JP2002290184A

JP2002290184A - 弾性表面波装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002290184A
Application number: JP2001093915A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Takayama; 勝己高山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-03-28
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】【課題】製造過程における周波数調整により集積回路
の性能を損なうことなく、信頼性を向上させることがで
きる弾性表面波装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】弾性表面波素子１６と、前記弾性表面波
素子の駆動制御を行う集積回路とを同一の空間に配置し
て同一のパッケージに収容した弾性表面波装置であっ
て、前記集積回路１５が、その保護膜の上にポリイミド
膜１６ｂを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子
と、この弾性表面波素子の駆動制御を行う集積回路をパ
ッケージに収容した弾性表面波装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子
部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等とし
て弾性表面波装置（以下「ＳＡＷ（ＳｕｒｆａｃｅＡ
ｃｕｓｔｉｃＷａｖｅ）デバイス」という）が使用さ
れている。ＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ素子をパッケージ
ングした構造を有しており、ＳＡＷ素子は、たとえば図
７に示すような構造を有している。図７は、従来のＳＡ
Ｗデバイスの一例を示す構成図であり、図７を参照して
ＳＡＷデバイス１について説明する。

【０００３】図において、ＳＡＷデバイス１は、中空の
パッケージ２の底面部上に配置されるＳＡＷ素子６を有
している。ＳＡＷ素子６は、水晶基板等の圧電基板６ａ
上にすだれ状電極（ＩＤＴ：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ
Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）７と、ＩＤＴ７の両側方にそ
れぞれ配置された同じ構成でなる２つの反射器８，８を
有している。そして、ＩＤＴ７に駆動電圧が入力される
と、弾性表面波が励振され、共振による特定の周波数の
電気信号が出力され、もしくはフィルタリング機能によ
る特定の周波数帯域の電気信号が出力される。また、Ｓ
ＡＷデバイス１には、中空パッケージ２の底面部上にＳ
ＡＷ素子６と同様に、このＳＡＷ素子６の駆動制御に関
連する電子部品が実装されている。この電子部品として
は、例えば、図７に示されているように、必要とされる
トランジスタ９ａやコンデンサ９ｂを中空パッケージ２
の底面部に実装していた。そして、ＳＡＷ素子６はウエ
ハ状態で複数個が同時に作成されるため、個々のＳＡＷ
素子には周波数のばらつきがあり、実装後に周波数の調
整が必要となる。

【０００４】このようなＳＡＷデバイス１は、上述した
電子部品を実装した後で、中空パッケージ２の開口部２
ｂからたとえばプラズマ等がＳＡＷ素子６に照射され、
ＳＡＷ素子６の圧電基板もしくは圧電基板に形成された
電極をエッチングすることにより、周波数の調整を行
う。この周波数調整は、ＳＡＷ素子６を実装した電子部
品を介して駆動しながら行い、ＳＡＷ素子６が所望の周
波数特性を備えるようにされる。

【０００５】ところで、このような構成のＳＡＷデバイ
ス１では、ＳＡＷ素子６と関連して複数の電子部品を実
装していることから、実装工程の煩雑さを回避したり、
ＳＡＷデバイス１の小型化をはかるために、これら電子
部品をまとめた機能を備える集積回路を用いるようにな
ってきている。

【０００６】図８を参照して集積回路を備えたＳＡＷデ
バイス１の製造方法について説明する。図８（Ａ）に示
すように、中空パッケージ２における中空部２ａの底面
部に、所定のパターンで配線４が形成されている。最初
に、図８（Ｂ）に示すように、集積回路５が底面部に実
装され、たとえばワイヤボンディング等により配線４と
電気的に接続される。次に、図８（Ｃ）に示すように、
ＳＡＷ素子６が底面部に実装され、たとえばワイヤボン
ディング等により配線４と電気的に接続される。このＳ
ＡＷ素子６は、図７で説明したＳＡＷ素子６と同じ構成
である。

