JP3444420B2 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3444420B2 JP3444420B2 JP2001088424A JP2001088424A JP3444420B2 JP 3444420 B2 JP3444420 B2 JP 3444420B2 JP 2001088424 A JP2001088424 A JP 2001088424A JP 2001088424 A JP2001088424 A JP 2001088424A JP 3444420 B2 JP3444420 B2 JP 3444420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置（以下「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａ
ｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイス」という）が使用
されている。図８は、従来のＳＡＷデバイスの一例を示
す構成図であり、図８を参照してＳＡＷデバイス１につ
いて説明する。図８のＳＡＷデバイス１は、基板２、蓋
３、ＩＣチップ等からなる電子部品５、ＳＡＷ素子６等
を有している。基板２には中空部２ａが形成されてお
り、中空部２ａに電子部品５及びＳＡＷ素子６がたとえ
ばエポキシ系の接着剤により実装されている。中空部２
ａの開口部には蓋３が配置されていて、蓋３は、封止材
もしくはシーム溶接等により基板２と接合されている。
従って、基板２と蓋３により電子部品５及びＳＡＷ素子
６は気密封止された状態となっている。
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置（以下「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａ
ｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイス」という）が使用
されている。図８は、従来のＳＡＷデバイスの一例を示
す構成図であり、図８を参照してＳＡＷデバイス１につ
いて説明する。図８のＳＡＷデバイス１は、基板２、蓋
３、ＩＣチップ等からなる電子部品５、ＳＡＷ素子６等
を有している。基板２には中空部２ａが形成されてお
り、中空部２ａに電子部品５及びＳＡＷ素子６がたとえ
ばエポキシ系の接着剤により実装されている。中空部２
ａの開口部には蓋３が配置されていて、蓋３は、封止材
もしくはシーム溶接等により基板２と接合されている。
従って、基板２と蓋３により電子部品５及びＳＡＷ素子
６は気密封止された状態となっている。
【０００３】中空部２ａにはＳＡＷ素子６と、ＳＡＷ素
子６の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品５が並
んで配置されている。基板２の底面部には、所定のパタ
ーンの配線４が形成されており、電子部品５とＳＡＷ素
子６は、それぞれたとえばワイヤボンディング等により
電極配線４と電気的に接続されている。これにより、電
子部品５とＳＡＷ素子６は、電気的に接続される。
子６の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品５が並
んで配置されている。基板２の底面部には、所定のパタ
ーンの配線４が形成されており、電子部品５とＳＡＷ素
子６は、それぞれたとえばワイヤボンディング等により
電極配線４と電気的に接続されている。これにより、電
子部品５とＳＡＷ素子６は、電気的に接続される。
【０００４】図９は、従来のＳＡＷデバイスの製造方法
の一例を示す工程図であり、図９を参照してＳＡＷデバ
イスの製造方法について説明する。まず、図９（Ａ）に
示すように、基板２における中空部２ａの底面部に、所
定のパターンで配線４が形成される。そして、図９
（Ｂ）に示すように、電子部品５が底面部に実装され、
たとえばワイヤボンディング等により配線４と電気的に
接続される。その後、図９（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ
素子６が底面部に実装され、たとえばワイヤボンディン
グ等により配線４と電気的に接続される。
の一例を示す工程図であり、図９を参照してＳＡＷデバ
イスの製造方法について説明する。まず、図９（Ａ）に
示すように、基板２における中空部２ａの底面部に、所
定のパターンで配線４が形成される。そして、図９
（Ｂ）に示すように、電子部品５が底面部に実装され、
たとえばワイヤボンディング等により配線４と電気的に
接続される。その後、図９（Ｃ）に示すように、ＳＡＷ
素子６が底面部に実装され、たとえばワイヤボンディン
グ等により配線４と電気的に接続される。
【０００５】次に、図９（Ｄ）に示すように、ＳＡＷ素
子６の周波数調整が行われる。具体的には、ＳＡＷ素子
６が、基板２の開口部２ｂからたとえばプラズマ等がＳ
ＡＷ素子６に照射され、ＳＡＷ素子６の圧電基板もしく
は圧電基板に形成された電極がエッチングされる。この
周波数調整は、ＳＡＷ素子６を電子部品５により駆動し
ながら行う。そして、所望のＳＡＷ素子６の周波数特性
が得られるまで、この作業が行われる。次に、図９
（Ｅ）に示すように、基板２の開口部の上に蓋３が配置
され、封止材により基板２と蓋３が接合される。これに
より、中空部２ａ内が気密封止され、ＳＡＷデバイス１
が完成する。
子６の周波数調整が行われる。具体的には、ＳＡＷ素子
６が、基板２の開口部２ｂからたとえばプラズマ等がＳ
ＡＷ素子６に照射され、ＳＡＷ素子６の圧電基板もしく
は圧電基板に形成された電極がエッチングされる。この
周波数調整は、ＳＡＷ素子６を電子部品５により駆動し
ながら行う。そして、所望のＳＡＷ素子６の周波数特性
が得られるまで、この作業が行われる。次に、図９
（Ｅ）に示すように、基板２の開口部の上に蓋３が配置
され、封止材により基板２と蓋３が接合される。これに
より、中空部２ａ内が気密封止され、ＳＡＷデバイス１
が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図８のＳＡＷデバイス
１において、電子部品５とＳＡＷ素子６は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品５とＳＡＷ素子６は、中
空部２ａ内という同一空間に配置されている。ここで、
ＳＡＷデバイス１が動作すると、電子部品５は熱を放出
する。電子部品５から放出された熱は、基板２の中空部
２ａ内の雰囲気及び底面部を通じて直接ＳＡＷ素子６に
伝達してしまう。この熱がＳＡＷ素子６の温度特性に大
きく影響し、ＳＡＷ素子６が所望の周波数特性を発揮す
ることができないという問題がある。
１において、電子部品５とＳＡＷ素子６は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品５とＳＡＷ素子６は、中
空部２ａ内という同一空間に配置されている。ここで、
ＳＡＷデバイス１が動作すると、電子部品５は熱を放出
する。電子部品５から放出された熱は、基板２の中空部
２ａ内の雰囲気及び底面部を通じて直接ＳＡＷ素子６に
伝達してしまう。この熱がＳＡＷ素子６の温度特性に大
きく影響し、ＳＡＷ素子６が所望の周波数特性を発揮す
ることができないという問題がある。
【０００７】一方、電子部品５とＳＡＷ素子６を異なる
空間に実装する方法として、いわゆる２段重ねパッケー
ジ構造が提案されている。しかし、電子部品５によりＳ
ＡＷ素子６を駆動させた状態で周波数調整を行う場合、
電子部品５及びＳＡＷ素子６をそれぞれパッケージへ実
装する工程と、それぞれのパッケージの接着・導通をす
る工程を踏む必要があり、製造工程が複雑になってしま
うという問題がある。
空間に実装する方法として、いわゆる２段重ねパッケー
ジ構造が提案されている。しかし、電子部品５によりＳ
ＡＷ素子６を駆動させた状態で周波数調整を行う場合、
電子部品５及びＳＡＷ素子６をそれぞれパッケージへ実
装する工程と、それぞれのパッケージの接着・導通をす
る工程を踏む必要があり、製造工程が複雑になってしま
うという問題がある。
【０００８】そこで本発明は上記課題を解決し、信頼性
及び歩留まりの向上を図ることができるＳＡＷデバイス
及びその製造方法を提供することを目的としている。
及び歩留まりの向上を図ることができるＳＡＷデバイス
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、弾性
表面波素子と、前記弾性表面波素子を駆動制御する電子
部品とを備える弾性表面波装置において、前記電子部品
を収容するための開口部を有した第１中空部が形成され
ていて、前記第１中空部に形成された前記電子部品と電
気的に接続する第１接続端子と、前記開口部付近に形成
されていて、前記第１接続端子と電気的に接続された第
２接続端子とを有する第１基板と、一面側が前記第１基
板の開口部に接合しており、他面側には前記弾性表面波
素子が前記第２接続端子と電気的に接続するように実装
されている第２基板と、前記第１基板と接合していて、
前記弾性表面波素子を気密封止するための第２中空部を
有するキャップとを備えた弾性表面波装置を特徴とす
る。
