JP2000243754A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 ダイシング領域に除去領域ＥＬを設け、
この側面に被覆材６´、７´を設け、更に樹脂層Ｒを形
成する。そして除去領域ＥＬの幅よりも狭いダイシング
ブレードでフルカットすれば、従来ダイシング時に露出
していた界面を被覆保護できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、詳しくは耐湿性が向上される半導体装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、周知事項ではあるが、ウ
ェハの状態でマトリックス状にＩＣが作り込まれ、この
ＩＣは、所定の機能を有している。平面的には、このＩ
Ｃ回路が形成されたＩＣ回路形成部がマトリックス状に
配置され、このＩＣ回路形成部を囲み格子状にダイシン
グライン部が設けられ、このダイシングライン部に沿っ
てダイシングされ、個々の半導体装置（半導体チップ）
に分離形成される。

【０００３】例えば、特開平９−６４０４９号公報が詳
しい。図９は、チップサイズパッケージ５０の概略を説
明するものであり、まずウェハ５１でＩＣが作られ、パ
ッシベーション膜５２まで被覆されたウェハ５１を用意
し、最上層のメタル電極５３（例えばボンディングパッ
ド）を露出する開口部を形成し、この開口部を介して再
配線層５４をＣｕで形成する。

【０００４】この再配線層５４には、メタルポスト５５
が形成されると共に、全域には封止樹脂５６が全面に被
覆され、この封止樹脂５６から露出したメタルポスト５
５には、半田バンプや半田ボール５７が形成される。

【０００５】この再配線層５４は、半田ボールまたは半
田バンプを所定のピッチでチップ上に配置するために用
いられている。またメタルポスト５５は、その高さを高
くすることにより半田ボールまたは半田バンプが固着さ
れる実装基板との熱歪みにより発生する応力を吸収する
と言われている。

【０００６】この状態でダイシングライン部５８に沿っ
て格子状にダイシングされ、個々に分離されて半導体チ
ップ５０が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしこのダイシング
ラインの側壁は、前記半導体装置に積層された数々の層
間絶縁膜の界面が露出されている。この界面は、湿気の
浸入路となり、前記ＩＣ回路の誤動作、更には破壊を引
き起こす問題があった。

【０００８】特にメタル配線の階層数により第１の層間
絶縁膜、第２の層間絶縁膜、第３の層間絶縁膜…と何層
にも層間絶縁膜が設けられ、しかもこの層間絶縁膜自身
が、歪みやフラット性が考慮されて複数層の膜、例えば
ＴＥＯＳ膜、ＳＯＧ膜が何回も繰り返し積層されて構成
されている。そしてダイシング部に形成される側壁に
は、これらの膜の界面が露出され耐湿劣化を発生させて
いた。

【０００９】本発明は、前記問題点を解決するものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題に鑑
みてなされ、第１に、半導体チップ周囲の側面に、半導
体チップの表面から半導体基板まで到達する除去領域を
設け、前記除去領域に露出した界面に、メタルポストお
よび／または再配線層に用いられた材料を被覆すること
で解決するものである。

【００１１】第２に、前記除去領域を、ダイシングによ
り形成することで解決するものである。

【００１２】第３に、前記材料として、Ｃｕを用いるこ
とで解決するものである。

【００１３】第４に、前記除去領域には樹脂が形成さ
れ、界面が露出する側面よりも外側でフルカットするこ
とで解決するものである。

【００１４】チップの周囲に、ステップ状の除去領域を
設け、ここに露出する界面をメタルポストおよび／また
は再配線層の形成材料で覆っている。従ってこの被覆材
がシールリングの働きをし、耐湿性の向上を図ることが
できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施形態に
ついて説明する。

【００１６】図５に於いて、図番１は、通常のワイヤボ
ンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタ
ル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分
であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成さ
れる層間絶縁膜を図番２で示す。

【００１７】またこのコンタクトホールＣの下層には、
メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ（ＭＯ
Ｓ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジスタ）、
拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコンタク
トしている。

【００１８】ここで、本実施例は、ＭＯＳ型で説明して
いるが、ＢＩＰでも実施できる事は言うまでもない。

【００１９】また本構造は、一般には一層メタル、２層
メタル…と呼ばれるＩＣである。

【００２０】つまり図示していないが、２層、３層…と
増加するに連れて、層間絶縁膜の下層には、メタルと絶
縁層、絶縁層とこの上下に形成される別の絶縁層の界面
があり、この界面が後述する除去領域ＥＬに露出してい
る。