【０００７】その後、図８（Ｄ）に示すように、ＳＡＷ
素子６の周波数調整が行われる。具体的には、ＳＡＷ素
子６が、中空パッケージ２の開口部２ｂからたとえばプ
ラズマ等がＳＡＷ素子６に照射され、ＳＡＷ素子６の圧
電基板もしくは圧電基板に形成された電極がエッチング
される。この周波数調整は、ＳＡＷ素子６を集積回路５
により駆動しながら行い、所望のＳＡＷ素子６の周波数
が得られるようになる。次に、図８（Ｅ）に示すよう
に、中空パッケージ２の開口部の上に蓋体３が配置さ
れ、封止材により基板と蓋体３が接合される。これによ
り、中空部２ａ内が気密封止され、ＳＡＷデバイスが完
成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な製造工程によると、図８（Ｄ）における周波数調整工
程において、例えば、ＣＦ₄ガスを用いたプラズマがＳ
ＡＷ素子６に照射される。ここで、ＣＦ₄ガスを用いる
のは、ＳＡＷ素子６の電極を構成するアルミニウムはエ
ッチングされずに、ＳＡＷ素子６を構成する水晶だけを
選択的にエッチングして、ＳＡＷデバイスの周波数を下
げる方向への調整を行うことができるためである。この
とき、中空パッケージ２にはＳＡＷ素子６ばかりでな
く、集積回路５も実装された状態で行われており、集積
回路５が、ＣＦ₄プラズマにさらされると、次のような
問題が生じる。

【０００９】一般に集積回路５はその表面である能動面
に窒化シリコンや酸化シリコンでなる保護膜，すなわち
パッシベーション膜が設けられており、耐湿性等が付与
されることにより、集積回路５が保護されている。しか
しながら、この保護膜である例えばＳｉＯ₂膜にＣＦ₄
が作用すると、化学反応によりＳｉＯ₂膜が浸食されて
しまう。このため、集積回路５の耐湿性等が損なわれ
て、動作不良等の不具合を発生することがあるという問
題がある。そして、保護膜が浸食されると集積回路の電
極が露出し、電極上に付着したＣＦ₄プラズマによる残
留フッ素が大気中の水分と反応してフッ酸となり、集積
回路の電極を破損し、不具合を生じることもある。

【００１０】そこで本発明は上記課題を解決し、製造過
程における周波数調整により集積回路の性能を損なうこ
となく、信頼性を向上させることができる弾性表面波装
置及びその製造方法を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明によれば、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
の駆動制御を行う集積回路とを同一の空間に露出するよ
うに配置して同一のパッケージに収容した弾性表面波装
置であって、前記集積回路が、その保護膜の上にポリイ
ミド膜を備えている弾性表面波装置により、達成され
る。請求項１の構成によれば、弾性表面波装置の集積回
路が、保護膜の上にポリイミド膜を備えている。このた
め、周波数調整時に、例えば、ＣＦ₄プラズマが照射さ
れても、ポリイミド膜が耐性膜となってエッチングされ
ず、したがって、その下の保護膜が損傷することがな
い。このため、保護膜の損傷に起因する集積回路の損傷
を有効に防止することができる。

【００１２】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記保護膜が窒化シリコンまたは酸化シリコンによ
り形成されていることを特徴とする。請求項２の構成に
よれば、周波数調整時にポリイミド膜がプラズマを遮蔽
するので、保護膜はその本来の機能を発揮して、耐水性
等の種々の効果が損なわれることがない。

【００１３】上記目的は、請求項３の発明にあっては、
パッケージの同一の空間に弾性表面波素子とこの弾性表
面波素子の駆動制御を行う集積回路を実装した後、プラ
ズマを照射することで周波数調整を行うようにした弾性
表面波装置の製造方法であって、前記集積回路が、前記
周波数調整が行われる前に、集積回路の保護膜上にポリ
イミド膜を設ける、弾性表面波装置の製造方法により、
達成される。請求項３の構成によれば、集積回路には、
プラズマ照射による周波数調整よりも前に、予め、保護
膜の上にポリイミド膜を形成するようにしている。この
ため、周波数調整時に例えば、ＣＦ₄プラズマが照射さ
れても、ポリイミド膜が耐性膜となってエッチングされ
ず、したがって、その下の保護膜が損傷することがな
い。このため、保護膜の損傷に起因する集積回路の損傷
を有効に防止することができる。

