JP2773660B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にその表面がパッシベーション膜と呼ばれる表面保護膜
によって被覆された半導体装置に関するものである。
にその表面がパッシベーション膜と呼ばれる表面保護膜
によって被覆された半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、内部に半導体素子を形成
し、その上に半導体素子間を電気的に接続する配線を形
成し、その上をパッシベーション膜と呼ばれる表面保護
膜によって被覆することによって形成される。この表面
保護膜は、機械的外力から内部を保護するとともに水
分、イオンなどが侵入して素子を劣化させるのを防止す
るために設けられる膜である。この表面保護膜として、
従来よりポリイミド樹脂膜、二酸化珪素膜、窒化珪素膜
のうちの１種または複数種の膜を用いることが行われて
きた。また特にポリイミド樹脂膜についてはプロセス工
数低減のため、感光性の付与されたポリイミドを用いる
場合がある。
し、その上に半導体素子間を電気的に接続する配線を形
成し、その上をパッシベーション膜と呼ばれる表面保護
膜によって被覆することによって形成される。この表面
保護膜は、機械的外力から内部を保護するとともに水
分、イオンなどが侵入して素子を劣化させるのを防止す
るために設けられる膜である。この表面保護膜として、
従来よりポリイミド樹脂膜、二酸化珪素膜、窒化珪素膜
のうちの１種または複数種の膜を用いることが行われて
きた。また特にポリイミド樹脂膜についてはプロセス工
数低減のため、感光性の付与されたポリイミドを用いる
場合がある。
【０００３】図４（ａ）、（ｂ）は、ポリイミド樹脂膜
を表面保護膜として用いた従来の半導体装置の断面図で
ある。同図に示されるように、Ｓｉなどの半導体基板３
１内に半導体素子３２が設けられ、基板上は絶縁膜３３
により被覆されている。絶縁膜上には、コンタクトホー
ルを介して半導体領域と接触するベース電極３４、エミ
ッタ電極３５およびコレクタ電極３６並びに入出力パッ
ド３７が設けられている。この表面に保護膜としてのポ
リイミド樹脂膜３８が形成されている〔図３（ａ）〕。
を表面保護膜として用いた従来の半導体装置の断面図で
ある。同図に示されるように、Ｓｉなどの半導体基板３
１内に半導体素子３２が設けられ、基板上は絶縁膜３３
により被覆されている。絶縁膜上には、コンタクトホー
ルを介して半導体領域と接触するベース電極３４、エミ
ッタ電極３５およびコレクタ電極３６並びに入出力パッ
ド３７が設けられている。この表面に保護膜としてのポ
リイミド樹脂膜３８が形成されている〔図３（ａ）〕。
【０００４】而して、ポリイミド樹脂膜を表面保護膜と
して用いた半導体装置では、ポリイミドの耐湿性が高く
ないため、水分の侵入によるアルミ配線の腐食を引き起
こし信頼性の低下を招く。これを解決するために、図４
（ｂ）に示されるように、ポリイミド樹脂膜３８上に窒
化珪素膜３９を形成した表面保護膜を用いている例があ
る。なお、これらの従来例については、前者は例えば特
開平２−３０１７１号公報により、また後者は例えば特
開昭６２−２９３７２６号公報により公知となってい
る。
して用いた半導体装置では、ポリイミドの耐湿性が高く
ないため、水分の侵入によるアルミ配線の腐食を引き起
こし信頼性の低下を招く。これを解決するために、図４
（ｂ）に示されるように、ポリイミド樹脂膜３８上に窒
化珪素膜３９を形成した表面保護膜を用いている例があ
る。なお、これらの従来例については、前者は例えば特
開平２−３０１７１号公報により、また後者は例えば特
開昭６２−２９３７２６号公報により公知となってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したポリイミド樹
脂膜を表面保護膜として用いた半導体装置では、近年の
高集積化、多層配線化に起因して激化したチップ表面の
凹凸を吸収することができず表面の平坦性を得ることが
できないという問題点がある。このため、後工程におい
て加わる熱的、機械的ストレス、あるいは完成品におけ
る使用環境からのストレスにより表面の段差部からクラ
ック、ピンホールなどが発生し、外部から水分、不純物
