由金制成的电极固定地连接到FCB装置的超声波发射元件时，通过FCB的结合强度变小。因此，当由金制成的电极固定地连接到FCB装置的超声波发射元件时，需要去除固定连接的由金制成的电极。根据该实例，为了解决该问题，如图1和2中所示，衬底21在晶体谐振片2的相对位置28暴露，使得上述问题不会出现。虽然根据该实例的晶体谐振片2，如图1和2中所示，衬底21在晶体谐振片2的相对位置28暴露，解决上述问题的构造并不局限于此。绝缘材料可以在晶体谐振片2的相对位置28形成。这里使用的绝缘材料可以是整体由绝缘材料制成的材料或者仅表面绝缘的材料。绝缘材料的实例包括绝缘材料例如氟化镁、氧化硅、二氧化硅等，以及金属氧化物化合物，例如氧化铬等。例如，可以使用通过氧化由铬制成的材料的表面而获得的绝缘材料。此外，为了解决上述问题，不仅绝缘材料在晶体谐振片2的相对位置28形成，而且由单个铬层形成的引出电极可以在晶体谐振片2的相对位置28形成。单个铬层在这里提及的原因在于，铬比金坚硬并且提供与晶体谐振片2的衬底21的更大结合强度，使得单个铬层比由金制成的上述材料更不固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。而且，代替单个铬层，例如，激励电极231和232以及引出电极241和242的一部分中的引出尖端部分251和252的至少相对位置28可以是通过以该次序层压铬和镍(次序可以颠倒)而形成的引出电极。而且，铬和金可以依次层压，此后，仅金可以从表面去除，从而提供单个铬层。换句话说，可以使用任何组合，只要铬提供在表面。
[0062]如上所述，由绝缘材料或单个铬层制成的引出电极在晶体谐振片2的相对位置28形成。因此，即使当使得FCB装置的超声波发射元件使用FCB直接接触晶体谐振片2的相对位置28时，可以防止在晶体谐振片2的相对位置28形成的由绝缘材料或单个铬层制成的材料固定地连接到FCB装置的超声波发射元件。
[0063]而且，虽然以从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板形成的支撑元件5(图1)在该实例中使用，支撑元件的形状并不局限于此。可以提供凹入部分以便抑制热应力转移到晶体谐振片2。而且，可以提供晶体谐振片软垫部分以便抑制晶体谐振片2通过将支撑元件5与晶体谐振片2的区域结合而相对于支撑元件5弯曲。特别地，通过提供晶体谐振片软垫部分到支撑元件，当晶体谐振片2使用晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合时，可以稳定地放置晶体谐振片2而不相对于晶体谐振片2在支撑元件5上的安装位置倾斜。具体地，晶体谐振片软垫部分是在面向支撑元件5的晶体谐振片2的主表面上形成的伸出部分。考虑到晶体谐振片结合区51，当晶体谐振片软垫部分提供到图1的支撑元件时，晶体谐振片软垫部分期望地位于支撑元件5的纵向上的另一个侧面部分附近以及支撑元件5的横向上的中间部分附近。
[0064]而且，虽然引出电极241和242的引出尖端部分251和252在该实例中延伸到主表面221的侧面部分27附近，本发明并不局限于此。引出尖端部分251和252可以仅延伸到主表面221。例如，引出电极241和242的引出尖端部分251和252可以延伸到主表面221的侧面部分27附近以及与侧面部分27相对的侧面部分附近。但是，如该实例中所示引出电极241和242的引出尖端部分251和252延伸到主表面221的侧面部分27附近，也就是引出尖端部分251和252都在区域26中延伸的构造有利于封装6的小型化。
[0065]而且，虽然在该实例中设计基底结合元件71的第一线段与晶体谐振片结合元件72的第二线段之间的关系，使得当从顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向垂直相交，这是优选实例并且本发明并不局限于此。如图7(a)中所示，可以设计第一线段与第二线段之间的关系，使得当从顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向平行。