表面波素子と、前記弾性表面波素子を駆動制御する電子
部品とを備える弾性表面波装置において、前記電子部品
を収容するための開口部を有した第１中空部が形成され
ていて、前記第１中空部に形成された前記電子部品と電
気的に接続する第１接続端子と、前記開口部付近に形成
されていて、前記第１接続端子と電気的に接続された第
２接続端子とを有する第１基板と、一面側が前記第１基
板の開口部に接合しており、他面側には前記弾性表面波
素子が前記第２接続端子と電気的に接続するように実装
されている第２基板と、前記第１基板と接合していて、
前記弾性表面波素子を気密封止するための第２中空部を
有するキャップとを備えた弾性表面波装置を特徴とす
る。
【００１０】請求項１の構成によれば、第１基板には第
１中空部が形成されていて、この中空部に電子部品が実
装されている。一方、第２基板は、その一面側が第１基
板と接合されていて、他面側には弾性表面波素子を実装
した構造を有している。そして、第２中空部で弾性表面
波装置を封止するためのキャップが第１基板に接合され
ている。このように、第１基板の第１中空部には電子部
品のみを配置し、弾性表面波素子は第２基板の他面側に
実装された構造を有している。すなわち、弾性表面波素
子と電子部品が、第１基板と第２基板によって仕切られ
た別々の空間に配置されることになる。従って、弾性表
面波装置を周波数調整する際、弾性表面波素子にたとえ
ばプラズマを照射したとき、電子部品がプラズマに晒さ
れることがなくなる。また、電子部品が動作したときに
発生する熱及び電磁波が、弾性表面波素子に及ぼす影響
を最小限に抑えることができる。
１中空部が形成されていて、この中空部に電子部品が実
装されている。一方、第２基板は、その一面側が第１基
板と接合されていて、他面側には弾性表面波素子を実装
した構造を有している。そして、第２中空部で弾性表面
波装置を封止するためのキャップが第１基板に接合され
ている。このように、第１基板の第１中空部には電子部
品のみを配置し、弾性表面波素子は第２基板の他面側に
実装された構造を有している。すなわち、弾性表面波素
子と電子部品が、第１基板と第２基板によって仕切られ
た別々の空間に配置されることになる。従って、弾性表
面波装置を周波数調整する際、弾性表面波素子にたとえ
ばプラズマを照射したとき、電子部品がプラズマに晒さ
れることがなくなる。また、電子部品が動作したときに
発生する熱及び電磁波が、弾性表面波素子に及ぼす影響
を最小限に抑えることができる。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記第１基板と前記第２基板は、封止材により前記
第２基板の側面側で接合されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項２の構成によれば、第２基板の側面側
に塗布された封止材により、第１基板と第２基板が接合
された状態になっている。これにより、第１基板の第１
中空部を確実に気密封止することができるようになる。
て、前記第１基板と前記第２基板は、封止材により前記
第２基板の側面側で接合されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項２の構成によれば、第２基板の側面側
に塗布された封止材により、第１基板と第２基板が接合
された状態になっている。これにより、第１基板の第１
中空部を確実に気密封止することができるようになる。
【００１２】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
のいずれかの構成において、前記第２基板と前記キャッ
プは、それぞれ前記第１基板に対して同一の封止材を用
いて接合されている弾性表面波装置を特徴とする。請求
項３の構成によれば、第１基板と第２基板の接合と、第
１基板とキャップの接合とを行うときに、同一の封止材
を用いることで、同一の処理条件で第１中空部及び第２
中空部の気密封止を同時に行うことができるようにな
る。
のいずれかの構成において、前記第２基板と前記キャッ
プは、それぞれ前記第１基板に対して同一の封止材を用
いて接合されている弾性表面波装置を特徴とする。請求
項３の構成によれば、第１基板と第２基板の接合と、第
１基板とキャップの接合とを行うときに、同一の封止材
を用いることで、同一の処理条件で第１中空部及び第２
中空部の気密封止を同時に行うことができるようにな
る。
【００１３】請求項４の発明は、請求項１から請求項３
のいずれかの構成において、前記封止材は、導電性のロ
ウ材もしくは導電性接着剤からなっている弾性表面波装
置を特徴とする。請求項４の構成によれば、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、電
磁波に対するシールド効果を得ることができる。
のいずれかの構成において、前記封止材は、導電性のロ
ウ材もしくは導電性接着剤からなっている弾性表面波装
置を特徴とする。請求項４の構成によれば、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、電
磁波に対するシールド効果を得ることができる。
【００１４】また、請求項５の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置を特徴とする。請
求項５の構成によれば、封止材としてガラス材料が用い
られることで、コストの削減を図ることができる。
求項３のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置を特徴とする。請
求項５の構成によれば、封止材としてガラス材料が用い
られることで、コストの削減を図ることができる。
【００１５】請求項６の発明は、請求項１又は請求項５
のいずれかの構成において、前記第２基板の一面側に
は、グランド電極が形成されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項６の構成によれば、第２基板の一面側
には、グランド電極が形成されていて、グランド電極は
電子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になって
いる。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁
波が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素
子への影響が低減されることになる。特に、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、グ
ランド電極のシールド効果をより高めることができる。
のいずれかの構成において、前記第２基板の一面側に
は、グランド電極が形成されている弾性表面波装置を特
徴とする。請求項６の構成によれば、第２基板の一面側
には、グランド電極が形成されていて、グランド電極は
電子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になって
いる。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁
波が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素
子への影響が低減されることになる。特に、封止材とし
て導電性のロウ材もしくは導電性接着剤を用いると、グ
ランド電極のシールド効果をより高めることができる。
【００１６】請求項７の発明は、請求項１又は請求項６
のいずれかの構成において、前記第２基板は、セラミッ
クの単板からなっている弾性表面波装置を特徴とする。
請求項７の構成によれば、第２基板としてセラミックの
単板を用いることで、弾性表面波装置全体の低背化を図
ることができるようになる。第１基板と第２基板を同一
の材料から形成することで、熱膨張係数を一致させるこ
とができる。
のいずれかの構成において、前記第２基板は、セラミッ
クの単板からなっている弾性表面波装置を特徴とする。
請求項７の構成によれば、第２基板としてセラミックの
単板を用いることで、弾性表面波装置全体の低背化を図
ることができるようになる。第１基板と第２基板を同一
の材料から形成することで、熱膨張係数を一致させるこ
とができる。
【００１７】請求項８の発明は、請求項１又は請求項７
のいずれかの構成において、前記電子部品は、前記第１
基板に対してフリップチップ実装されている弾性表面波
装置を特徴とする。請求項８の構成によれば、電子部品
が第１基板に対してフリップチップ実装されていること
により、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができ
るようになる。
のいずれかの構成において、前記電子部品は、前記第１
基板に対してフリップチップ実装されている弾性表面波
装置を特徴とする。請求項８の構成によれば、電子部品
が第１基板に対してフリップチップ実装されていること
により、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができ
るようになる。
【００１８】請求項９の発明は、請求項１から請求項８
のいずれかの構成において、前記弾性表面波素子は、前