などが侵入して不良発生を引き起こす。また、ポリイミ
ド樹脂膜は耐湿性に劣るためアルミ配線の腐食を招きや
すいという欠点もあった。
脂膜を表面保護膜として用いた半導体装置では、近年の
高集積化、多層配線化に起因して激化したチップ表面の
凹凸を吸収することができず表面の平坦性を得ることが
できないという問題点がある。このため、後工程におい
て加わる熱的、機械的ストレス、あるいは完成品におけ
る使用環境からのストレスにより表面の段差部からクラ
ック、ピンホールなどが発生し、外部から水分、不純物
などが侵入して不良発生を引き起こす。また、ポリイミ
ド樹脂膜は耐湿性に劣るためアルミ配線の腐食を招きや
すいという欠点もあった。
【０００６】ポリイミド樹脂膜の耐湿性の不足を改善す
る目的でポリイミド樹脂膜上に窒化珪素膜を形成した従
来例では、窒化珪素膜自体は耐湿性に優れているものの
ポリイミド膜上に形成した窒化珪素膜では密着性が劣る
ため、その膜界面より水分、不純物などが侵入しやす
く、信頼性の高い半導体装置を提供することは困難であ
った。
る目的でポリイミド樹脂膜上に窒化珪素膜を形成した従
来例では、窒化珪素膜自体は耐湿性に優れているものの
ポリイミド膜上に形成した窒化珪素膜では密着性が劣る
ため、その膜界面より水分、不純物などが侵入しやす
く、信頼性の高い半導体装置を提供することは困難であ
った。
【０００７】本発明は上記状況に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは、保護膜形成後の表面
の平坦性に優れさまざまなストレスに対してもこれを吸
収することができるほか、外部からの水分、不純物など
の侵入を防ぐことのできる半導体保護膜によって被覆さ
れた半導体装置を提供することにある。
あって、その目的とするところは、保護膜形成後の表面
の平坦性に優れさまざまなストレスに対してもこれを吸
収することができるほか、外部からの水分、不純物など
の侵入を防ぐことのできる半導体保護膜によって被覆さ
れた半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、内部に半導体素子が形成され、表
面が無機絶縁膜によって被覆されさらに配線が形成され
ている半導体基板上に、重量比で０．０１〜６０％のＳ
ｉパウダーを含有するベンゾシクロブテン樹脂からなる
表面保護膜を設けたことを特徴とする半導体装置、が提
供される。そして、より好ましくは、無機絶縁膜とベン
ゾシクロブテン樹脂膜との間にポリイミド樹脂膜が形成
される。
め、本発明によれば、内部に半導体素子が形成され、表
面が無機絶縁膜によって被覆されさらに配線が形成され
ている半導体基板上に、重量比で０．０１〜６０％のＳ
ｉパウダーを含有するベンゾシクロブテン樹脂からなる
表面保護膜を設けたことを特徴とする半導体装置、が提
供される。そして、より好ましくは、無機絶縁膜とベン
ゾシクロブテン樹脂膜との間にポリイミド樹脂膜が形成
される。
【０００９】
【作用】ベンゾシクロブテン樹脂自体軟質であるため、
後の工程で生じるストレスや製品完成後に加わるストレ
スをよく吸収して半導体装置の信頼性を確保することが
できる。また、後述するようにベンゾシクロブテン樹脂
は、表面平坦化能力に優れているため、凹凸があること
に起因するストレスを回避することもできる。また、ベ
ンゾシクロブテン樹脂は、ポリイミド樹脂に比較して吸
水率が１０分の１程度と低いため、この樹脂を表面保護
膜として使用した半導体装置では耐湿性が改善され、ア
ルミ配線の腐食耐性を向上させることができる。
後の工程で生じるストレスや製品完成後に加わるストレ
スをよく吸収して半導体装置の信頼性を確保することが
できる。また、後述するようにベンゾシクロブテン樹脂
は、表面平坦化能力に優れているため、凹凸があること
に起因するストレスを回避することもできる。また、ベ
ンゾシクロブテン樹脂は、ポリイミド樹脂に比較して吸
水率が１０分の１程度と低いため、この樹脂を表面保護
膜として使用した半導体装置では耐湿性が改善され、ア
ルミ配線の腐食耐性を向上させることができる。
【００１０】ポリイミド樹脂は脱水縮重合により形成さ
れるため、重合の過程において大きく膜減りを起こす。
そのため、ポリイミド樹脂による表面保護膜では半導体