【００２１】更には、パッシベーション膜を図番３で示
す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポ
キシ樹脂またはポリイミド等でなり、更にこの上には、
絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒは、
後述するようにフラット性を実現できるため、ウェハ内
に点在する再配線層７をフラットにすることができ、ウ
ェハ内に点在する半田ボールの高さを一定にできる。

【００２２】特にシート付きの収縮樹脂を採用する場
合、硬化前のフィルムを表面がフラットな押圧板（金型
の上金型）で加圧した際、メタルポスト８頭部の高さが
均一であるため全てのメタルポスト頭部をこの加圧部に
当接でき、頭部の樹脂を排除でき、精度の高いメタル露
出が可能となる。詳細はプロセスにて説明する。

【００２３】またＡｌ電極１上には、窒化Ｔｉ膜５が形
成されている。

【００２４】パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、
窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部Ｋが形成され、ここに
は、再配線層７のメッキ電極（シード層）としてＣｕの
薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキ
により形成される再配線層７が形成される。

【００２５】そして、再配線層７を含むチップ全面に
は、樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面
上では省略しているが、樹脂層Ｒと再配線層７、樹脂層
Ｒとメタルポスト８の界面にはＳｉ3Ｎ4膜が設けられて
も良い。

【００２６】樹脂層Ｒは、熱硬化性、熱可塑性樹脂であ
れば実施可能であり、特に熱硬化性樹脂として、アミッ
ク酸フィルム、ポリイミド系、エポキシ系の樹脂が好ま
しい。また熱可塑性樹脂であれば、熱可塑性ポリマー
（日立化成：ハイマル）等が好ましい。またアミック酸
フィルムは３０〜５０％の収縮率である。

【００２７】ここで樹脂Ｒは、液状のアミック酸を主材
料としたものが用意され、ウェハ全面にスピンオンされ
る。厚さは２０〜６０μｍ程度である。その後、この樹
脂Ｒは、熱硬化反応により重合される。温度は、３００
°Ｃ以上である。しかし熱硬化前のアミック酸より成る
樹脂は、前記温度の基で活性に成り、Ｃｕと反応し、そ
の界面を悪化させる問題がある。しかし、再配線層の表
面にＳｉ3Ｎ4膜を被覆する事により、このＣｕとの反応
を防止することができる。ここでＳｉ3Ｎ4膜の膜厚は、
１０００〜３０００Å程度である。

【００２８】またＳｉ3Ｎ4膜は、バリア性が優れた絶縁
膜で、ＳｉＯ２膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜に比べバリア性に劣
る。しかしＳｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ3Ｎ4膜よ
りもその膜厚を厚くする必要がある。またＳｉ3Ｎ4膜
は、プラズマＣＶＤ法で形成できるので、そのステップ
カバレージも優れ、好ましい。更に、メタルポスト８を
形成した後、樹脂層Ｒを被覆するので、前記Ｓｉ3Ｎ4膜
を形成するとＣｕから成る再配線層７とアミック酸を主
材料とする樹脂層の反応を防止するばかりでなく、Ｃｕ
から成るメタルポスト８とアミック酸を主材料とする樹
脂層Ｒの反応も防止できる。

【００２９】前記樹脂Ｒは、硬化前に流動性を有する状
態の樹脂層Ｒを硬化すると、硬化の際中に収縮し、大幅
にその膜厚が減少するものである。従って樹脂層Ｒの表
面は、メタルポスト８の頭部よりも下端に位置し、メタ
ルポスト８が露出されることになる。従って、樹脂層Ｒ
を研磨し、頭部を露出させる必要がない。またこの研磨
工程で頭部を均一に露出させることは、非常に難しい制
御を必要とするが、樹脂の収縮により簡単に露出させる
ことができる。ただし頭部に薄く残留する場合がある
が、この時はプラズマアッシングで容易に取り除ける。

【００３０】本工程は、もちろん収縮率の小さい樹脂Ｒ
を塗布し、硬化後にメタルポスト８の頭部を露出させる
ために研磨しても良い。

【００３１】従って、再配線層７の端部にメタルポスト
８の頭部が顔を出し、メタルポスト８の頭部にバリアメ
タルを形成することができる。特にここでは、Ｎｉ１
０、Ａｕ１１が無電解メッキで形成されている。

