WO2007072668A1 - 圧電振動片、及び圧電振動デバイス - Google Patents

圧電振動片、及び圧電振動デバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2007072668A1
WO2007072668A1 PCT/JP2006/323993 JP2006323993W WO2007072668A1 WO 2007072668 A1 WO2007072668 A1 WO 2007072668A1 JP 2006323993 W JP2006323993 W JP 2006323993W WO 2007072668 A1 WO2007072668 A1 WO 2007072668A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vibrating piece
piezoelectric vibrating
base
electrode
electrodes
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/323993
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Syunsuke Satoh
Shinichi Koyama
Original Assignee
Daishinku Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daishinku Corporation filed Critical Daishinku Corporation
Priority to CN2006800476914A priority Critical patent/CN101331681B/zh
Priority to US12/092,127 priority patent/US7948156B2/en
Publication of WO2007072668A1 publication Critical patent/WO2007072668A1/ja
Priority to US13/085,588 priority patent/US8174172B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/21—Crystal tuning forks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Definitions

  • FIG. 5 is a schematic plan view of a quartz crystal vibrating piece that is useful in another example of the present embodiment.
  • the leading end portions 251, 252 of the leading electrodes 241, 242 are pulled out near one side 27 of the main surface 221, and the exciting electrodes 231, 232 force S leading end portions In 251, 252, it is electromechanically bonded to the electrode pad of the base 3 through the support material 5 by the crystal vibrating piece bonding material 72 and the base bonding material 71.
  • the other main surface 222 of the substrate 21 is opposed to the leading ends 251 and 252 formed on the one main surface 221 (hereinafter referred to as the following). This position is referred to as an opposing position 28) in which the substrate 21 is exposed.
  • the support material 5 is provided with a crystal vibrating piece bonding region 51 for bonding to the crystal vibrating piece 2 on one main surface (the front side in FIG. 1).
  • Other main surface Fig. 1 In the back side, base joining regions 521 and 522 for joining to the base 3 are set.
  • a routing electrode (not shown) is routed between the crystal resonator element bonding region 51 and the base bonding regions 521 and 522.
  • the bonding region 51 for the quartz crystal resonator piece is set in the vicinity of one side in the longitudinal direction of the support member 5 and in the vicinity of the intermediate portion in the short direction.
  • the base joining regions 521 and 522 here are the regions in the vicinity of opposite side surfaces of the support material 5, specifically, in the vicinity of both sides in the short direction of the support material 5 as shown in FIG. It is set near the middle part in the longitudinal direction.
  • the quartz crystal resonator 1 which is useful in the present embodiment, the quartz crystal resonator in which the quartz crystal resonator element is directly bonded to the base, which is the first conventional technology, via the connection bump, and the second conventional technology.
  • the temperature characteristics of the 155 MHz band were measured for a quartz crystal unit with a quartz crystal resonator piece bonded directly to the base via a conductive adhesive. The results are shown in Fig. 4.
  • the temperature characteristics of the first conventional crystal unit are indicated by reference numeral 1
  • the temperature characteristics of the crystal unit that works on this embodiment are indicated by reference numeral 2
  • the second conventional crystal unit is shown.
  • the temperature characteristics of the vibrator are indicated by reference numeral 3.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

　圧電振動デバイスでは、圧電振動片と、この圧電振動片を保持するベースと、ベースに保持した圧電振動片を気密封止するためのキャップと、圧電振動片への外的な応力を軽減させる脆性材からなるサポート材とが設けられ、ベース上にサポート材を介して圧電振動片が保持される。この際、ベースと圧電振動片とサポート材とは、それぞれ接続バンプのベース用接合材及び圧電振動片用接合材を用いてＦＣＢ法により超音波接合されている。ベースとサポート材とはベース用接合材を介してサポート材の複数領域上で超音波接合により電気機械的に接合されている。また、圧電振動片とサポート材とは圧電振動片用接合材を介して圧電振動片の一領域上で超音波接合により電気機械的に接合されている。