記第２基板に対して接着剤により実装されていて、前記
電子部品は、前記弾性表面波素子の実装に用いられたも
のと同一の接着剤で、前記第１基板に実装されている弾
性表面波装置を特徴とする。請求項９の構成によれば、
同一の接着剤を用いることにより、弾性表面波装置の製
造工程の単純化を図ることができる。
のいずれかの構成において、前記弾性表面波素子は、前
記第２基板に対して接着剤により実装されていて、前記
電子部品は、前記弾性表面波素子の実装に用いられたも
のと同一の接着剤で、前記第１基板に実装されている弾
性表面波装置を特徴とする。請求項９の構成によれば、
同一の接着剤を用いることにより、弾性表面波装置の製
造工程の単純化を図ることができる。
【００１９】請求項１０の発明は、弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子を駆動制御する電子部品とを備える
弾性表面波装置の製造方法において、開口部を有する第
１基板の第１中空部に前記電子部品を実装し、前記弾性
表面波素子を実装した第２基板を、前記第１基板の前記
開口部に位置決めするとともに、前記電子部品と前記弾
性表面波素子を電気的に接続し、前記弾性表面波素子の
周波数調整を行い、第２中空部を有するキャップを、第
２中空部内に前記弾性表面波素子を収容するように前記
第１基板に配置し、前記第１基板と前記第２基板及び前
記第１基板と前記キャップをそれぞれ封止材を用いて接
合し、前記電子部品及び前記弾性表面波素子を封止する
弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。
前記弾性表面波素子を駆動制御する電子部品とを備える
弾性表面波装置の製造方法において、開口部を有する第
１基板の第１中空部に前記電子部品を実装し、前記弾性
表面波素子を実装した第２基板を、前記第１基板の前記
開口部に位置決めするとともに、前記電子部品と前記弾
性表面波素子を電気的に接続し、前記弾性表面波素子の
周波数調整を行い、第２中空部を有するキャップを、第
２中空部内に前記弾性表面波素子を収容するように前記
第１基板に配置し、前記第１基板と前記第２基板及び前
記第１基板と前記キャップをそれぞれ封止材を用いて接
合し、前記電子部品及び前記弾性表面波素子を封止する
弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。
【００２０】請求項１０の構成によれば、電子部品が開
口部から第１基板の第１中空部に実装され、この開口部
に弾性表面波素子を実装した第２基板が位置決めされ
る。そして、電子部品により弾性表面波素子を駆動制御
した状態で、弾性表面波素子にたとえばプラズマ等が照
射されることで、周波数調整が行われる。その後、弾性
表面波装置の上にキャップが配置され、封止材を用いて
第１基板と第２基板及び第１基板とキャップがそれぞれ
接合される。このように、周波数調整を行うときには、
電子部品は第１中空部内に収容され、第２基板により第
１中空部は閉ざされた状態になっている。従って、周波
数調整工程において、弾性表面波素子のみにプラズマ等
が照射され、電子部品には照射されない。また、電子部
品を周波数調整の工程に晒すことによる不具合の発生を
防止することができる。
口部から第１基板の第１中空部に実装され、この開口部
に弾性表面波素子を実装した第２基板が位置決めされ
る。そして、電子部品により弾性表面波素子を駆動制御
した状態で、弾性表面波素子にたとえばプラズマ等が照
射されることで、周波数調整が行われる。その後、弾性
表面波装置の上にキャップが配置され、封止材を用いて
第１基板と第２基板及び第１基板とキャップがそれぞれ
接合される。このように、周波数調整を行うときには、
電子部品は第１中空部内に収容され、第２基板により第
１中空部は閉ざされた状態になっている。従って、周波
数調整工程において、弾性表面波素子のみにプラズマ等
が照射され、電子部品には照射されない。また、電子部
品を周波数調整の工程に晒すことによる不具合の発生を
防止することができる。
【００２１】請求項１１の発明は、請求項１０の構成に
おいて、前記第２基板の側面側に前記封止材を塗布した
状態で、前記第２基板を前記第１基板の開口部に配置す
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項１１
の構成によれば、第２基板の側面側に塗布された封止材
により、第１基板と第２基板が接合されることになる。
これにより、第１基板の第１中空部と第２中空部を確実
に隔離することができるようになる。
おいて、前記第２基板の側面側に前記封止材を塗布した
状態で、前記第２基板を前記第１基板の開口部に配置す
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項１１
の構成によれば、第２基板の側面側に塗布された封止材
により、第１基板と第２基板が接合されることになる。
これにより、第１基板の第１中空部と第２中空部を確実
に隔離することができるようになる。
【００２２】請求項１２の発明は、請求項１０又は請求
項１１のいずれかの構成において、前記第２基板におけ
る前記第１基板との接合面には、導電材料からなるグラ
ンド電極を形成する弾性表面波装置の製造方法を特徴と
する。請求項１２の構成によれば、第２基板の一面側に
は、グランド電極が形成されていて、グランド電極は電
子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になってい
る。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁波
が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素子
への影響が低減されることになる。
項１１のいずれかの構成において、前記第２基板におけ
る前記第１基板との接合面には、導電材料からなるグラ
ンド電極を形成する弾性表面波装置の製造方法を特徴と
する。請求項１２の構成によれば、第２基板の一面側に
は、グランド電極が形成されていて、グランド電極は電
子部品と弾性表面波素子の間に挟まれた状態になってい
る。従って、電子部品が動作したときに発生する電磁波
が、グランド電極によりシールドされ、弾性表面波素子
への影響が低減されることになる。
【００２３】請求項１３の発明は、請求項１０から請求
項１２のいずれかの構成において、前記第１基板及び前
記第２基板と、前記第１基板及び前記キャップを接合す
る封止材は、同一の封止材が用いられる弾性表面波装置
の製造方法を特徴とする。請求項１３の構成によれば、
第１基板と第２基板の接合と、第１基板とキャップの接
合とを行うときに、同一の封止材を用いることで、同一
の処理条件で第１中空部及び第２中空部の気密封止を同
時に行うことができるようになる。
項１２のいずれかの構成において、前記第１基板及び前
記第２基板と、前記第１基板及び前記キャップを接合す
る封止材は、同一の封止材が用いられる弾性表面波装置
の製造方法を特徴とする。請求項１３の構成によれば、
第１基板と第２基板の接合と、第１基板とキャップの接
合とを行うときに、同一の封止材を用いることで、同一
の処理条件で第１中空部及び第２中空部の気密封止を同
時に行うことができるようになる。
【００２４】請求項１４の発明は、請求項１０から請求
項１３のいずれかの構成において、前記封止材として、
金属ロウ材もしくは導電性接着剤を用いる弾性表面波装
置の製造方法を特徴とする。請求項１４の構成によれ
ば、封止材として導電性のロウ材もしくは導電性接着剤
を用いると、電磁波に対するシールド効果を得ることが
できる。
項１３のいずれかの構成において、前記封止材として、
金属ロウ材もしくは導電性接着剤を用いる弾性表面波装
置の製造方法を特徴とする。請求項１４の構成によれ
ば、封止材として導電性のロウ材もしくは導電性接着剤
を用いると、電磁波に対するシールド効果を得ることが
できる。
【００２５】請求項１５の発明は、請求項１０から請求
項１３のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置の製造方法を特徴
とする。請求項１５の構成によれば、封止材としてガラ
ス材料が用いられることで、コストの削減を図ることが
できる。
項１３のいずれかの構成において、前記封止材は、ガラ
ス材料からなっている弾性表面波装置の製造方法を特徴
とする。請求項１５の構成によれば、封止材としてガラ
ス材料が用いられることで、コストの削減を図ることが
できる。
【００２６】請求項１６の発明は、請求項１０から請求
項１５のいずれかの構成において、前記電子部品を、そ
れぞれ前記第１基板に実装するときは、フリップチップ
ボンディングにより行われる弾性表面波装置の製造方法
を特徴とする。請求項１６の構成によれば、電子部品が
第１基板に対してフリップチップ実装されていることに
より、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができる
ようになる。
項１５のいずれかの構成において、前記電子部品を、そ
れぞれ前記第１基板に実装するときは、フリップチップ
ボンディングにより行われる弾性表面波装置の製造方法