【００３２】Ｃｕから成るメタルポスト８の上に直接半
田ボールが形成されると、酸化されたＣｕが原因で半田
ボールとの接続強度が劣化する。また酸化防止のために
Ａｕを直接形成すると、Ａｕが拡散されるため、間にＮ
ｉが挿入されている。ＮｉはＣｕの酸化を防止し、また
ＡｕはＮｉの酸化防止をしている。従って半田ボールの
劣化および強度の劣化は抑制される。

【００３３】また、メタルポスト８の頭部に、半田ボー
ル１２が形成される。

【００３４】ここで半田ボールと半田バンプの違いにつ
いて説明する。半田ボールは、予めボール状の半田が別
途用意され、メタルポスト８に固着されるものであり、
半田バンプは、再配線層７、メタルポスト８を介して電
解メッキで形成されるものである。半田バンプは、最初
は厚みを有した膜として形成され、熱処理により球状に
形成されるものである。

【００３５】ここでは、メタルポストを形成した後シー
ド層が取り除かれるので、電解メッキは採用できず、実
際は半田ボールが用意される。

【００３６】最後にウェハ状態で用意されているチップ
個々の周囲には、ＥＬで示す除去領域が形成され、ここ
に露出する界面には、再配線層７および／またはメタル
ポスト８の材料がカバーされている。

【００３７】この除去領域ＥＬは、絶縁樹脂層ｒの表面
から半導体基板まで到達しており、後述の製造方法で
は、ダイシングで形成されている。従って、除去領域の
側面には層間絶縁膜同士の界面が露出している。この界
面が露出している側面に層間絶縁膜やメタルを被覆する
ことで湿気のシールを実現できるが、工程の簡略化を考
え、再配線層やメタルポストと同一工程で除去領域ＥＬ
にも形成される。またＩＣ回路の保護を考慮すると、絶
縁樹脂層ｒの下層にある全ての界面をシールする必要性
がある。この点を考えると、絶縁樹脂層ｒよりも上層の
膜を被覆膜とするため、完全にシールができる。

【００３８】またこの側面には、シード層のＣｕ薄膜、
再配線層およびメタルポストの３種類の組み合わせの材
料が被覆されても良い。

【００３９】図５では、除去領域に再配線層のシード層
となるＣｕ６´、７´が形成されている。またこの被覆
材で成る凹み部には、樹脂層Ｒが埋め込まれている。

【００４０】この除去領域ＥＬは、この幅よりも狭い幅
のダイシングブレードによりフルカットされる。つまり
少なくとも半導体基板に到達した除去領域ＥＬとフルカ
ットラインＤＬとの間には前記被覆材や樹脂層Ｒが配置
され、耐湿劣化を引き起こす各層の界面端部を覆うこと
ができ、素子劣化の防止が可能となる。

【００４１】一般的にウェハは、２００〜３００μｍの
厚みを有する。また前述したように除去領域ＥＬは、図
５の絶縁樹脂層から半導体基板（Ｓｉ基板）に到達して
いれば良く、ウェハの厚みも考慮すれば、溝の深さは、
Ｓｉ基板から１〜１００μｍ程度が好ましい。尚、図８
は、Ｃｕのシード層６´とメタルポストの材料８´が被
覆されているが、どちらか一方でも良い。

【００４２】続いて図５の構造について図１より簡単に
その製造方法について説明する。

【００４３】まず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成さ
れた半導体基板（ウエーハ）を準備する。ここでは、前
述したように１層メタル、２層メタル・・・のＩＣで、
例えばトランジスタのソース電極、ドレイン電極が一層
目のメタルとして形成され、ドレイン電極とコンタクト
したＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されてい
る。

【００４４】ここではドレイン電極が露出する層間絶縁
膜２の開口部Ｃを形成した後、ウェハ全面にＡｌを主材
料とする電極材料、窒化Ｔｉ膜５を形成し、ホトレジス
トをマスクとして、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５を所定の
形状にドライエッチングしている。

【００４５】ここでは、パシベーション膜３を形成し、
この後開口した開口部Ｃの上からバリアメタルを形成す
るのと違い、バリアメタルとしての窒化Ｔｉ膜も含めて
ホトレジストで一度に形成でき、工程数の簡略が可能と
なる。

