JP2002290201A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002290201A JP2002290201A JP2001088426A JP2001088426A JP2002290201A JP 2002290201 A JP2002290201 A JP 2002290201A JP 2001088426 A JP2001088426 A JP 2001088426A JP 2001088426 A JP2001088426 A JP 2001088426A JP 2002290201 A JP2002290201 A JP 2002290201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- wave device
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性及び歩留まりの向上を図ることができ
る弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 弾性表面波素子30と、弾性表面波素子
30の駆動制御を行う電子部品40を備えた弾性表面波
装置10において、弾性表面波素子30を収容するた
め、開口部14を形成した中空部12を有しており、弾
性表面波素子30と電気的に接続された第1接続端子1
7を有する第1基板11と、封止材50を用いて開口部
14に接合されることで中空部12の弾性表面波素子3
0を封止するものであって、第1基板11と接合する一
面側20aには、電子部品40と電気的に接続されてい
て、第1接続端子17と接合される第2接続端子21が
形成されており、他面側20bには、電子部品40が実
装されている第2基板20とを備える。
る弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 弾性表面波素子30と、弾性表面波素子
30の駆動制御を行う電子部品40を備えた弾性表面波
装置10において、弾性表面波素子30を収容するた
め、開口部14を形成した中空部12を有しており、弾
性表面波素子30と電気的に接続された第1接続端子1
7を有する第1基板11と、封止材50を用いて開口部
14に接合されることで中空部12の弾性表面波素子3
0を封止するものであって、第1基板11と接合する一
面側20aには、電子部品40と電気的に接続されてい
て、第1接続端子17と接合される第2接続端子21が
形成されており、他面側20bには、電子部品40が実
装されている第2基板20とを備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品をパ
ッケージングした弾性表面波装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置(以下「SAW(Surface A
coustic Wave)デバイス」という)が使用
されている。図9は、従来のSAWデバイスの一例を示
す構成図であり、図9を参照してSAWデバイス1につ
いて説明する。図9のSAWデバイス1は、基板2、蓋
3、ICチップ等からなる電子部品5、SAW素子6等
を有している。基板2には中空部2aが形成されてお
り、中空部2aに電子部品5及びSAW素子6が収容さ
れている。中空部2aの開口部には蓋3が配置されてい
て、蓋3は、封止材もしくはシーム溶接等により基板2
と接合されている。従って、基板2と蓋3により電子部
品5及びSAW素子6は気密封止された状態となってい
る。
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置(以下「SAW(Surface A
coustic Wave)デバイス」という)が使用
されている。図9は、従来のSAWデバイスの一例を示
す構成図であり、図9を参照してSAWデバイス1につ
いて説明する。図9のSAWデバイス1は、基板2、蓋
3、ICチップ等からなる電子部品5、SAW素子6等
を有している。基板2には中空部2aが形成されてお
り、中空部2aに電子部品5及びSAW素子6が収容さ
れている。中空部2aの開口部には蓋3が配置されてい
て、蓋3は、封止材もしくはシーム溶接等により基板2
と接合されている。従って、基板2と蓋3により電子部
品5及びSAW素子6は気密封止された状態となってい
る。
【0003】中空部2aにはSAW素子6と、SAW素
子6の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品5が並
んで配置されている。基板2の底面部には、所定のパタ
ーンの配線4が形成されており、電子部品5とSAW素
子6は、たとえばワイヤボンディング等により電極配線
4と電気的に接続されている。これにより、電子部品5
とSAW素子6は、電気的に接続される。
子6の駆動制御を行う半導体チップ等の電子部品5が並
んで配置されている。基板2の底面部には、所定のパタ
ーンの配線4が形成されており、電子部品5とSAW素
子6は、たとえばワイヤボンディング等により電極配線
4と電気的に接続されている。これにより、電子部品5
とSAW素子6は、電気的に接続される。
【0004】次に、図10は、従来のSAWデバイスの
製造方法の一例を示す工程図であり、図10を参照して
SAWデバイスの製造方法について説明する。まず、図
10(A)に示すように、基板2における中空部2aの
底面部に、所定のパターンで配線4が形成される。そし
て、図10(B)に示すように、電子部品5が底面部に
実装され、たとえばワイヤボンディング等により配線4
と電気的に接続される。次に、図10(C)に示すよう
に、SAW素子6が底面部に実装され、たとえばワイヤ
ボンディング等により配線4と電気的に接続される。
製造方法の一例を示す工程図であり、図10を参照して
SAWデバイスの製造方法について説明する。まず、図
10(A)に示すように、基板2における中空部2aの
底面部に、所定のパターンで配線4が形成される。そし
て、図10(B)に示すように、電子部品5が底面部に
実装され、たとえばワイヤボンディング等により配線4
と電気的に接続される。次に、図10(C)に示すよう
に、SAW素子6が底面部に実装され、たとえばワイヤ
ボンディング等により配線4と電気的に接続される。
【0005】その後、図10(D)に示すように、SA
W素子6の周波数調整が行われる。具体的には、SAW
素子6が、基板2の開口部2bからたとえばプラズマ等
がSAW素子6に照射され、SAW素子6の圧電基板も
しくは圧電基板に形成された電極がエッチングされる。
この周波数調整は、SAW素子6を電子部品5により駆
動しながら行い、所望のSAW素子6の周波数特性が得
られるようになる。次に、図10(E)に示すように、
基板2の開口部の上に蓋3が配置され、封止材もしくは
シーム溶接等により基板と蓋3が接合される。これによ
り、中空部2a内が気密封止され、SAWデバイス1が
完成する。
W素子6の周波数調整が行われる。具体的には、SAW
素子6が、基板2の開口部2bからたとえばプラズマ等
がSAW素子6に照射され、SAW素子6の圧電基板も
しくは圧電基板に形成された電極がエッチングされる。
この周波数調整は、SAW素子6を電子部品5により駆
動しながら行い、所望のSAW素子6の周波数特性が得
られるようになる。次に、図10(E)に示すように、
基板2の開口部の上に蓋3が配置され、封止材もしくは
シーム溶接等により基板と蓋3が接合される。これによ
り、中空部2a内が気密封止され、SAWデバイス1が
完成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図9のSAWデバイス
1において、電子部品5とSAW素子6は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品5とSAW素子6は、中
空部2a内という同一空間に配置されている。ここで、
SAWデバイス1が動作すると、電子部品5は熱を放出
する。電子部品5から放出された熱は、基板2の中空部
2a内の雰囲気及び底面部を通じて直接SAW素子6に
伝達してしまう。この熱がSAW素子6の温度特性に大
きく影響し、SAW素子6が所望の周波数特性を発揮す
ることができないという問題がある。
1において、電子部品5とSAW素子6は並んで配置さ
れている。すなわち、電子部品5とSAW素子6は、中
空部2a内という同一空間に配置されている。ここで、
SAWデバイス1が動作すると、電子部品5は熱を放出
する。電子部品5から放出された熱は、基板2の中空部
2a内の雰囲気及び底面部を通じて直接SAW素子6に
伝達してしまう。この熱がSAW素子6の温度特性に大
きく影響し、SAW素子6が所望の周波数特性を発揮す
ることができないという問題がある。
【0007】また、図10(D)における周波数調整工
程において、開口部からプラズマ等がSAWデバイス6
に照射される。このとき、基板2にはSAW素子6ばか
りでなく、電子部品5も実装された状態で行われてい
る。従って、周波数調整工程において、たとえば周波数
ズレ等の加工不良が生じたときに、SAW素子6の他に
電子部品5も不良品として処理されてしまい、電子部品
5が無駄になってしまうという問題がある。また、電子
部品5が、プラズマにさらされることによるたとえば動
作不良等の不具合を発生することがあるという問題があ
る。
程において、開口部からプラズマ等がSAWデバイス6
に照射される。このとき、基板2にはSAW素子6ばか
りでなく、電子部品5も実装された状態で行われてい
る。従って、周波数調整工程において、たとえば周波数
ズレ等の加工不良が生じたときに、SAW素子6の他に
電子部品5も不良品として処理されてしまい、電子部品
5が無駄になってしまうという問題がある。また、電子
部品5が、プラズマにさらされることによるたとえば動
作不良等の不具合を発生することがあるという問題があ
る。
【0008】一方、電子部品5とSAW素子6を異なる
空間に実装する方法として、いわゆるH型構造の基板を
用いること等が提案されている。すなわち、基板2が、
たとえば上下に2つの中空部を有しており、その2つの
中空部にそれぞれ電子部品5とSAW素子6が収容され
た構造を有するものである。しかし、このような構造の
SAWデバイスであっても、電子部品5が動作すること
により熱を放出したとき、基板2を通じて直接SAW素
子6に伝播してしまうという問題がある。また、周波数
調整を行う工程においても、電子部品5が、プラズマに
さらされるため、たとえば動作不良等の不具合を発生す
ることがあるという問題がある。
空間に実装する方法として、いわゆるH型構造の基板を
用いること等が提案されている。すなわち、基板2が、
たとえば上下に2つの中空部を有しており、その2つの