Description

明 細 書
圧電振動片、及び圧電振動デバイス
技術分野
[0001] 本発明は、圧電振動片、及び圧電振動デバイスに関する。
背景技術
[0002] 現在、圧電振動デバイスとして、例えば、水晶発振器や水晶振動子などが挙げられ る。この種の圧電振動デバイスでは、その筐体が直方体のノ ッケージで構成されて いる。このパッケージはベースとキャップとから構成され、このパッケージ内部には圧 電振動片が導電性接着剤によりベースに保持接合されている。そして、ベースとキヤ ップとが接合されることで、ノ ッケージの内部の圧電振動片が気密封止されている（ 例えば、下記する特許文献 1ご参照。 ) o
特許文献 1 :特開 2005— 191709号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] ところで、上記した特許文献 1では、ベース上に圧電振動片を保持する際、圧電振 動片は導電性接着剤によりベースに接合される。また、ベース上には、異極となる電 極が配されており、それぞれの電極上に導電性接着剤が塗布される。
[0004] そのため、上記した特許文献 1に開示の圧電振動デバイスの場合、異極となる電極 間のショートを避けるために、パッケージ内部のベース上における導電性接着剤の塗 布領域 (接合領域)を確保し、かつ、この塗布領域に応じて導電性接着剤の塗布量（ 使用量)を設定する必要があり、この特許文献 1に開示の圧電振動デバイスは、小型 ィ匕に適していない。
[0005] そこで、上記課題を解決するために、本発明は、小型化に適した圧電振動片、及 び圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0006] 上記の目的を達成するため、本発明に力かる圧電振動デバイスは、ベースとキヤッ プとが接合されてパッケージが構成され、前記パッケージの内部の前記ベース上に 圧電振動片が保持されるとともに、前記パッケージの内部が気密封止された圧電振 動デバイスにおいて、前記圧電振動片は、脆性材からなるサポート材を介して前記 ベース上に保持され、前記ベースと前記サポートとはベース用接合材を介して前記 サポート材の複数領域上で超音波接合により電気機械的に接合され、かつ、前記圧 電振動片と前記サポート材とは圧電振動片用接合材を介して前記圧電振動片のー 領域上で超音波接合により電気機械的に接合され、前記ベース用接合材及び前記 圧電振動片用接合材は、接続バンプであることを特徴とする。
[0007] 本発明によれば、前記圧電振動片は、前記サポート材を介して前記ベース上に保 持され、前記ベースと前記サポート材とは前記ベース用接合材を介して前記サポート 材の複数領域上で超音波接合により電気機械的に接合され、かつ、前記圧電振動 片と前記サポート材とは前記圧電振動片用接合材を介して前記圧電振動片のー領 域上で超音波接合により電気機械的に接合され、前記ベース用接合材及び前記圧 電振動片用接合材は、接続バンプであるので、前記圧電振動片を前記ベースに保 持する際や前記ベースに前記キャップを接合する際に前記パッケージに応力がかか る場合であってもその応力が前記圧電振動片に力かるのを抑制することが可能となり 、また、前記パッケージへの前記圧電振動片の搭載位置のノ ツキを抑えることが可 能となり、また、前記パッケージの小型化を図るのに好適である。特に、本発明の作 用効果は、従来技術のようにベースに圧電振動片を直接導電性接着剤を介して接 合した圧電振動デバイスと比較して顕著にあらわれる。
[0008] 前記構成において、前記サポート材上に、前記圧電振動片が撓むのを抑制する圧 電振動片用枕部が設けられてもよい。
[0009] この場合、前記サポート材上に、前記圧電振動片が撓むのを抑制する前記圧電振 動片用枕部が設けられるので、前記圧電振動片用接合材を用いた前記サポート材 への前記圧電振動片の接合の際に、前記サポート材上の前記圧電振動片の搭載位 置に対して傾くことなく安定して前記圧電振動片を配することが可能となる。この効果 は、特に、超音波接合による工法で前記圧電振動片を前記サポート材に接合する場 合に好適である。
[0010] 前記構成において、前記サポート材の複数領域は、前記サポート材の対向する両 側面近傍領域であり、前記圧電振動片のー領域は、前記圧電振動片のー側部近傍 であってもよい。
[0011] この場合、前記サポート材の複数領域は、前記サポート材の対向する両側面近傍 領域であり、前記圧電振動片のー領域は、前記圧電振動片のー側部近傍領域であ るので、前記ベースへの前記サポート材の前記ベース用接合材を用いた超音波接 合や前記サポート材への前記圧電振動片の前記圧電振動片用接合材を用いた超 音波接合によって生じる前記ベースや前記サポート材の変形による前記圧電振動片 の特性変化を抑制するのに好まし 、。
[0012] また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、基板の両主面 それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前記励振電極を外 部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞれ引き出された 複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、前記複数の引き出し電極 の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き出 し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、前記基板の他主面の、前記一主面 に形成された前記引き出し先端部に対向する対向位置に絶縁材料が形成されたこと を特徴とする。
[0013] 本発明によれば、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少な くとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接 合され、前記基板の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対 向する対向位置に絶縁材料が形成されるので、 FCB工法により前記一主面に形成 された前記引き出し先端部に対向する前記他主面の対向位置に FCB装置の超音 波を発する部材を直接接触させた場合であっても、前記他主面の対向位置に形成さ れた前記絶縁材料が前記他主面の対向位置に FCB装置の超音波を発する部材に 固着するのを防ぐことが可能となる。また、本発明によれば、前記複数の引き出し電 極の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き 出し先端部に外部電極が電気機械的に接合される場合、前記基板上における外部 電極との接続位置を前記一主面の一側部近傍、すなわち一領域にまとめることが可 能となり、当該圧電振動片の小型化を図るのに好適である。 [0014] 前記構成にお!ヽて、前記絶縁材料は、酸化金属化合物であってもよ!ヽ。また、前記 絶縁材料は、その表面が絶縁ィ匕された材料であってもよ 、。
[0015] また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、基板の両主面 それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前記励振電極を外 部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞれ引き出された 複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、前記複数の引き出し電極 の引き出し先端部が一主面の少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先 端部に外部電極が電気機械的に接合され、前記基板の他主面の、前記一主面に形 成された前記引き出し先端部に対向する対向位置にクロム単層からなる材料が形成 されたことを特徴とする。
[0016] 本発明によれば、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少な くとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接 合され、前記基板の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対 向する対向位置に前記クロム単層からなる材料が形成されるので、 FCB工法により 前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対向する前記他主面の対向位置に FCB装置の超音波を発する部材を直接接触させた場合であっても、前記他主面の 対向位置に形成された前記クロム単層からなる材料は、金と比較して硬 ヽ材質から なるとともに当該圧電振動片の基板と接合し易いため、金力 なる材料と比較して FC B装置の超音波を発する部材に固着することはない。また、前記複数の引き出し電極 の引き出し先端部が前記一主面の一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部 に外部電極が電気機械的に接合される場合、前記基板上における外部電極との接 続位置を前記一主面の一側部近傍、すなわち一領域にまとめることが可能となり、当 該圧電振動片の小型化を図るのに好適である。
[0017] また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、基板の両主面 それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前記励振電極を外 部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞれ引き出された 複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、前記複数の引き出し電極 の引き出し先端部が一主面の少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先 端部に外部電極が電気機械的に接合され、前記基板の他主面の、前記一主面に形 成された前記引き出し先端部に対向する対向位置は前記基板が露出されてなること を特徴とする。
[0018] 本発明によれば、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少な くとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接 合され、前記圧電振動片の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端 部に対向する対向位置は前記基板が露出されるので、 FCB法を用いるために、前 記一主面に形成された前記引き出し先端部に対向する前記他主面の対向位置に F CB装置の超音波を発する部材を直接接触させた場合であっても、前記基板が前記 他主面の対向位置に FCB装置の超音波を発する部材に固着することがない。また、 前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が一主面の一側部近傍に引き出され、 前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合される場合、前記基板上にお ける外部電極との接続位置を前記一主面の一側部近傍、すなわち一領域にまとめる ことが可能となり、前記パッケージの小型化を図るのに好適である。
[0019] 前記構成において、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の 少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部にて外部電極が圧電振動 片用接合材を介して電気機械的に接合され、 1つの前記引き出し電極につき複数の 前記圧電振動片用接合材が接合されてもょ ヽ。