【００１４】請求項４の発明は、請求項３の構成におい
て、前記保護膜として窒化シリコンまたは酸化シリコン
膜が形成されることを特徴とする。

【００１５】請求項５の発明は、請求項３または４の構
成において、前記周波数調整が、ＣＦ₄ガスを利用した
プラズマを照射することにより行われることを特徴とす
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明
のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態を示す概略平面
図である。図において、ＳＡＷデバイス１０は、中空の
パッケージ１２の底面部上に配置されるＳＡＷ素子１６
を有している。

【００１７】中空パッケージ１２は、セラミック板を積
層することにより、形成されている。すなわち、中空パ
ッケージ１２は、例えば、図８で示したような形状で、
内側に中空部を有し、外周に沿って垂直に起立した枠状
の壁部１２ｃが形成された箱状でなるパッケージを形成
している。製造工程において、図４で示す蓋体２３もし
くはキャップを装着しない状態では、中空部１２ａの内
側底面部１２ａが露出している。この実施形態では、こ
の中空部１２ａがＳＡＷ素子１６と集積回路１５とが共
通に露出する同一の空間を構成している。

【００１８】この底面部１２ａに形成されているＳＡＷ
素子１６は、圧電基板としての水晶１４の上に、すだれ
状電極であるＩＤＴ１７と、このＩＤＴ１７の両側方に
それぞれ配置された同じ構成でなる２つの反射器１８，
１８を有している。具体的には、ＳＡＷ素子１６は、水
晶に限らず、例えば、水晶，リチウムタンタレート（Ｌ
ｉＴａＯ₃），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ₃）
等の他の圧電材料から形成してもよく、この実施形態で
は、水晶基板１４上に形成されている。

【００１９】すなわち、先ず、例えばウエハ状の水晶基
板１４の表面を純水により洗浄した後で、全面にアルミ
ニウムまたはアルミニウム合金等の導通金属からなる電
極膜を蒸着法またはスパッタリング等により形成する。
この電極膜を形成後に、すだれ状電極であるＩＤＴ１７
と、このＩＤＴ１７の両側方にそれぞれ配置された反射
器１８，１８のパターンに対応したフォトレジストを配
置する。そして、例えば、リン酸を用いたウエットエッ
チングや、あるいは、塩素ガス等を用いた、反応性イオ
ンエッチングにより、電極膜をエッチングして、すだれ
状電極であるＩＤＴ１７と、このＩＤＴ１７の両側方に
それぞれ配置された反射器１８，１８の電極パターンを
形成する。次いで、個々のチップサイズに切りわけて、
ＳＡＷ素子１６を形成する。ここで、そして、ＳＡＷ素
子１６はウエハ状態で複数個が同時に作成されるため、
個々のＳＡＷ素子には周波数のばらつきがあり、実装後
に、後述するような周波数の調整が必要となる。

【００２０】一方、中空パッケージ１２の底面部には、
図１で示されているように、導通金属でなる所定の導電
パターン１３が形成されている。この導電パターン１３
は、パッケージである中空パッケージ１２に搭載される
各部品を電気的に接続するために必要なパターンであ
り、例えば、セラミック板材上に導電ペーストが印刷さ
れ、焼成されることにより形成されている。そして、図
１に示されているように、上記ＳＡＷ素子１６は、この
中空パッケージ１２の底面部に、接着剤等により固定さ
れており、ＩＤＴ１７の入出力端子１７ｂ，１７ｂがＡ
ｕワイヤーもしくはＡｌワイヤー等のボンディング線に
より、導電パターン１３とワイヤボンディングされて電
気的な接続がされている。

【００２１】また、この導電パターン１３の所定のラン
ド上に、集積回路（ＩＣ）１５が、実装されている。こ
の集積回路１５の各端子は、図示されているように、導
電パターン１３の各端子に対して、ワイヤボンディング
されている。