中空部にそれぞれ電子部品5とSAW素子6が収容され
た構造を有するものである。しかし、このような構造の
SAWデバイスであっても、電子部品5が動作すること
により熱を放出したとき、基板2を通じて直接SAW素
子6に伝播してしまうという問題がある。また、周波数
調整を行う工程においても、電子部品5が、プラズマに
さらされるため、たとえば動作不良等の不具合を発生す
ることがあるという問題がある。
【0009】そこで本発明は上記課題を解決し、信頼性
及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面波装置
及びその製造方法を提供することを目的としている。
及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面波装置
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、弾性
表面波素子と、前記弾性表面波素子の駆動制御を行う電
子部品を備えた弾性表面波装置において、前記弾性表面
波素子を収容するための開口部を備えた中空部を有して
おり、前記弾性表面波素子と電気的に接続された第1接
続端子を有する第1基板と、封止材を用いて前記開口部
に接合されることで、前記中空部の前記弾性表面波素子
を封止するものであって、前記第1基板と接合する一面
側には、前記電子部品と電気的に接続されていて、前記
第1接続端子と接合される第2接続端子が形成されてお
り、他面側には、前記電子部品が実装された第2基板と
を備える弾性表面波装置を特徴とする。
表面波素子と、前記弾性表面波素子の駆動制御を行う電
子部品を備えた弾性表面波装置において、前記弾性表面
波素子を収容するための開口部を備えた中空部を有して
おり、前記弾性表面波素子と電気的に接続された第1接
続端子を有する第1基板と、封止材を用いて前記開口部
に接合されることで、前記中空部の前記弾性表面波素子
を封止するものであって、前記第1基板と接合する一面
側には、前記電子部品と電気的に接続されていて、前記
第1接続端子と接合される第2接続端子が形成されてお
り、他面側には、前記電子部品が実装された第2基板と
を備える弾性表面波装置を特徴とする。
【0011】請求項1の構成によれば、第1基板には中
空部が形成されていて、この中空部に弾性表面波素子が
実装されている。一方、第2基板は、その一面側で第1
基板と接合されていて、他面側には電子部品を実装した
構造を有している。このように、第1基板の中空部には
弾性表面波素子のみを配置し、電子部品は第2基板の他
面側に実装された構造を有している。すなわち、弾性表
面波素子と電子部品は、第1基板と第2基板によって仕
切られた別々の空間に配置されることになる。従って、
電子部品が動作したときに発生する熱及び電磁波が、弾
性表面波素子に及ぼす影響を最小限に抑えることができ
る。
空部が形成されていて、この中空部に弾性表面波素子が
実装されている。一方、第2基板は、その一面側で第1
基板と接合されていて、他面側には電子部品を実装した
構造を有している。このように、第1基板の中空部には
弾性表面波素子のみを配置し、電子部品は第2基板の他
面側に実装された構造を有している。すなわち、弾性表
面波素子と電子部品は、第1基板と第2基板によって仕
切られた別々の空間に配置されることになる。従って、
電子部品が動作したときに発生する熱及び電磁波が、弾
性表面波素子に及ぼす影響を最小限に抑えることができ
る。
【0012】請求項2の発明は、請求項1の構成におい
て、前記弾性表面波素子及び/又は前記電子部品は、そ
れぞれ前記第1基板と前記第2基板に対してフリップチ
ップボンディングされている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項2の構成によれば、弾性表面波素子及び/又
は電子部品を第1基板と第2基板に実装したとき、弾性
表面波装置の厚さを小さくすることができる。また、弾
性表面波素子及び/又は電子部品と、第1基板と第2基
板の線路長を短くできるので、高周波使用上都合よくす
ることができる。
て、前記弾性表面波素子及び/又は前記電子部品は、そ
れぞれ前記第1基板と前記第2基板に対してフリップチ
ップボンディングされている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項2の構成によれば、弾性表面波素子及び/又
は電子部品を第1基板と第2基板に実装したとき、弾性
表面波装置の厚さを小さくすることができる。また、弾
性表面波素子及び/又は電子部品と、第1基板と第2基
板の線路長を短くできるので、高周波使用上都合よくす
ることができる。
【0013】請求項3の発明は、請求項1又は請求項2
の構成において、前記第2基板の一面側には、導電材料
からなるグランド電極が形成されていて、前記第1基板
には、前記第2基板のグランド電極と電気的に接続する
グランド端子が形成されている弾性表面波装置を特徴と
する。請求項3の構成によれば、弾性表面波装置が動作
したとき、電子部品から電磁波が発生する。このとき、
グランド電極が発生する電磁波をシールドして、中空部
内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減させるようにな
っている。
の構成において、前記第2基板の一面側には、導電材料
からなるグランド電極が形成されていて、前記第1基板
には、前記第2基板のグランド電極と電気的に接続する
グランド端子が形成されている弾性表面波装置を特徴と
する。請求項3の構成によれば、弾性表面波装置が動作
したとき、電子部品から電磁波が発生する。このとき、
グランド電極が発生する電磁波をシールドして、中空部
内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減させるようにな
っている。
【0014】請求項4の発明は、請求項1から請求項5
の構成において、前記第1接続端子と前記第2接続端子
及び前記グランド端子と前記グランド電極は、同一の導
電性の封止材を用いて接合される弾性表面波装置を特徴
とする。また、請求項5の発明は、前記封止材は、金属
ロウ材もしくは導電性接着剤からなっている弾性表面波
装置を特徴とする。請求項4又は請求項5の構成によれ
ば、第1接続端子と第2接続端子及びグランド端子とグ
ランド電極は、金属ロウ材もしくは導電性接着剤からな
る同一の封止材で接合されている。これにより、第1接
続端子と第2接続端子及びグランド端子とグランド電極
の接合を一度の工程で行うことができるようになる。
の構成において、前記第1接続端子と前記第2接続端子
及び前記グランド端子と前記グランド電極は、同一の導
電性の封止材を用いて接合される弾性表面波装置を特徴
とする。また、請求項5の発明は、前記封止材は、金属
ロウ材もしくは導電性接着剤からなっている弾性表面波
装置を特徴とする。請求項4又は請求項5の構成によれ
ば、第1接続端子と第2接続端子及びグランド端子とグ
ランド電極は、金属ロウ材もしくは導電性接着剤からな
る同一の封止材で接合されている。これにより、第1接
続端子と第2接続端子及びグランド端子とグランド電極
の接合を一度の工程で行うことができるようになる。
【0015】請求項6の発明は、請求項3から請求項5
の構成において、前記グランド端子は、前記中空部を囲
うように略枠状に形成されている弾性表面波装置を特徴
とする。請求項6の構成によれば、グランド端子が略枠
状に形成されているため、グランド端子とグランド電極
が接合したときには、グランド端子の内側の領域、すな
わち中空部内が気密封止された状態となる。すなわち、
グランド端子とグランド電極の電気的接続と、中空部内
の封止を同時に行うことができる構造となっている。
の構成において、前記グランド端子は、前記中空部を囲
うように略枠状に形成されている弾性表面波装置を特徴
とする。請求項6の構成によれば、グランド端子が略枠
状に形成されているため、グランド端子とグランド電極
が接合したときには、グランド端子の内側の領域、すな
わち中空部内が気密封止された状態となる。すなわち、
グランド端子とグランド電極の電気的接続と、中空部内
の封止を同時に行うことができる構造となっている。
【0016】請求項7の発明は、請求項6の構成におい
て、前記グランド端子は、前記第2基板の外周側に接触
する部位に形成されている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項7の構成によれば、グランド端子が第2基板
の外周側に接触する部位に形成されているため、グラン
ド端子とグランド電極が接合したとき、ゴミ等の進入を
許す隙間が発生する恐れがなく、第1基板と第2基板が
接着し機械的に接続された状態となる。
て、前記グランド端子は、前記第2基板の外周側に接触
する部位に形成されている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項7の構成によれば、グランド端子が第2基板
の外周側に接触する部位に形成されているため、グラン
ド端子とグランド電極が接合したとき、ゴミ等の進入を
許す隙間が発生する恐れがなく、第1基板と第2基板が
接着し機械的に接続された状態となる。
【0017】請求項8の発明は、請求項1から請求項7
の構成において、前記電子部品は、ポッティング材によ
り封止されている弾性表面波装置を特徴とする。請求項
8の構成によれば、弾性表面波装置を動作させたとき
に、電子部品から熱が放出される。このとき、電子部品
からの熱をポッティング材から放出させることで、熱
が、第1基板と第2基板を介して弾性表面波素子に伝達
することを抑えることができる。
の構成において、前記電子部品は、ポッティング材によ
り封止されている弾性表面波装置を特徴とする。請求項
8の構成によれば、弾性表面波装置を動作させたとき
に、電子部品から熱が放出される。このとき、電子部品
からの熱をポッティング材から放出させることで、熱
が、第1基板と第2基板を介して弾性表面波素子に伝達
することを抑えることができる。
【0018】請求項9の発明は、請求項8の構成におい
て、前記ポッティング材の表面には、導体膜が形成され
ている弾性表面波装置を特徴とする。請求項9の構成に
よれば、弾性表面波装置が基板に実装され動作したと
き、電子部品から電磁波が発生する。ここで、導体膜を
設けることにより、発生した電磁波が装置外部に影響を
及ぼすのを防止することができる。同様に、導体膜を設
けることで、装置外部で発生した電磁波が弾性表面波装
置に影響を及ぼすのを防止することができる。さらに導
体膜が電子部品から発生する電磁波をシールドして、中
空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減させること
