JP2000188306A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８
を被覆する絶縁樹脂層Ｒは、硬化の際に大幅にその膜厚
が減少する収縮性の樹脂を採用する。この事で、絶縁樹
脂層を研磨してメタルポストの頭出しをする工程が不要
となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特にチップサイズパッケージとそ
の製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip S
ize Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと
同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密
度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳ
Ｐに採用されるメタルポスト頭部の露出に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、この分野では、一般にＢＧＡ（Ba
ll Grid Array）と呼ばれ、面状に配列された複数のハ
ンダボールを持つ構造、ファインピッチＢＧＡと呼ば
れ、ＢＧＡのボールピッチをさらに狭ピッチにして外形
がチップサイズに近くなった構造等が知られている。

【０００３】また、最近では、「日経マイクロデバイ
ス」１９９８年８月号 ４４頁〜７１頁に記載されたウ
エハーＣＳＰがある。このウエハーＣＳＰは、基本的に
は、チップのダイシング前に配線やアレイ状のパッドを
ウエハープロセス（前工程）で作り込むＣＳＰである。
この技術によって、ウエハープロセスとパッケージ・プ
ロセス（後工程）が一体化され、パッケージ・コストが
大幅に低減できるようになることが期待されている。

【０００４】ウエーハＣＳＰの種類には、封止樹脂型と
再配線型がある。封止樹脂型は、従来のパッケージと同
様に表面を封止樹脂で覆った構造であり、チップ表面の
配線層上にメタルポストを形成し、その周囲を封止樹脂
で固める構造である。

【０００５】一般にパッケージをプリント基板に搭載す
ると、プリント基板との熱膨張差によって発生した応力
がメタルポストに集中すると言われているが、樹脂封止
型では、メタルポストが長くなるため、応力が分散され
ると考えられている。

【０００６】一方、再配線型は、図１０に示すように、
封止樹脂を使わず、再配線を形成した構造である。つま
りチップ５１の表面にＡｌ電極５２、配線層５３、絶縁
層５４が積層され、配線層５３上にはメタルポスト５５
が形成され、その上に半田ボール５６が形成されてい
る。配線層５３は、半田ボール５６をチップ上に所定の
アレイ状に配置するための再配線として用いられる。

【０００７】封止樹脂型は、メタルポストを１００μｍ
程度と長くし、これを封止樹脂で補強することにより、
高い信頼性が得られる。しかしながら、封止樹脂を形成
するプロセスは、後工程において金型を用いて実施する
必要があり、プロセスが複雑になる。

【０００８】一方、再配線型では、プロセスは比較的単
純であり、しかも殆どの工程をウエーハプロセスで実施
できる利点がある。しかし、なんらかの方法で応力を緩
和し信頼性を高めることが必要とされている。

【０００９】また図１１は、図１０の配線層５３を省略
したものであり、Ａｌ電極５２が露出した開口部を形成
し、この開口部には、メタルポスト５５とアルミ電極５
２との間にバリアメタル５８を少なくとも一層形成し、
このメタルポスト５５の上に半田ボール５６が形成され
ている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし図１０では、メ
タルポスト５５を完全に覆うようにポリイミド樹脂を塗
布し、硬化後にその上面を研磨して、前記メタルポスト
の頭部を露出させていた。しかしこの研磨工程は、その
制御が非常に難しく、半田ボール５６の半田付け性、半
田ボールの高さの均一性が悪化する問題もあった。

【００１１】本発明は、前記問題点を解決するものであ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされ、第１に、配線層を含むチップ表面を被覆
し、前記メタルポストの周囲の主表面が熱硬化により発
生する熱収縮により前記メタルポストの頭部より下端に
位置する熱硬化型の樹脂から成る絶縁層を有することで
解決するものである。

【００１３】一般に熱硬化型の樹脂は、硬化することに
より収縮するが、本発明で採用する樹脂は、その収縮率
が大幅に大きく、その膜厚が減少する。従って硬化のた
めのベークをすることで、図８に示すように、その表面
をメタルポストの下端に位置させることができる。従っ
て全てのメタルポストの露出が可能となり、全ての半田
ボールを固着させることができる。

【００１４】第２に、その収縮率の大きい材料として、
アミック酸を主材料とする樹脂を塗布、収縮させること
で解決するものである。

【００１５】第３に、第１の絶縁層、前記配線層および
前記メタルポストを含むチップ表面に熱硬化により熱収
縮が生じる樹脂から成る絶縁層を被覆し、前記絶縁層を
熱処理して収縮させ、前記メタルポスト周囲の主表面を
前記メタルポストの頭部より下降させ、前記メタルポス
ト上に半田ボールを形成する事で解決するものである。