【００４６】また窒化Ｔｉ膜５は、後に形成するＣｕの
薄膜層（メッキ用のシード層）６のバリアメタルとして
機能している。しかも窒化Ｔｉ膜は、反射防止膜として
有効であることにも着目している。つまりパターニング
の際に使用されるレジストのハレーション防止としても
有効である。ハレーション防止として最低１２００Å〜
１３００Å程度必要であり、またこれにバリアメタルの
機能を兼ね備えるためには、２０００Å〜３０００Å程
度が好ましい。これ以上厚く形成されると、今度は窒化
Ｔｉ膜が原因で発生するストレスが発生する。

【００４７】またＡｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５がパターニ
ングされた後、全面にパッシベーション膜３が被覆され
る。パッシベーション膜として、ここではＳｉ3Ｎ4膜が
採用されているが、ポリイミド等も可能である。（以上
図１参照） 続いて、パッシベーション膜３の表面に絶縁樹脂層ｒが
被覆される。この絶縁樹脂層は、ここでは、ポジ型の感
光性ポリイミド膜が採用され、約３〜５μｍ程度が被覆
されている。そして開口部Ｋが形成される。

【００４８】この感光性ポリイミド膜を採用すること
で、図２の開口部Ｋのパターニングに於いて、別途ホト
レジストを形成して開口部Ｋを形成する必要が無くな
り、ガラス製のホトマスク、メタルマスクの採用により
工程の簡略化が実現できる。もちろんホトレジストでも
可能である。しかもこのポリイミド膜は、平坦化の目的
でも採用されている。つまり半田ボール１２の高さが全
ての領域において均一である為には、メタルポスト８の
高さが全て於いて均一である必要があり、再配線層７も
フラットに精度良く形成される必要がある。その為にポ
リイミド樹脂を塗布し、ある粘度を有した流動性を有す
る樹脂である故、硬化前に所望の時間放置することでそ
の表面をフラットにしている。

【００４９】ここでＡｌ電極１はＬＳＩの外部接続用の
パッドも兼ね、半田ボール（半田バンプ）から成るチッ
プサイズパッケージとして形成しない時は、ワイヤボン
ディングパッドとして機能する部分である。

【００５０】また開口部Ｋの形成と同時に、ダイシング
ラインが形成される領域に、ダイシング幅よりも広い除
去領域が設けれる。例えば絶縁樹脂層ｒが感光性で有れ
ば、この絶縁樹脂層ｒでまず開口部Ｋおよび除去領域Ｅ
Ｌに対応する領域が取り除かれ、この絶縁樹脂層ｒがマ
スクとなりパッシベーション膜３や層間絶縁膜２が取り
除かれる。選択性のあるエッチングで行えば、除去領域
ＥＬのエッチング深さが深くても、開口部Ｋ側はＴｉＮ
５がストッパーとなる。

【００５１】ここで除去領域ＥＬの側面には、層間絶縁
膜２、パッシベーション膜３および絶縁樹脂層ｒの界面
が露出している。（以上図２参照） 続いて全面にＣｕの薄膜層６を形成する。このＣｕの薄
膜層６は、後に再配線層７のメッキ電極となり、例えば
スパッタリングにより約１０００〜２０００Å程度の膜
厚で形成される。

【００５２】続いて、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ
１を塗布し、再配線層７と除去領域ＥＬに対応するホト
レジストＰＲ１を取り除く。

【００５３】続いて、このホトレジストＰＲ１の開口部
に露出するＣｕの薄膜層６をメッキ電極とし、再配線層
７を形成すると同時に、除去領域ＥＬの表面にもシード
層６´を介して再配線層７の材料が形成される。この再
配線層７は機械的強度を確保するために２〜５μｍ程度
に厚く形成する必要がある。ここでは、メッキ法を用い
て形成したが、蒸着やスパッタリング等で形成しても良
い。

【００５４】また除去領域ＥＬの表面にはシード層のみ
を形成するかシード層と再配線層材料が形成されても良
い。（以上図３を参照） この後、ホトレジスト層ＰＲ１を除去し、メタルポスト
８が形成される領域を露出したホトレジストＰＲ２が形
成され、この露出部に電解メッキでＣｕのメタルポスト
８が形成される。これもＣｕの薄膜層６がメッキ電極と
して活用される。このメタルポストは、３０〜４０μｍ
程度の高さに形成される。