になる。
て、前記ポッティング材の表面には、導体膜が形成され
ている弾性表面波装置を特徴とする。請求項9の構成に
よれば、弾性表面波装置が基板に実装され動作したと
き、電子部品から電磁波が発生する。ここで、導体膜を
設けることにより、発生した電磁波が装置外部に影響を
及ぼすのを防止することができる。同様に、導体膜を設
けることで、装置外部で発生した電磁波が弾性表面波装
置に影響を及ぼすのを防止することができる。さらに導
体膜が電子部品から発生する電磁波をシールドして、中
空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減させること
になる。
【0019】請求項10の発明は、請求項1から請求項
9の構成において、前記弾性表面波素子は、前記中空部
形成された素子電極と電気的に接続されていて、前記素
子電極は、前記第1基板の外面側に形成された外部端子
と電気的に接続されている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項10の構成によれば、弾性表面波装置を製造
するときに、周波数調整を行うため弾性表面波素子を動
作させる必要が生じる。このとき、素子電極が第1基板
の外面側に形成された外部端子と接続されていることに
より、弾性表面波装置が電子部品と電気的に接続してい
なくても、外部から弾性表面波素子を駆動制御し周波数
調整を行うことができる。
9の構成において、前記弾性表面波素子は、前記中空部
形成された素子電極と電気的に接続されていて、前記素
子電極は、前記第1基板の外面側に形成された外部端子
と電気的に接続されている弾性表面波装置を特徴とす
る。請求項10の構成によれば、弾性表面波装置を製造
するときに、周波数調整を行うため弾性表面波素子を動
作させる必要が生じる。このとき、素子電極が第1基板
の外面側に形成された外部端子と接続されていることに
より、弾性表面波装置が電子部品と電気的に接続してい
なくても、外部から弾性表面波素子を駆動制御し周波数
調整を行うことができる。
【0020】請求項11の発明は、弾性表面波素子と、
前記弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品を備える
弾性表面波装置の製造方法において、第1接続端子を有
する第1基板の中空部に、前記第1接続端子と電気的に
接続するように前記弾性表面波素子を実装し、前記第1
基板の開口部から、実装された前記弾性表面波素子の周
波数調整を行い、前記電子部品を実装しており、前記電
子部品と電気的に接続された第2接続端子を有する第2
基板を、前記第1接続端子と前記第2接続端子を接触さ
せるように、前記第1基板の前記開口部に位置決めし、
前記第1基板と前記第2基板を封止材を用いて接合し、
前記弾性表面波素子を封止する弾性表面波装置の製造方
法を特徴とする。
前記弾性表面波素子の駆動制御を行う電子部品を備える
弾性表面波装置の製造方法において、第1接続端子を有
する第1基板の中空部に、前記第1接続端子と電気的に
接続するように前記弾性表面波素子を実装し、前記第1
基板の開口部から、実装された前記弾性表面波素子の周
波数調整を行い、前記電子部品を実装しており、前記電
子部品と電気的に接続された第2接続端子を有する第2
基板を、前記第1接続端子と前記第2接続端子を接触さ
せるように、前記第1基板の前記開口部に位置決めし、
前記第1基板と前記第2基板を封止材を用いて接合し、
前記弾性表面波素子を封止する弾性表面波装置の製造方
法を特徴とする。
【0021】請求項11の構成によれば、弾性表面波素
子が第1基板の中空部に実装され、この状態で開口部か
らたとえばプラズマ等を照射する事で周波数調整が行わ
れる。その後、電子部品を実装した第2基板が第1基板
と接合し、弾性表面波素子が封止されることになる。こ
のように、周波数調整を行うときには、電子部品は実装
されていないため、弾性表面波素子のみにプラズマ等が
照射される。これにより、周波数調整の不具合によっ
て、弾性表面波素子が不良になったときに、それに付随
して正常な電子部品まで不良となるのを防止することが
できる。また、電子部品を周波数調整の工程に晒すこと
による電子部品の不具合の発生を防止することができ
る。
子が第1基板の中空部に実装され、この状態で開口部か
らたとえばプラズマ等を照射する事で周波数調整が行わ
れる。その後、電子部品を実装した第2基板が第1基板
と接合し、弾性表面波素子が封止されることになる。こ
のように、周波数調整を行うときには、電子部品は実装
されていないため、弾性表面波素子のみにプラズマ等が
照射される。これにより、周波数調整の不具合によっ
て、弾性表面波素子が不良になったときに、それに付随
して正常な電子部品まで不良となるのを防止することが
できる。また、電子部品を周波数調整の工程に晒すこと
による電子部品の不具合の発生を防止することができ
る。
【0022】請求項12の発明は、前記第2基板には、
導電材料からなるグランド電極を形成するとともに、前
記第1基板には、前記第2基板のグランド電極と電気的
に接続するグランド端子を形成する弾性表面波装置の製
造方法を特徴とする。請求項12の構成によれば、弾性
表面波装置が動作したときに電子部品から電磁波が発生
する。このとき、グランド電極が発生する電磁波をシー
ルドし、中空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減
させることができる。
導電材料からなるグランド電極を形成するとともに、前
記第1基板には、前記第2基板のグランド電極と電気的
に接続するグランド端子を形成する弾性表面波装置の製
造方法を特徴とする。請求項12の構成によれば、弾性
表面波装置が動作したときに電子部品から電磁波が発生
する。このとき、グランド電極が発生する電磁波をシー
ルドし、中空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響を低減
させることができる。
【0023】請求項13の発明は、請求項11又は請求
項12の構成において、前記第1接続端子と前記第2接
続端子及び前記グランド端子と前記グランド電極を接合
するときには、同一の導電性の封止材を用いて接合され
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。また、請求
項14の発明は、前記封止材は、金属ロウ材もしくは導
電性接着剤からなっている。請求項13又は請求項14
の構成によれば、前記第1接続端子と前記第2接続端子
及び前記グランド端子と前記グランド電極の電気的接続
を、金属ロウ材もしくは導電性接着剤からなる同一の封
止材で接合する。これにより、前記第1接続端子と前記
第2接続端子及び前記グランド端子と前記グランド電極
の接合を一度に行うことができる。
項12の構成において、前記第1接続端子と前記第2接
続端子及び前記グランド端子と前記グランド電極を接合
するときには、同一の導電性の封止材を用いて接合され
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。また、請求
項14の発明は、前記封止材は、金属ロウ材もしくは導
電性接着剤からなっている。請求項13又は請求項14
の構成によれば、前記第1接続端子と前記第2接続端子
及び前記グランド端子と前記グランド電極の電気的接続
を、金属ロウ材もしくは導電性接着剤からなる同一の封
止材で接合する。これにより、前記第1接続端子と前記
第2接続端子及び前記グランド端子と前記グランド電極
の接合を一度に行うことができる。
【0024】請求項15の発明は、請求項13又は請求
項14の構成において、前記グランド端子を形成すると
きには、前記中空部を囲うように略枠状に形成する弾性
表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項15の構成
によれば、グランド端子が略枠状に形成されているた
め、グランド端子とグランド電極が接合したときには、
グランド端子の内側の領域、すなわち中空部内が気密封
止された状態となる。従って、グランド端子とグランド
電極の電気的接続と中空部の封止を一度の工程で行うこ
とができる。
項14の構成において、前記グランド端子を形成すると
きには、前記中空部を囲うように略枠状に形成する弾性
表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項15の構成
によれば、グランド端子が略枠状に形成されているた
め、グランド端子とグランド電極が接合したときには、
グランド端子の内側の領域、すなわち中空部内が気密封
止された状態となる。従って、グランド端子とグランド
電極の電気的接続と中空部の封止を一度の工程で行うこ
とができる。
【0025】請求項16の発明は、請求項12から請求
項15の構成において、前記グランド端子を形成すると
きには、前記第2基板の外周側を接触する部位に形成す
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項16
の構成によれば、グランド端子が第2基板の外周側に接
触する部位に形成されているため、グランド端子とグラ
ンド電極が接合したとき、第1基板と第2基板が接着し
機械的に接続された状態となる。また、前記第1接続端
子と前記第2接続端子及び前記グランド端子と前記グラ
ンド電極の電気的接続、弾性表面波素子の封止及び第1
基板と第2基板の接合を一度に行うことができるように
なる。
項15の構成において、前記グランド端子を形成すると
きには、前記第2基板の外周側を接触する部位に形成す
る弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項16
の構成によれば、グランド端子が第2基板の外周側に接
触する部位に形成されているため、グランド端子とグラ
ンド電極が接合したとき、第1基板と第2基板が接着し
機械的に接続された状態となる。また、前記第1接続端
子と前記第2接続端子及び前記グランド端子と前記グラ
ンド電極の電気的接続、弾性表面波素子の封止及び第1
基板と第2基板の接合を一度に行うことができるように
なる。
【0026】請求項17の発明は、請求項11から請求
項16の構成において、前記第2基板に前記電子部品を
実装するときには、前記電子基板をポッティング材によ
り封止する弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請
求項17の構成によれば、弾性表面波装置を動作させた
ときに、電子部品から熱が放出される。電子部品からの
熱をポッティング材から放出させることで、熱が、第1
基板と第2基板を介して弾性表面波素子に伝達すること
を抑えることができる。
項16の構成において、前記第2基板に前記電子部品を