【００２２】ここで、上記集積回路１５は、次のように
構成されている。図２は、集積回路１５の概略縦断面図
である。集積回路１５は必要な回路素子を形成して、例
えば、図示のようなブロック状に形成されており、その
上面１５ａに保護膜としてのパッシベーション膜１６ａ
が形成されている。

【００２３】この集積回路１５のパッシベーション膜１
６ａは窒化シリコンまたは酸化シリコン膜が好適であ
り、さらに、このパッシベーション膜１６ａの上に、図
３に示すように、ポリイミドによる被膜１６ｂが形成さ
れている。ここで、パッシベーション膜１６ａは、例え
ば、ＳｉＯ₂により形成されているために、耐湿性を発
揮し、集積回路１５を湿気から保護することができる
が、後述するように、周波数調整工程で、パッシベーシ
ョン膜であるＳｉＯ₂膜１６ａにフッ素系のガスが作用
すると、化学反応によりＳｉＯ₂膜が浸食されてしま
う。このような事態を回避するため、本実施形態では、
パッシベーション膜１６ａの上に、フッ素系のガスによ
るガスプラズマにより浸食されにくい膜として、ポリイ
ミド膜１６ｂが予め形成されている。

【００２４】本実施形態によるＳＡＷデバイス１０は以
上のように構成されており、次にその製造工程の要部に
ついて説明する。図４（Ａ）に示すように、中空パッケ
ージ１２の底面部に、所定のパターンで配線ないし導電
パターン１３が形成されている。最初に、図４（Ｂ）に
示すように、上述した集積回路１５が底面図に実装さ
れ、たとえばワイヤボンディング等により導電パターン
１３と電気的に接続される。次に、図４（Ｃ）に示すよ
うに、ＳＡＷ素子１６が底面図に実装され、たとえばワ
イヤボンディング等により導電パターン１３と電気的に
接続される。

【００２５】その後、図４（Ｄ）に示すように、ＳＡＷ
素子１６の周波数調整が行われる。具体的には、ＳＡＷ
素子１６が、中空パッケージ１２の開口部１２ｂからた
とえばプラズマ等がＳＡＷ素子１６に照射され、水晶露
出部が選択的にエッチングされる（図１参照）。この周
波数調整は、後述するように、ＳＡＷ素子１６を集積回
路１５により駆動しながら行い、所望のＳＡＷ素子１６
の周波数特性が得られるようになる。次に、図４（Ｅ）
に示すように、中空パッケージ１２の開口部１２ｂの上
に蓋体２３が配置され、封止材により中空パッケージ１
２と蓋体２３が接合される。これにより、中空部１２ａ
が気密封止され、ＳＡＷデバイス１０が完成する。

【００２６】ここで、図４（Ｄ）に示すようなプラズマ
照射による周波数調整は、図５と図６に示すような周波
数調整装置２００により行われる。図５の周波数調整装
置２００の真空チャンバー２０１には、メカニカルブー
スターポンプ２０２を介してロータリポンプ２０３が接
続されていて、たとえば０．０３Ｐａ〜０．０６Ｐａ程
度の真空度に真空排出されるようになっている。真空チ
ャンバー２０１内には搬送手段２３０が設けられてお
り、搬送手段２３０は矢印Ａの方向に沿って、蓋体２３
による封止前のＳＡＷデバイス１０を１つずつ搬送する
ようになっている。また、例えば、搬送手段２３０は、
ＳＡＷデバイス１０を搭載し、もしくは取り除くため、
双方向にＳＡＷデバイス１０を搬送するようになってい
る。

【００２７】周波数調整源２４０は、たとえばその先端
部が真空チャンバー２０１内に収容されている。真空チ
ャンバー２０１はバルブ２２４を介してガスボンベ２２
５と接続されていて、ガスボンベ２２５にはフッ素系ガ
ス例えば、ＣＦ₄ガスが収容されている。ここで、この
周波数調整で用いられるフッ素系ガスは、上記したＣＦ
₄の他、例えば、ＣＨＦ₃，Ｆ₂，ＮＦ₃ＣＣｌＦ₃，
Ｃ₂Ｆ₆，ＣＢｒＦ₃，ＣＨ₂Ｆ₂，ＣＨＣｌＦ₂，Ｃ
₃Ｆ₈，ＣＣｌ₂Ｆ₂，Ｃ₄Ｆ₈，ＣＨＣｌ₂Ｆ₂，Ｃ
₄Ｆ₈ＣＨＣｌ₂Ｆ，ＣＢｒ₂Ｆ₂，ＣＣｌ₃Ｆのうち
の少なくとも１種を含むものが使用される。

【００２８】そして、真空チャンバー２０１内のＣＦ₄
ガスとガスボンベ２４３から送られるアルゴンガスの混
合ガスをプラズマ放電によりイオン化する。そして、周
波数調整源２４０は、このイオン化された粒子をＳＡＷ
素子１６に照射することで主に水晶基板１４をエッチン
グし、周波数の調整を行う。ここで、ＳＡＷ素子１６
は、ＩＤＴ１７を構成する電極膜の膜厚を薄くすると周
波数が上がり、水晶基板１４をエッチングすると周波数
が下がることが知られている。

【００２９】周波数調整源２４０と搬送手段２３０の間
にはシャッター２５２が配置されており、シャッター２
５２はシャッター駆動機構２５１により開閉可能に設け
られている。シャッター２５２の動作制御は、外部演算
装置２６０によってシャッター駆動機構２５１を制御す
ることにより行われる。フィクスチャー２６２は、搬送
手段２３０の下側であって矢印Ｚ方向に移動可能に配置
されている。このフィクスチャー２６２は、ＳＡＷデバ
イス１０に形成された外部端子（図示せず）に接触可能
な針２６２ａを有している。そして、フィクスチャー２
６２が矢印Ｚ１方向に移動することによって、針２６２
ａが外部端子と接触可能になる。

【００３０】フィクスチャー２６２には、ＳＡＷデバイ
ス１０に駆動電圧を供給するとともに発振出力を検出す
る周波数カウンタ２６１が接続されている。駆動電源が
周波数カウンタ２６１から針２６２ａを介してＳＡＷ素
子１６に供給されると、共振現象により所定の周波数の
電気出力がフィクスチャー２６２を介して周波数カウン
タ２６１に送られる。周波数カウンタ２６１には外部演
算装置２６０が接続されている。外部演算装置２６０は
予め調整目標の周波数データを有しており、周波数カウ
ンタ２６１から送られる検出周波数と比較する機能を有
している。また、外部演算装置２６０は、比較された結
果に基づいて、搬送手段２３０、シャッター２５２等の
動作を制御する機能を有している。

【００３１】次に、図５と図６を参照して周波数調整方
法の一例について説明する。まず、図５のメカニカルブ
ースターポンプ２０２及びロータリーポンプ２０３が作
動することにより、真空チャンバー２０１内が真空引き
される。その後、バルブ２２４が開かれ、真空チャンバ
ー２０１内にＣＦ₄ガスが供給される。一方、搬送手段
２３０には複数のＳＡＷ素子１６が配置されており、周
波数調整をすべきＳＡＷデバイス１０が周波数調整源２
４０の下側に位置決めされる。そして、外部演算部２６
０及びシャッター駆動機構２５１を介してシャッター２
５２が開かれる。この状態で、周波数調整源２４０が交
流電源２４１により作動すると、ＣＦ₄ガスがプラズマ
放電によりイオン化され、イオン化されたＣＦ₄ガスが
ＳＡＷ素子１６に照射される。すると、主として水晶基
板が所定の速度でエッチングされる。