[0020] この場合、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも 一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部にて外部電極が前記圧電振動片用 接合材を介して電気機械的に接合され、 1つの前記引き出し電極につき複数の前記 圧電振動片用接合材が接合されるので、前記圧電振動片の基板上における外部電 極との接続位置を前記一主面の一側部近傍、すなわち一領域にまとめることが可能 となって前記パッケージの小型化を図るのに好適であり、前記圧電振動片と外部電 極との接合強度を高めることが可能となる。
[0021] 前記構成において、前記基板の外周形は、直方体形状からなり、 1つの前記引き 出し電極につき複数の前記圧電振動片用接合材が前記基板の短手方向に沿って 前記引き出し先端部に接合されてもよい。 [0022] この場合、前記基板の外周形は、直方体形状からなり、 1つの前記引き出し電極に つき複数の前記圧電振動片用接合材が前記基板の短手方向に沿って前記引き出し 先端部に接合されるので、例えば、導電性接着剤を用いることによる電極間のショー トを防ぐことが可能となる。この効果は、特に圧電振動片が小型化するにつれて顕著 になる。
[0023] また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片は、基板の両主面 それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前記励振電極を外 部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞれ引き出された 複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、前記複数の引き出し電極 の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍に引き出され、前記引き出 し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、前記引き出し電極の引き出し先端 部の高さが他の部分の高さより厚く成形され、前記引き出し先端部の他の部分より高 く成形された高地部分に外部電極が電気機械的に接合されることを特徴とする。特 に、特に、高地部分に外部電極が超音波接合により電気機械的に接合されることが 好適である。
[0024] 本発明によれば、前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が一主面の少なくと も一側部近傍に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合 され、前記引き出し電極の引き出し先端部の高さが他の部分の高さより厚く成形され 、前記引き出し先端部の他の部分より高く成形された高地部分に外部電極が電気機 械的に接合されるので、別途接合材を用 ヽずに前記引き出し電極と外部電極との接 合を行なうことが可能となる。その結果、接合材を用いることによる電極間のショートを 防ぐことが可能となる。この効果は、特に圧電振動デバイスが小型化するにつれて顕 著になる。
[0025] 前記構成において、前記高地部分を含む前記引き出し電極はフォトリソグラフィ法 により形成されてもよい。
[0026] この場合、前記高地部分を含む前記引き出し電極はフォトリソグラフィ法により形成 されるので、前記引き出し電極の形成時において前記高地部分も併せて形成するこ とが可能となる。そのため、前記引き出し電極と外部電極とを接合させるために新た に接合材を用いたり、前記引き出し電極の形成工程とは別の新たな工程により前記 高地部分を形成することがなぐ製造コストを抑制することが可能となる。
[0027] 前記構成において、前記高地部分は、メツキ形成されてもよい。
[0028] 前記高地部分がメツキ形成される場合、当該圧電振動片に前記高地部分をメツキ 形成することによる機械的な応力負荷を生じさせることがなぐ前記高地部分の形成 をバッチ処理により行なうことが可能となり、前記高地部分の表面面積や形状や厚み の設計自由度が極めて高くなる。また、前記高地部分がメツキ形成された場合、設備 コストを低く抑えることが可能となる。なお、ここでは、前記高地部分のメツキ形成を挙 げているが、これに限定されるものではなぐ蒸着法やスパッタリング法により前記高 地部分を形成することも可能である。
[0029] 前記構成にお!、て、前記高地部分は、クロムと金を含む構成であってもよ 、。
[0030] この場合、前記高地部分が、クロムと金を含む構成であるので、外部電極との接合 がし易くなる。
発明の効果
[0031] 本発明によれば、小型化に適した圧電振動片、及び圧電振動デバイスを提供する ことができる。
図面の簡単な説明
[0032] [図 1]図 1は、本実施例に力かる水晶振動子の概略構成図である。図 1 (a)は、その水 晶振動子の内部を公開した概略平面図である。図 1 (b)は、図 1 (a)の A— A線断面 図である。
[図 2]図 2は、本実施例に力かる水晶振動片の概略構成図である。図 2 (a)は、その水 晶振動片の概略平面図である。図 2 (b)は、その水晶振動片の概略裏面図である。
[図 3]図 3は、本実施例にかかる水晶振動子と、従来技術に力かる水晶振動子と、の エージング特¾を測定した結果のグラフ図である。
[図 4]図 4は、本実施例にかかる水晶振動子と、従来技術 1にかかる水晶振動子と、 従来技術 2にかかる水晶振動子と、の温度特性を測定した結果のグラフ図である。
[図 5]図 5は、本実施の他の例に力かる水晶振動片の概略平面図である。
[図 6]図 6は、本実施の他の例に力かる水晶振動片の概略構成図である。図 6 (a)は、 その水晶振動片の概略平面図である。図 6 (b)は、図 6 (a)の B— B線断面図である。
[図 7]図 7 (a)〜図 7 (g)は、本実施の他の例に力かる水晶振動片の概略平面図であ る。
[図 8]図 8は、本実施の他の例に力かる水晶振動子の内部を公開した概略平面図で ある。
[図 9]図 9は、図 8に示す水晶振動子に保持された水晶振動片の概略構成図である。 図 9 (a)は、その水晶振動片の概略平面図である。図 9 (b)は、その水晶振動片の概 略裏面図である。
[図 10]図 10は、本実施の他の例に力かる水晶振動片の概略構成図である。図 10 (a )は、その水晶振動片の概略平面図である。図 10 (b)は、その水晶振動片の概略裏 面図である。
[図 11]図 11 (a)は、図 2 (b)に示す水晶振動片の変形例を示した概略平面図である 。図 11 (b)は、図 9 (b)に示す水晶振動片の変形例を示した概略平面図である。 符号の説明
1 水晶振動子 (圧電振動デバイス）
2 水晶振動片 (圧電振動片）
21 基板
221, 222 両主面
231, 232 励振電極
241, 242 引き出し電極
251, 252 引き出し先端部
26 基板の一領域
27 基板の一側部
28 対向位置
291, 292 高地部分
3 ベース
4 キャップ
5 サポート材 51 水晶振動片用接合領域
521, 522 ベース用接合領域
6 パッケージ
71 ベース用接合材
72 水晶振動片用接合材
8 音叉型水晶振動片 (圧電振動片）
81 基板
841, 842 両主面
861, 862 励振電極
871, 872 引き出し電極
881, 882 引き出し先端部
89 対向位置
発明を実施するための最良の形態
[0034] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す 実施例では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。
[0035] 本実施例に力かる水晶振動子 1では、図 1 (図 1 (a) ,図 1 (b) )に示すように、厚み すべり振動系の水晶振動片 2 (本発明でいう圧電振動片)と、この水晶振動片 2を保 持するベース 3と、ベース 3に保持した水晶振動片 2を気密封止するためのキャップ 4 と、水晶振動片 2への外的な応力を軽減させるサポート材 5とが設けられている。
[0036] この水晶振動子 1では、ベース 3とキャップ 4とからパッケージ 6が構成され、ベース 3とキャップ 4とが接合されてパッケージ 6の内部空間が形成され、このパッケージ 6の 内部空間内のベース 3上にサポート材 5を介して水晶振動片 2が保持されるとともに、 ノ ッケージ 6の内部空間が気密封止される。この際、図 1に示すように、ベース 3と水 晶振動片 2とサポート材 5とは、それぞれ接合材 (ベース用接合材 71および水晶振動 片用接合材 72)を用いて FCB (Flip Chip Bonding)法により超音波接合されると ともに電気機械的に接合されている。なお、本実施例で用いるベース用接合材 71及 び水晶振動片用接合材 72は、金属材料力もなる接続バンプである。次に、この水晶 振動子 1の各構成について説明する。 [0037] ベース 3は、図 1に示すように、底部 31と、この底部 31から上方に延出した壁部 32 とから構成される箱状体に形成されている。このベース 3は、セラミック材料カゝらなる平 面視矩形状の一枚板上に、セラミック材料の直方体が積層して凹状に一体的に焼成 されている。また、壁部 32は、底部 31の表面外周に沿って成形されている。この壁 部 32の上面は、キャップ 4との接合領域であり、この接合領域には、キャップ 4と接合 するためのメタライズ層 33 (例えば、タングステンメタライズ層上にニッケル，金の順で メツキした構成、または錫と金、錫と銀とからなる構成）が設けられている。なお、メタラ ィズ層 33の代わりにガラス層を設けてもよぐガラス層を形成することによりベース 3と キャップ 4との接合強度を向上させることができる。このベース 3には、水晶振動片 2の 励振電極 231, 232それぞれと電気機械的に接合する複数の電極パッド（図示省略 )が形成されている。これら電極パッドは、ベース 3の外周裏面に形成される端子電極 (図示省略）にそれぞれ電気機械的に接合されている。これら端子電極から外部部 品や外部機器と接続される。なお、これらの端子電極および電極パッドは、タンダス テン、モリブデン等のメタライズ材料を印刷した後にベース 3と一体的に焼成して形成 される。そして、これらの端子電極および電極パッドのうち一部のものについては、メ タラィズ上部にニッケルメツキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成され る。
[0038] キャップ 4は、金属材料からなり、図 1 (b)に示すように、平面視矩形状の一枚板に 成形されている。このキャップ 4は、下面にろう材（図示省略）が形成されており、シー ム溶接やビーム溶接等の手法によりベース 3に接合されて、キャップ 4とベース 3とに よる水晶振動子 1のパッケージ 6が構成される。なお、キャップ 4は、例えば、 4層の熱 膨張係数の異なる金属材料力も形成されている。具体的に、ベース 3との接続面とな るキャップ 4の下面から、ろう材である銀ろう層、銅層、コバール層及びニッケル層が 順に積層されてなる。キャップの下面側が銀ろう層及び銅層であるため、他の層に比 ベてセラミック力もなるベース 3との熱接合がし易い。また、これら銀ろう層及び銅層上 にコバール層が積層されているので、セラミック力もなるベース 3との熱膨張率を略同 じにしてベース 3とキャップ 4との熱変形を同等にすることが可能となる。また、最上面 にニッケル層が形成されているので、ベース 3とキャップ 4とのシーム溶接を行い易く する。なお、熱変形を同等レベルにすることからコバール層の厚みはできるだけ厚く 設計されている。