装置が微細化・多層配線化することによって顕著となっ
た半導体基板表面の凹凸を平坦化することができない。
ベンゾシクロブテンモノマーの構造を図３（ａ）に示
す。これは、加熱により図３（ｂ）に示すようにシクロ
ブテン部が開環し、いわゆる開環重合反応によりポリマ
ーとなる。この開環重合反応では脱水縮重合の場合のよ
うに重合の過程において膜減りを起こすことはない。そ
のため、表面保護膜として用いた場合には基板表面の凹
凸を吸収してその表面を平坦化することができる。
れるため、重合の過程において大きく膜減りを起こす。
そのため、ポリイミド樹脂による表面保護膜では半導体
装置が微細化・多層配線化することによって顕著となっ
た半導体基板表面の凹凸を平坦化することができない。
ベンゾシクロブテンモノマーの構造を図３（ａ）に示
す。これは、加熱により図３（ｂ）に示すようにシクロ
ブテン部が開環し、いわゆる開環重合反応によりポリマ
ーとなる。この開環重合反応では脱水縮重合の場合のよ
うに重合の過程において膜減りを起こすことはない。そ
のため、表面保護膜として用いた場合には基板表面の凹
凸を吸収してその表面を平坦化することができる。
【００１１】本発明による半導体装置の表面保護膜に用
いられるベンゾシクロブテン樹脂には、０．０１〜６０
重量％のＳｉパウダーが混入される。これにより熱膨張
率をＳｉに近づけることができ、ベンゾシクロブテン樹
脂の低応力特性を損なうことなく機械的強度を増大させ
外部ストレスに対して優れた耐性を持たせることができ
るようになる。特に、近年、チップの大面積化によって
低応力保護膜を備えた半導体装置に対する要求が強くな
ってきているが、本発明によれば、この要求に応えた半
導体装置を提供することができる。
いられるベンゾシクロブテン樹脂には、０．０１〜６０
重量％のＳｉパウダーが混入される。これにより熱膨張
率をＳｉに近づけることができ、ベンゾシクロブテン樹
脂の低応力特性を損なうことなく機械的強度を増大させ
外部ストレスに対して優れた耐性を持たせることができ
るようになる。特に、近年、チップの大面積化によって
低応力保護膜を備えた半導体装置に対する要求が強くな
ってきているが、本発明によれば、この要求に応えた半
導体装置を提供することができる。
【００１２】Ｓｉパウダー含有率は９０重量％以下に留
めるのが好ましく、これを越えると脆性が増して保護膜
として好ましくなくなり、またＳｉパウダーと樹脂界面
からの水分や不純物の侵入を受けやすくなるからであ
る。また、０．０１％以上とすることが好ましいのは、
これ以下では機械的強度を向上させる目的を達成するこ
とができなくなるからである。
めるのが好ましく、これを越えると脆性が増して保護膜
として好ましくなくなり、またＳｉパウダーと樹脂界面
からの水分や不純物の侵入を受けやすくなるからであ
る。また、０．０１％以上とすることが好ましいのは、
これ以下では機械的強度を向上させる目的を達成するこ
とができなくなるからである。
【００１３】上述のＳｉパウダー含有ベンゾシクロブテ
ン樹脂をそのまま保護膜材料として半導体基板上に形成
することもできるが、無機絶縁膜に対する密着性がポリ
イミド樹脂に比較してやや劣るため、チップの大面積化
の傾向により近年高まってきた高密着性の要求には十分
に応えることができない。そこで、特に密着性の要求さ
れる用途については、配線の施された半導体基板上に先
ずポリイミド樹脂膜を形成しその上に本発明によるベン
ゾシクロブテン樹脂膜を形成することにより無機膜に対
する密着性に優れかつ耐水性の高い表面保護膜を形成す
ることができるようになる。
ン樹脂をそのまま保護膜材料として半導体基板上に形成
することもできるが、無機絶縁膜に対する密着性がポリ
イミド樹脂に比較してやや劣るため、チップの大面積化
の傾向により近年高まってきた高密着性の要求には十分
に応えることができない。そこで、特に密着性の要求さ
れる用途については、配線の施された半導体基板上に先
ずポリイミド樹脂膜を形成しその上に本発明によるベン
ゾシクロブテン樹脂膜を形成することにより無機膜に対
する密着性に優れかつ耐水性の高い表面保護膜を形成す
ることができるようになる。
【００１４】上述の用途に対しては、半導体基板との密