【００５５】ここでも電解メッキメッキ以外の方法とし
て、スパッタリングが考えられる。

【００５６】また図では、除去領域ＥＬの部分は、ホト
レジストＰＲ２で覆われているが、ここの部分も露出
し、メタルポスト８の材料を形成しても良い。除去領域
ＥＬに形成された被覆材６´、７´により形成された溝
に再度メタルポスト材料が埋め込まれる。これは、図５
のダイシングの際、図４では、樹脂が多く存在するため
ブレードの目づまりが発生するが、メタルポスト材料が
埋め込まれていれば、その分樹脂層Ｒの量が減るため、
ブレードの寿命が延びる。（以上図４参照） 続いて、ホトレジストＰＲ２を除去し、再配線層７、被
覆材７´をマスクとしてＣｕの薄膜層６、６´を除去す
る。

【００５７】次に示す工程は、図面では省略したが、再
配線層７、メタルポスト８、被覆材７´も含めて全表面
にプラズマＣＶＤ法でＳｉ3Ｎ4膜を被着しても良い。

【００５８】これは、後の工程で形成される硬化前の樹
脂ＲとＣｕが熱により反応するからである。そのためこ
の界面が劣化する問題を有している。従って再配線層
７、メタルポスト８、被覆材７´は、全てこのＳｉ3Ｎ4
膜でカバーする必要がある。このＳｉ3Ｎ4膜は、界面の
劣化が発生しない場合は、もちろん省略が可能である。

【００５９】また、メタルポスト８を形成した後に、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜を形成すれば、再配線層７、メタルポスト８、
このメタルポスト材料より成る被覆材も含めてカバーす
ることができる。またパターニングされて露出している
側面Ｍも一緒に保護する必要があるが、ここでは、両者
をパターニングした後にＳｉ3Ｎ4膜を被覆するので、側
面Ｍも一緒に保護される。

【００６０】続いて樹脂層Ｒを全面に塗布する。

【００６１】この樹脂は、最初は流動性のあるもので、
熱硬化反応が終わるとその膜厚が大きく減少するもので
ある。

【００６２】この樹脂は、流動性があるため硬化前に於
いてフラット性を実現でき、また膜厚の減少故に、メタ
ルポスト頭部より下端に位置される。

【００６３】また絶縁樹脂層Ｒ、ｒは、次のメリットも
ある。一般に粘性のある樹脂をディスペンサで塗布する
と、脱泡してあっても中に気泡を取り込んでしまう問題
がある。気泡を取り込んだまま焼結すると、これからの
工程やユーザー側での高温雰囲気使用で気泡が破裂する
問題がある。

【００６４】本工程では、スピンオンで塗布し、一回の
スピンで２０〜３０μｍ程度の膜厚に形成できるように
その粘性を調整してある。この結果、この膜厚よりも大
きな気泡は、膜の厚みが薄い故に弾けて消える。またこ
の膜厚よりも小さい気泡も、スピンオンの遠心力で外部
へ飛ばされる樹脂と一緒に外に飛ばされ、気泡無しの膜
が形成できる。

【００６５】また絶縁樹脂層Ｒは、膜厚として５０μｍ
程度を必要とし、この場合、前述した原理を採用し、ス
ピンオンで複数回に分けて塗布し、気泡を取り除きなが
ら形成することができる。

【００６６】もちろんスピンオンを採用せずに、ディス
ペンサで塗布しても良いし、金型で封止しても良い。

【００６７】更に、本絶縁樹脂層Ｒのポイントは、硬化
の際に収縮することである。一般に樹脂は、硬化後に於
いて、ある程度の収縮をしている。しかし本絶縁樹脂層
Ｒは、ベーク中に収縮し、絶縁樹脂層Ｒの表面がメタル
ポスト８の頭部よりも下端に位置される。従ってメタル
ポスト８の頭部が露出されるので、半田ボールの固着が
可能となる。

【００６８】また半田ボールの強度を高めるためには、
メタルポスト８の側面も含めて露出率を大きくする必要
があるが、これも絶縁樹脂層Ｒの塗布量をコントロール
することで露出率をコントロールすることができる。