[0039] 水晶振動片 2は、図 1, 2 (図 2 (a) ,図 2 (b) )に示すように、 ATカット水晶片の基板 21からなり、平面視矩形状の一枚板の直方体に成形されている。すなわち、基板 21 の外周形は、直方体形状からなる。この基板 21の両主面 221, 222には、水晶振動 片 2の高周波化に対応するため凹部 201が形成され、これら凹部 201内部にはそれ ぞれ励振電極 231, 232が形成され、これらの励振電極 231, 232を外部電極 (本実 施例では、ベース 3の電極パッド）と電気機械的に接合するために励振電極 231, 23 2から引き出された引き出し電極 241, 242が形成されている。また、水晶振動片 2は 、その基板 21の一領域 26においてサポート材 5と水晶振動片用接合材 72により接 合されている。なお、本実施例でいう基板 21の一領域 26は、基板 21の一側部 27近 傍である。具体的に、図 2に示すように、これらの引き出し電極 241, 242の引き出し 先端部 251, 252がー主面 221の一側部 27近傍に引き出され、励振電極 231, 232 力 S引き出し先端部 251, 252にてサポート材 5を介して水晶振動片用接合材 72及び ベース用接合材 71によりベース 3の電極パッドに電気機械的に接合されている。また 、図 1, 2に示すように、この水晶振動片 2では、基板 21の他主面 222の、その一主 面 221に形成された引き出し先端部 251, 252に対向する対向位置（以下、この位 置を対向位置 28とする）は、基板 21が露出された状態となっている。なお、これらの 励振電極 231, 232及び引き出し電極 241, 242は、フォトリソグラフィ法により形成さ れ、例えば、基板 21側からクロム、金（Cr— Au)の順に、あるいはクロム、金、クロム（ Cr-Au-Cr)の順に、あるいはクロム、金、ニッケル（Cr— Au— Ni)の順に、あるい はクロム、銀、クロム（Cr— Ag— Cr)の順に、あるいはクロム、ニッケル（Cr— Ni)の順 に、あるいはニッケル、クロム（Ni—Cr)の順に積層して形成されている。
[0040] サポート材 5は、脆性材である水晶片からなる Z板である。このサポート材 5の外形 は、図 1に示すように、水晶振動片 2の外形と略同等もしくは小さくなるように設定され 、サポート材 5は平面視矩形状の一枚板の直方体に成形されて 、る。
[0041] また、このサポート材 5には、図 1に示すように、その一主面（図 1では表側）に水晶 振動片 2と接合するための水晶振動片用接合領域 51が設定され、その他主面 (図 1 では裏側）にベース 3と接合するためのベース用接合領域 521, 522が設定されてい る。これら水晶振動片用接合領域 51とベース用接合領域 521, 522との間を、図示 しない引回し電極が引回されている。ここでいう水晶振動片用接合領域 51は、具体 的に図 1に示すようにサポート材 5の長手方向一側部近傍であって、その短手方向 の中間部近傍に設定されている。また、ここでいうベース用接合領域 521, 522は、 サポート材 5の対向する両側面近傍領域であり、具体的に図 1に示すように、サポート 材 5の短手方向両側部近傍であって、その長手方向の中間部近傍に設定されてい る。
[0042] また、図 1に示すように、ベース 3とサポート材 5とはベース用接合材 71により 2つの ベース用接合領域 521, 522において 2点で超音波接合され、水晶振動片 2とサボ ート材 5は水晶振動片用接合材 72により 1つの水晶振動片用接合領域 51において 2点で超音波接合されるとともに電気機械的に接合される。これらの接合により、水晶 振動片 2の励振電極 231, 232が、それぞれ引き出し電極 241, 242、水晶振動片 用接合材 72、サポート材 5の引回し電極およびベース用接合材 71を介してベース 3 の電極パッドに電気機械的に接合される。なお、水晶振動片 2の励振電極 231, 23 2とベース 3の電極パッドが電気機械的に接合された状態のパッケージ 6において、 ベース用接合材 71の 2点の間の線分を第 1線分とし、かつ、水晶振動片用接合材 7 2の 2点の間の線分を第 2線分とする。そして、本実施例の第 1線分と第 2線分との関 係は、パッケージ 6の平面視上において第 1線分と第 2線分とが交わらず、かつ、第 1 線分の線分方向と第 2線分の線分方向とが直交するように設定されている。
[0043] ところで、ベース 3へのサポート材 5の接合、およびサポート材 5への水晶振動片 2 の熱接合の際に各部材において外形変形もしくは歪みが生じる。この外形変形もしく は歪みによってパッケージ 6に熱応力などの応力が生じ、この応力がサポート材 5を 介して水晶振動片 2にかかる。
[0044] しかしながら、上記した本実施例にかかる水晶振動子 1によれば、水晶振動片 2が 、脆性材カもなるサポート材 5を介してベース 3上に保持されるので、水晶振動片 2を ベース 3に保持する際やベース 3にキャップ 4を接合する際にパッケージ 6に応力が 力かった場合であってもその応力が水晶振動片 2にかかるのを抑制することができる 。特に、この本実施例にカゝかる水晶振動子 1の作用効果は、従来技術のようにベース に水晶振動片を直接導電性接着剤を介して接合した水晶振動子と比較して顕著〖こ あらわれる。
[0045] 具体的に、水晶振動片 2は、脆性材カ なるサポート材 5を介してベース 3上に保持 され、ベース 3とサポート材 5とはベース用接合材 71を介してサポート材 5の複数領域 (本実施例ではベース用接合領域 521, 522)上で超音波接合され、かつ、水晶振 動片 2とサポート材 5とは水晶振動片用接合材 72を介して水晶振動片 2の一領域 26 (本実施例ではサポート材 5の水晶振動片用接合領域 51)上で超音波接合により電 気機械的に接合され、ベース用接合材 71及び水晶振動片用接合材 72は、接続バ ンプであるので、水晶振動片 2をベース 3に保持する際やベース 3にキャップ 4を接合 する際にパッケージ 6に応力が力かった場合であってもその応力が水晶振動片 2に 力かるのを抑制することができ、また、ノ ッケージ 6への水晶振動片 2の搭載位置の ノ ラツキを抑えることができ、また、接合点が近接することによるショートの問題や接 合点の縮小化により導電性が低下することがないので、ノ¾ /ケージ 6の小型化を図る のに好適である。
[0046] また、図 1に示すように、サポート材 5が、水晶振動片 2と接合するための水晶振動 片用接合領域 51と、ベース 3と接合するためのベース用接合領域 521, 522を有す る。すなわち、本発明でいうサポート材の複数領域は、サポート材 5の対向する両側 面近傍領域 (ベース用接合領域 521, 522)であり、本発明でいう水晶振動片のー領 域は、水晶振動片 2の一側部 27近傍領域 (サポート材 5の水晶振動片用接合領域 5 1)であるので、ベース 3へのサポート材 5のベース用接合材 71を用いた超音波接合 やサポート材 5への水晶振動片 2の水晶振動片用接合材 72を用いた超音波接合に よって生じるベース 3やサポート材 5の変形による水晶振動片 2の特性変化を抑制す るのに好ましい。具体的に、サポート材 5により水晶振動片 2の製造の際、各部材の 接合に力かる支持系（例えば、接合材など)からの外的圧力を軽減させることができ、 水晶振動片 2の特性に悪影響を及ぼす応力を緩衝させることができる。その結果、水 晶振動子 1に与えるベース 3や接合材などの支持系の応力を軽減することができ、等 価定数 (直列共振抵抗値)特性,スプリアス特性，温度特性，エージング特性などの 水晶振動子 1の特性の改善を図ることができる。なお、ここでは、支持系をベース 3と サポート材 5との接合に用いる接合材に関連つけているが、外的な応力には、ベース 3とキャップ 4との接合において生じる応力などの他の支持系の応力も含まれる。
[0047] 次に、本実施例に力かる水晶振動子 1と、従来技術であるベースに水晶振動片を 直接接続バンプを介して接合した水晶振動子とについて、約 200時間のエージング 特性を測定した。その結果を図 3に示す。なお、図 3では、本実施例に力かる水晶振 動子のエージング特性を符号 1で示し、従来技術の水晶振動子のエージング特性を 符号 2で示す。この図 3に示すように、本実施例に力かる水晶振動子 1のエージング 特性では、約 200時間の間周波数偏差を lppm以内に抑えていることがわかり、これ に対して従来技術では、周波数偏差を lppmを越えてしまう。すなわち、従来技術で は時間経過とともに周波数のバラツキが生じる。このことから本実施例に力かる水晶 振動子 1のエージング特性が良好であることは明らかである。
[0048] また、本実施例に力かる水晶振動子 1と、第 1の従来技術であるベースに水晶振動 片を直接接続バンプを介して接合した水晶振動子と、第 2の従来技術であるベース に水晶振動片を直接導電性接着剤を介して接合した水晶振動子と、について、 155 MHz帯の温度特性を測定した。その結果を図 4に示す。なお、図 4では、第 1の従来 技術の水晶振動子の温度特性を符号 1で示し、本実施例に力かる水晶振動子の温 度特性を符号 2で示し、第 2の従来技術の水晶振動子の温度特性を符号 3で示す。 この図 4に示すように、ベースに水晶振動片を直接接続バンプを介して接合した第 1 の従来技術では、水晶振動子の温度特性が良好である (周波数偏差が約 ± 20ppm となる)。しかしながら、この第 1の従来技術では、上記したような外的な応力が水晶 振動片に伝わり、水晶振動子の直列共振抵抗値特性,スプリアス特性，エージング特 性などを悪化させる。これに対して、水晶振動子の直列共振抵抗値特性,スプリアス 特性などの悪ィ匕を抑制するために、ベースに水晶振動片を直接導電性接着剤を介 して接合した第 2の従来技術では、図 4に示すように、温度特性が悪化する (周波数 偏差が約 ±40ppmとなる）。これらの第 1, 2の従来技術に対して、本実施例にかか る水晶振動子 1では、図 4に示すように、温度特性を悪化させずに、さらに水晶振動 子 1の他の特性 (直列共振抵抗値特性,スプリアス特性，エージング特性（図 3)など） を悪ィ匕させることもない。このことから本実施例に力かる水晶振動子 1の温度特性が 良好であることは明らかである。
[0049] また、水晶振動片 2の対向位置 28では基板 21が露出されるので、 FCB法により対 向位置 28に FCB装置の超音波を発する部材を直接接触させた場合であっても、対 向位置 28の基板 21が FCB装置の超音波を発する部材に固着することがない。
[0050] また、サポート材 5が、脆性材カもなつて 、るので、サポート材 5の膨張係数が水晶 振動片 2の膨張係数に近似する。そのため、ベース 3と水晶振動片 2との間にサポー ト材 5を設けることによる水晶振動片 2の特性の悪ィ匕はなぐ外的な応力を緩衝させる ことができる。
[0051] また、サポート材 5の外形は、図 1に示すように、水晶振動片 2の外形と略同等もしく は小さくなるように設定されるので、サポート材 5の設置により水晶振動子 1の小型化 を妨げることはなぐ水晶振動子 1の小型化を図ることができる。
[0052] また、水晶振動片 2は水晶片であり、サポート材 5は水晶片からなる Z板であり、異 方性の影響を受けにく 、材料であるので、サポート材 5を成形する際のエッチング時 、異方性の影響を受けにくぐサポート材 5の形状を任意の形状に容易に成形するこ とができる。なお、サポート材 5に水晶振動片と同様の ATカット板を用いた場合、 Z板 と比較してサポート材 5を成形する際のエッチングの影響を受け易ぐ予め設定した 軸に対して垂直方向にエッチングした 、場合であっても斜め方向にエッチングするた め、サポート材 5の形状を任意の形状に成形することが難しい。そのため、サポート材 5に Z板を用いることが好ましい。また、サポート材 5が異方性の影響を受けにくい材 料であるので、水晶振動片 2の振動の影響を受けることがなぐサポート材 5の設置に より水晶振動片 2の特性を悪化させることを防止することができる。また、水晶振動片 2とサポート材 5が同一の水晶片であるので、膨張係数が同じとなり、ベース 3と水晶 振動片 2との間にサポート材 5を設けることによる外的な応力の緩衝に好ましい。