実装するときには、前記電子基板をポッティング材によ
り封止する弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請
求項17の構成によれば、弾性表面波装置を動作させた
ときに、電子部品から熱が放出される。電子部品からの
熱をポッティング材から放出させることで、熱が、第1
基板と第2基板を介して弾性表面波素子に伝達すること
を抑えることができる。
【0027】請求項18の発明によれば、請求項17の
構成において、前記ポッティング材の表面には、導体膜
を形成する弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請
求項18の構成によれば、弾性表面波装置が基板に実装
され動作したとき、電子部品から電磁波が発生する。こ
こで、導体膜を設けることにより、発生した電磁波が装
置外部に影響を及ぼすのを防止することができる。同様
に、導体膜を設けることで、装置外部で発生した電磁波
が弾性表面波装置に影響を及ぼすのを防止することがで
きる。さらに、導体膜が電子部品から発生する電磁波を
シールドして、中空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響
を低減させることになる。
構成において、前記ポッティング材の表面には、導体膜
を形成する弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請
求項18の構成によれば、弾性表面波装置が基板に実装
され動作したとき、電子部品から電磁波が発生する。こ
こで、導体膜を設けることにより、発生した電磁波が装
置外部に影響を及ぼすのを防止することができる。同様
に、導体膜を設けることで、装置外部で発生した電磁波
が弾性表面波装置に影響を及ぼすのを防止することがで
きる。さらに、導体膜が電子部品から発生する電磁波を
シールドして、中空部内の弾性表面波素子に及ぼす影響
を低減させることになる。
【0028】請求項19の発明によれば、請求項11か
ら請求項18の構成において、前記弾性表面波素子は、
前記中空部形成された素子電極と電気的に接続されてい
て、前記素子電極は、前記第1基板の外面側に形成され
た外部端子と電気的に接続されている弾性表面波装置の
製造方法を特徴とする。請求項19の構成によれば、弾
性表面波装置を製造するときに、周波数調整を行うため
弾性表面波素子を動作させる必要が生じる。このとき、
素子電極が第1基板の外面側に形成された外部端子と接
続されていることにより、弾性表面波装置が電子部品と
電気的に接続していなくても、外部から弾性表面波素子
を駆動制御し周波数調整を行うことができる。
ら請求項18の構成において、前記弾性表面波素子は、
前記中空部形成された素子電極と電気的に接続されてい
て、前記素子電極は、前記第1基板の外面側に形成され
た外部端子と電気的に接続されている弾性表面波装置の
製造方法を特徴とする。請求項19の構成によれば、弾
性表面波装置を製造するときに、周波数調整を行うため
弾性表面波素子を動作させる必要が生じる。このとき、
素子電極が第1基板の外面側に形成された外部端子と接
続されていることにより、弾性表面波装置が電子部品と
電気的に接続していなくても、外部から弾性表面波素子
を駆動制御し周波数調整を行うことができる。
【0029】請求項20の発明は、請求項11から請求
項19の構成において、前記弾性表面波素子及び/又は
前記電子部品を、それぞれ前記第1基板と前記第2基板
に実装は、フリップチップボンディングにより行われる
弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項20の
構成によれば、弾性表面波素子及び/又は電子部品を第
1基板と第2基板に実装したとき、弾性表面波装置の厚
さを小さくすることができる。また、弾性表面波素子及
び/又は電子部品と、第1基板と第2基板の線路長を短
くできるので、高周波使用上都合よくすることができ
る。
項19の構成において、前記弾性表面波素子及び/又は
前記電子部品を、それぞれ前記第1基板と前記第2基板
に実装は、フリップチップボンディングにより行われる
弾性表面波装置の製造方法を特徴とする。請求項20の
構成によれば、弾性表面波素子及び/又は電子部品を第
1基板と第2基板に実装したとき、弾性表面波装置の厚
さを小さくすることができる。また、弾性表面波素子及
び/又は電子部品と、第1基板と第2基板の線路長を短
くできるので、高周波使用上都合よくすることができ
る。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1と図2は本
発明のSAWデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図1と図2を参照してSAWデバイス10に
ついて説明する。図1のSAWデバイス10は、第1基
板11、第2基板20、SAW素子30、電子部品40
等を有している。第1基板11は、たとえばセラミック
等からなっていて、第1基板11のたとえば中央部には
中空部12が形成されている。中空部12にはSAW素
子30が配置されていて、プラズマ照射によって悪影響
を受ける、あるいは動作により発熱する電子部品40は
配置されていない。これにより、電子部品40が動作し
たときに生じる熱及び電磁波が、中空部12内の雰囲気
又は底面部12aを通じて、SAW素子30に影響を及
ぼすのを防止することができる。従って、SAW素子3
0における熱及び電磁波による周波数の変化を低減さ
せ、信頼性の向上を図ることができる。また、後述する
周波数調整工程において、プラズマによる電子部品40
の不良の発生を防止することができる。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1と図2は本
発明のSAWデバイスの好ましい実施の形態を示す構成
図であり、図1と図2を参照してSAWデバイス10に
ついて説明する。図1のSAWデバイス10は、第1基
板11、第2基板20、SAW素子30、電子部品40
等を有している。第1基板11は、たとえばセラミック
等からなっていて、第1基板11のたとえば中央部には
中空部12が形成されている。中空部12にはSAW素
子30が配置されていて、プラズマ照射によって悪影響
を受ける、あるいは動作により発熱する電子部品40は
配置されていない。これにより、電子部品40が動作し
たときに生じる熱及び電磁波が、中空部12内の雰囲気
又は底面部12aを通じて、SAW素子30に影響を及
ぼすのを防止することができる。従って、SAW素子3
0における熱及び電磁波による周波数の変化を低減さ
せ、信頼性の向上を図ることができる。また、後述する
周波数調整工程において、プラズマによる電子部品40
の不良の発生を防止することができる。
【0031】中空部12の底面部12aには、導電材料
からなる素子電極13が形成されていて、素子電極13
はSAW素子30と電気的に接続されている。素子電極
13は、第1基板11の外周側11aに形成された外部
端子60と電気的に接続されている。従って、SAW素
子30は、外部と電気的に接続可能な状態になってお
り、外部からSAW素子30の駆動制御を行うことがで
きる。
からなる素子電極13が形成されていて、素子電極13
はSAW素子30と電気的に接続されている。素子電極
13は、第1基板11の外周側11aに形成された外部
端子60と電気的に接続されている。従って、SAW素
子30は、外部と電気的に接続可能な状態になってお
り、外部からSAW素子30の駆動制御を行うことがで
きる。
【0032】図2(A)に示すように、第1基板11に
は開口部14が形成されている。開口部14は、たとえ
ば第2基板20の大きさとほぼ同一に形成されており、
中空部12の面積よりも大きく形成されている。従っ
て、第1基板11には第2基板20を保持するための第
2基板保持部16が形成されている。図2(B)に示す
ように、第2基板保持部16には、第1接続端子17と
グランド端子18がたとえば導電性ペーストが印刷・焼
成され金属メッキされて形成されている。第1接続端子
17は、素子電極13と電気的に接続されたものであっ
て、後述する第2基板20の第2接続端子21と接合す
る部位である。
は開口部14が形成されている。開口部14は、たとえ
ば第2基板20の大きさとほぼ同一に形成されており、
中空部12の面積よりも大きく形成されている。従っ
て、第1基板11には第2基板20を保持するための第
2基板保持部16が形成されている。図2(B)に示す
ように、第2基板保持部16には、第1接続端子17と
グランド端子18がたとえば導電性ペーストが印刷・焼
成され金属メッキされて形成されている。第1接続端子
17は、素子電極13と電気的に接続されたものであっ
て、後述する第2基板20の第2接続端子21と接合す
る部位である。
【0033】グランド端子18は、第2基板保持部16
に中空部12を囲うように略枠状に形成されていて、後
述するグランド電極22と接合されるものである。中空
部12を囲うように形成することで、封止材50により
グランド電極22と接合したとき、中空部12内を気密
封止することができるようになる。また、グランド端子
18は、第2基板20の外周側と接合する部位に設けら
れていて、たとえば第2基板保持部16の外周側に形成
されている。これにより、グランド電極18とグランド
電極22が封止材50により接合したとき、同時に第1
基板10と第2基板20を確実に接着させることができ
る。
に中空部12を囲うように略枠状に形成されていて、後
述するグランド電極22と接合されるものである。中空
部12を囲うように形成することで、封止材50により
グランド電極22と接合したとき、中空部12内を気密
封止することができるようになる。また、グランド端子
18は、第2基板20の外周側と接合する部位に設けら
れていて、たとえば第2基板保持部16の外周側に形成
されている。これにより、グランド電極18とグランド
電極22が封止材50により接合したとき、同時に第1
基板10と第2基板20を確実に接着させることができ
る。
【0034】図2のSAW素子30は、たとえば水晶基
板にすだれ状電極(IDT:InterDigital
Transducer)や反射器答を形成したSAW
素子片であって、中空部12内にたとえば接着剤等を用
いて実装されている。また、SAW素子30は、たとえ
ばワイヤボンディング等により素子電極13と電気的に
接続されている。
板にすだれ状電極(IDT:InterDigital
Transducer)や反射器答を形成したSAW
素子片であって、中空部12内にたとえば接着剤等を用
いて実装されている。また、SAW素子30は、たとえ
ばワイヤボンディング等により素子電極13と電気的に