を特徴とする。請求項１６の構成によれば、電子部品が
第１基板に対してフリップチップ実装されていることに
より、弾性表面波装置全体の低背化を図ることができる
ようになる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１と図２は本
発明のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図１と図２を参照してＳＡＷデバイス１０に
ついて説明する。図１のＳＡＷデバイス１０は、第１基
板１１、第２基板２０、キャップ３０、電子部品４０、
ＳＡＷ素子５０等を有している。第１基板１１は、たと
えばセラミック等からなっていて、第１基板１１のたと
えば中央部には第１中空部１２が形成されている。第１
中空部１２には電子部品４０がたとえばエポキシ系等の
接着剤８０を用いて実装されている。中空部１２の底面
部１２ａには、導電材料からなる第１接続端子１３が形
成されていて、第１接続端子１３は電子部品４０と電気
的に接続されている。また、第１接続端子１３は、後述
する第２接続端子１７と電気的に接続された状態になっ
ている。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１と図２は本
発明のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図１と図２を参照してＳＡＷデバイス１０に
ついて説明する。図１のＳＡＷデバイス１０は、第１基
板１１、第２基板２０、キャップ３０、電子部品４０、
ＳＡＷ素子５０等を有している。第１基板１１は、たと
えばセラミック等からなっていて、第１基板１１のたと
えば中央部には第１中空部１２が形成されている。第１
中空部１２には電子部品４０がたとえばエポキシ系等の
接着剤８０を用いて実装されている。中空部１２の底面
部１２ａには、導電材料からなる第１接続端子１３が形
成されていて、第１接続端子１３は電子部品４０と電気
的に接続されている。また、第１接続端子１３は、後述
する第２接続端子１７と電気的に接続された状態になっ
ている。
【００２８】このように、第１中空部１２には電子部品
４０のみが配置されていて、ＳＡＷ素子５０は配置され
ていない。これにより、電子部品４０が動作したときに
生じる熱が、中空部１２内の雰囲気又は底面部１２ａを
通じて、ＳＡＷ素子５０に影響を及ぼすのを防止するこ
とができる。すなわち、電子部品４０から発生した熱量
を第１基板１１側へ放出し、第２基板２０に伝わる熱を
少なくすることができる。従って、ＳＡＷ素子５０にお
ける熱による周波数の変化を低減させ、信頼性の向上を
図ることができる。さらに、電子部品４０が発熱するこ
とにより、接着剤８０からガスが発生する。このガス
は、ＳＡＷ素子５０の周波数特性に影響を及ぼすもので
ある。ここで、電子部品４０とＳＡＷ素子５０は、別々
の空間に配置されているため、ＳＡＷ素子５０は、発生
するガスの影響を受けることがなくなり、ＳＡＷ素子５
０の信頼性の向上を図ることができる。
４０のみが配置されていて、ＳＡＷ素子５０は配置され
ていない。これにより、電子部品４０が動作したときに
生じる熱が、中空部１２内の雰囲気又は底面部１２ａを
通じて、ＳＡＷ素子５０に影響を及ぼすのを防止するこ
とができる。すなわち、電子部品４０から発生した熱量
を第１基板１１側へ放出し、第２基板２０に伝わる熱を
少なくすることができる。従って、ＳＡＷ素子５０にお
ける熱による周波数の変化を低減させ、信頼性の向上を
図ることができる。さらに、電子部品４０が発熱するこ
とにより、接着剤８０からガスが発生する。このガス
は、ＳＡＷ素子５０の周波数特性に影響を及ぼすもので
ある。ここで、電子部品４０とＳＡＷ素子５０は、別々
の空間に配置されているため、ＳＡＷ素子５０は、発生
するガスの影響を受けることがなくなり、ＳＡＷ素子５
０の信頼性の向上を図ることができる。
【００２９】また、図２に示すように、第１基板１１に
は開口部１４が形成されている。開口部１４は、たとえ
ば第２基板２０の大きさとほぼ同一に形成されており、
第１中空部１２の面積よりも大きく形成されている。従
って、第１基板１１には第２基板２０を保持するための
第２基板保持部１６が形成されている。第１基板１１の
上面１５には第２接続端子１７と第１グランド端子１８
が形成されている。第２接続端子１７は、第１接続端子
１３と電気的に接続されていて、ＳＡＷ素子５０とたと
えばワイヤボンディングにより接続される。第１グラン
ド端子１８は、後述する第２基板２０に設けられた第２
グランド端子２１と電気的に接続される。
は開口部１４が形成されている。開口部１４は、たとえ
ば第２基板２０の大きさとほぼ同一に形成されており、
第１中空部１２の面積よりも大きく形成されている。従
って、第１基板１１には第２基板２０を保持するための
第２基板保持部１６が形成されている。第１基板１１の
上面１５には第２接続端子１７と第１グランド端子１８
が形成されている。第２接続端子１７は、第１接続端子
１３と電気的に接続されていて、ＳＡＷ素子５０とたと
えばワイヤボンディングにより接続される。第１グラン
ド端子１８は、後述する第２基板２０に設けられた第２
グランド端子２１と電気的に接続される。
【００３０】図３は、本発明のＳＡＷデバイスにおける
第２基板の一例を示す図であり、図１と図３を参照して
第２基板２０について説明する。図１の第２基板２０
は、たとえばセラミック等の単板からなっている。第２
基板２０の一面側２０ａは、第２基板保持部１６に塗布
された接着剤８０を用いて第１基板１１と接合されてい
る。また、図３のように、第２基板２０の側面２０ｃに
はたとえば銀ロウなどのロウ材や導電性接着剤もしくは
ガラス材料等の封止材７０により接合されている。特
に、封止材７０としてガラス材料を用いた場合には、Ｓ
ＡＷデバイス１０のコストの低減を図ることができる。
このように第１基板１１を囲うように封止材７０を塗布
し、第１基板１１と第２基板２０を接合することで、第
１中空部１２と第２中空部３１を確実に隔離することが
できる。
第２基板の一例を示す図であり、図１と図３を参照して
第２基板２０について説明する。図１の第２基板２０
は、たとえばセラミック等の単板からなっている。第２
基板２０の一面側２０ａは、第２基板保持部１６に塗布
された接着剤８０を用いて第１基板１１と接合されてい
る。また、図３のように、第２基板２０の側面２０ｃに
はたとえば銀ロウなどのロウ材や導電性接着剤もしくは
ガラス材料等の封止材７０により接合されている。特
に、封止材７０としてガラス材料を用いた場合には、Ｓ
ＡＷデバイス１０のコストの低減を図ることができる。
このように第１基板１１を囲うように封止材７０を塗布
し、第１基板１１と第２基板２０を接合することで、第
１中空部１２と第２中空部３１を確実に隔離することが
できる。
【００３１】さらに、第２基板２０の一面側２０ａに
は、ほぼ全面に渡ってグランド電極２２が形成されてい
る。グランド電極２２は、他面側２０ｂに形成された第
２グランド端子２１と電気的に接続されている。グラン
ド電極２２は、ＳＡＷ素子５０と電子部品４０を電磁的
に分離する機能を有している。すなわち、電子部品４０
が動作したときに発生する電磁波をグランド電極２２が
シールドし、ＳＡＷ素子５０への電磁波の影響を最小限
に抑える。これにより、ＳＡＷ素子５０の動作を安定さ
せることができるようになる。
は、ほぼ全面に渡ってグランド電極２２が形成されてい
る。グランド電極２２は、他面側２０ｂに形成された第
２グランド端子２１と電気的に接続されている。グラン
ド電極２２は、ＳＡＷ素子５０と電子部品４０を電磁的
に分離する機能を有している。すなわち、電子部品４０
が動作したときに発生する電磁波をグランド電極２２が
シールドし、ＳＡＷ素子５０への電磁波の影響を最小限
に抑える。これにより、ＳＡＷ素子５０の動作を安定さ
せることができるようになる。
【００３２】図３に示すように、第２基板２０の他面側
２０ｂには、ＳＡＷ素子５０がたとえばエポキシ系の接
着剤８０により他面側２０ｂに実装されている。このＳ
ＡＷ素子５０は、たとえば水晶基板にすだれ状電極（Ｉ
ＤＴ：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅ
ｒ）や反射器等を形成したＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振
子等からなっている。ＳＡＷ素子５０は、たとえばワイ
ヤボンディング等により第１基板１１の第２接続端子１
７と電気的に接続されている。従って、ＳＡＷ素子５０
は、第２接続端子１７、第１接続端子１３を介して電子
部品４０と電気的に接続された状態となっている。ま
た、第２基板２０の他面側２０ｂには、第２グランド端
子２１が形成されていて、第２グランド端子２１は、第
１グランド端子１８とたとえばワイヤボンディング等に
より電気的に接続されている。
２０ｂには、ＳＡＷ素子５０がたとえばエポキシ系の接
着剤８０により他面側２０ｂに実装されている。このＳ
ＡＷ素子５０は、たとえば水晶基板にすだれ状電極（Ｉ
ＤＴ：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅ
ｒ）や反射器等を形成したＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振
子等からなっている。ＳＡＷ素子５０は、たとえばワイ
ヤボンディング等により第１基板１１の第２接続端子１
７と電気的に接続されている。従って、ＳＡＷ素子５０
は、第２接続端子１７、第１接続端子１３を介して電子
部品４０と電気的に接続された状態となっている。ま
た、第２基板２０の他面側２０ｂには、第２グランド端
子２１が形成されていて、第２グランド端子２１は、第
１グランド端子１８とたとえばワイヤボンディング等に
より電気的に接続されている。
【００３３】図１において、ＳＡＷ素子５０の上にはキ
ャップ３０が配置されていて、キャップ３０は、その外
周側３０ａで封止材７０により接合されている。キャッ
プ３０は、第２中空部３１を有しており、第２中空部３
１内にＳＡＷ素子５０が気密封止された状態になる。こ
こで、この封止材７０は、第１基板１１と第２基板２０
の封止に用いられる封止材７０と同一の材料からなって
いる。これにより、封止工程において、同一の処理条件
により封止作業を行うことができ、製造効率の向上を図
ることができる。
ャップ３０が配置されていて、キャップ３０は、その外
周側３０ａで封止材７０により接合されている。キャッ
プ３０は、第２中空部３１を有しており、第２中空部３
１内にＳＡＷ素子５０が気密封止された状態になる。こ
こで、この封止材７０は、第１基板１１と第２基板２０
の封止に用いられる封止材７０と同一の材料からなって
いる。これにより、封止工程において、同一の処理条件
により封止作業を行うことができ、製造効率の向上を図
ることができる。
【００３４】このように、第１基板１１には電子部品４
０のみ実装し、ＳＡＷ素子５０を第２基板２０に実装す
ることで、ＳＡＷ素子５０は、電子部品４０が動作した
ときに生じる熱による周波数の変化を最小限に抑えた状
態で動作することになる。従って、熱の影響によるＳＡ
Ｗ素子５０の周波数変化を低減し、信頼性を向上させる
ことができる。
０のみ実装し、ＳＡＷ素子５０を第２基板２０に実装す
ることで、ＳＡＷ素子５０は、電子部品４０が動作した
ときに生じる熱による周波数の変化を最小限に抑えた状
態で動作することになる。従って、熱の影響によるＳＡ
Ｗ素子５０の周波数変化を低減し、信頼性を向上させる
ことができる。
【００３５】また、電子部品４０からの熱によって、電
子部品４０を実装するときに用いた接着剤からガスが発
生する。このとき、電子部品４０とＳＡＷ素子５０は別
々の空間に配置されているため、発生したガスによる周
波数特性の変化を抑え、ＳＡＷデバイス１０の信頼性を
高めることができる。さらに、ＳＡＷ素子５０は、グラ
ンド電極２２を介して配置されているため、電子部品４
０が動作したときに生じる電磁波による特性の変化を最
小限に抑えた状態で動作することになる。従って、ＳＡ
Ｗ素子５０の電磁波の影響による周波数変化を低減し、
信頼性を向上させることができる。
子部品４０を実装するときに用いた接着剤からガスが発
生する。このとき、電子部品４０とＳＡＷ素子５０は別
々の空間に配置されているため、発生したガスによる周
波数特性の変化を抑え、ＳＡＷデバイス１０の信頼性を
高めることができる。さらに、ＳＡＷ素子５０は、グラ
ンド電極２２を介して配置されているため、電子部品４
０が動作したときに生じる電磁波による特性の変化を最
小限に抑えた状態で動作することになる。従って、ＳＡ
Ｗ素子５０の電磁波の影響による周波数変化を低減し、
信頼性を向上させることができる。
【００３６】図４から図６は、本発明のＳＡＷデバイス
の製造方法の好ましい実施の形態を示す図であり、図４
から図６を参照してＳＡＷデバイスの製造方法について
説明する。まず、図４を参照して第２基板２０にＳＡＷ
素子５０を実装する工程について説明する。最初に、図
４（Ａ）と図４（Ｂ）において、たとえばセラミックの
単板からなる第２基板２０に所定の電極パターンが形成
される。具体的には、第２基板２０の一面側２０ａには
グランド電極２２が形成され、他面側２０ｂには第２グ
ランド端子２１が形成される。このとき、グランド電極
２２と第２グランド端子２１は電気的に接続されるよう
に形成される。また、第２基板２０の側面部２０ｃに、
たとえば銀ロウ等のロウ材、導電性接着剤もしくはガラ
ス材料等からなる封止材７０が塗布される。その後、図
４（Ｃ）と図４（Ｄ）に示すように、第２基板２０の他
面側２０ｂにＳＡＷ素子５０がたとえばエポキシ系等の
接着剤８０により実装される。これにより、第２基板２
０が完成する。
の製造方法の好ましい実施の形態を示す図であり、図４
から図６を参照してＳＡＷデバイスの製造方法について
説明する。まず、図４を参照して第２基板２０にＳＡＷ
素子５０を実装する工程について説明する。最初に、図
４（Ａ）と図４（Ｂ）において、たとえばセラミックの
単板からなる第２基板２０に所定の電極パターンが形成
される。具体的には、第２基板２０の一面側２０ａには
グランド電極２２が形成され、他面側２０ｂには第２グ
ランド端子２１が形成される。このとき、グランド電極
２２と第２グランド端子２１は電気的に接続されるよう
に形成される。また、第２基板２０の側面部２０ｃに、
たとえば銀ロウ等のロウ材、導電性接着剤もしくはガラ
ス材料等からなる封止材７０が塗布される。その後、図
４（Ｃ）と図４（Ｄ）に示すように、第２基板２０の他
面側２０ｂにＳＡＷ素子５０がたとえばエポキシ系等の
接着剤８０により実装される。これにより、第２基板２
０が完成する。
【００３７】次に、図５を参照して、第１基板１１の製
造工程について説明する。まず、図５（Ａ）に示すよう
に、中空部１２の底面部１２ａに第１接続端子１３が形
成され、上面部１５に第２接続端子１７と第１グランド
端子１８がそれぞれ形成される。また、上面部１５の外
周側に封止材７０が塗布される。その後、図５（Ｂ）に
示すように、電子部品４０が、第１基板１１の開口部１
４から中空部１２内に挿入され、エポキシ系等の接着剤
８０により底面部１２ａに実装される。そして、電子部
品４０と第１接続端子１３が、たとえばワイヤボンディ
ング等により電気的に接続される。さらに、第２基板保
持部１６には、第２基板２０を接着させるための接着剤
８０が塗布される。
造工程について説明する。まず、図５（Ａ）に示すよう
に、中空部１２の底面部１２ａに第１接続端子１３が形
成され、上面部１５に第２接続端子１７と第１グランド
端子１８がそれぞれ形成される。また、上面部１５の外
周側に封止材７０が塗布される。その後、図５（Ｂ）に
示すように、電子部品４０が、第１基板１１の開口部１
４から中空部１２内に挿入され、エポキシ系等の接着剤
８０により底面部１２ａに実装される。そして、電子部
品４０と第１接続端子１３が、たとえばワイヤボンディ
ング等により電気的に接続される。さらに、第２基板保
持部１６には、第２基板２０を接着させるための接着剤
８０が塗布される。
【００３８】その後、図５（Ｃ）と図５（Ｄ）に示すよ
うに、第２基板２０が、第１基板１０の開口部１４に位
置決めされ、ＳＡＷ素子５０と第２接続端子１７がワイ
ヤボンディング等により電気的に接続される。この状態
で、第２基板２０上のＳＡＷ素子５０に向かってプラズ
マが照射され、周波数調整が行われる。具体的には、た
とえばＣＦ４等の反応性ガスやアルゴンガス等の不活性
ガスがイオン化され、イオン化された粒子がＳＡＷ素子
５０に照射される。すると、ＳＡＷ素子５０の圧電基板
又は電極がプラズマエッチングされ周波数調整が行われ
る。
うに、第２基板２０が、第１基板１０の開口部１４に位
置決めされ、ＳＡＷ素子５０と第２接続端子１７がワイ
ヤボンディング等により電気的に接続される。この状態
で、第２基板２０上のＳＡＷ素子５０に向かってプラズ
マが照射され、周波数調整が行われる。具体的には、た
とえばＣＦ４等の反応性ガスやアルゴンガス等の不活性
ガスがイオン化され、イオン化された粒子がＳＡＷ素子
５０に照射される。すると、ＳＡＷ素子５０の圧電基板
又は電極がプラズマエッチングされ周波数調整が行われ
る。
【００３９】この周波数調整を行う工程において、電子
部品４０は、中空部１２内に実装されているため、プラ
ズマが照射されることがない。従って、電子部品４０
は、第１中空部１２内に収容されているため、プラズマ
による動作不良等の不具合の発生を回避することができ
る。
部品４０は、中空部１２内に実装されているため、プラ
ズマが照射されることがない。従って、電子部品４０
は、第１中空部１２内に収容されているため、プラズマ
による動作不良等の不具合の発生を回避することができ
る。
【００４０】また、周波数調整工程は、ＳＡＷ素子５０
を駆動させながら、エッチング量を調整して行われる。
このとき、第１基板１１に設けられた第１接続端子１３
及び第２接続端子１７により、電子部品４０とＳＡＷ素
子５０が電気的に接続された状態になっている。従っ
て、ＳＡＷ素子５０の駆動制御しながら周波数調整を行
うことができるようになっている。
を駆動させながら、エッチング量を調整して行われる。
このとき、第１基板１１に設けられた第１接続端子１３
及び第２接続端子１７により、電子部品４０とＳＡＷ素
子５０が電気的に接続された状態になっている。従っ
て、ＳＡＷ素子５０の駆動制御しながら周波数調整を行
うことができるようになっている。