[0053] また、ノ ッケージ 6の平面視上において第 1線分と第 2線分とが交わらず、さらに、 第 1線分の線分方向と第 2線分の線分方向とが直交するように設定されているので、 ベース 3へのサポート材 5のベース用接合材 71を用いた接合や、サポート材 5への水 晶振動片 2の水晶振動片用接合材 72を用いた接合により生じるベース 3の変形によ る水晶振動片 2の特性変化を抑制することができる。例えば、比較例として、第 1線分 の方向と第 2線分の方向とがパッケージの平面視上において並行方向の関係力もな つている水晶振動子の場合、水晶片をベースに接合する際に熱応力が力かりサポー ト材が湾曲したまま接合される。そして、湾曲したサポート材上に水晶振動片を接合 する際に熱応力がかかり、湾曲したサポート材を基準にしてこのサポート材に対して 水晶振動片が湾曲したまま接合される。従って、この水晶振動子では、水晶振動片 に外的な応力が力かり易ぐサポート材をベースと水晶振動片との間に介在させた場 合であっても、上記した外的な応力を抑制する効果は顕著には表れない。すなわち 、水晶振動片への外的な応力は緩衝しきれずに水晶振動片の特性に影響が及ぶ。 これに対して、本実施例に力かる水晶振動子 1によれば、ノ ッケージ 6の平面視上に おいて第 1線分と第 2線分とが交わらず、さらに、第 1線分の線分方向と第 2線分の線 分方向とが直交するように設定されているので、このような問題が生じることはなぐ水 晶振動片 2の特性に悪影響を及ぼす外的な応力を回避させることができる。なお、本 実施例にかかる水晶振動子 1に示す第 1線分と第 2線分との関係は水晶振動片への 外的な応力を抑制するのに好適な例であり、比較例はあくまでも第 1線分と第 2線分 との関係を述べるための単なる例である。
[0054] なお、本実施例では、サポート材 5として水晶片を適用している力 これに限定され るものではなぐ脆性材であれば他の形態であってもよぐ例えば、異方性材料では な ヽガラス材からなつてもよ!ヽ。
[0055] また、本実施例では、図 1に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形さ れたキャップ 4と、凹状に成形されたベース 3とを用いている力 これに限定されるもの ではない。ベース 3とキャップ 4とにより水晶振動片 2を気密封止できれば、ベースとキ ヤップの形状は任意に設定してもよ 、。
[0056] また、本実施例では、水晶振動片 2の両主面 221, 222それぞれに 1つの励振電極 231, 232を形成している力 これに限定されるものではなぐ使用用途に合わせて 両主面 221, 222それぞれに形成される励振電極の数を任意に設定してもよい。例 えば、両主面それぞれに 2つの励振電極が形成されてもよぐまたは、一主面に 1つ の励振電極が形成されるとともに他主面に 2つの励振電極が形成されたフィルタ素子 構成としてもよい。
[0057] また、本実施例に力かる水晶振動片 2では、図 1, 2に示すように、引き出し電極 24 1, 242の引き出し先端部 251, 252とサポート材 5との接合にそれぞれ 1つの水晶振 動片用接合材 72を用いている力 これに限定されるものではなぐ 1つの引き出し電 極につき複数の水晶振動片用接合材が用いられてもよい。具体的に、図 5に示すよ うに、引き出し先端部 251, 252それぞれにっき 2つの水晶振動片用接合材 72が、 水晶振動片 2の短手方向に沿って引き出し先端部 251, 252それぞれに接合されて ちょい。
[0058] この場合、 1つの引き出し電極 241 (242)にっき複数の水晶振動片用接合材 72が 用いられているので、水晶振動片 2の基板 21上における外部電極 (本実施例ではサ ポート材 5)との接続位置をその一主面 221の一側部 27近傍、すなわち一領域 26に まとめることができ水晶振動片 2の小型化を図るのに好適であり、水晶振動片 2と外 部電極 (本実施例ではサポート材 5)との接合強度を高めることができる。特に、図 5 に示すように水晶振動片用接合材 72として接続バンプを用いた場合に当該水晶振 動片 2の小型化を図るのに好適である。また、 1つの引き出し電極 241 (242)にっき 複数の水晶振動片用接合材 72が基板の短手方向に沿って引き出し先端部 251 (2 52)に接合されるので、例えば、広域な接合領域を有する導電性接着剤を用いること による電極間のショートを防ぐことができる。この効果は、特に水晶振動片 2が小型化 するにつれて顕著になる。
[0059] また、本実施例では、図 1に示すように、サポート材 5、水晶振動片用接合材 72お よびベース用接合材 71を介して水晶振動片 2の引き出し電極 241, 242の引き出し 先端部 251, 252とベース 3の電極パッドとの接合を行っている力 これに限定される ものではない。例えば、図 6 (図 6 (a) ,図 6 (b) )に示すように、水晶振動片 2の引き出 し電極 241, 242の引き出し先端部 251, 252の高さが他の部分の高さより厚く成形 され、引き出し先端部 251, 252の他の部分より高く成形された高地部分 291, 292 にベース 3の電極パッドが電気機械的に接合されてもよい。この高地部分 291, 292 は、クロムと金が順に積層した構成力もなり、引き出し電極 241, 242と同時にフォトリ ソグラフィ法により形成される。また、図 6に示す高地部分 291, 292は、メツキ形成さ れている。なお、ここでいぅメツキ形成の工法として、電解メツキ法や無電解メツキ法が 用いられる。また、電解メツキ法を用いる場合、メツキバンプ形成領域を全て共通接続 するための引き出し電極が必要となる。また、メツキ材料として、具体的に、金、金錫、 ハンダなどが挙げられる。また、フォトリソグラフィ法で用いるレジストの厚みを一般的 な厚み約 25 mとした場合、その 8割程度にメツキの厚さを設定することが好適であ る。この場合、メツキの厚さを約 20 mとすることが好ましい。
この場合、水晶振動片 2の 2つの引き出し電極 241, 242の引き出し先端部 251, 2 52がー主面 221の一側部 27近傍に引き出され、引き出し先端部 251, 252にべ一 ス 3の電極パッドが電気機械的に接合され、引き出し電極 241, 242の引き出し先端 部 251, 252の高さが他の部分の高さより厚く成形され、引き出し先端部の他の部分 より高く成形された高地部分 291, 292にベース 3の電極パッドが電気機械的に接合 されるので、別途上記したような接続バンプや導電性接着剤などの接合材を用いず に引き出し電極 241, 242とベース 3の電極パッドとの接合を行なうことができる。その 結果、接合材 (特に、導電性接着剤)を用いることによる電極間のショートを防ぐことが できる。この効果は、特に水晶振動片 2が小型化するにつれて顕著になる。また、高 地部分 291, 292を含む引き出し電極 241, 242がフォトリソグラフィ法により形成さ れるので、引き出し電極 241, 242の形成時において高地部分 291, 292も併せて 形成することができる。そのため、水晶振動片 2の引き出し電極 241, 242とベース 3 の電極パッドとを接合させるために新たに接合材を用いたり、引き出し電極 241, 24 2の形成工程とは別の新たな工程により高地部分 291, 292を形成することがなぐ 製造コストを抑制することができる。さらに、高地部分 291, 292が、クロムと金を含む 構成である場合、外部電極 (図 1, 6のサポート材 5を参照）との接合がし易くなる。ま た、高地部分 291, 292がメツキ形成された場合、水晶振動片 2に高地部分 291, 29 2をメツキ形成することによる機械的な応力負荷を生じさせることがなぐ高地部分 29 1, 292の形成をバッチ処理により行なうことが可能となり、高地部分 291, 292の表 面面積や形状や厚みの設計自由度が極めて高くなる。また、高地部分 291, 292が メツキ形成された場合、設備コストを低く抑えることが可能となる。なお、ここでは、高 地部分 291, 292のメツキ形成を挙げている力 これに限定されるものではなぐ蒸着 法やスパッタリング法により高地部分 291, 292を形成することも可能である。
また、本実施例では、 FCB法によって水晶振動片 2の対向位置 28に FCB装置の 超音波を発する部材を直接接触させて水晶振動片 2をサポート材 5に水晶振動片用 接合材 72を介して接合している。ところで、本実施例とは異なる形態となる力 FCB 装置の超音波を発する部材を直接接触させた水晶振動片 2の対向位置 28に金から なる電極が形成されて ヽる場合、 FCB装置の超音波を発する部材に金からなる電極 がひつつぐすなわち水晶振動片 2から金力もなる電極が剥がれて FCB装置の超音 波を発する部材に固着する。そのため、 FCB装置の超音波を発する部材に金力 な る電極が固着した状態で、他の水晶振動片 2のサポート材 5への接合を行う場合、 F CB法による接合強度が弱くなる。従って、 FCB装置の超音波を発する部材に金から なる電極が固着した場合、固着した金力もなる電極を取り除く必要がある。この問題 を解決するために、本実施例によれば、図 1, 2に示すように、水晶振動片 2の対向位 置 28では基板 21が露出されており、上記したような問題が生じることはない。なお、 本実施例に力かる水晶振動片 2によれば、図 1, 2に示すように、水晶振動片 2の対 向位置 28では基板 21が露出されているが、上記したような問題を解決する構成はこ れに限定されるものではなぐ水晶振動片 2の対向位置 28に絶縁材料が形成されて いてもよい。ここでいう絶縁材料とは、材料全体が絶縁材料であってもよく材料表面 のみが絶縁化された材料であってもよぐフッ化マグネシウム、酸化珪素、二酸化珪 素などの絶縁材料や、酸ィ匕クロムなどの酸ィ匕金属化合物であってもよい。例えば、ク ロム力もなる材料の表面を酸ィ匕させた絶縁材料であってもよい。さらに、上記したよう な問題を解決する構成は、水晶振動片 2の対向位置 28に絶縁材料を形成するだけ ではなぐこの水晶振動片 2の対向位置 28にクロム単層からなる材料により引き出し 電極を形成してもよい。ここでクロム単層を挙げた理由として、クロムは、金と比較して 硬い材質力もなるとともに水晶振動片 2の基板 21との接合強度が高いため、上記し たような金力 なる材料と比較して FCB装置の超音波を発する部材に固着することは ないことに関係している。また、クロム単層以外に、例えば、励振電極 231, 232と引 き出し電極 241, 242のうち少なくとも引き出し先端部 251, 252の対向位置 28が、ク ロム、ニッケルを順に積層して (その逆でも可能)構成された引き出し電極であっても よい。また、クロム、金を順に積層し、その後に表面の金のみを除去してクロム単層と した構成であってもよい。すなわち、クロムが表面に配されている構成であればその 組み合わせを任意に設定してもよ!/、。
[0062] 上記したように、水晶振動片 2の対向位置 28に絶縁材料もしくはクロム単層の引き 出し電極が形成されるので、 FCB法により水晶振動片 2の対向位置 28に FCB装置 の超音波を発する部材を直接接触させた場合であっても、水晶振動片 2の対向位置 28に形成された絶縁材料もしくはクロム単層力もなる材料力FCB装置の超音波を発 する部材に固着するのを防ぐことができる。
[0063] また、本実施例では、図 1に示すような平面視矩形状の一枚板の直方体に成形さ れたサポート材 5を用いている力 サポート材の形状はこれに限定されるものではなく 、熱応力が水晶振動片 2に伝わるのを抑制するために凹部を設けてもよぐまた、水 晶振動片 2の一領域においてサポート材 5に接合することで水晶振動片 2がサポート 材 5に対して橈むのを抑制する水晶振動片用枕部を設けてもよい。特に、水晶振動 片用枕部をサポート材に設けることで、水晶振動片用接合材 72を用いたサポート材 5への水晶振動片 2の接合の際に、サポート材 5上の水晶振動片 2の搭載位置に対 して傾くことなく安定して水晶振動片 2を配することができる。具体的に、水晶振動片 用枕部は、サポート材 5の水晶振動片 2と面する主面に形成された突起部であり、図 1に示すサポート材に水晶振動片用枕部を設ける場合、水晶振動片用枕部の設置 位置は、水晶振動片用接合領域 51を考慮してサポート材 5の長手方向他側部近傍 であって、その短手方向の中間部近傍とすることが望ましい。
[0064] また、上記した本実施例では、引き出し電極 241, 242の引き出し先端部 251, 25 2がー主面 221の一側部 27近傍に引き出されている力 これに限定されるものでは なぐ一主面 221に引き出されていればよい。例えば、引き出し電極 241, 242の引 き出し先端部 251, 252がー主面 221の一側部 27近傍と、一側部 27の対向側部近 傍とに引き出されてもよい。し力しながら、本実施例に示すように、引き出し電極 241 , 242の引き出し先端部 251, 252がー主面 221の一側部 27近傍に引き出されてい る構成、すなわち、一領域 26にまとめるほうがパッケージ 6の小型を図るのに好適で ある。 [0065] また、上記した本実施例では、ベース用接合材 71の第 1線分と水晶振動片用接合 材 72の第 2線分との関係が、パッケージ 6の平面視上において第 1線分と第 2線分と が交わらず、かつ、第 1線分の線分方向と第 2線分の線分方向とが直交するように設 定されている力 これは好適な例の一つであり、これに限定されるものではなぐ図 7 ( a)に示すように、第 1線分と第 2線分との関係力 パッケージ 6の平面視上において 第 1線分と第 2線分とが交わらず、かつ、第 1線分の線分方向と第 2線分の線分方向 とが平行するように設定されてもょ ヽ。