接続されている。
【0035】図3は、本発明のSAWデバイスにおける
第2基板の一例を示す図であり、図1と図3を参照して
第2基板20について説明する。図3(A)の第2基板
20は、たとえばセラミック等の板状の部材からなって
いて、第2基板20の一面側20aが第1基板11と接
合され、他面側20bが外部に露出されるようになる。
第2基板の一例を示す図であり、図1と図3を参照して
第2基板20について説明する。図3(A)の第2基板
20は、たとえばセラミック等の板状の部材からなって
いて、第2基板20の一面側20aが第1基板11と接
合され、他面側20bが外部に露出されるようになる。
【0036】図3(B)に示すように、第2基板20の
一面側20aには、第2接続端子21、グランド電極2
2が形成されている。第2接続端子21は、たとえば4
つの第2接続端子21a〜21dを有しており、第1基
板11に形成された第1接続端子17と接続するように
形成されている。グランド電極22は、たとえば一面側
20aの全面であって、第2接続端子21a〜21dの
少なくとも一つと電気的に接続されていて、他の第2接
続端子21a〜21dと電気的に絶縁するように形成さ
れている。このグランド電極22は、SAW素子30と
電子部品40を電磁的に分離する機能を有している。す
なわち、電子部品40が動作したときに発生する電磁波
を、グランド電極22がシールドする。これにより、S
AW素子30への電磁波の影響を最小限に抑え、SAW
素子30の動作を安定させることができるようになる。
一面側20aには、第2接続端子21、グランド電極2
2が形成されている。第2接続端子21は、たとえば4
つの第2接続端子21a〜21dを有しており、第1基
板11に形成された第1接続端子17と接続するように
形成されている。グランド電極22は、たとえば一面側
20aの全面であって、第2接続端子21a〜21dの
少なくとも一つと電気的に接続されていて、他の第2接
続端子21a〜21dと電気的に絶縁するように形成さ
れている。このグランド電極22は、SAW素子30と
電子部品40を電磁的に分離する機能を有している。す
なわち、電子部品40が動作したときに発生する電磁波
を、グランド電極22がシールドする。これにより、S
AW素子30への電磁波の影響を最小限に抑え、SAW
素子30の動作を安定させることができるようになる。
【0037】第1接続端子17と第2接続端子21及び
グランド端子18とグランド電極22は、たとえば金ス
ズ(AuSn)など導電性のロウ材や導電性接着剤等か
らなる封止材50により接合される。そして、グランド
電極22は、グランド端子18と第2基板20の外周側
と接合されるようになっている。従って、封止材50を
用いてグランド端子18とグランド電極22を接合する
と、グランド端子18とグランド電極22の電気的接続
と中空部12の封止を同時に行う事ができる構造になっ
ている。
グランド端子18とグランド電極22は、たとえば金ス
ズ(AuSn)など導電性のロウ材や導電性接着剤等か
らなる封止材50により接合される。そして、グランド
電極22は、グランド端子18と第2基板20の外周側
と接合されるようになっている。従って、封止材50を
用いてグランド端子18とグランド電極22を接合する
と、グランド端子18とグランド電極22の電気的接続
と中空部12の封止を同時に行う事ができる構造になっ
ている。
【0038】さらに、第1接続端子17と第2接続端子
21の電気的接続と、グランド端子18とグランド電極
22の電気的接続には、同一の封止材50が用いられて
いる。これにより、第1基板11と第2基板20の気密
封止、導通、接着が、たとえば封止材50を溶融させる
等の一度の封止工程で行うことができるようになる。
21の電気的接続と、グランド端子18とグランド電極
22の電気的接続には、同一の封止材50が用いられて
いる。これにより、第1基板11と第2基板20の気密
封止、導通、接着が、たとえば封止材50を溶融させる
等の一度の封止工程で行うことができるようになる。
【0039】図3(A)に示すように、第2基板20の
他面側20bには、部品電極23が形成されていて、部
品電極23はたとえば4つの部品電極22a〜22dを
有している。4つの部品電極22a〜22dは、それぞ
れ第2接続端子21a〜21dと電気的に接続されてい
る。
他面側20bには、部品電極23が形成されていて、部
品電極23はたとえば4つの部品電極22a〜22dを
有している。4つの部品電極22a〜22dは、それぞ
れ第2接続端子21a〜21dと電気的に接続されてい
る。
【0040】また、図3(C)に示すように、第2基板
20の他面側20bには、たとえば半導体チップ(IC
チップ)等からなる電子部品40が接着剤等により実装
されている。この電子部品40は、たとえばワイヤボン
ディング等により部品電極23と電気的に接続されてい
る。従って、電子部品40は、部品電極23、第2接続
端子21、第1接続端子17及び素子電極13を介し
て、SAW素子30と電気的に接続された状態になって
いる。また、電子部品40用の他の部品電極23は、第
2接続端子21、第1接続端子17及び外部電極61に
接続され、信号出力等が可能となっている。
20の他面側20bには、たとえば半導体チップ(IC
チップ)等からなる電子部品40が接着剤等により実装
されている。この電子部品40は、たとえばワイヤボン
ディング等により部品電極23と電気的に接続されてい
る。従って、電子部品40は、部品電極23、第2接続
端子21、第1接続端子17及び素子電極13を介し
て、SAW素子30と電気的に接続された状態になって
いる。また、電子部品40用の他の部品電極23は、第
2接続端子21、第1接続端子17及び外部電極61に
接続され、信号出力等が可能となっている。
【0041】このように、電子部品40が、中空部12
に収容されたSAW素子30とは別の空間に配置される
ことによって、電子部品40が動作したときの熱が、中
空部12内の雰囲気を伝搬してSAW素子30に伝わる
ことがなくなる。従って、SAW素子30は、電子部品
40からの熱による周波数の変化を防止することができ
る。
に収容されたSAW素子30とは別の空間に配置される
ことによって、電子部品40が動作したときの熱が、中
空部12内の雰囲気を伝搬してSAW素子30に伝わる
ことがなくなる。従って、SAW素子30は、電子部品
40からの熱による周波数の変化を防止することができ
る。
【0042】また、電子部品40は、たとえばエポキシ
樹脂等からなる放熱性のよいポッティング材24によっ
て封止されている。従って、電子部品40から発生する
熱は、ポッティング材24により吸収され外部に放出さ
れるようになる。これにより、電子部品40からの熱
が、第2基板20と第1基板11を伝わってSAW素子
30に加わることを低減することができ、SAW素子3
0に対する電子部品40からの熱の影響を最小限に抑え
ることができるようになる。
樹脂等からなる放熱性のよいポッティング材24によっ
て封止されている。従って、電子部品40から発生する
熱は、ポッティング材24により吸収され外部に放出さ
れるようになる。これにより、電子部品40からの熱
が、第2基板20と第1基板11を伝わってSAW素子
30に加わることを低減することができ、SAW素子3
0に対する電子部品40からの熱の影響を最小限に抑え
ることができるようになる。
【0043】また、電子部品40からの発熱や製造工程
中の加熱処理によって、電子部品40を実装するときに
用いた接着剤からガスが発生する。このとき、電子部品
40とSAW素子30は別々の空間に配置されているた
め、発生したガスによる周波数変化を抑え、SAWデバ
イス10の信頼性を高めることができる。さらに、ポッ
ティング材24の表面には、導電材料からなる導体膜2
5がたとえばスパッタリングや真空蒸着等により成膜さ
れている。この導体膜25は、弾性表面波装置10を電
磁波から保護するとともに、電磁波の放出を防止する機
能を有している。すなわち、弾性表面波装置10が基板
に実装され動作したとき、電子部品40から電磁波が発
生する。ここで、導体膜25を設けることにより、発生
した電磁波が弾性表面波装置10の外部に影響を及ぼす
のを防止することができる。同様に、導体膜25を設け
ることで、弾性表面波装置10の外部で発生した電磁波
が、弾性表面波装置に影響を及ぼすのを防止することが
できる。導体膜25は、電子部品40から発生する電磁
波をシールドする機能を有しており、電子部品40から
生じる電磁波によるSAW素子30への影響を最小限に
抑えるようになっている。
中の加熱処理によって、電子部品40を実装するときに
用いた接着剤からガスが発生する。このとき、電子部品
40とSAW素子30は別々の空間に配置されているた
め、発生したガスによる周波数変化を抑え、SAWデバ
イス10の信頼性を高めることができる。さらに、ポッ
ティング材24の表面には、導電材料からなる導体膜2
5がたとえばスパッタリングや真空蒸着等により成膜さ
れている。この導体膜25は、弾性表面波装置10を電
磁波から保護するとともに、電磁波の放出を防止する機
能を有している。すなわち、弾性表面波装置10が基板
に実装され動作したとき、電子部品40から電磁波が発
生する。ここで、導体膜25を設けることにより、発生
した電磁波が弾性表面波装置10の外部に影響を及ぼす
のを防止することができる。同様に、導体膜25を設け
ることで、弾性表面波装置10の外部で発生した電磁波
が、弾性表面波装置に影響を及ぼすのを防止することが
できる。導体膜25は、電子部品40から発生する電磁
波をシールドする機能を有しており、電子部品40から
生じる電磁波によるSAW素子30への影響を最小限に
抑えるようになっている。
【0044】図4から図7は、本発明のSAWデバイス
の製造方法の好ましい実施の形態を示す図であり、図4
から図7を参照してSAWデバイスの製造方法について
説明する。まず、図4を参照して第2基板20に電子部
品40を実装する工程について説明する。最初に、図4
(A)と図4(B)において、たとえばセラミック等か
らなる板状の第2基板20に所定のパターンが形成され
ていて、第2接続端子21と部品電極23が、電気的に
接続されるように形成される。
の製造方法の好ましい実施の形態を示す図であり、図4
から図7を参照してSAWデバイスの製造方法について
説明する。まず、図4を参照して第2基板20に電子部
品40を実装する工程について説明する。最初に、図4
(A)と図4(B)において、たとえばセラミック等か
らなる板状の第2基板20に所定のパターンが形成され
ていて、第2接続端子21と部品電極23が、電気的に
接続されるように形成される。
【0045】次に、図4(C)に示すように、第2基板
20の他面側20bに電子部品40が接着剤等により実