【００４１】次に、図６（Ａ）と図６（Ｂ）に示すよう
に、キャップ３０が、第１基板１１の上面１５に塗布さ
れた封止材７０の上に位置決めされ、加熱処理される。
すると、第１基板１１と第２基板２０の間にある封止材
７０と、第１基板１１とキャップ３０の間の封止材７０
が溶融し、第１中空部１２及び第２中空部３１が気密封
止された状態となる。このように、第１基板１１と第２
基板２０に用いられる封止材７０と、第１基板１１とキ
ャップ３０に用いられる封止材７０が同一の材料からな
っていることで、同一の処理条件で気密封止することが
でき、製造効率の向上を図ることができる。特に、第２
基板２０の側面２０ｃに設けられた封止材７０が溶融す
ると、図６（Ｃ）に示すように、封止材７０が第１基板
１１と第２基板２０の間に生じる隙間に入り込み、第１
中空部１２と第２中空部３１を確実に気密封止する事が
できる。
に、キャップ３０が、第１基板１１の上面１５に塗布さ
れた封止材７０の上に位置決めされ、加熱処理される。
すると、第１基板１１と第２基板２０の間にある封止材
７０と、第１基板１１とキャップ３０の間の封止材７０
が溶融し、第１中空部１２及び第２中空部３１が気密封
止された状態となる。このように、第１基板１１と第２
基板２０に用いられる封止材７０と、第１基板１１とキ
ャップ３０に用いられる封止材７０が同一の材料からな
っていることで、同一の処理条件で気密封止することが
でき、製造効率の向上を図ることができる。特に、第２
基板２０の側面２０ｃに設けられた封止材７０が溶融す
ると、図６（Ｃ）に示すように、封止材７０が第１基板
１１と第２基板２０の間に生じる隙間に入り込み、第１
中空部１２と第２中空部３１を確実に気密封止する事が
できる。
【００４２】尚、図１において、電子部品４０は、第１
基板１１の第１接続端子１３に対してワイヤボンディン
グによって電気的に接続されているが、図７に示すよう
に、フリップチップボンディングしたＳＡＷデバイス２
００であってもよい。すなわち、図７において、電子部
品４０にはバンプが形成されており、このバンプが第１
基板１１の第１接続端子１３に接合することにより実装
されている。これにより、ＳＡＷデバイス２００の厚さ
（高さ）を小さくすることができる。
基板１１の第１接続端子１３に対してワイヤボンディン
グによって電気的に接続されているが、図７に示すよう
に、フリップチップボンディングしたＳＡＷデバイス２
００であってもよい。すなわち、図７において、電子部
品４０にはバンプが形成されており、このバンプが第１
基板１１の第１接続端子１３に接合することにより実装
されている。これにより、ＳＡＷデバイス２００の厚さ
（高さ）を小さくすることができる。
【００４３】上記実施の形態によれば、第１基板１１の
第１中空部１２には電子部品４０のみを配置し、ＳＡＷ
素子５０を第２基板２０の他面側２０ｂに実装すること
で、電子部品４０が動作したときに発生する熱及びガス
等が、ＳＡＷ素子５０に及ぼす影響を最小限に抑えるこ
とができる。よって、ＳＡＷデバイス１０の信頼性の向
上を図ることができる。また、第２基板２０の側面側２
０ｃに塗布された封止材７０により、第１基板１１と第
２基板２０を接合することで、第１基板１１の第１中空
部１２を確実に気密封止することができるようになる。
さらに、第１基板１１及び第２基板２０の接合と、第１
基板１１及びキャップ３０の接合を行うときに、同一の
封止材７０を用いることで、同一の処理条件で第１中空
部１２及び第２中空部３１の気密封止を行うことができ
るようになる。よって、ＳＡＷデバイス１０の製造効率
の向上を図ることができる。
第１中空部１２には電子部品４０のみを配置し、ＳＡＷ
素子５０を第２基板２０の他面側２０ｂに実装すること
で、電子部品４０が動作したときに発生する熱及びガス
等が、ＳＡＷ素子５０に及ぼす影響を最小限に抑えるこ
とができる。よって、ＳＡＷデバイス１０の信頼性の向
上を図ることができる。また、第２基板２０の側面側２
０ｃに塗布された封止材７０により、第１基板１１と第
２基板２０を接合することで、第１基板１１の第１中空
部１２を確実に気密封止することができるようになる。
さらに、第１基板１１及び第２基板２０の接合と、第１
基板１１及びキャップ３０の接合を行うときに、同一の
封止材７０を用いることで、同一の処理条件で第１中空
部１２及び第２中空部３１の気密封止を行うことができ
るようになる。よって、ＳＡＷデバイス１０の製造効率
の向上を図ることができる。
【００４４】また、第２基板２０の一面側２０ａにグラ
ンド電極２２を形成することにより、電子部品４０が動
作したときに発生する電磁波が、グランド電極２２によ
りシールドされ、ＳＡＷ素子５０への影響が低減される
ことになる。さらに、電子部品４０が第１基板１１に対
してフリップチップ実装されていることにより、ＳＡＷ
デバイス１０全体の低背化を図ることができるようにな
る。
ンド電極２２を形成することにより、電子部品４０が動
作したときに発生する電磁波が、グランド電極２２によ
りシールドされ、ＳＡＷ素子５０への影響が低減される
ことになる。さらに、電子部品４０が第１基板１１に対
してフリップチップ実装されていることにより、ＳＡＷ
デバイス１０全体の低背化を図ることができるようにな
る。
【００４５】さらに、ＳＡＷデバイスの製造方法におい
て、周波数調整を行うときには、電子部品４０は第１中
空部１２内に収容され、第２基板２０により第１中空部
１２は閉ざされた状態になっている。従って、周波数調
整工程において、ＳＡＷ素子５０のみにプラズマ等が照
射され、電子部品４０には照射されない。これにより、
電子部品４０を周波数調整の工程に晒すことによる不具
合の発生を防止することができる。
て、周波数調整を行うときには、電子部品４０は第１中
空部１２内に収容され、第２基板２０により第１中空部
１２は閉ざされた状態になっている。従って、周波数調
整工程において、ＳＡＷ素子５０のみにプラズマ等が照
射され、電子部品４０には照射されない。これにより、
電子部品４０を周波数調整の工程に晒すことによる不具
合の発生を防止することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の弾性表面波装置の好ましい実施の形態
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】本発明の弾性表面波装置における第１基板の構
造を示す図。
造を示す図。
【図３】本発明の弾性表面波装置における第２基板の構
造を示す図。
造を示す図。
【図４】本発明の弾性表面波装置の製造方法における第
２基板の製造工程を示す工程図。
２基板の製造工程を示す工程図。
【図５】本発明の弾性表面波装置の製造方法における第
１基板の製造工程及び周波数調整工程の様子を示す図。
１基板の製造工程及び周波数調整工程の様子を示す図。
【図６】本発明の弾性表面波装置の製造方法における弾
性表面波素子を気密封止する様子を示す図。
性表面波素子を気密封止する様子を示す図。
【図７】本発明の弾性表面波装置の第２の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図８】従来の弾性表面波装置の一例を示す構成図。
【図９】従来の弾性表面波装置の製造方法の一例を示す
工程図。
工程図。
１０、２００・・・ＳＡＷデバイス（弾性表面波装置）
１１・・・第１基板
１２・・・中空部
１３・・・第１接続端子
１４・・・開口部
１７・・・第２接続端子
１８・・・第１グランド端子
２０・・・第２基板
２０ａ・・・一面側
２０ｂ・・・他面側
２１・・・第２グランド端子
２２・・・グランド電極
４０・・・電子部品
５０・・・ＳＡＷ素子（弾性表面波素子）
７０・・・封止材
８０・・・接着剤
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/25
H03B 5/30
H03H 3/08
Claims (16)
- 【請求項１】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
を駆動制御する電子部品とを備える弾性表面波装置にお
いて、 前記電子部品を収容するための開口部を有した第１中空
部が形成されていて、前記第１中空部に形成された前記
電子部品と電気的に接続する第１接続端子と、前記開口
部付近に形成されていて、前記第１接続端子と電気的に
接続された第２接続端子とを有する第１基板と、 一面側が前記第１基板の開口部に接合しており、他面側
には前記弾性表面波素子が前記第２接続端子と電気的に
接続するように実装されている第２基板と、 前記第１基板と接合していて、前記弾性表面波素子を気
密封止するための第２中空部を有するキャップとを備え
たことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記第１基板と前記第２基板は、封止材
により前記第２基板の側面側で接合されていることを特
徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第２基板と前記キャップは、それぞ
れ前記第１基板に対して同一の封止材を用いて接合され
ていることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれ
かに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記封止材は、導電性のロウ材もしくは
導電性接着剤からなっていることを特徴とする請求項１
から請求項３のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記封止材は、ガラス材料からなってい
ることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記第２基板の一面側には、グランド電
極が形成されていることを特徴とする請求項１から請求
項５のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記第２基板は、セラミックの単板から
なっていることを特徴とする請求項１から請求項６のい
ずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 前記電子部品は、前記第１基板に対して
フリップチップ実装されていることを特徴とする請求項
１から請求項７のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項９】 前記弾性表面波素子は、前記第２基板に
対して接着剤により実装されていて、前記電子部品は、
前記弾性表面波素子の実装に用いられたものと同一の接
着剤で、前記第１基板に実装されていることを特徴とす
る請求項１から請求項８のいずれかに記載の弾性表面波
装置。 - 【請求項１０】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素
子を駆動制御する電子部品とを備える弾性表面波装置の
製造方法において、 開口部を有する第１基板の第１中空部に前記電子部品を
実装し、 前記弾性表面波素子を実装した第２基板を、前記第１基
板の前記開口部に位置決めするとともに、前記電子部品
と前記弾性表面波素子を電気的に接続し、 前記弾性表面波素子の周波数調整を行い、 第２中空部を有するキャップを、第２中空部内に前記弾
性表面波素子を収容するように前記第１基板に配置し、 前記第１基板と前記第２基板及び前記第１基板と前記キ
ャップをそれぞれ封止材を用いて接合し、前記電子部品
及び前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする弾
性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第２基板の側面側に前記封止材を
塗布した状態で、前記第２基板を前記第１基板の開口部
に配置することを特徴とする請求項１０に記載の弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第２基板における前記第１基板と
の接合面には、導電材料からなるグランド電極を形成す
ることを特徴とする請求項１０又は請求項１１のいずれ
かに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１基板及び前記第２基板と、前
記第１基板及び前記キャップを接合する封止材は、同一
の封止材が用いられることを特徴とする請求項１０から
請求項１２のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記封止材として、金属ロウ材もしく
は導電性接着剤を用いることを特徴とする請求項１０か
ら請求項１３のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 前記封止材は、ガラス材料からなって
いることを特徴とする請求項１０又は請求項１３のいず
れかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記電子部品を、それぞれ前記第１基
板に実装するときは、フリップチップボンディングによ
り行われることを特徴とする請求項１１から請求項１５
のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088424A JP3444420B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US10/066,642 US6734605B2 (en) | 2001-03-26 | 2002-02-06 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088424A JP3444420B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002290200A JP2002290200A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3444420B2 true JP3444420B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18943521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001088424A Expired - Fee Related JP3444420B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6734605B2 (ja) |
| JP (1) | JP3444420B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4058760B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動デバイスおよびリアルタイムクロック |
| US6833654B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-12-21 | Cts Corporation | Dual crystal package |
| JP4222147B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
| KR100541079B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2006-01-10 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 패키지 및 그 제조방법 |
| EP1665374A4 (en) * | 2003-08-19 | 2010-03-03 | Capital Formation Inc | CAVITY HOUSING / MULTIPLE COMPARTMENTS |
| US7230512B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-06-12 | Triquint, Inc. | Wafer-level surface acoustic wave filter package with temperature-compensating characteristics |
| US7710002B2 (en) * | 2006-06-21 | 2010-05-04 | Epson Toyocom Corporation | Piezoelectric resonator for oscillator and surface mount type piezoelectric oscillator |
| JP4251070B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2009-04-08 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電発振器、電子部品、及び圧電発振器の製造方法 |
| US7961478B2 (en) * | 2004-04-16 | 2011-06-14 | Nxp B.V. | Integrated circuit, and a mobile phone having the integrated circuit |
| JP4244865B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器および電子機器 |
| JP2006067530A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP2006109400A (ja) | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法 |
| JP4554398B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波デバイス及び弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP4721101B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス並びに圧電デバイスの製造方法、及び電子機器 |