[0066]而且，如图7(b)-7(d)中所示，可以增加基底结合元件71的连接点，并且可以设计第一线段与第二线段之间的关系，使得当从顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向平行和垂直相交。在该情况下，支撑元件5在支撑元件5的转角部分与基底3结合，使得支撑元件5与基底3的结合强度可以增加。结果，晶体谐振片2可以与支撑元件5稳定地结合。
[0067]而且，在上述变化(图7(a)-7(d))中，因为晶体谐振片2可以与支撑元件5结合而晶体谐振片结合元件72的每个位置接近，抑制晶体谐振片2受外部应力影响是可能的。结果，可以减小CI值且可以抑制频率偏移。
[0068]而且，虽然晶体谐振片2使用晶体谐振片结合元件72与支撑元件5结合的结合位置在该实例(参看例如图2)和如上所述的变化(例如参看图7(a))中彼此接近，本发明的结合位置并不局限于此。如图7(e)中显示的实例是可能的。在图7(e)的实例中，可以设计第一线段与第二线段之间的关系，使得当从顶部看封装6时第一线段和第二线段不相交并且第一线段的线段方向和第二线段的线段方向不平行且不垂直相交。在该情况下，通过形成晶体谐振片结合元件72使得第二线段方向沿着期望的结晶轴行进，进一步抑制晶体谐振片2受外部应力影响是可能的。注意图7(e)的衬底21如从顶部看具有矩形平行六面体的四个弯曲的转角部分。
[0069]而且，虽然由AT切割晶体条形成的衬底21如上所述形成如从顶部看具有矩形形状的矩形平行六面体板，本发明并不局限于此。如图7(f)和7(g)中所示，凹口部分202可以在衬底21的区域26中形成。注意，图7(f)和7(g)的衬底21每个如从顶部看具有矩形平行六面体的四个弯曲的转角部分。
[0070]在图7(f)的衬底21中，凹口部分202在衬底21的侧面部分27中晶体谐振片结合元件72的结合位置之间形成。在该情况下，可以抑制晶体谐振片2受外部应力影响。结果，减小CI值并抑制频率偏移是可能的。此外，可以抑制因振动而引起的弯曲。而且，凹口部分202可以防止引出电极241和242之间的短路。注意，在图7(f)的实例中，由金属材料制成的连接凸起用作晶体谐振片结合元件72，这有利于小型化和频率增加，并且防止引出电极241和242之间的短路。
[0071]而且，在图7(g)的衬底21中，凹口部分202在衬底21的区域26中晶体谐振片结合元件72的结合位置之间形成，并且凹口部分202在衬底21的侧面部分27中以及在如从顶部看矩形平行六面体的纵向上的侧面中形成。在该情况下，与图7(f)的实例类似，可以抑制晶体谐振片2受外部应力影响。结果，可以减小CI值并且可以抑制频率偏移。另外，优选地，与图7(f)的实例相比较，进一步抑制因振动而引起的弯曲。而且，凹口部分202可以防止引出电极241和242之间的短路。注意，在图7(g)的实例中，由金属材料制成的连接凸起用作晶体谐振片结合元件72，这有利于小型化和频率增加，并且防止引出电极241和242之间的短路。
[0072]而且，虽然如图2中所示在该实例中使用由AT切割晶体条形成的晶体谐振片2，本发明并不局限于此。可以使用其他压电谐振片。具体地，可以使用音叉晶体谐振片(在下文称作晶体谐振片8，如图8和9(图9(a)和图9(b))中所示)。
[0073]图8和9的晶体谐振片8通过刻蚀由各向异性材料制成的晶体条而形成。晶体谐振片8的衬底81包括两个腿部分821和822以及基底部分83。衬底81具有基本上矩形平行六面体的外围形状。两个腿部分821和822从基底部分83伸出。而且，凹入部分85在两个腿部分821和822的两个主表面841和842的每个中形成，以便提高串联谐振电阻值，否则其将因晶体谐振片8的小型化而退化。
[0074]具有不同电势的两个激励电极861和862，以及将激励电极861和862与基底3的电极垫板(没有显示)电学和机械结合的引出电极871和872在晶体谐振片8的两个主表面841和842中形成。引出电极871和872从激励电极861和862延伸到基底部分83。在基底部分83中形成的引出电极871和872的引出尖端部分881和882使用晶体谐振片结合元件72经由支撑元件5与基底3的电极垫板结合，使得激励电极861和862与基底3的电极垫板电学和机械结合。