[0066] また、図 7 (b)〜7 (d)に示すように、ベース用接合材 71の接合点を追加するととも に、第 1線分と第 2線分との関係が、パッケージ 6の平面視上において第 1線分と第 2 線分とが交わらず、かつ、第 1線分の線分方向と第 2線分の線分方向とが平行及び 直交するように設定されてもよい。この場合、ベース 3へのサポート材 5の接合をサボ ート材 5の隅部で行うので、ベース 3へのサポート材 5の接合強度をあげることができ 、その結果、サポート材 5に接合する水晶振動片 2の接合を安定して行うことができる
[0067] また、上記した変形例（図 7 (a)〜 (d) )では、サポート材 5への水晶振動片 2の接合 をお互いに接近させて行うので、水晶振動片 2が外部応力の影響を受けるのを抑制 することができ、その結果、 CI値を低くし、周波数偏差を抑えることができる。
[0068] また、上記したように、本実施例（例えば、図 2参照）および変形例（例えば、図 7 (a) 参照)では、水晶振動片用接合材 72による水晶振動片 2のサポート材 5への接合位 置が近接して 、る例を示して 、るが、本発明に力かる接合位置はこれに限定されるも のではなぐ図 7 (e)に示すような例であってもよい。この図 7 (e)に示す例は、第 1線 分と第 2線分との関係が、パッケージ 6の平面視上において第 1線分と第 2線分とが 交わらず、かつ、第 1線分の線分方向と第 2線分の線分方向とが平行および直交しな いように設定されている。この場合、水晶振動片用接合材 72の第 2線分の方向を所 望の水晶結晶軸に沿って形成することで、より一層水晶振動片 2が外部応力の影響 を受けるのを抑制することができる。なお、この図 7 (e)に示す基板 21は、平面視上の 直方体の四隅は曲部形成されている。
[0069] また、上記したように、 ATカット水晶片の基板 21は、平面視矩形状の一枚板の直 方体に成形されている力 これに限定されるものではなぐ図 7 (f) , 7 (g)に示すよう に基板 21の一領域 26に切欠部 202が形成されてもよい。なお、この図 7 (f) , 7 (g) に示す基板 21は、平面視上の直方体の四隅は曲部形成されている。
[0070] 図 7 (f)に示す基板 21では、基板 21の一側部 27の水晶振動片用接合材 72による それぞれの接合位置の間に切欠部 202が形成されている。この場合、水晶振動片 2 が外部応力の影響を受けるのを抑制することができ、その結果、 CI値を低くし、周波 数偏差を抑えることができ、さらに振動橈みを抑えることができる。また、切欠部 202 により引き出し電極 241, 242間の電極ショートを防止することができる。なお、図 7 (f )に示す例では、水晶振動片用接合材 72として金属材料力もなる接続バンプを用い ることが小型化および高周波化に好適であり、引き出し電極 241, 242間の電極ショ ートを防止するのに好適である。
[0071] また、図 7 (g)に示す基板 21では、基板 21の一領域 26の水晶振動片用接合材 72 によるそれぞれの接合位置の間に切欠部 202が形成され、かつ、基板 21の一側部 2 7であって直方体の平面視上の長手方向の側面に切欠部 202が形成されている。こ の場合も図 7 (f)に示す例と同様に、水晶振動片 2が外部応力の影響を受けるのを抑 制することができ、その結果、 CI値を低くし、周波数偏差を抑えることができる。そして 、図 7 (f)に示す例と比べて振動橈みを抑えるのに好ましい。また、切欠部 202により 引き出し電極 241, 242間の電極ショートを防止することができる。なお、図 7 (g)に示 す例では、水晶振動片用接合材 72として金属材料力もなる接続バンプを用いること が小型化および高周波化に好適であり、引き出し電極 241, 242間の電極ショートを 防止するのに好適である。
[0072] また、上記した本実施例では、図 2に示すように ATカット水晶片カもなる水晶振動 片 2を用いている力 これに限定されるものではなぐ他の圧電振動片であってもよい 。具体的に、図 8, 9 ( 9 (a) ,図 9 (b) )に示すような音叉型水晶振動片 (以下、水晶 振動片 8とする）であってもよ ヽ。
[0073] この図 8, 9に示す水晶振動片 8は、異方性材料の水晶片力 エッチング形成され る。水晶振動片 8の基板 81は、 2本の脚部 821, 822と基部 83とから構成されてその 外周形が略直方体形状からなり、 2本の脚部 821, 822が基部 83から突出して形成 されている。また、 2本の脚咅 822の両主面 841, 842には、水晶振動片 8の/ Jヽ 型化により劣化する直列共振抵抗値を改善させるために、凹部 85が形成されている
[0074] この水晶振動片 8の両主面 841, 842には、異電位で構成された 2つの励振電極 8 61, 862と、これらの励振電極 861, 862をベース 3の電極パッド（図示省略）に電気 機械的に接合させるための引き出し電極 871, 872が形成され、引き出し電極 871, 872は励振電極 861, 862から基部 83に引き出されている。そして、基部 83に形成 された引き出し電極 871, 872の引き出し先端部 881, 882とベース 3の電極パッド がサポート材 5を介して水晶振動片用接合材 72により接合されて、励振電極 861, 8 62とベース 3の電極パッドとが電気機械的に接合される。
[0075] 上記した励振電極 861, 862、および引き出し電極 871, 872は、例えば、クロムの 下地電極層と、金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。この薄膜は、真 空蒸着法やスパッタリング法等の手法により全面に形成された後、フォトリソグラフィ 法によりメタルエッチングして所望の形状に形成される。また、上記した引き出し電極 871, 872の引き出し先端咅 881, 882とこれに近接する引き出し電極 871, 872の 一部は、例えば、クロムの下地電極層と、金の中間電極層と、クロムの上部電極層と、 力 構成された積層薄膜である。この薄膜は、真空蒸着法やスパッタリング法等の手 法により全面に形成された後、フォトリソグラフィ法によりメタルエッチングして所望の 形状に形成され、クロムの上部電極層のみが部分的にマスクして真空蒸着法等の手 法により形成される。さらに、引き出し電極 871, 872の引き出し先端部 881, 882の うち、水晶振動片 8の他主面 841の、一主面 842に形成された引き出し先端部 871, 872に対向する対向位置 89に形成された引き出し先端部 881, 882 (08,図 9 (a) に示す引き出し先端部 881, 882)は、その表面のクロムの表面が酸ィ匕されて、絶縁 材料となっている。または、引き出し先端部 881, 882は、その表面の一部のクロムの 表面が酸ィ匕されて、絶縁材料となっている。ここでいう酸ィ匕クロムは、クロムと比べて 表面高度が高まったものである。
[0076] なお、この図 9に示す水晶振動片 8では、引き出し電極 871, 872の引き出し先端 部 881, 882の材料は、クロム、金、クロム（Cr— Au— Cu)の順に積層し、表面のクロ ムが酸ィ匕されている力 これに限定されるものではなぐ図 2に示す水晶振動片と同 様に、例えば、クロム、金、ニッケル（Cr— Au— Cu)の順に積層し、表面のニッケル が酸ィ匕されてもよい。また、クロム、ニッケル (Cr— Ni)の順に積層し、表面のニッケル が酸ィ匕されてもよぐニッケル、クロム (Ni-Cr)の順に積層し、表面のクロムが酸ィ匕さ れてもよい。
[0077] また、図 9に示すように、水晶振動片 8の対向位置 89に形成された引き出し先端部 881, 882は、その表面のクロムの表面が酸化されて絶縁材料となっている力 これ に限定されることはなぐ FCB法によるサポート材 5への水晶振動片 8の超音波接合 の際に表面が金力 なる電極が剥がれて FCB装置の超音波を発する部材に固着す るのを防止することができれば、例えば、図 10 (図 10 (a) ,図 10 (b) )に示すように、 水晶振動片 8の対向位置 89では基板 81が露出されてもよい。し力しながら、図 10に 示すように、水晶振動片 8の対向位置 89において基板 81を露出させると、水晶振動 子 1の製造工程において水晶振動片 8の配置について画像認識を行なうことができ ない場合が生じる。これは、水晶振動片 8の露出している部分の下面側のパターンを 認識してしまう可能性があるためである。そのため、音叉型水晶振動片では、上記し た対向位置 89において基板 81を露出することより図 9 (a)に示すような絶縁材料など により基板 81の対向位置 89を被覆するほうが好ましい。また、上記したように、対向 地位 89の引き出し先端部 881, 882は、絶縁材料の代わりに表面がクロム力もなる 材料であってもよい。
[0078] また、上記した本実施例に力かる水晶振動子 1では、金属材料力もなる接続バンプ のみを用いている力 接続バンプはこれに限定されるものではなぐ非導通性材料の 接続バンプ力もなつてもよい。し力しながら、非導通性材料の接続バンプを用いた場 合であっても、水晶振動片 1の励振電極 231, 232とパッケージ 6の電極パッドとを導 通させるための導通材料 (本実施例では金属材料)力もなる接続バンプも用いること はいうまでもない。
[0079] また、本実施例では、サポート材 5と水晶振動片 2との接合は、水晶振動片 2のー領 域 26内の 2つの引き出し先端部 251, 252において行なっている力 これに限定さ れるものではない。例えば、図 11 (a)に示すように、サポート材 5と水晶振動片 2との 接合は、水晶振動片 2の一領域 26内において 1つの接合バンプ 9により行ってもよい 。この 1つの接合バンプ 9は、 2つの導電性材料からなる導電部 91と、 1つの非導電 性材料力もなる非導電部 92とからなり、導電部 91が非導電部 92により覆われてなる 。また、図 11 (a)に示す厚みすベり振動系の水晶振動片 2だけではなぐ図 11 (b)に 示すように音叉型水晶振動片 8にも接合バンプ 9は適用可能である。この場合、上記 したような 2点接合による水晶振動片 1, 8への外的な応力の発生を抑制するのに好 ましい。
[0080] 上記接続バンプは、水晶振動片側に予め形成するものと、基板 (あるいはサポート 材)側に予め形成するものとのどちらを用いてもよい。なお、基板 (あるいはサポート 材)側に予め接続バンプを形成する場合、水晶振動板への機械的な応力負荷を軽 減できる。
[0081] なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴力 逸脱することなぐ他のい ろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる 例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によ つて示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の 範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
[0082] また、この出願は、 2005年 12月 21日に日本で出願された特願 2005— 368524 号、及び 2006年 9月 1日に日本で出願された特願 2006— 238093号に基づく優先 権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれる ものである。
産業上の利用可能性
[0083] 本発明は、水晶振動子などの圧電振動子に適用できる。