【００６９】また硬化した後、メタルポスト８の頭部に
極薄い膜が残存する場合もあるが、この場合は、簡単に
その表面を研磨またはプラズマアッシングすればよい。
特に前述したようにメタルポストの高さが均一になって
いるので、フラット性のある研磨板を採用すれば、全て
の頭部をクリーンにできる。

【００７０】また絶縁樹脂層Ｒを被覆した後、研磨でき
る程度に半硬化し、メタルポスト８の頭部近傍まで研磨
してから、完全に硬化しても良い。この場合、メタルポ
スト８の頭部には極薄い膜しか残存しないので、絶縁樹
脂層Ｒの収縮率が小さくても、絶縁樹脂層の収縮でメタ
ルポストを露出させることができる。つまり樹脂の収縮
率により、メタルポスト８の上に配置できる膜厚が決ま
るため、それに応じて研磨するか、しなくてすむか、ま
たどの程度研磨するかを決定しメタルポストを露出させ
ればよい。

【００７１】また前記Ｓｉ3Ｎ4膜が形成される場合は、
メタルポストの頭部にＳｉ3Ｎ4膜が形成されているの
で、この場合は、ウエットエッチング、ドライエッチン
グまたは研磨で取り除かれる。

【００７２】更に露出したメタルポスト８にＮｉ１０と
Ａｕがメッキされる。ここではＣｕの薄膜層６が再配線
層７をマスクとして取り除かれているので、無電解メッ
キが採用され、Ｎｉが約１μｍ、Ａｕ１１が約５０００
Åで形成される。

【００７３】メタルポスト頭部の上層まで絶縁樹脂層を
塗布し、これを研磨してゆくと、メタルポストの頭出し
が非常に難しい。またＡｕは、５０００Å程度の膜厚で
最上層にあるため、フラットな研磨が実現されなけれ
ば、あるポストはＡｕが出ており、また別のポストは、
Ａｕの上に絶縁樹脂層がかぶさり、また別のポストはＡ
ｕが削られている状態を作ってしまう。つまりＮｉの酸
化も兼ねているため、半田ボールの固着ができている
所、弱い所、全くできない所が発生する。

【００７４】本発明は、メタルポスト８が露出している
ので、バリアメタル１０、１１が精度高く形成でき、半
田ボール１２の固着性も良好になる。

【００７５】この樹脂層Ｒは、収縮型で説明したが、前
述しているように研磨しても良い。つまり樹脂層Ｒでメ
タルポスト８を完全に覆い、その後メタルポスト８が露
出されるまで研磨しても良い。この研磨工程も樹脂層Ｒ
が第１の溝を埋めているので、クラック等を防止するこ
とができる。

【００７６】更に図示していないがウェハ表面を保護シ
ートで覆い、バックグラインドし、ウェハの厚みを薄く
する。

【００７７】図では、省略したが、バックグラインドし
た後、ウェハ裏面に樹脂を被覆しても良い。これは、バ
ックグラインドの際に発生する傷が原因で発生するウェ
ハのカケを防止するものであると同時に、絶縁樹脂層Ｒ
の収縮により発生するウェハの反りを防止するものであ
る。

【００７８】従って、収縮が大きい樹脂層Ｒが表面にあ
るため、裏面にも同程度の厚みの樹脂層Ｒが設けられる
必要がある。また絶縁樹脂層ｒも考慮され、少なくとも
樹脂層Ｒの膜厚と同程度かこれよりも厚く、最大樹脂層
Ｒと樹脂層ｒの厚み程度の膜厚が必用である。またこの
後にダイシングされるので、チップのカケに対する保
護、チップサイズが大きい場合の反りを考慮すれば、こ
の裏面に形成された保護樹脂も製品として残存させる事
もできる。

【００７９】最後に、用意した半田ボール１２を位置合
わせして搭載し、リフローする。そして、半導体基板を
ダイシング工程により、スクライブラインＤＬに沿って
チップに分割し、チップサイズ・パッケージとして完成
する。

【００８０】ここで半田を溶融するタイミングは、ダイ
シングの前である。

【００８１】このダイシングは、本発明の特徴となると
ころであり、除去領域ＥＬよりも幅狭のダイシングブレ
ードを用意し、これを用いて除去領域ＥＬのほぼセンタ
ーでフルカットする。除去領域ＥＬは、例えば半導体基
板まで到達しているハーフカットで実現されているた
め、半導体基板から上層に形成される各層の界面端部
は、前記被覆層６´、７´および樹脂層Ｒで保護されて
ＣＳＰとなる。