着性の優れた、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合基を含むポリイミド
を有利に採用することができる。このシロキサン残基含
有ポリイミドは吸水率が高いためこの樹脂を単独で表面
保護膜として用いることは好ましくない。しかし、本発
明によるベンゾシクロブテン樹脂をその上に形成するこ
とによりこの樹脂の弱点を十分にカバーすることができ
る。
着性の優れた、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合基を含むポリイミド
を有利に採用することができる。このシロキサン残基含
有ポリイミドは吸水率が高いためこの樹脂を単独で表面
保護膜として用いることは好ましくない。しかし、本発
明によるベンゾシクロブテン樹脂をその上に形成するこ
とによりこの樹脂の弱点を十分にカバーすることができ
る。
【００１５】ポリイミド樹脂膜上にベンゾシクロブテン
樹脂を形成する場合には、ベンゾシクロブテン樹脂の硬
化プロセスにおいてポリイミドとベンゾシクロブテンと
の一体化が図られるため、ポリイミド樹脂膜上に窒化珪
素膜を形成した場合のように密着性不良により膜界面か
ら水分、不純物等の侵入を招くことは回避することがで
きる。
樹脂を形成する場合には、ベンゾシクロブテン樹脂の硬
化プロセスにおいてポリイミドとベンゾシクロブテンと
の一体化が図られるため、ポリイミド樹脂膜上に窒化珪
素膜を形成した場合のように密着性不良により膜界面か
ら水分、不純物等の侵入を招くことは回避することがで
きる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］ベンゾシクロブテンオリゴマーをメシ
チレンの溶剤に溶解し、これにＳｉパウダーをベンゾシ
クロブテンに対する重量比で４０％加えて攪拌し均一に
分散させさらに感光性架橋剤を添加して感光性のあるコ
ーティング剤を得る。Ｓｉパウダーの粒径は、１μｍ程
度が製造コスト的にみて最も望ましい。
て説明する。 ［第１の実施例］ベンゾシクロブテンオリゴマーをメシ
チレンの溶剤に溶解し、これにＳｉパウダーをベンゾシ
クロブテンに対する重量比で４０％加えて攪拌し均一に
分散させさらに感光性架橋剤を添加して感光性のあるコ
ーティング剤を得る。Ｓｉパウダーの粒径は、１μｍ程
度が製造コスト的にみて最も望ましい。
【００１７】図１は、本発明により形成される半導体装
置の断面図であって、同図に示されるように、Ｓｉなど
の半導体基板１１にバイポーラトランジスタ等の半導体
素子１２が設けられている。二酸化珪素等の絶縁膜１３
を形成した後、これにコンタクトホールを開孔する。そ
して、アルミニウムをスパッタ法等により堆積しこれを
パターニングしてベース電極１４、エミッタ電極１５、
コレクタ電極１６、入出力パッド１７を形成する。
置の断面図であって、同図に示されるように、Ｓｉなど
の半導体基板１１にバイポーラトランジスタ等の半導体
素子１２が設けられている。二酸化珪素等の絶縁膜１３
を形成した後、これにコンタクトホールを開孔する。そ
して、アルミニウムをスパッタ法等により堆積しこれを
パターニングしてベース電極１４、エミッタ電極１５、
コレクタ電極１６、入出力パッド１７を形成する。
【００１８】この半導体基板の表面に上述のコーティン
グ剤をコーティングし、８０℃で２０分程度のベーキン
グを行う。続いて、フォトマスクを用いて露光し、ケロ
シンなどの石油留分を主成分とする現像液にて現像して
入出力パッド１７の窓開けを行う。その後、窒素雰囲気
において、２００〜２５０℃で３０分程度の熱処理を行
って硬化させ、ベンゾシクロブテン樹脂膜１９を形成し
た。硬化後の膜厚は約２μｍであった。
グ剤をコーティングし、８０℃で２０分程度のベーキン
グを行う。続いて、フォトマスクを用いて露光し、ケロ
シンなどの石油留分を主成分とする現像液にて現像して
入出力パッド１７の窓開けを行う。その後、窒素雰囲気
において、２００〜２５０℃で３０分程度の熱処理を行
って硬化させ、ベンゾシクロブテン樹脂膜１９を形成し
た。硬化後の膜厚は約２μｍであった。
【００１９】［第２の実施例］次に、本発明の第２の実
施例について説明する。ベンゾシクロブテンオリゴマー
をキシレンを溶剤としてに溶解し、平均粒径が約１μｍ