装される。そして、電子部品40と部品電極23がたと
えばワイヤボンディング等により電気的に接続される。
その後、図4(D)に示すように、電子部品40の上か
らポッティング材24が塗布され、加熱処理されること
で、電子部品40が封止される。さらに、このポッティ
ング材24の表面に、たとえば導電材料からなる導体膜
25がスパッタリングや真空蒸着等により形成される。
これにより、第2基板20が完成する。
20の他面側20bに電子部品40が接着剤等により実
装される。そして、電子部品40と部品電極23がたと
えばワイヤボンディング等により電気的に接続される。
その後、図4(D)に示すように、電子部品40の上か
らポッティング材24が塗布され、加熱処理されること
で、電子部品40が封止される。さらに、このポッティ
ング材24の表面に、たとえば導電材料からなる導体膜
25がスパッタリングや真空蒸着等により形成される。
これにより、第2基板20が完成する。
【0046】次に、図5から図7を参照して、第1基板
11及びSAWデバイス10の作製工程について説明す
る。まず、図5(A)に示すように、第1基板11の中
空部12の底面部12aに素子電極13が形成され、素
子電極13が外部端子60と電気的に接続された状態と
なる。また、第2基板保持部16に第1接続端子17と
グランド端子18がそれぞれ形成されている。ここで、
第1接続端子17は、素子電極13と電気的に接続する
ように形成されている。また、グランド端子18は、第
2基板20の外周側と接合する位置に略枠状に形成され
ている。さらに、第1接続端子17とグランド端子18
の上に封止材50が塗布されている。このとき、図5
(C)に示すように、封止材50は、第1接続端子17
及びグランド端子18よりも広く、かつ、第1接続端子
17とグランド端子18が電気的に絶縁するように塗布
されている。
11及びSAWデバイス10の作製工程について説明す
る。まず、図5(A)に示すように、第1基板11の中
空部12の底面部12aに素子電極13が形成され、素
子電極13が外部端子60と電気的に接続された状態と
なる。また、第2基板保持部16に第1接続端子17と
グランド端子18がそれぞれ形成されている。ここで、
第1接続端子17は、素子電極13と電気的に接続する
ように形成されている。また、グランド端子18は、第
2基板20の外周側と接合する位置に略枠状に形成され
ている。さらに、第1接続端子17とグランド端子18
の上に封止材50が塗布されている。このとき、図5
(C)に示すように、封止材50は、第1接続端子17
及びグランド端子18よりも広く、かつ、第1接続端子
17とグランド端子18が電気的に絶縁するように塗布
されている。
【0047】その後、図5(B)に示すように、SAW
素子30が、第1基板11の開口部14から中空部12
内に挿入され、接着剤等により底面部12aに実装され
る。そして、SAW素子30と素子電極13が、たとえ
ばワイヤボンディング等により電気的に接続される。
素子30が、第1基板11の開口部14から中空部12
内に挿入され、接着剤等により底面部12aに実装され
る。そして、SAW素子30と素子電極13が、たとえ
ばワイヤボンディング等により電気的に接続される。
【0048】これにより、第1接続端子17と第2接続
端子21及びグランド端子18とグランド電極22が確
実に電気的に接続されるようになる。また、後述する封
止工程において、封止材50が溶融したときに、封止材
50が第1基板11と第2基板20の間に生じる隙間に
入り込み、確実に中空部12aの気密封止及び第1基板
11と第2基板20の接着ができるようになる。
端子21及びグランド端子18とグランド電極22が確
実に電気的に接続されるようになる。また、後述する封
止工程において、封止材50が溶融したときに、封止材
50が第1基板11と第2基板20の間に生じる隙間に
入り込み、確実に中空部12aの気密封止及び第1基板
11と第2基板20の接着ができるようになる。
【0049】その後、図6(A)と図6(B)に示すよ
うに、第1基板11の開口部14からSAW素子30に
向かってプラズマが照射され、周波数調整が行われる。
具体的には、たとえばCF4等の反応性ガスやアルゴン
ガス等の不活性ガスがイオン化され、イオン化された粒
子がSAW素子30に照射される。すると、SAW素子
30の圧電基板又は電極がプラズマエッチングされ周波
数調整が行われる。
うに、第1基板11の開口部14からSAW素子30に
向かってプラズマが照射され、周波数調整が行われる。
具体的には、たとえばCF4等の反応性ガスやアルゴン
ガス等の不活性ガスがイオン化され、イオン化された粒
子がSAW素子30に照射される。すると、SAW素子
30の圧電基板又は電極がプラズマエッチングされ周波
数調整が行われる。
【0050】この周波数調整を行う工程において、第1
基板11にはSAW素子30のみが実装されていて、電
子部品40は実装されておらず、電子部品40にプラズ
マが照射されることがなくなる。従って、周波数調整に
よるSAW素子30の不具合が発生しても、電子部位品
40は、無駄にすることなく歩留まりの向上を図ること
ができる。さらに、電子部品40のプラズマによる動作
不良等の不具合の発生を回避することができる。また、
周波数調整工程は、SAW素子30を駆動させながら、
エッチング量を調整して行うものである。ここで、SA
W素子30は、外部端子60と素子電極13を介して接
続されているため、SAW素子30の駆動制御を行う電
子部品40が実装されていなくても、外部からSAW素
子30の駆動制御を行うことができるようになってい
る。
基板11にはSAW素子30のみが実装されていて、電
子部品40は実装されておらず、電子部品40にプラズ
マが照射されることがなくなる。従って、周波数調整に
よるSAW素子30の不具合が発生しても、電子部位品
40は、無駄にすることなく歩留まりの向上を図ること
ができる。さらに、電子部品40のプラズマによる動作
不良等の不具合の発生を回避することができる。また、
周波数調整工程は、SAW素子30を駆動させながら、
エッチング量を調整して行うものである。ここで、SA
W素子30は、外部端子60と素子電極13を介して接
続されているため、SAW素子30の駆動制御を行う電
子部品40が実装されていなくても、外部からSAW素
子30の駆動制御を行うことができるようになってい
る。
【0051】次に、図7(A)に示すように、第2基板
20が、第1基板11の開口部14に配置され、第2基
板保持部16により保持された状態になる。このとき、
図7(B)に示すように、第1接続端子17と第2接続
端子21及びグランド端子18とグランド電極22が、
封止材50を介して対向するように位置決めされた状態
になっている。この状態で、第1基板11と第2基板2
0を加熱処理することで、封止材50が溶解し中空部1
2を気密封止する。ここで、図7(C)に示すように、
グランド端子18上に塗布した封止材50は、第1基板
11と第2基板20の隙間に入り込んで、中空部12を
確実に封止する。
20が、第1基板11の開口部14に配置され、第2基
板保持部16により保持された状態になる。このとき、
図7(B)に示すように、第1接続端子17と第2接続
端子21及びグランド端子18とグランド電極22が、
封止材50を介して対向するように位置決めされた状態
になっている。この状態で、第1基板11と第2基板2
0を加熱処理することで、封止材50が溶解し中空部1
2を気密封止する。ここで、図7(C)に示すように、
グランド端子18上に塗布した封止材50は、第1基板
11と第2基板20の隙間に入り込んで、中空部12を
確実に封止する。
【0052】また、封止材50によって、第1基板11
と第2基板20が接合された状態になるとともに、第1
接続端子17と第2接続端子21及びグランド端子18
とグランド電極22が電気的に接続された状態になる。
このように、第1基板11と第2基板20の電気的導通
及び機械的接着を、同一の導電材料からなる封止材50
を用いて行うことで、気密封止、導通、接着が一度の加
熱工程で行うことができ、製造工程の短縮化を図ること
ができる。
と第2基板20が接合された状態になるとともに、第1
接続端子17と第2接続端子21及びグランド端子18
とグランド電極22が電気的に接続された状態になる。
このように、第1基板11と第2基板20の電気的導通
及び機械的接着を、同一の導電材料からなる封止材50
を用いて行うことで、気密封止、導通、接着が一度の加
熱工程で行うことができ、製造工程の短縮化を図ること
ができる。
【0053】尚、図2及び図3において、SAW素子3
0及び電子部品40は、第1基板11及び第2基板20
の電極に対してワイヤボンディングによって電気的に接
続されているが、図8に示すように、フリップチップボ
ンディングしたSAWデバイス200であってもよい。
すなわち、図8において、SAW素子30及び電子部品
40にはバンプが形成されており、このバンプが第1基
板11及び第2基板20の電極に接合することにより実
装されている。これにより、SAWデバイス200の厚
さ(高さ)を小さくすることができる。また、SAW素
子30及び/又は電子部品40と、第1基板11と第2
基板20の線路長を短くできるので、高周波使用上都合
よくすることができる。なお、SAW素子30もしくは
電子部品40のいずれか一方のみがフリップチップ実装
されるようにしてもよい。
0及び電子部品40は、第1基板11及び第2基板20
の電極に対してワイヤボンディングによって電気的に接
続されているが、図8に示すように、フリップチップボ
ンディングしたSAWデバイス200であってもよい。
すなわち、図8において、SAW素子30及び電子部品
40にはバンプが形成されており、このバンプが第1基
板11及び第2基板20の電極に接合することにより実
装されている。これにより、SAWデバイス200の厚
さ(高さ)を小さくすることができる。また、SAW素
子30及び/又は電子部品40と、第1基板11と第2
基板20の線路長を短くできるので、高周波使用上都合
よくすることができる。なお、SAW素子30もしくは
電子部品40のいずれか一方のみがフリップチップ実装
されるようにしてもよい。
【0054】上記実施の形態によれば、SAW素子30
と電子部品40を、第1基板11と第2基板20によっ
て仕切られた別々の空間に配置することで、電子部品4
0が動作したときに発生する熱及び電磁波が、SAW素
子30に及ぼす影響を最小限に抑えることができる。ま
た、SAW素子及び/又は電子部品を第1基板11と第
2基板20にフリップチップ実装することで、SAWデ
バイス200の厚さを小さくすることができるととも
に、高周波化への対応も可能となる。さらに、第2基板
20の一面側20aにグランド電極22を形成すること