Claims

請求の範囲
[1] ベースとキャップとが接合されてパッケージが構成され、前記パッケージの内部の 前記ベース上に圧電振動片が保持されるとともに、前記パッケージの内部が気密封 止された圧電振動デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、脆性材カもなるサポート材を介して前記ベース上に保持され、 前記ベースと前記サポート材とはベース用接合材を介して前記サポート材の複数 領域上で超音波接合により電気機械的に接合され、かつ、前記圧電振動片と前記サ ポート材とは圧電振動片用接合材を介して前記圧電振動片のー領域上で超音波接 合により電気機械的に接合され、
前記ベース用接合材及び前記圧電振動片用接合材は、接続バンプであることを特 徴とする圧電振動デバイス。
[2] 前記サポート材上に、前記圧電振動片が撓むのを抑制する圧電振動片用枕部が 設けられたことを特徴とする請求項 1に記載の圧電振動デバイス。
[3] 前記サポート材の複数領域は、前記サポート材の対向する両側面近傍領域であり 前記圧電振動片のー領域は、前記圧電振動片のー側部近傍であることを特徴とす る請求項 1または 2に記載の圧電振動デバイス。
[4] 基板の両主面それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前 記励振電極を外部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞ れ引き出された複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、
前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍 に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、 前記基板の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対向する 対向位置に絶縁材料が形成されたことを特徴とする圧電振動片。
[5] 前記絶縁材料は、酸化金属化合物であることを特徴とする請求項 4に記載の圧電 振動片。
[6] 前記絶縁材料は、その表面が絶縁ィ匕された材料であることを特徴とする請求項 4に 記載の圧電振動片。
[7] 基板の両主面それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前 記励振電極を外部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞ れ引き出された複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、
前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が一主面の少なくとも一側部近傍に引 き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、
前記基板の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対向する 対向位置にクロム単層からなる材料が形成されたことを特徴とする圧電振動片。
[8] 基板の両主面それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前 記励振電極を外部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞ れ引き出された複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、
前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が一主面の少なくとも一側部近傍に引 き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、
前記基板の他主面の、前記一主面に形成された前記引き出し先端部に対向する 対向位置は前記基板が露出されてなることを特徴とする圧電振動片。
[9] 前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍 に引き出され、前記引き出し先端部にて外部電極が圧電振動片用接合材を介して 電気機械的に接合され、
1つの前記引き出し電極につき複数の前記圧電振動片用接合材が接合されること を特徴とする請求項 4乃至 8のうちいずれか 1つに記載の圧電振動片。
[10] 前記基板の外周形は、直方体形状からなり、
1つの前記引き出し電極につき複数の前記圧電振動片用接合材が前記基板の短 手方向に沿って前記引き出し先端部に接合されることを特徴とする請求項 9に記載 の圧電振動片。
[11] 基板の両主面それぞれに少なくとも 1つの励振電極が形成され、かつ、これらの前 記励振電極を外部電極と電気機械的に接合させるために前記励振電極からそれぞ れ引き出された複数の引き出し電極が形成された圧電振動片において、
前記複数の引き出し電極の引き出し先端部が前記一主面の少なくとも一側部近傍 に引き出され、前記引き出し先端部に外部電極が電気機械的に接合され、 前記引き出し電極の引き出し先端部の高さが他の部分の高さより厚く成形され、 前記引き出し先端部の他の部分より高く成形された高地部分に外部電極が電気機 械的に接合されることを特徴とする圧電振動片。
[12] 前記高地部分を含む前記引き出し電極はフォトリソグラフィ法により形成されたこと を特徴とする請求項 11に記載の圧電振動片。
[13] 前記高地部分は、メツキ形成されたことを特徴とする請求項 11に記載の圧電振動 片。
[14] 前記高地部分は、クロムと金を含む構成であることを特徴とする請求項 11乃至 13 のうちいずれか 1つに記載の圧電振動片。
PCT/JP2006/323993 2005-12-21 2006-11-30 圧電振動片、及び圧電振動デバイス WO2007072668A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006800476914A CN101331681B (zh) 2005-12-21 2006-11-30 压电谐振片和压电谐振器件
US12/092,127 US7948156B2 (en) 2005-12-21 2006-11-30 Piezoelectric resonator plate, and piezoelectric resonator device
US13/085,588 US8174172B2 (en) 2005-12-21 2011-04-13 Piezoelectric resonator plate, and piezoelectric resonator device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-368524 2005-12-21
JP2005368524 2005-12-21
JP2006-238093 2006-09-01
JP2006238093A JP4552916B2 (ja) 2005-12-21 2006-09-01 圧電振動デバイス