のＳｉパウダーをベンゾシクロブテンに対する重量比で
６０％加えて攪拌し均一に分散させてコーティング剤を
作製した。
施例について説明する。ベンゾシクロブテンオリゴマー
をキシレンを溶剤としてに溶解し、平均粒径が約１μｍ
のＳｉパウダーをベンゾシクロブテンに対する重量比で
６０％加えて攪拌し均一に分散させてコーティング剤を
作製した。
【００２０】図２は、上述のコーティング剤の塗付され
る半導体装置の断面図であって、同図に示されるよう
に、Ｓｉなどの半導体基板２１にバイポーラトランジス
タ等の半導体素子２２を設け、二酸化珪素等の絶縁膜２
３を形成した後、これにコンタクトホールを開孔する。
そして、アルミニウムをスパッタ法等により堆積しこれ
をパターニングしてベース電極２４、エミッタ電極２
５、コレクタ電極２６、入出力パッド２７を形成する。
る半導体装置の断面図であって、同図に示されるよう
に、Ｓｉなどの半導体基板２１にバイポーラトランジス
タ等の半導体素子２２を設け、二酸化珪素等の絶縁膜２
３を形成した後、これにコンタクトホールを開孔する。
そして、アルミニウムをスパッタ法等により堆積しこれ
をパターニングしてベース電極２４、エミッタ電極２
５、コレクタ電極２６、入出力パッド２７を形成する。
【００２１】その上にポリイミド前駆体を主成分とする
ポリイミドコーティング剤を塗付する。このコーティン
グ剤には半導体基板との密着性を向上させるためにシロ
キサンが添加されている。ベーキング処理後、熱処理に
よって架橋反応を起こさせ、膜厚約１．５μｍのポリイ
ミド樹脂膜２８を形成した。
ポリイミドコーティング剤を塗付する。このコーティン
グ剤には半導体基板との密着性を向上させるためにシロ
キサンが添加されている。ベーキング処理後、熱処理に
よって架橋反応を起こさせ、膜厚約１．５μｍのポリイ
ミド樹脂膜２８を形成した。
【００２２】その上に、上記のように作製されたベンゾ
シクロブテンのコーティング剤をスピン法にて塗付し、
８０℃で２０分間のベーキングを行う。その後、窒素気
流下、２００℃〜２５０℃で３０分程度の加熱処理によ
り硬化させ、膜厚約０．５μｍのベンゾシクロブテン樹
脂膜２９を得た。図２に示されるように、これらのポリ
イミド樹脂膜２８およびベンゾシクロブテン樹脂膜２９
の両膜によりパッシベーション膜としての半導体保護膜
２０が形成される。
シクロブテンのコーティング剤をスピン法にて塗付し、
８０℃で２０分間のベーキングを行う。その後、窒素気
流下、２００℃〜２５０℃で３０分程度の加熱処理によ
り硬化させ、膜厚約０．５μｍのベンゾシクロブテン樹
脂膜２９を得た。図２に示されるように、これらのポリ
イミド樹脂膜２８およびベンゾシクロブテン樹脂膜２９
の両膜によりパッシベーション膜としての半導体保護膜
２０が形成される。
【００２３】その後、ベンゾシクロブテン樹脂膜２９上
にフォトリソグラフィ法により入出力パッド２７上に開
口を有するフォトレジスト膜（図示なし）を形成し、こ
れをマスクとして酸素プラズマによってベンゾシクロブ
テン樹脂膜２９およびポリイミド樹脂膜２８を選択的に
除去して入出力パッド２７の窓開けを行い、その後フォ
トレジスト膜を除去する。
にフォトリソグラフィ法により入出力パッド２７上に開
口を有するフォトレジスト膜（図示なし）を形成し、こ
れをマスクとして酸素プラズマによってベンゾシクロブ
テン樹脂膜２９およびポリイミド樹脂膜２８を選択的に
除去して入出力パッド２７の窓開けを行い、その後フォ
トレジスト膜を除去する。
【００２４】本実施例においては、ポリイミド樹脂膜と
して耐湿性の低いシロキサン残基を含有したものを用い
ているが、その上から耐湿性の優れたベンゾシクロブテ
ン樹脂膜によってカバーしているため、十分の耐湿性を
得ることができる。また、半導体基板上には無機質膜と
の密着性に優れたシロキサン含有ポリイミドが用いられ
ており、さらにベンゾシクロブテン樹脂膜とポリイミド
樹脂膜との密着性は、ベンゾシクロブテン樹脂の硬化プ
ロセスにおいて両樹脂の界面が一体化することによって
確保されている。よって、本実施例により、密着性およ
び耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