で、電子部品から発生する電磁波をシールドして、中空
部12内のSAW素子30に及ぼす影響を低減させるこ
とができる。
と電子部品40を、第1基板11と第2基板20によっ
て仕切られた別々の空間に配置することで、電子部品4
0が動作したときに発生する熱及び電磁波が、SAW素
子30に及ぼす影響を最小限に抑えることができる。ま
た、SAW素子及び/又は電子部品を第1基板11と第
2基板20にフリップチップ実装することで、SAWデ
バイス200の厚さを小さくすることができるととも
に、高周波化への対応も可能となる。さらに、第2基板
20の一面側20aにグランド電極22を形成すること
で、電子部品から発生する電磁波をシールドして、中空
部12内のSAW素子30に及ぼす影響を低減させるこ
とができる。
【0055】また、第1接続端子17と第2接続端子2
1及びグランド端子18とグランド電極22を金属ロウ
材もしくは導電性接着剤からなる同一の封止材50で接
合することで、第1接続端子17と第2接続端子21及
びグランド端子18とグランド電極22の接合を一度の
工程で行うことができるようになる。また、グランド端
子18を中空部12を囲うように略枠状に形成すること
で、グランド端子18とグランド電極22を封止材50
で接合したとき、グランド端子18とグランド電極22
の電気的接続と、中空部12内の封止を同時に行うこと
ができる。さらに、グランド端子18を第2基板20の
外周側に接触する部位に形成することで、グランド端子
18とグランド電極22が接合したとき、第1基板11
と第2基板20が接着し機械的に接続した状態にするこ
とができる。
1及びグランド端子18とグランド電極22を金属ロウ
材もしくは導電性接着剤からなる同一の封止材50で接
合することで、第1接続端子17と第2接続端子21及
びグランド端子18とグランド電極22の接合を一度の
工程で行うことができるようになる。また、グランド端
子18を中空部12を囲うように略枠状に形成すること
で、グランド端子18とグランド電極22を封止材50
で接合したとき、グランド端子18とグランド電極22
の電気的接続と、中空部12内の封止を同時に行うこと
ができる。さらに、グランド端子18を第2基板20の
外周側に接触する部位に形成することで、グランド端子
18とグランド電極22が接合したとき、第1基板11
と第2基板20が接着し機械的に接続した状態にするこ
とができる。
【0056】さらに、電子部品40をポッティング材2
4により封止することで、電子部品40を動作させたと
きに発生する熱をポッティング材から放出させ、熱をS
AW素子30に伝達することを抑えることで信頼性の向
上及び周波数温度特性に基づく周波数変動の抑制を図る
ことができる。また、ポッティング材24の表面に、導
体膜25を形成することで、SAWデバイス100、2
00の外部からの電磁波がSAW素子30に及ぼす影響
を低減させることができる。さらに、素子電極13を中
空部12から外面側11aに渡って形成することで、周
波数調整を行うときに、外部からSAW素子30を駆動
制御することができる。また、SAWデバイスの製造方
法において、周波数調整を行うときには、SAW素子3
0のみにプラズマ等が照射されるようにし、周波数調整
工程での電子部品40のダメージ等を抑え歩留まりの低
下を防止することができるようになる。
4により封止することで、電子部品40を動作させたと
きに発生する熱をポッティング材から放出させ、熱をS
AW素子30に伝達することを抑えることで信頼性の向
上及び周波数温度特性に基づく周波数変動の抑制を図る
ことができる。また、ポッティング材24の表面に、導
体膜25を形成することで、SAWデバイス100、2
00の外部からの電磁波がSAW素子30に及ぼす影響
を低減させることができる。さらに、素子電極13を中
空部12から外面側11aに渡って形成することで、周
波数調整を行うときに、外部からSAW素子30を駆動
制御することができる。また、SAWデバイスの製造方
法において、周波数調整を行うときには、SAW素子3
0のみにプラズマ等が照射されるようにし、周波数調整
工程での電子部品40のダメージ等を抑え歩留まりの低
下を防止することができるようになる。
【0057】なお、本発明の実施の形態は、上記実施の
形態に限定されない。図2のグランド端子18は、第2
基板保持部16の外周側に形成されているが、第2基板
保持部16の内周側、もしくは内周側及び外周側に形成
されるようにしても良い。この場合であっても、グラン
ド端子18とグランド電極22は電気的に接続すること
ができるとともに、中空部12を封止ことができるよう
になる。
形態に限定されない。図2のグランド端子18は、第2
基板保持部16の外周側に形成されているが、第2基板
保持部16の内周側、もしくは内周側及び外周側に形成
されるようにしても良い。この場合であっても、グラン
ド端子18とグランド電極22は電気的に接続すること
ができるとともに、中空部12を封止ことができるよう
になる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
信頼性及び歩留まりの向上を図ることができる弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することができる。
【図1】本発明の弾性表面波装置の好ましい実施の形態
を示す構成図。
を示す構成図。
【図2】本発明の弾性表面波装置における基板の構造を
示す図。
示す図。
【図3】本発明の弾性表面波装置における第2基板の構
造を示す図。
造を示す図。
【図4】本発明の弾性表面波装置の製造方法における第
2基板の製造工程を示す工程図。
2基板の製造工程を示す工程図。
【図5】本発明の弾性表面波装置の製造方法における素
子電極パターン、第2接続端子及びグランド端子を形成
する様子等を示す図。
子電極パターン、第2接続端子及びグランド端子を形成
する様子等を示す図。
【図6】本発明の弾性表面波装置の製造方法における周
波数調整を行う様子を示す図。
波数調整を行う様子を示す図。
【図7】本発明の弾性表面波装置の製造方法における第
2基板により基板を気密封止する様子を示す図。
2基板により基板を気密封止する様子を示す図。
【図8】本発明の弾性表面波装置の第2の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図9】従来の弾性表面波装置の一例を示す構成図。
【図10】従来の弾性表面波装置の製造方法の一例を示
す工程図。
す工程図。
10、200・・・SAWデバイス(弾性表面波装置) 11・・・第1基板 11a・・・外面側 12・・・中空部 13・・・素子電極 14・・・開口部 17・・・第1接続端子 18・・・グランド端子 20・・・第2基板 20a・・・一面側 20b・・・他面側 21・・・第2接続端子 22・・・グランド電極 23・・・部品電極 30・・・SAW素子(弾性表面波素子) 40・・・電子部品 50・・・封止材 60・・・外部端子
Claims (20)
- 【請求項1】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
の駆動制御を行う電子部品を備えた弾性表面波装置にお
いて、 前記弾性表面波素子を収容するための開口部を備えた中
空部を有しており、前記弾性表面波素子と電気的に接続
された第1接続端子を有する第1基板と、 封止材を用いて前記開口部に接合されることで、前記中
空部の前記弾性表面波素子を封止するものであって、前
記第1基板と接合する一面側には、前記電子部品と電気
的に接続されていて、前記第1接続端子と接合される第
2接続端子が形成されており、他面側には、前記電子部
品が実装された第2基板とを備えることを特徴とする弾
性表面波装置。 - 【請求項2】 前記弾性表面波素子及び/又は前記電子
部品は、それぞれ前記第1基板と前記第2基板に対して
フリップチップボンディングされていることを特徴とす
る請求項1に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項3】 前記第2基板の一面側には、導電材料か
らなるグランド電極が形成されていて、前記第1基板に
は、前記第2基板の前記グランド電極と電気的に接続す
るグランド端子が形成されていることを特徴とする請求
項1又は請求項2のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項4】 前記第1接続端子と前記第2接続端子及
び前記グランド端子と前記グランド電極は、同一の導電
性の前記封止材を用いて接合されることを特徴とする請
求項1から請求項3のいずれかに記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項5】 前記封止材は、金属ロウ材もしくは導電
性接着剤からなっていることを特徴とする請求項1から
請求項4のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項6】 前記グランド端子は、前記中空部を囲う
ように略枠状に形成されていることを特徴とする請求項
3から請求項5のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項7】 前記グランド端子は、前記第2基板の外
周側に接触する部位に形成されていることを特徴とする
請求項6に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項8】 前記電子部品は、ポッティング材により
封止されていることを特徴とする請求項1から請求項7
のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項9】 前記ポッティング材の表面には、導体膜
が形成されていることを特徴とする請求項8に記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項10】 前記弾性表面波素子は、前記中空部形
成された素子電極と電気的に接続されていて、前記素子
電極は、前記第1基板の外面側に形成された外部端子と
電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から
請求項9のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項11】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素
子の駆動制御を行う電子部品を備える弾性表面波装置の
製造方法において、 第1接続端子を有する第1基板の中空部に、前記第1接
続端子と電気的に接続するように前記弾性表面波素子を
実装し、 前記第1基板の開口部から、実装された前記弾性表面波