【００３２】周波数調整源２４０によるエッチングが行
われているとき、針２６２ａからＳＡＷデバイス１０に
駆動電源が供給される。そして、ＳＡＷ素子１６からの
電気出力が周波数カウンタ２６１を介して外部演算装置
２６０に送られる。外部演算装置２６０において、送ら
れたＳＡＷデバイス１０の周波数と設定周波数が比較さ
れ、ＳＡＷデバイス１０が所望の周波数になるまで、周
波数調整源２４０によるプラズマエッチングが行われ
る。その後、ＳＡＷデバイス１０が所定の周波数になる
と、シャッター２５２が閉じて周波数調整が終了する。
そして、搬送手段２３０が作動して、次のＳＡＷデバイ
ス１０の周波数調整が行われる。

【００３３】この周波数調整を行う工程において、中空
パッケージ１２の底面部には、上述したように、ＳＡＷ
素子１６とともに、集積回路１５が実装されている。こ
のため、ＳＡＷ素子１６に対してだけでなく、集積回路
１５にもプラズマが照射される。しかしながら、本実施
形態の集積回路１５は、図３で説明したように、パッシ
ベーション膜１６ａの上にポリイミド膜１６ｂを備えて
いる。したがって、上述のように、ＣＦ₄プラズマが照
射されても、ポリイミド膜１６ｂが耐性膜として作用し
てエッチングされず、したがって、その下の保護膜１６
ａが損傷することがない。このため、保護膜１６ａの損
傷に起因する集積回路１５の損傷を有効に防止すること
ができる。この結果、周波数調整工程で、集積回路１５
が損傷することに起因する製品の特性悪化を回避するこ
とができ、製品の信頼性を著しく向上させることができ
る。

【００３４】本発明の実施の形態は、上記実施の形態に
限定されない。本発明に使用される集積回路の形態は図
示のものに限られない。あらゆる形態の集積回路におい
て、プラズマが照射される領域にポリイミド膜が形成さ
れている全てのものを使用したＳＡＷデバイスに本発明
を適用することができる。また、上述の実施形態の各構
成は、必要によりその一部を省略したり、他の構成に置
き換えることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造過程における周波数調整により集積回路の性能を損
なうことなく、信頼性を向上させることができる弾性表
面波装置及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の弾性表面波装置の好ましい実施の形態
を示す概略平面図。

【図２】図１の弾性表面波装置の集積回路の概略断面
図。

【図３】図１の弾性表面波装置の集積回路の概略断面
図。

【図４】図１の弾性表面波装置の製造工程を示す概略工
程図。

【図５】図１の弾性表面波装置の周波数調整を行うため
の周波数調整装置の一例を示す概略構成図。

【図６】図５の周波数調整装置の構成を示す概略斜視
図。

【図７】従来の弾性表面波装置の一例を示す構成図。

【図８】従来の弾性表面波装置の製造工程を示す概略工
程図。

【符号の説明】

１０・・・ＳＡＷデバイス（弾性表面波装置）１２・・・基板１３・・・導電パターン１４・・・水晶基板１５・・・集積回路１６・・・ＳＡＷ素子（弾性表面波装置）１７・・・ＩＤＴ１８・・・反射器１６ａ・・・パッシベーション膜１６ｂ・・・ポリイミド膜２３・・・・蓋体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
の駆動制御を行う集積回路とを同一の空間に露出するよ
うに配置して同一のパッケージに収容した弾性表面波装
置であって、前記集積回路が、その保護膜の上にポリイミド膜を備え
ていることを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項２】前記保護膜が窒化シリコンまたは酸化シ
リコンにより形成されていることを特徴とする、請求項
１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】パッケージの同一の空間に弾性表面波素
子とこの弾性表面波素子の駆動制御を行う集積回路を実
装した後、プラズマを照射することで周波数調整を行う
ようにした弾性表面波装置の製造方法であって、前記集積回路が、前記周波数調整が行われる前に、集積
回路の保護膜上にポリイミド膜を設けることを特徴とす
る、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】前記保護膜として窒化シリコンまたは酸
化シリコン膜が形成されることを特徴とする、請求項３
に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】前記周波数調整が、ＣＦ₄ガスを利用し
たプラズマを照射することにより行われることを特徴と
する、請求項３または４のいずれかに記載の弾性表面波
装置の製造方法。