[0075]激励电极861和862以及引出电极871和872例如是包括由铬制成的下电极层和由金制成的上电极层的层压薄膜。薄膜通过技术例如真空汽相沉积、溅射等在整个表面上形成，此后，通过使用光刻法的金属刻蚀形成期望的形状。而且，引出电极871和872的引出尖端部分881和882以及引出电极871和872的接近那里的部分是例如包括由铬制成的下电极层、由金制成的中间电极层以及由铬制成的上电极层的层压薄膜。该薄膜通过例如真空汽相沉积、溅射等技术在整个表面上形成，此后，通过使用光刻法的金属刻蚀形成期望的形状，并且仅由铬制成的上电极层使用部分掩模通过技术例如真空汽相沉积等形成。此外，在与在主表面842中形成的引出尖端部分871和872相对的、晶体谐振片8的另一个主表面841的相对位置89形成的引出尖端部分881和882(图8和图9(a)的引出尖端部分881和882)，引出电极871和872的引出尖端部分881和882，具有其表面氧化成绝缘材料的铬的表面。作为选择，引出尖端部分881和882的表面的铬的一部分氧化成绝缘材料。这里使用的氧化铬具有比铬更高的表面硬度。
[0076]虽然在图9的晶体谐振片8中，引出电极871和872的引出尖端部分881和882的材料(铬、金和铬(Cr-Au-Cu))以该次序层压并且氧化表面铬，本发明并不局限于此。与图2的晶体谐振片类似，例如，铬、金和镍(Cr-Au-Cu)可以该次序层压并且可以氧化表面镍。作为选择，铬和镍(Cr-Ni)可以该次序层压并且可以氧化表面镍。作为选择，镍和铬(Ni-Cr)可以该次序层压并且可以氧化表面铬。
[0077]而且，虽然如图9中所示，在晶体谐振片8的相对位置89形成的引出尖端部分881和882的表面中铬的表面被氧化成绝缘材料，本发明并不局限于此。如果当晶体谐振片8使用超声波通过FCB与支撑元件5结合时，能够防止其表面由金制成的电极剥离并固定地连接到FCB装置的超声波发射元件，衬底81可以在晶体谐振片8的相对位置89暴露，例如图10(图10(a)和10(b))中所示。但是，如图10中所示，如果衬底81在晶体谐振片8的相对位置89暴露，在晶体谐振器1的制造步骤期间，图像识别不可以相对于晶体谐振片8的位置实现。这是因为可以识别晶体谐振片8的暴露部分下面的图案。因此，在音叉晶体谐振片中，如图9(a)中所示使用绝缘材料覆盖衬底81的相对位置89比在上述相对位置89暴露衬底81更优选。而且，如上所述，相对位置89的引出尖端部分881和882可以具有由铬代替绝缘材料制成的表面。
[0078]而且，虽然仅由金属材料制成的连接凸起在该实例的晶体谐振器1中使用，连接凸起并不局限于此。连接凸起可以由不导电材料制成。但是，即使当使用由不导电材料制成的连接凸起时，同样使用由导电材料(该实例中金属材料)制成的连接凸起建立晶体谐振片1的激励电极231和232与封装6的电极垫板之间的传导。
[0079]而且，虽然在该实例中支撑元件5在晶体谐振片2的区域26中的两个引出尖端部分251和252与晶体谐振片2结合，本发明并不局限于此。例如，如图11(a)中所示，支撑元件5可以经由晶体谐振片2的区域26中的单个结合凸起9与晶体谐振片2结合。单个结合凸起9包括由导电材料制成的两个导电部分91和由不导电材料制成的一个不导电部分92。导电部分91使用不导电部分92覆盖。而且，结合凸起9不仅可适用于图11(a)的厚度切变振动晶体谐振片2，而且可适用于图11(b)中所示的音叉晶体谐振片8。在该情况下，优选地抑制因上述两点结合而引起的外部应力到晶体谐振片1和8的发生。
[0080]上述连接凸起可以预先在晶体谐振片上或者在衬底(或支撑元件)上形成。注意，当连接凸起预先在衬底(或支撑元件)上形成时，减小到晶体谐振片的机械应力负荷是可能的。
[0081]本发明可以其他不同形成实施和实践而不背离其本质和基本特征。因此，上述实施方案在各个方面认为是说明性而不是限制性的。本发明的范围由附加权利要求而不是由前述描述指出。落在附加权利要求书的等价范围内的所有变化和修改打算包括于其中。