【００１６】第４に、塗布型またはフィルム型で、アミ
ック酸より成る樹脂を採用することで解決するものであ
る。

【００１７】第５に、フィルムの表面には、前記絶縁層
と材料を異にするシートが設けられ、前記シートを剥が
す事により前記メタルポストを露呈させることで解決す
るものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
説明する。

【００１９】図９に於いて、図番１は、通常のワイヤボ
ンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタ
ル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分
であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成さ
れる層間絶縁膜を図番２で示す。

【００２０】またこのコンタクトホールＣの下層には、
メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ（ＭＯ
Ｓ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジスタ）、
拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコンタク
トしている。

【００２１】ここで、本実施例は、ＭＯＳ型で説明して
いるが、ＢＩＰでも実施できる事は言うまでもない。

【００２２】また本構造は、一般には一層メタル、２層
メタル…と呼ばれるＩＣである。

【００２３】更には、パッシベーション膜を図番３で示
す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポ
キシ樹脂またはポリイミド樹脂等でなり、更にこの上に
は、絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒ
は、後述するようにフラット性を実現し、半田ボールの
高さを一定にしている。特にシート付きの収縮樹脂を採
用する場合、硬化前のフィルムを板状の加圧装置で加圧
した際、メタルポスト８の頭部が全てこの加圧部に当接
できるため、精度の高いメタル露出が可能となる。詳細
はプロセスにて説明する。またＡｌ電極１上には、窒化
Ｔｉ膜５が形成されている。

【００２４】パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、
窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部Ｋが形成され、ここに
は、配線層のメッキ電極（シード層）としてＣｕの薄膜
層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキによ
り形成される配線層７が形成される。

【００２５】そして、配線層７を含むチップ全面には、
樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面上で
は省略しているが、樹脂層Ｒと配線層７、樹脂層Ｒとメ
タルポスト８の界面にはＳｉ3Ｎ4膜が設けられても良
い。

【００２６】樹脂層Ｒは、熱硬化性、熱可塑性樹脂であ
れば実施可能であり、特に熱硬化性樹脂として、アミッ
ク酸フィルム、ポリイミド、エポキシ系の樹脂が好まし
い。また熱可塑性樹脂であれば、熱可塑性ポリマー（日
立化成：ハイマル）等が好ましい。またアミック酸フィ
ルムは３０〜５０％の収縮率である。ここで、 樹脂Ｒ
は、液状のアミック酸を主材料として用意され、ウェハ
全面にスピンオンされ、厚さ２０〜６０μｍ程度で形成
される。その後、この樹脂Ｒは、熱硬化反応により重合
される。温度は、３００°Ｃ以上である。しかし熱硬化
前のアミック酸より成る樹脂は、前記温度の基で非常に
活性に成り、Ｃｕと反応し、その界面を悪化させる問題
がある。しかし、配線層の表面にＳｉ3Ｎ4膜を被覆する
事により、このＣｕとの反応を防止することができる。
ここでＳｉ3Ｎ4膜の膜厚は、１０００〜３０００Å程度
である。

【００２７】またＳｉ3Ｎ4膜は、バリア性が優れた絶縁
膜で良いが、ＳｉＯ２膜は、バリア性に劣る。しかしＳ
ｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ3Ｎ4膜よりもその膜厚
を厚くする必要がある。またＳｉ3Ｎ4膜は、プラズマＣ
ＶＤ法で形成できるので、そのステップカバレージも優
れ、好ましい。更に、メタルポスト８を形成した後、樹
脂層Ｒを被覆するので、前記Ｓｉ3Ｎ4膜を形成するとＣ
ｕから成る配線層７とアミック酸を主材料とする樹脂層
の反応を防止するばかりでなく、Ｃｕから成るメタルポ
スト８とアミック酸を主材料とする樹脂層Ｒの反応も防
止できる。

【００２８】前記樹脂層Ｒは、本発明の特徴となる膜で
ある。この樹脂Ｒは、図７の状態の樹脂層Ｒを硬化する
と、硬化の際中に収縮し、図８の様に大幅にその膜厚が
減少するものである。従って樹脂層Ｒの表面は、メタル
ポスト８の頭部よりも下端に位置し、メタルポスト８が
露出されることになる。従って、樹脂層Ｒを削り、頭部
を露出させる必要がない。またこの研磨工程で頭部を均
一に露出させることは、非常に難しい制御を必要とする
が、樹脂の収縮により簡単に露出させることができる。

