JPS6088448A - 樹脂封止形電子装置 - Google Patents
樹脂封止形電子装置Info
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- JPS6088448A JPS6088448A JP58195232A JP19523283A JPS6088448A JP S6088448 A JPS6088448 A JP S6088448A JP 58195232 A JP58195232 A JP 58195232A JP 19523283 A JP19523283 A JP 19523283A JP S6088448 A JPS6088448 A JP S6088448A
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- Japan
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- additive
- resin
- sealing resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止形電子装置に関し、特に、その封止
用樹脂に添加された添加物に関するものである。
用樹脂に添加された添加物に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
従来の半導体装置の封止用樹脂内には、添加料として結
晶性若シ、〈は溶融性のノリ力（二酸化珪素）が混入さ
れている。そＬ７て、これらを使い分けることで、半導
体装置の羽村であるシリコンとの熱膨張率の整合や、半
導体装置内での電力消費によって発生する熱を効率よく
放散させるだめの高熱伝導率化を図ってきた。しかし、
この場合、熱膨張率の整合を改善すると熱伝導率が低下
し、逆に、熱伝導率の改善を図ると、シリコンとの熱膨
張率の差が大きくなるという問題があった。
晶性若シ、〈は溶融性のノリ力（二酸化珪素）が混入さ
れている。そＬ７て、これらを使い分けることで、半導
体装置の羽村であるシリコンとの熱膨張率の整合や、半
導体装置内での電力消費によって発生する熱を効率よく
放散させるだめの高熱伝導率化を図ってきた。しかし、
この場合、熱膨張率の整合を改善すると熱伝導率が低下
し、逆に、熱伝導率の改善を図ると、シリコンとの熱膨
張率の差が大きくなるという問題があった。
これらの問題は、封止用樹脂中に混入される添加料が、
半導体チップの羽村であるシリコンと異なることに起因
する。
半導体チップの羽村であるシリコンと異なることに起因
する。
第】図は、従来の添加料の製造工程を示したものであり
、得られるシリカの形状例を第３図（〜に示している。
、得られるシリカの形状例を第３図（〜に示している。
このように、ノリ力の原材料は一般に鉱山より採掘した
原石を用いるので、この中には天然のウランやトリウム
が微量に含まれており、このウランやトリウムを含むシ
リカを半導体装置封止用樹脂中に添加料として用いた場
合、ウランやトリウムからα線が放出され、このα線照
射エネルギー（： ５ＭｅＶ ）はシリコン中で電子−
正孔対をつくり、例えば、半導体メモリー装置の場合に
は、回路要素のダイナミックＲＡＭのメモリーセルを構
成しているメモリー容量中の蓄積電荷を反転させ翫誤動
作を誘発する。
原石を用いるので、この中には天然のウランやトリウム
が微量に含まれており、このウランやトリウムを含むシ
リカを半導体装置封止用樹脂中に添加料として用いた場
合、ウランやトリウムからα線が放出され、このα線照
射エネルギー（： ５ＭｅＶ ）はシリコン中で電子−
正孔対をつくり、例えば、半導体メモリー装置の場合に
は、回路要素のダイナミックＲＡＭのメモリーセルを構
成しているメモリー容量中の蓄積電荷を反転させ翫誤動