[0082]该申请要求2005年12月21日在日本提交的专利申请号2005-368524和2006年9月1日在日本提交的专利申请号2006-238093的优先权权益，在此以引用方式将其全部内容并入本文中。
工业适用性
[0083]本发明可适用于压电谐振器，例如晶体谐振器等。
Claims (14)
1.一种压电谐振器件，其中
通过将基底与盖子结合形成封装，压电谐振片固定在该封装中的基底上，并且该封装的内部被密封地封闭，
压电谐振片经由脆性材料制成的支撑元件固定在基底上，
基底经由基底结合元件使用超声波在支撑元件的多个区域中与支撑元件电学和机械结合，并且压电谐振片经由压电谐振片结合元件使用超声波在压电谐振片的一个区域中与支撑元件电学和机械结合，以及
基底结合元件和压电谐振片结合元件是连接凸起。
2.根据权利要求1的压电谐振器件，其中抑制压电谐振片弯曲的压电谐振片软垫部分提供在支撑元件上。
3.根据权利要求1或2的压电谐振器件，其中
支撑元件的多个区域是支撑元件的彼此相对的两个侧面附近的区域，以及
压电谐振片的所述一个区域在压电谐振片的侧面部分附近。
4.一种压电谐振片，其中
至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合，
多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及
绝缘材料被在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在所述一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
5.根据权利要求4的压电谐振片，其中绝缘材料是金属氧化物化合物。
6.根据权利要求4的压电谐振片，其中绝缘材料是表面绝缘的材料。
7.一种压电谐振片，其中
至少一个激励电极在衬底的两个主表面的每个中被形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合，
多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及
由单个铬层制成的材料被在衬底的另一个主表面的位置形成，该位置与在所述一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
8.一种压电谐振片，其中
至少一个激励电极被在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合，
多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，以及
衬底在衬底的另一个主表面的位置处暴露，该位置与在所述一个主表面上形成的引出尖端部分相对。
9.根据权利要求4-8中任何一个的压电谐振片，其中
多个引出电极的引出尖端部分延伸到一个主表面的至少一个侧面部分附近，并且外部电极经由压电谐振片结合元件与引出尖端部分电学和机械结合，以及
多个压电谐振片结合元件与每个引出电极结合。
10.根据权利要求9的压电谐振片，其中
衬底具有矩形平行六面体的外围形状，以及
多个压电谐振片结合元件沿着衬底的横向与每个引出电极的引出尖端部分结合。
11.一种压电谐振片，其中
至少一个激励电极被在衬底的两个主表面的每个中形成，并且多个引出电极通过延伸激励电极而被形成，以便将激励电极与外部电极电学和机械结合，
多个引出电极的引出尖端部分延伸到主表面中一个的至少一个侧面部分附近，并且外部电极与引出尖端部分电学和机械结合，
引出电极的引出尖端部分形成得比其他部分更高，以及
外部电极与比引出尖端部分的其他部分更高的部分电学和机械结合。
12.根据权利要求11的压电谐振片，其中包括更高部分的引出电极由光刻法形成。
13.根据权利要求11的压电谐振片，其中更高部分通过电镀形成。
14.根据权利要求11-13中任何一个的压电谐振片，其中更高部分由铬和金形成。
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