【００８２】以上、本発明は、再配線型で説明してきた
が、樹脂封止型でも実施できることは言うまでもない。

【００８３】また本願では、絶縁樹脂層Ｒとしてシート
３０付きのフィルムＦを採用しても良い。

【００８４】続いて、第２の実施の形態について説明す
る。これは被覆材としてメタルポスト材を利用するもの
である。図３のシード層６、６´を形成するまでは同様
である。

【００８５】シード層が形成された後は、再配線層７の
形成領域が露出されたホトレジストＰＲ１を形成する。
ここでは除去領域ＥＬも覆われている。そしてシード層
６、６´を介して再配線層７を形成する。（以上図６参
照） 続いてホトレジストＰＲ１を除去し、メタルポスト８の
形成領域、除去領域ＥＬの形成領域が露出したホトレジ
ストＰＲ２を形成し、シード層６を介してメタルポスト
８を形成すると同時に、被覆材８´を形成する。（以上
図７参照） 更にホトレジストＰＲ２を除去し、樹脂層Ｒを形成し、
半田ボールを形成し、ダイシングする。この工程も図５
の工程と実質同じであるので詳細な説明は、省略する。

【００８６】両実施の形態共に除去領域ＥＬは、ダイシ
ングで形成されているかエッチングにより実現されても
良い。

【００８７】以上、除去領域ＥＬの界面が露出している
領域には、再配線層材料、メタルポスト材料が被覆でき
るため、シールリングとしての機能を持たすことができ
る。しかもＩＣ形成領域の電極で成るシールリングを別
途設けるのと異なり、本発明は、ダイシング領域のぎり
ぎりの所に設けられるため、チップサイズパッケージの
サイズを大きくすることなく実現できる。

【００８８】

【発明の効果】本発明によれば、第１に、半導体チップ
周囲の側面に、半導体チップの表面から半導体基板まで
到達する除去領域を設け、前記除去領域に露出した界面
に、メタルポストおよび／または再配線層に用いられた
材料を被覆することで、経時変化の原因となる湿気の浸
入路をふさぐ事ができる。

【００８９】第２に、前記除去領域を、ダイシングによ
り形成することで、除去領域ＥＬの形成時間を大幅に短
縮することができる。

【００９０】第３に、前記除去領域には樹脂が形成さ
れ、界面が露出する側面よりも外側でフルカットするこ
とで、二重のシールが実現できる。

【００９１】更には、Ｃｕのメッキ工程を共用すること
で、別途工程の付加をすることなく形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図２】 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図３】 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図４】 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図５】 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図６】 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図７】 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図８】 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する図である。

【図９】 従来のチップサイズパッケージを説明する図
である。

フロントページの続き (72)発明者 高井 信行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 北川 勝彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA07 CA05 CA24 DA04 DA07 DB17 EA02 EA07 EA11 EA12 EC01 ED02 ED03 EE03 5F033 HH08 HH11 HH13 JJ08 JJ11 JJ33 KK01 KK08 KK33 PP15 PP27 PP28 QQ03 QQ08 QQ11 QQ37 QQ47 RR06 RR21 SS15 SS21 VV03 VV07 XX18

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップの一表面のサイズと実質等
   しいサイズを有し、前記半導体チップの一表面が樹脂に
   より被覆された半導体装置に於いて、 前記半導体チップには半田ボールまたは半田バンプと接
   続されるメタルポストおよび前記メタルポストが接続さ
   れる再配線層が設けられ、 前記半導体チップ周囲の側面には、前記半導体チップの
   下層の半導体基板まで到達する除去領域が設けられ、前
   記除去領域に露出した界面には、前記メタルポストおよ
   び／または前記再配線層に用いられた材料が被覆される
   事を特徴とした半導体装置。
2. 【請求項２】 前記除去領域は、ダイシングにより形成
   される請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記材料は、Ｃｕで成る請求項１または
   請求項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記除去領域には前記樹脂が形成され、
   前記界面が露出する側面よりも外側でフルカットされて
   いる請求項１、請求項２または請求項３に記載の半導体
   装置。