【００２９】従って、配線層７の端部にメタルポスト８
の頭部が顔を出し、メタルポスト８の頭部のＮｉ１０、
Ａｕ１１が露出されている。

【００３０】Ｃｕから成るメタルポスト８の上に直接半
田ボールが形成されると、酸化されたＣｕが原因で半田
ボールとの接続強度が劣化する。また酸化防止のために
Ａｕを直接形成すると、Ａｕが拡散されるため、間にＮ
ｉが挿入されている。ＮｉはＣｕの酸化防止をし、また
ＡｕはＮｉの酸化防止をしている。従って半田ボールの
劣化および強度の劣化は抑制される。

【００３１】ここでＮｉ、Ａｕは、電解メッキで形成さ
れるが無電解メッキでも良い。

【００３２】最後には、メタルポスト８の頭部に、半田
ボール１２が形成される。

【００３３】ここで半田ボールと半田バンプの違いにつ
いて説明する。半田ボールは、予めボール状の半田が別
途用意され、メタルポスト８に固着されるものであり、
半田バンプは、配線層７、メタルポスト８を介して電解
メッキで形成されるものである。半田バンプは、最初は
厚みを有した膜として形成され、後熱処理により球状に
形成されるものである。

【００３４】ここでは、図７でシード層が取り除かれる
ので、電解メッキでは形成できず、実際は半田ボールが
用意される。

【００３５】続いて図９の構造について図１より簡単に
その製造方法について説明する。

【００３６】まず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成さ
れた半導体基板（ウエーハ）を準備する。ここでは、前
述したように１層メタル、２層メタル・・のＩＣで、例
えばトランジスタのソース電極、ドレイン電極が一層目
のメタルとして形成され、ドレイン電極とコンタクトし
たＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されている。

【００３７】ここではドレイン電極が露出する層間絶縁
膜２の開口部Ｃを形成した後、ウェハ全面にＡｌを主材
料とする電極材料、窒化Ｔｉ膜５を形成し、ホトレジス
トをマスクとして、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５を所定の
形状にドライエッチングしている。

【００３８】ここでは、パシベーション膜３を形成し、
この後開口した開口部Ｃにバリアメタルを形成するのと
違い、バリアメタルとしての窒化Ｔｉ膜も含めてホトレ
ジストで一度に形成でき、工程数の簡略が可能となる。

【００３９】また窒化Ｔｉ膜５は、後に形成するＣｕの
薄膜層６のバリアメタルとして機能している。しかも窒
化Ｔｉ膜は、反射防止膜として有効であることにも着目
している。つまりパターニングの際に使用されるレジス
トのハレーション防止としても有効である。ハレーショ
ン防止として最低１２００Å〜１３００Å程度必要であ
り、またこれにバリアメタルの機能を兼ね備えるために
は、２０００Å〜３０００Å程度が好ましい。これ以上
厚く形成されると、今度は窒化Ｔｉ膜が原因で発生する
ストレスが発生する。

【００４０】またＡｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５がパターニ
ングされた後、全面にパッシベーション膜３が被覆され
る。パッシベーション膜として、ここではＳｉ3Ｎ4膜が
採用されているが、ポリイミド樹脂等も可能である。
（以上図１参照） 続いて、パッシベーション膜３の表面に絶縁樹脂層ｒが
被覆される。この絶縁樹脂層は、ここでは、ポジ型の感
光性ポリイミド膜が採用され、約３〜５μｍ程度が被覆
されている。そして開口部Ｋが形成される。この感光性
ポリイミド膜を採用することで、図２の開口部Ｋのパタ
ーニングに於いて、別途ホトレジストを形成して開口部
Ｋを形成する必要が無くなり、メタルマスクの採用によ
り工程の簡略化が実現できる。もちろんホトレジストで
も可能である。しかもこのポリイミド膜は、平坦化の目
的でも採用されている。つまり半田ボール１２の高さが
全ての領域において均一である為には、メタルポスト８
の高さが全て於いて均一である必要があり、配線層７も
フラットに精度良く形成される必要がある。その為にポ
リイミド樹脂を塗布し、ある粘度を有した流動性を有す
る樹脂である故、その表面をフラットにできる。

【００４１】ここでＡｌ電極１はＬＳＩの外部接続用の
パッドも兼ね、半田ボール（半田バンプ）から成るチッ
プサイズパッケージとして形成しない時は、ワイヤボン
ディングパッドとして機能する部分である。（以上図２
参照） 続いて全面にＣｕの薄膜層６を形成する。このＣｕの薄
膜層６は、後に配線層７のメッキ電極となり、例えばス
パッタリングにより約１０００〜２０００Å程度の膜厚
で形成される。

【００４２】続いて、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ
１を塗布し、配線層７に対応するホトレジストＰＲ１を
取り除く。（以上図３参照） 続いて、このホトレジストＰＲ１の開口部に露出するＣ
ｕの薄膜層６をメッキ電極とし、配線層７を形成する。
この配線層７は機械的強度を確保するために２〜５μｍ
程度に厚く形成する必要がある。ここでは、メッキ法を
用いて形成したが、蒸着やスパッタリング等で形成して
も良い。

【００４３】この後、ホトレジスト層ＰＲ２を除去す
る。（以上図４参照） 続いて、メタルポスト８が形成される領域を露出したホ
トレジストＰＲ２が形成され、この露出部に電解メッキ
でＣｕのメタルポスト８が形成される。これもＣｕの薄
膜層６がメッキ電極として活用される。

【００４４】このメタルポストは、３０〜１００μｍ程
度の高さに形成され、更にＮｉ１０が電解メッキで約１
μｍ、Ａｕ１１が電解メッキで約５０００Åで形成され
る。

【００４５】Ｃｕ８、Ｎｉ１０、Ａｕ１１が連続されて
形成されるため、長時間放置されないため、Ｃｕの酸化
防止、Ｎｉの酸化防止が実現できる。ここでＡｕの代わ
りにＰｔ，Ｐｄが用いられても良い。（以上図５参照） 続いて、ホトレジストＰＲ２を除去し、配線層７をマス
クとしてＣｕの薄膜層６を除去する。

【００４６】次に示す工程は、図面では省略したが、配
線層７、メタルポスト８も含めて全表面にプラズマＣＶ
Ｄ法でＳｉ3Ｎ4膜ＳＮを被着しても良い。

【００４７】これは、後の工程で形成される硬化前の樹
脂ＲとＣｕが熱により反応する。そのためこの界面が劣
化する問題を有している。従って配線層７、メタルポス
ト８は、全てこのＳｉ3Ｎ4膜ＳＮでカバーする必要があ
る。このＳｉ3Ｎ4膜は、界面の劣化が発生しない場合
は、もちろん省略が可能である。

【００４８】また、Ｎｉ１０、Ａｕ１１も含めたメタル
ポスト８を形成した後に、Ｓｉ3Ｎ4膜を形成すれば、配
線層７、メタルポスト８も含めてカバーすることができ
る。またパターニングされて露出している側面Ｍも一緒
に保護する必要があるが、ここでは、両者をパターニン
グした後にＳｉ3Ｎ4膜を被覆するので、側面Ｍも一緒に
保護される。

【００４９】続いて樹脂層Ｒを全面に塗布する。（以上
図７参照） この樹脂も感光性樹脂で、熱硬化反応で硬化される。

【００５０】この感光性樹脂は、流動性があるためフラ
ット性が実現し、また感光性であるため、別途ホトレジ
ストを採用することなくメタルマスクで開口が実現で
き、工程の簡略化が実現できる。

【００５１】また絶縁樹脂層Ｒ、ｒは、次のメリットも
ある。一般に粘性のある樹脂をディスペンサで塗布する
と、脱泡してあっても中に気泡を取り込んでしまう問題
がある。気泡を取り込んだまま焼結すると、これからの
工程やユーザー側での高温雰囲気使用で気泡が破裂する
問題がある。

【００５２】本工程では、スピンオンで塗布し、一回の
スピンで２０〜３０μｍ程度の膜厚に形成できるように
調整してある。この結果、この膜厚よりも大きな気泡
は、膜の厚みが薄い故に弾けて消える。またこの膜厚よ
りも小さい気泡は、スピンオンの遠心力で外部へ飛ばさ
れる樹脂と一緒に外に飛ばされ、気泡無しの膜が形成で
きる。

【００５３】また絶縁樹脂層Ｒは、膜厚として１００μ
ｍ程度を必要とし、この場合、前述した原理を採用し、
スピンオンで複数回に分けて塗布し、気泡を取り除きな
がら形成することができる。

【００５４】もちろんスピンオンを採用せずに、ディス
ペンサで塗布しても良い。

【００５５】更に、本絶縁樹脂層Ｒは、本発明の特徴と
すべき点がある。それは、硬化の際に収縮することであ
る。一般に樹脂は、硬化後に於いて、ある程度の収縮を
している。しかし本絶縁樹脂層Ｒは、矢印で示したよう
に、ベークした後に大幅に収縮し、絶縁樹脂層Ｒのの表
面がメタルポスト８の頭部よりも下端に位置される。従
ってメタルポスト８の頭部が露出されるので、半田ボー
ルの固着が可能となる。

【００５６】また半田ボールの強度を高めるためには、
メタルポスト８の側面も含めて露出率を大きくする必要
があるが、これも絶縁樹脂層Ｒの塗布量をコントロール
することで露出率をコントロールすることができる。

【００５７】また硬化した後、メタルポスト８の頭部に
極薄い膜が残存する場合もあるが、この場合は、簡単に
その表面を研磨すればよい。特に前述したようにメタル
ポストの高さが均一になっているので、フラット性のあ
る研磨板を採用すれば、全ての頭部をクリーンにでき
る。

【００５８】また絶縁樹脂層Ｒを被覆した後、研磨でき
る程度に半硬化し、メタルポスト８の頭部近傍まで研磨
してから、完全に硬化しても良い。この場合、メタルポ
スト８の頭部には極薄い膜しか残存しないので、絶縁樹
脂層Ｒの収縮率が小さくても、絶縁樹脂層の収縮でメタ
ルポストを露出させることができる。つまり樹脂の収縮
率により、メタルポスト８の上に配置できる膜厚が決ま
るため、それに応じて研磨するか、しなくてすむか、ま
たどの程度研磨するかを決定してメタルポストを露出さ
せればよい。（以上図７参照） また前記Ｓｉ3Ｎ4膜が形成される場合は、メタルポスト
の頭部にＳｉ3Ｎ4膜が形成されているので、この場合
は、ウエットエッチング、ドライエッチングまたは研磨
で取り除かれる。

【００５９】最後に、用意した半田ボール１２を位置合
わせして搭載し、リフローする。そして、半導体基板を
ダイシング工程により、スクライブラインに沿ってチッ
プに分割し、チップサイズ・パッケージとして完成す
る。

【００６０】ここで半田を溶融するタイミングは、ダイ
シングの前である。

【００６１】絶縁樹脂層Ｒを硬化した後、ウェハ全面に
保護シートを貼り付け、表面を保護しながらバックグラ
インドをする。

【００６２】半田ボールを形成した後に保護シートを貼
ると、半田ボールと保護シートとで形成される隙間にバ
ックグラインド時に流れる水が入り保護シールが剥がれ
てしまう問題があるからである。また高温度雰囲気にさ
らされると、バックグラインド時の熱歪みが原因で、傷
を介して割れる恐れがある。そのため、できる限り後の
工程、ここでは、硬化処理の熱処理が終わった後で、保
護シートを貼り合わせてバックグラインドする。従っ
て、水の侵入もなく、更には熱歪みによるクラック等の
防止も実現できる。

【００６３】以上、本発明は、再配線型で説明してきた
が、樹脂封止型でも実施できることは言うまでもない。

【００６４】また本願では、絶縁樹脂層Ｒとしてシート
３０付きのフィルムＦを採用しても良い。

【００６５】以下簡単にその説明をする。図１２は、メ
タルポスト８がウェハ全体にある様子を示し、図６の構
成を模式的に示している。上層には、例えばテフロンシ
ート３０にアミック酸から成る絶縁樹脂層３１が塗布さ
れてフィルムＦとなっている。図１２に於いて太線がシ
ート３０である。前記フィルムＦをウェハ全面に配置
し、上から平坦なプレス板を当接して押圧すると、絶縁
樹脂層３１は、硬化前なので柔らかいため、前記メタル
ポスト全てを前記絶縁樹脂層３１で覆うことができる。
（以上図１３参照） 更に前記フィルムＦを前記プレス板で押圧し、シート３
０がメタルポスト８に当接したら、その押圧をやめる。
この状態では、メタルポストの頭部とシート３０との間
は、前記絶縁樹脂層３１が押しのけられている。

【００６６】そして前実施例と同様に、熱を加えて硬化
させる。この硬化により絶縁樹脂層３１は収縮し、その
表面がメタルポスト８の頭部よりも下端に位置すること
になる。ちょうど図８の状態にシート３０が付いている
状態である。（以上図１４参照） そして図１５の様に、シート３０を剥がせば、図８の構
造が実現できる。

【００６７】ここでのポイントは、二つある。一つは、
図１２の状態の時、真空排気することである。つまりフ
ィルムを貼り合わせるので、気泡が混入するからであ
る。二つ目は、前記プレス板で押圧するため、シート３
０とメタルポスト８の間の絶縁樹脂層３１を排除できる
ことである。従って硬化後シート３０を剥がせば、メタ
ルポスト８の頭部が露出できる。

【００６８】この場合でも、メタルポスト８の頭部に薄
く絶縁樹脂層３１が残存する可能性があるが、その量は
微量であるため、簡単に研磨すれば完全に除去できる。
しかも絶縁樹脂層ｒ、Ｒを採用し、ウェハ全体がフラッ
トでありメタルポスト８頭部の高さも均一であるため、
前記研磨でウェハ全域に在るメタルポスト８の頭部を清
浄にできる。

【００６９】

【発明の効果】本発明によれば、膜厚が大きく減少する
絶縁樹脂を採用すると、前記メタルポストの周囲の主表
面が前記メタルポストの頭部より下端に位置できる。従
ってメタルポストの頭部を露出でき、実質的に絶縁樹脂
層の研磨をすることでの頭出しは不要となる。

【００７０】一般に熱硬化型の樹脂は、硬化することに
より収縮するが、本発明で採用する樹脂は、その収縮率
が大幅に大きく、その膜厚が大きく減少する。従って硬
化のためのベークをすることで、図８、図１４に示すよ
うに、その表面をメタルポストの下端に位置させること
ができる。従って全てのメタルポストの露出が可能とな
る。

【００７１】またフィルムの表面には、前記絶縁層と材
料を異にするシートが設けられ、硬化の後にシートを剥
がせば、やはりメタルポストの頭部を露出でき、精度の
高い研磨作業が不要となる。

【００７２】また配線層とポリイミド樹脂層Ｒとの界面
に、Ｓｉ3Ｎ4膜が設けられてあるので、硬化前のイミド
樹脂とＣｕとの反応を防止することができる。またメタ
ルポスト、Ｃｕの薄膜層の側面もＳｉ3Ｎ4膜でカバーさ
れ、前記反応を防止することができる。

【００７３】従って、Ｃｕの配線層、Ｃｕの薄膜層とポ
リイミド樹脂との界面は、反応もなく安定した状態で形
成されるため、耐湿性、膨れ等を防止することができ、
歩留まりの向上を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図２】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図３】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図４】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図５】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図６】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図７】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図８】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図９】 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図１０】 従来のチップサイズパッケージを説明する
図である。

【図１１】 従来のチップサイズパッケージを説明する
図である。

【図１２】 シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用し
た製造方法を説明する図である。

【図１３】 シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用し
た製造方法を説明する図である。

【図１４】 シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用し
た製造方法を説明する図である。

【図１５】 シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用し
た製造方法を説明する図である。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属材料から成る金属電極パッドに接続
   され、チップ表面に延在するＣｕを主材料とする配線層
   と、 前記配線層の一領域に形成されたメタルポストと、 前記配線層を含むチップ表面を被覆し、前記メタルポス
   トの周囲の主表面が熱硬化により発生する熱収縮により
   前記メタルポストの頭部より下端に位置する熱硬化型の
   樹脂から成る絶縁層と、 前記メタルポストに固着された半田バンプとを具備する
   事を特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記絶縁層は、アミック酸より成る請求
   項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 金属材料からなる金属電極パッドの一部
   を露出する第１の開口部を有した第１の絶縁層を形成
   し、 前記第１の開口部から露出する前記金属電極パッドと接
   続され、チップ表面に延在するＣｕより成る配線層を形
   成し、 前記配線層上にＣｕから成るメタルポストを形成し、 前記第１の絶縁層、前記配線層および前記メタルポスト
   を含むチップ表面に熱硬化により熱収縮が生じる樹脂か
   ら成る絶縁層を被覆し、 前記絶縁層を熱処理して収縮させ、前記メタルポスト周
   囲の主表面を前記メタルポストの頭部より下降させ、 前記メタルポスト上に半田ボールを形成する事を特徴と
   する半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記絶縁層は、塗布型またはフィルム型
   で、アミック酸より成る請求項３に記載の半導体装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記フィルムの表面には、前記絶縁層と
   材料を異にするシートが設けられ、前記シートを剥がす
   事により前記メタルポストを露呈させる請求項４に記載
   の半導体装置の製造方法。