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/085,588 Division US8174172B2 (en) 2005-12-21 2011-04-13 Piezoelectric resonator plate, and piezoelectric resonator device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007072668A1 true WO2007072668A1 (ja) 2007-06-28

Family

ID=38188449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/323993 WO2007072668A1 (ja) 2005-12-21 2006-11-30 圧電振動片、及び圧電振動デバイス

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7948156B2 (ja)
JP (1) JP4552916B2 (ja)
CN (1) CN101331681B (ja)
WO (1) WO2007072668A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011034104A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社大真空 圧電振動片、および圧電振動片の製造方法
JP2011066779A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Daishinku Corp 圧電振動片
JP2011066776A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Daishinku Corp 圧電振動片、および圧電振動片の製造方法
US8129220B2 (en) 2009-08-24 2012-03-06 Hong Kong Polytechnic University Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
JP2016012848A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、ジャイロセンサー、電子機器および移動体

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009253883A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動デバイス
JP2009296115A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Daishinku Corp 音叉型圧電振動片、音叉型圧電振動デバイス、および音叉型圧電振動片の製造方法
WO2010114602A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 Sand9, Inc. Integration of piezoelectric materials with substrates
JP5430367B2 (ja) 2009-11-26 2014-02-26 キヤノン株式会社 塵埃除去装置および塵埃除去方法
WO2011068200A1 (ja) * 2009-12-04 2011-06-09 株式会社大真空 リード型圧電振動デバイス
JP5476964B2 (ja) * 2009-12-09 2014-04-23 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、ジャイロ及び電子機器
JP5773418B2 (ja) * 2011-05-06 2015-09-02 日本電波工業株式会社 圧電振動片、圧電振動片を有する圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2013055400A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Seiko Instruments Inc 圧電振動デバイス及び発振器
US9038463B2 (en) * 2011-09-22 2015-05-26 Seiko Epson Corporation Electronic device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP5930526B2 (ja) * 2012-02-20 2016-06-08 日本電波工業株式会社 圧電振動素子及び圧電デバイス
JP5776854B2 (ja) * 2012-09-26 2015-09-09 株式会社村田製作所 圧電振動部品
JP2015039162A (ja) * 2013-07-19 2015-02-26 日本電波工業株式会社 表面実装型水晶デバイス
CN105811916B (zh) * 2016-05-06 2018-12-21 唐山国芯晶源电子有限公司 抗振石英晶体振荡器及其加工方法
JP7027841B2 (ja) * 2017-11-29 2022-03-02 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
CN109467041A (zh) * 2018-11-07 2019-03-15 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种高稳定性mems谐振器件
CN109399557B (zh) * 2018-11-07 2020-05-05 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种高稳定性mems谐振器件的制造方法
JP7491036B2 (ja) 2020-04-22 2024-05-28 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動モジュール、電子機器および移動体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02291710A (ja) * 1989-04-30 1990-12-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JPH02298110A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Seiko Epson Corp 水晶振動子
JP2000068777A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Daishinku Corp 圧電振動子
JP2000278079A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイス
JP2001308673A (ja) * 2000-02-17 2001-11-02 Seiko Instruments Inc 圧電振動子

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0092428B1 (en) * 1982-04-20 1990-04-04 Fujitsu Limited A method for producing a piezoelectric resonator
US4720651A (en) * 1982-06-10 1988-01-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Resonator insensitive to paraxial accelerations
JP2508248B2 (ja) * 1989-03-20 1996-06-19 株式会社村田製作所 圧電アクチュエ―タ
US5406682A (en) * 1993-12-23 1995-04-18 Motorola, Inc. Method of compliantly mounting a piezoelectric device
JPH09167919A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsumi Electric Co Ltd 表面実装型水晶発振器
JP2000138554A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Murata Mfg Co Ltd エネルギー閉じ込め型圧電共振子
JP2000332561A (ja) * 1999-05-24 2000-11-30 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子のパッケージ構造
JP2001144576A (ja) * 1999-11-12 2001-05-25 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
JP2002246871A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動子、この圧電振動子を用いた梯子型フィルタおよび２重モード圧電フィルタ
US6939475B2 (en) * 2001-08-31 2005-09-06 Daishinku Corporation Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same
JP2004104719A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子の電極構造
KR100604334B1 (ko) * 2003-11-25 2006-08-08 (주)케이나인 플립칩 패키징 공정에서 접합력이 향상된 플립칩 접합 방법
JP2005184767A (ja) * 2003-11-27 2005-07-07 Seiko Epson Corp 音叉型圧電振動片および音叉型圧電振動子の製造方法
JP4214412B2 (ja) * 2004-10-21 2009-01-28 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片と圧電デバイスならびにジャイロセンサ
JP3933195B2 (ja) * 2005-02-01 2007-06-20 株式会社村田製作所 圧電共振子およびその製造方法
JP2007013719A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Kyocera Kinseki Corp 水晶振動子
JP2007097280A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Kyocera Corp 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びにインクジェット記録ヘッド
US7671519B2 (en) * 2007-08-31 2010-03-02 Cts Corporation Bond pad for use with piezoelectric ceramic substrates
JP5128262B2 (ja) * 2007-12-17 2013-01-23 セイコーインスツル株式会社 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動片の製造方法
US8487719B2 (en) * 2008-04-29 2013-07-16 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave resonator
JP4287504B1 (ja) * 2008-08-15 2009-07-01 パナソニック株式会社 導電性高分子アクチュエータおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02291710A (ja) * 1989-04-30 1990-12-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JPH02298110A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Seiko Epson Corp 水晶振動子
JP2000068777A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Daishinku Corp 圧電振動子
JP2000278079A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電デバイス
JP2001308673A (ja) * 2000-02-17 2001-11-02 Seiko Instruments Inc 圧電振動子

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8129220B2 (en) 2009-08-24 2012-03-06 Hong Kong Polytechnic University Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
US8833418B2 (en) 2009-08-24 2014-09-16 The Hong Kong Polytechnic University Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
WO2011034104A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 株式会社大真空 圧電振動片、および圧電振動片の製造方法
JP2011066779A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Daishinku Corp 圧電振動片
JP2011066776A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Daishinku Corp 圧電振動片、および圧電振動片の製造方法
CN102498666A (zh) * 2009-09-18 2012-06-13 株式会社大真空 压电振动片以及压电振动片的制造方法
US8618722B2 (en) 2009-09-18 2013-12-31 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator plate and manufacturing method for piezoelectric resonator plate
JP2016012848A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、ジャイロセンサー、電子機器および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
US20110187236A1 (en) 2011-08-04
US7948156B2 (en) 2011-05-24
JP4552916B2 (ja) 2010-09-29
JP2007195138A (ja) 2007-08-02
CN101331681A (zh) 2008-12-24
US20090267460A1 (en) 2009-10-29
US8174172B2 (en) 2012-05-08
CN101331681B (zh) 2012-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007072668A1 (ja) 圧電振動片、及び圧電振動デバイス
JP4548012B2 (ja) 圧電振動デバイス
JP6252209B2 (ja) 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス
JP2007013444A (ja) 圧電振動デバイス及びその製造方法
JP2008131167A (ja) 圧電デバイスのパッケージ構造及び圧電デバイス
JP2007274339A (ja) 表面実装型圧電振動デバイス
JP5098668B2 (ja) 表面実装型圧電発振器
JP2009055354A (ja) 圧電振動デバイス用パッケージ、および圧電振動デバイス
JP4529894B2 (ja) 圧電振動片、及び圧電振動デバイス
JP2008166884A (ja) 圧電振動デバイスの製造方法、およびその製造方法による圧電振動デバイス
JP6015010B2 (ja) 振動素子、振動子、発振器および電子機器
JP2009232336A (ja) 圧電発振器
JP3945417B2 (ja) 圧電デバイスのパッケージ構造及び圧電デバイスの製造方法
JP2008060910A (ja) 圧電振動デバイス
JP2007174231A (ja) 圧電振動片、及び圧電振動デバイス
JP5621285B2 (ja) 振動片、振動子および発振器
JP2004328028A (ja) 圧電デバイスとその製造方法
JP2020065223A (ja) 音叉型圧電振動片および当該音叉型圧電振動片を用いた音叉型圧電振動子
JP2012070258A (ja) 表面実装型圧電振動デバイス
WO2023074616A1 (ja) サーミスタ搭載型圧電振動デバイス
JP7380067B2 (ja) 音叉型圧電振動片および当該音叉型圧電振動片を用いた音叉型圧電振動子
JP4706609B2 (ja) 圧電振動デバイス
JP2009081670A (ja) 圧電振動デバイス、およびその製造方法
JP2007142947A (ja) 表面実装型圧電発振器
JP4935244B2 (ja) 音叉型圧電振動片及び音叉型圧電振動デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680047691.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12092127

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06833796

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1