| JP2006325051A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及び電子機器 |
| JP4311376B2 (ja) | 2005-06-08 | 2009-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 |
| US7378780B2 (en) * | 2005-11-09 | 2008-05-27 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface mount type crystal oscillator |
| JP2007158918A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
| JP4151711B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2008-09-17 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電デバイス |
| JP5083710B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| US8080925B2 (en) * | 2008-09-23 | 2011-12-20 | Custom Sensors & Technologies, Inc. | Inertial sensor with dual cavity package and method of fabrication |
| JP5176979B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2013-04-03 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
| TWI420810B (zh) | 2010-12-17 | 2013-12-21 | Ind Tech Res Inst | 石英振盪器及其製造方法 |
| JP6015508B2 (ja) | 2013-03-18 | 2016-10-26 | 富士通株式会社 | 高周波モジュール |
| CN108878380B (zh) | 2017-05-16 | 2022-01-21 | 三星电机株式会社 | 扇出型电子器件封装件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3728562A (en) * | 1971-10-18 | 1973-04-17 | Bell Telephone Labor Inc | Electroacoustic transducer having transducing element supporting means |
| US4471259A (en) * | 1982-08-26 | 1984-09-11 | Motorola Inc. | Crystal package for a high-G environment |
| US5130600A (en) * | 1989-06-02 | 1992-07-14 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Acceleration sensor |
| JP2960374B2 (ja) | 1996-06-17 | 1999-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 圧電発振器 |
| US6229249B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-05-08 | Kyocera Corporation | Surface-mount type crystal oscillator |
| US6445254B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-09-03 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal oscillator and method of bonding IC chip useful for fabricating crystal oscillator |
| US6456168B1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-24 | Cts Corporation | Temperature compensated crystal oscillator assembled on crystal base |
| JP2002335128A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001088424A patent/JP3444420B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-06 US US10/066,642 patent/US6734605B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002290200A (ja) | 2002-10-04 |
| US20020135269A1 (en) | 2002-09-26 |
| US6734605B2 (en) | 2004-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3444420B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| US7042056B2 (en) | Chip-size package piezoelectric component | |
| US6643920B2 (en) | Electronic component such as a saw device and method for producing the same | |
| US6492194B1 (en) | Method for the packaging of electronic components | |
| EP0794616B1 (en) | An electronic part and a method of production thereof | |
| US5303457A (en) | Method for packaging microelectronic frequency selection components | |
| JP2004080221A (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
| JPH07111438A (ja) | 弾性表面波装置、及びその製造方法 | |
| EP1049253B1 (en) | Surface acoustic wave device having bump electrodes and method for producing the same | |
| JP2002334954A (ja) | 電子装置およびその製造方法ならびに電子部品保護用キャップおよびその製造方法 | |
| JP2007027211A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP3915421B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2003283289A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH05291864A (ja) | 弾性表面波素子実装回路とその製造方法 | |
| JP5341685B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2003318692A (ja) | 圧電デバイス | |
| US8093101B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
| JP2002290184A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2001102905A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| KR100501194B1 (ko) | 수정발진기 | |
| JP2002290201A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2002026656A (ja) | Ｓａｗ発振器 | |
| JP2002198453A (ja) | 電子部品収納用パッケージ及び電子部品装置 | |
| JP3429264B2 (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| JP2001257236A (ja) | 電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |