JPH04323854A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04323854A JPH04323854A JP9222091A JP9222091A JPH04323854A JP H04323854 A JPH04323854 A JP H04323854A JP 9222091 A JP9222091 A JP 9222091A JP 9222091 A JP9222091 A JP 9222091A JP H04323854 A JPH04323854 A JP H04323854A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性に優れ、かつ樹
脂の内部応力を緩和できる半導体装置に関する。
脂の内部応力を緩和できる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は機械的なストレスや
水分あるいはＮａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）等の
有害物質から守るために保護膜を設けている。その保護
膜の構造としては有機系樹脂膜／無機系被膜の多層構造
が高い信頼性を有するために現在の主流となっている。 ここで、無機系被膜としては、プラズマＣＶＤ法あるい
は、常圧ＣＶＤ法で生成されたＳｉ３ Ｎ４ 系被膜あ
るいはＳｉＯ２ 系被膜が通常用いられている。また有
機系被膜としては主にポリイミド系被膜がスピンコート
あるいはボンディングにより形成され、用いられている
。
水分あるいはＮａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）等の
有害物質から守るために保護膜を設けている。その保護
膜の構造としては有機系樹脂膜／無機系被膜の多層構造
が高い信頼性を有するために現在の主流となっている。 ここで、無機系被膜としては、プラズマＣＶＤ法あるい
は、常圧ＣＶＤ法で生成されたＳｉ３ Ｎ４ 系被膜あ
るいはＳｉＯ２ 系被膜が通常用いられている。また有
機系被膜としては主にポリイミド系被膜がスピンコート
あるいはボンディングにより形成され、用いられている
。
【０００３】図２を用いて従来の半導体装置の断面構造
を説明する。
を説明する。
【０００４】半導体基板１１上に形成されるアルミ配線
１２に対して全面に形成される第１の保護膜である無機
系Ｓｉ３ Ｎ４ 被膜１３、さらにこの第１の保護膜１
３の上に形成される第２の保護膜として有機系ポリイミ
ド膜１４を有している。
１２に対して全面に形成される第１の保護膜である無機
系Ｓｉ３ Ｎ４ 被膜１３、さらにこの第１の保護膜１
３の上に形成される第２の保護膜として有機系ポリイミ
ド膜１４を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた半導体装置には以下の様な問題点があった。
べた半導体装置には以下の様な問題点があった。
【０００６】■ 信頼性試験等高温多湿な条件下で、
有機系ポリイミド樹脂膜は吸湿を行ない、無機系Ｓｉ３
Ｎ４ 膜との界面での密着力が低下する。
有機系ポリイミド樹脂膜は吸湿を行ない、無機系Ｓｉ３
Ｎ４ 膜との界面での密着力が低下する。
【０００７】■ 有機系ポリイミド樹脂膜と無機系Ｓ
ｉ３ Ｎ４ 膜の界面で水分が溜まり、この水分がパッ
ド部に及び腐食を起こす。さらに、配線間の段差部Ｓｉ
３ Ｎ４ 膜界面では、ポリイミドキュア時の収縮が大
きい為、水分により剥離が発生し、ここに水分が溜まり
配線間の誘電率が上がりデバイスの特性劣化につながる
。
ｉ３ Ｎ４ 膜の界面で水分が溜まり、この水分がパッ
ド部に及び腐食を起こす。さらに、配線間の段差部Ｓｉ
３ Ｎ４ 膜界面では、ポリイミドキュア時の収縮が大
きい為、水分により剥離が発生し、ここに水分が溜まり
配線間の誘電率が上がりデバイスの特性劣化につながる
。
【０００８】■ 機械的ストレスに対して、バッファ
効果が不十分である。又、水分や各種の汚染物に対する
パッシベーション効果が不十分である。
効果が不十分である。又、水分や各種の汚染物に対する
パッシベーション効果が不十分である。
【０００９】本発明は、上述の問題点について鑑み成さ
れたものであり、耐湿性，耐熱性，内部応力の緩和に優
れた保護膜を有する半導体装置を提供することを目的と
する。
れたものであり、耐湿性，耐熱性，内部応力の緩和に優
れた保護膜を有する半導体装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップ表面保護膜として半導体基板の主表面の上
部に形成される無機絶縁膜と、この上に形成される有機
系樹脂膜と、この上に形成されるポリイミド樹脂膜とか
ら成る。
半導体チップ表面保護膜として半導体基板の主表面の上
部に形成される無機絶縁膜と、この上に形成される有機
系樹脂膜と、この上に形成されるポリイミド樹脂膜とか