して耐湿性の低いシロキサン残基を含有したものを用い
ているが、その上から耐湿性の優れたベンゾシクロブテ
ン樹脂膜によってカバーしているため、十分の耐湿性を
得ることができる。また、半導体基板上には無機質膜と
の密着性に優れたシロキサン含有ポリイミドが用いられ
ており、さらにベンゾシクロブテン樹脂膜とポリイミド
樹脂膜との密着性は、ベンゾシクロブテン樹脂の硬化プ
ロセスにおいて両樹脂の界面が一体化することによって
確保されている。よって、本実施例により、密着性およ
び耐湿性に優れた信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置は、Ｓｉパウダーを含有したベンゾシクロブテン
樹脂膜を表面保護膜として有するものであるので、保護
膜形成後の半導体装置表面の平坦性を確保することがで
き、したがって、保護膜形成後の工程や半導体装置完成
後に加わるさまざまなストレスに対し構造上有利に対応
することができクラック、ピンホールの発生を回避する
ことができる。そして、この保護膜材料が耐湿性が高く
低応力特性を有することから半導体装置の信頼性を向上
させることができる。さらに、Ｓｉパウダーを含有した
ことにより、熱膨張率をよりＳｉに近づけることがで
き、低応力特性を犠牲にすることなく機械的強度に優れ
た保護膜を形成することができるようになる。
体装置は、Ｓｉパウダーを含有したベンゾシクロブテン
樹脂膜を表面保護膜として有するものであるので、保護
膜形成後の半導体装置表面の平坦性を確保することがで
き、したがって、保護膜形成後の工程や半導体装置完成
後に加わるさまざまなストレスに対し構造上有利に対応
することができクラック、ピンホールの発生を回避する
ことができる。そして、この保護膜材料が耐湿性が高く
低応力特性を有することから半導体装置の信頼性を向上
させることができる。さらに、Ｓｉパウダーを含有した
ことにより、熱膨張率をよりＳｉに近づけることがで
き、低応力特性を犠牲にすることなく機械的強度に優れ
た保護膜を形成することができるようになる。
【００２６】また、配線の形成された半導体基板上にポ
リイミド樹脂膜を設けその上にＳｉパウダー含有ベンゾ
シクロブテン樹脂からなる表面保護膜を設けた実施例に
よれば、上記効果に加え半導体基板との高い密着性を実
現することができ、特に、大面積の半導体装置において
も信頼性のある保護膜を形成することができる。
リイミド樹脂膜を設けその上にＳｉパウダー含有ベンゾ
シクロブテン樹脂からなる表面保護膜を設けた実施例に
よれば、上記効果に加え半導体基板との高い密着性を実
現することができ、特に、大面積の半導体装置において
も信頼性のある保護膜を形成することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】 本発明において用いられるベンゾシクロブテ
ンの構造とその架橋プロセスを説明するための図。
ンの構造とその架橋プロセスを説明するための図。
【図４】 従来例の断面図。
１１、２１、３１ 半導体基板 １２、２２、３２ 半導体素子 １３、２３、３３ 絶縁膜 １４、２４、３４ ベース電極 １５、２５、３５ エミッタ電極 １６、２６、３６ コレクタ電極 １７、２７、３７ 入出力パッド ２８、３８ ポリイミド樹脂膜 １９、２９ ベンゾシクロブテン樹脂膜 ３９ 窒化珪素膜 ２０ 半導体保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 内部に半導体素子が形成され、表面が無
機絶縁膜によって被覆されさらに配線が形成されている
半導体基板上に、重量比で０．０１〜６０％のＳｉパウ
ダーを含有するベンゾシクロブテン樹脂からなる表面保
護膜を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記無機絶縁膜と前記表面保護膜との間
にポリイミド樹脂膜が形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記ポリイミド樹脂膜が、シロキサン残
基含有ポリイミド樹脂によって形成されていることを特
徴とする請求項２記載の半導体装置。
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