素子の周波数調整を行い、 前記電子部品を実装しており、前記電子部品と電気的に
接続された第2接続端子を有する第2基板を、前記第1
接続端子と前記第2接続端子を接触させるように、前記
第1基板の前記開口部に位置決めし、 前記第1基板と前記第2基板を封止材を用いて接合し、
前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記第2基板には、導電材料からなる
グランド電極を形成するとともに、前記第1基板には、
前記第2基板のグランド電極と電気的に接続するグラン
ド端子を形成することを特徴とする請求項11に記載の
弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記第1接続端子と前記第2接続端子
及び前記グランド端子と前記グランド電極を接合すると
きには、同一の導電性の封止材を用いて接合されること
を特徴とする請求項11又は請求項12のいずれかに記
載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項14】 前記封止材として、金属ロウ材もしく
は導電性接着剤を用いることを特徴とする請求項11か
ら請求項13のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項15】 前記グランド端子を形成するときに
は、前記中空部を囲うように略枠状に形成することを特
徴とする請求項13又は請求項14のいずれかに記載の
弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項16】 前記グランド端子を形成するときに
は、前記第2基板の外周側を接触する部位に形成するこ
とを特徴とする請求項12から請求項15のいずれかに
記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項17】 前記第2基板に前記電子部品を実装す
るときには、前記電子基板をポッティング材により封止
することを特徴とする請求項11から請求項16のいず
れかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項18】 前記ポッティング材の表面には、導体
膜を形成することを特徴とする請求項17に記載の弾性
表面波装置の製造方法。 - 【請求項19】 前記弾性表面波素子は、前記中空部形
成された素子電極と電気的に接続されていて、前記素子
電極は、前記第1基板の外面側に形成された外部端子と
電気的に接続されていることを特徴とする請求項11か
ら請求項18のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項20】 前記弾性表面波素子及び/又は前記電
子部品のそれぞれ前記第1基板と前記第2基板への実装
は、フリップチップボンディングにより行われることを
特徴とする請求項11から請求項19のいずれかに記載
の弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001088426A JP2002290201A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001088426A JP2002290201A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002290201A true JP2002290201A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18943523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001088426A Withdrawn JP2002290201A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002290201A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02186662A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子パッケージ |
JPH05152881A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子モジユールの製造方法 |
JPH0955636A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の周波数調整方法およびその装置 |
JPH09232351A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Fujitsu Ltd | 電子素子用パッケージ |
JPH11122072A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH11355047A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000114874A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Seiko Epson Corp | Saw発振器 |
JP2000151283A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Kyocera Corp | 表面実装型水晶発振器 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001088426A patent/JP2002290201A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02186662A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子パッケージ |
JPH05152881A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子モジユールの製造方法 |
JPH0955636A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の周波数調整方法およびその装置 |
JPH09232351A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Fujitsu Ltd | 電子素子用パッケージ |
JPH11122072A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH11355047A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
JP2000151283A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Kyocera Corp | 表面実装型水晶発振器 |
JP2000114874A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Seiko Epson Corp | Saw発振器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3444420B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
US7042056B2 (en) | Chip-size package piezoelectric component | |
US6643920B2 (en) | Electronic component such as a saw device and method for producing the same | |
JPH04293310A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPH07111438A (ja) | 弾性表面波装置、及びその製造方法 | |
US20070018539A1 (en) | Piezoelectric device | |
JP2002334954A (ja) | 電子装置およびその製造方法ならびに電子部品保護用キャップおよびその製造方法 | |
JP2000138533A (ja) | 水晶発振器 | |
JP2008205761A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2003283289A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2002290201A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2002299982A (ja) | 水晶発振器の製造方法 | |
US8093101B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
JP3915421B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2002290184A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2002050710A (ja) | 電子部品装置 | |
JP2007180701A (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
JP2002198453A (ja) | 電子部品収納用パッケージ及び電子部品装置 | |
JP2004047897A (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
JP2001284373A (ja) | 電子部品 | |
JPH07193160A (ja) | チップキャリア | |
JP2010212379A (ja) | 電子部品モジュール及びその製造方法 | |
JP2003051719A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
JP2007180885A (ja) | 圧電デバイス | |
JP2006054314A (ja) | 電子部品用パッケージ及び当該電子部品用パッケージを用いた圧電振動デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051220 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060210 |