ら成る。
【００１１】
【作用】本発明の半導体装置は、無機絶縁膜上に有機系
樹脂膜を設けるようにしたので、モールドストレス等、
封止樹脂の内部応力を吸収する。
樹脂膜を設けるようにしたので、モールドストレス等、
封止樹脂の内部応力を吸収する。
【００１２】さらに、有機系樹脂膜の上にポリイミド樹
脂膜を設けるようにしたので、耐熱性及び耐湿性を向上
する。
脂膜を設けるようにしたので、耐熱性及び耐湿性を向上
する。
【００１３】
【実施例】本発明の半導体装置の第１の実施例を図１を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１４】先ず、半導体基板１上にアルミ配線パター
ン２を形成する。
ン２を形成する。
【００１５】次に、無機絶縁膜として例えばＳｉ３ Ｎ
４ 膜３をプラズマＣＶＤ法、もしくは常圧ＣＶＤ法に
て０．８μｍ程度形成する。
４ 膜３をプラズマＣＶＤ法、もしくは常圧ＣＶＤ法に
て０．８μｍ程度形成する。
【００１６】次に、モールドストレス等の吸収効果に優
れた有機系樹脂膜として例えば有機系シリコン樹脂膜４
をスピンコート法により、２〜３μｍ程度の厚さで形成
する。
れた有機系樹脂膜として例えば有機系シリコン樹脂膜４
をスピンコート法により、２〜３μｍ程度の厚さで形成
する。
【００１７】さらに、耐熱性に優れたポリイミド樹脂膜
５をスピンコート法により５〜１０μｍの厚さで形成す
る。
５をスピンコート法により５〜１０μｍの厚さで形成す
る。
【００１８】これにより、ポリイミド樹脂膜５が吸湿を
行ったとしても有機系シリコン樹脂膜４とＳｉ３ Ｎ４
膜３の密着性が強靱であるため、有機系シリコン樹脂
膜４との界面で水分が抑制され、デバイスに影響するこ
とはない。さらに、弾性効果に富んでいる有機系シリコ
ン樹脂膜４はポリイミド樹脂膜５の下部に設けられてい
るため、機械的ストレスを緩和する。
行ったとしても有機系シリコン樹脂膜４とＳｉ３ Ｎ４
膜３の密着性が強靱であるため、有機系シリコン樹脂
膜４との界面で水分が抑制され、デバイスに影響するこ
とはない。さらに、弾性効果に富んでいる有機系シリコ
ン樹脂膜４はポリイミド樹脂膜５の下部に設けられてい
るため、機械的ストレスを緩和する。
【００１９】次に、本発明の半導体装置の第２の実施例
を図３を用いて説明する。
を図３を用いて説明する。
【００２０】先ず、半導体基板２１上にアルミ配線パタ
ーン２２を形成する。
ーン２２を形成する。
【００２１】次に、アルミ配線パターン２２上にプラズ
マＣＶＤ法もしくは常圧ＣＶＤ法によって無機絶縁膜と
して例えばＳｉ３ Ｎ４ 膜２３を形成する。
マＣＶＤ法もしくは常圧ＣＶＤ法によって無機絶縁膜と
して例えばＳｉ３ Ｎ４ 膜２３を形成する。
【００２２】次に、ストレス緩和に富んだ第１の有機系
樹脂膜として例えば有機系シリコン樹脂膜２４をスピン
コート法により３〜４μｍ程度の厚さになる様に条件を
設定し、３００〜４００℃で１時間のキュアを行う。
樹脂膜として例えば有機系シリコン樹脂膜２４をスピン
コート法により３〜４μｍ程度の厚さになる様に条件を
設定し、３００〜４００℃で１時間のキュアを行う。
【００２３】次にポリイミド樹脂膜２５をスピンコート
法により４〜５μｍ程度の厚さになる様に条件を設定し
、３００〜４００℃で１時間のキュアにより耐熱性に優
れた膜を得る。
法により４〜５μｍ程度の厚さになる様に条件を設定し
、３００〜４００℃で１時間のキュアにより耐熱性に優
れた膜を得る。
【００２４】さらに、第２の有機系樹脂膜として、例え
ば有機系シリコン樹脂膜２６をスピンコート法により３
〜４μｍ程度になる様に条件を設定し、３００〜４００
℃で１時間のキュアにより形成する。これにより、機械
的なストレスを緩和する効果が大きく、パッシベーショ
ンクラック等の問題を回避できる。
ば有機系シリコン樹脂膜２６をスピンコート法により３
〜４μｍ程度になる様に条件を設定し、３００〜４００
℃で１時間のキュアにより形成する。これにより、機械
的なストレスを緩和する効果が大きく、パッシベーショ
ンクラック等の問題を回避できる。
【００２５】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように本発明
の半導体装置は、無機絶縁膜上に有機系樹脂膜を、その
上にポリイミド樹脂膜を設けた構成としたので、耐湿性
及び耐熱性に優れ、かつ、樹脂の内部応力を緩和でき、
半導体装置の信頼性が向上する。
の半導体装置は、無機絶縁膜上に有機系樹脂膜を、その
上にポリイミド樹脂膜を設けた構成としたので、耐湿性
及び耐熱性に優れ、かつ、樹脂の内部応力を緩和でき、
半導体装置の信頼性が向上する。
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施例の説明に供
する図。
する図。
【図２】従来の半導体装置の説明に供する図。
【図３】本発明の半導体装置の第２の実施例の説明に供
する図。
する図。
１ 半導体基板。
２ アルミ配線パターン。
３ Ｓｉ３ Ｎ４ 膜。
４ 有機系シリコン樹脂膜。
５ ポリイミド樹脂膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ表面保護膜として、半導
体基板の主表面の上部に形成される無機絶縁膜と、前記
無機絶縁膜上に形成される有機系樹脂膜と、前記有機系
樹脂膜上に形成されるポリイミド樹脂膜とを有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222091A JPH04323854A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222091A JPH04323854A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323854A true JPH04323854A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14048368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222091A Pending JPH04323854A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323854A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646440A (en) * | 1994-10-03 | 1997-07-08 | Sony Corporation | Interlayer dielectric structure for semiconductor device |
| US6091132A (en) * | 1997-12-19 | 2000-07-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Passivation for integrated circuit sensors |
| JP2002290184A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2005217411A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Chartered Semiconductor Mfg Ltd | 集積回路を製造する方法および集積回路 |
| JP2016527701A (ja) * | 2013-04-12 | 2016-09-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | 無機及び有機の過渡電子デバイス |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP9222091A patent/JPH04323854A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646440A (en) * | 1994-10-03 | 1997-07-08 | Sony Corporation | Interlayer dielectric structure for semiconductor device |
| US6091132A (en) * | 1997-12-19 | 2000-07-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Passivation for integrated circuit sensors |
| JP2002290184A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2005217411A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Chartered Semiconductor Mfg Ltd | 集積回路を製造する方法および集積回路 |
| JP4703200B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2011-06-15 | チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド | 集積回路を製造する方法および集積回路 |
| JP2016527701A (ja) * | 2013-04-12 | 2016-09-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | 無機及び有機の過渡電子デバイス |
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