作を誘発する。
さらに、天然シリカ中には、半導体不純物ンリ染の物質
であるすトリウムや塩素、カリウム等の不純物が混入し
ているなどの問題があった。 。
であるすトリウムや塩素、カリウム等の不純物が混入し
ているなどの問題があった。 。
（発明の目的）
本発明は、」二記従来例の問題点を一挙に解消するもの
で、添加材の純度並びに熱伝導性を著しく向上させた半
導体装置封市川樹脂を用いてなる樹脂封止形電子装置を
提供するものである。
で、添加材の純度並びに熱伝導性を著しく向上させた半
導体装置封市川樹脂を用いてなる樹脂封止形電子装置を
提供するものである。
（発明の構成）
本発明における封止用樹脂の添加利け、半導体純度の単
結晶又は多結晶／リコン塊を所定の粒度（粒径は約３０
〜２５０μｍ）に一旦粉砕し、この粉砕したシリコン粒
を、高温水蒸気（７００〜１２ｏｏ℃）中に通してシリ
コン粒の表面に一定厚さく１〜ＩＯμｍ）の二酸化珪素
被膜を形成したもので、これを添加材として混入した封
止用樹脂で電子装置を封止する。
結晶又は多結晶／リコン塊を所定の粒度（粒径は約３０
〜２５０μｍ）に一旦粉砕し、この粉砕したシリコン粒
を、高温水蒸気（７００〜１２ｏｏ℃）中に通してシリ
コン粒の表面に一定厚さく１〜ＩＯμｍ）の二酸化珪素
被膜を形成したもので、これを添加材として混入した封
止用樹脂で電子装置を封止する。
（実施例の説明）
以下、図面を参照して、実施例を説明する。
第２図は、本発明の一実施例の添加材の製造工程を示し
たものである。まず、多結晶シリコンを得る代表的な製
法として、三塩化シラン法とモノシラン法とがあり、こ
れらの方法で高純度の多結晶シリコンを得る。この多結
晶シリコンを必要に応じて３０〜２５０μｍの粒度に粉
砕する。この粒径の多結晶シリコン粒を７００〜１２０
０℃の湿中雰囲気で酸化させ、表面に１〜１０μｍ程度
の二酸化シリコンの膜を形成する。そして、不純物分析
の後、これを添加材として得る。
たものである。まず、多結晶シリコンを得る代表的な製
法として、三塩化シラン法とモノシラン法とがあり、こ
れらの方法で高純度の多結晶シリコンを得る。この多結
晶シリコンを必要に応じて３０〜２５０μｍの粒度に粉
砕する。この粒径の多結晶シリコン粒を７００〜１２０
０℃の湿中雰囲気で酸化させ、表面に１〜１０μｍ程度
の二酸化シリコンの膜を形成する。そして、不純物分析
の後、これを添加材として得る。
第３図（ｂ）は、得られた添加材の断面を示したもので
あり、１は二酸化シリコン膜、２は多結晶シリコンであ
る。
あり、１は二酸化シリコン膜、２は多結晶シリコンであ
る。
添加材は、用途に応じて６０〜８０重量係の割合で樹脂
中に混入され、これを封止用樹脂として電子装置の外囲
封止に使用する。
中に混入され、これを封止用樹脂として電子装置の外囲
封止に使用する。
なお、用途に応じて樹脂の熱伝導率を向上させたい場合
は、多結晶シリコンから単結晶シリ゛コンに結晶成長さ
せた後粉砕し、以下、上述の方法で二酸化シリコン膜を
形成するようにしてもよい。
は、多結晶シリコンから単結晶シリ゛コンに結晶成長さ
せた後粉砕し、以下、上述の方法で二酸化シリコン膜を
形成するようにしてもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、添加材の熱膨張率は、従来の１１ｘ
１ｏ ’Ｉｃ：に対し本発明では５ＸＩＯ−６〜８ Ｘ
１０−６／／℃とシリコンの３．５ Ｘ ＩＦ７℃に
近い。さらに、熱伝導率も、従来の９．３Ｗ−ｍ−’・
Ｋ−１に対して本発明では３０−５９Ｗ、ｍ−’・Ｋ−
’ 七高くなる。
１ｏ ’Ｉｃ：に対し本発明では５ＸＩＯ−６〜８ Ｘ
１０−６／／℃とシリコンの３．５ Ｘ ＩＦ７℃に
近い。さらに、熱伝導率も、従来の９．３Ｗ−ｍ−’・
Ｋ−１に対して本発明では３０−５９Ｗ、ｍ−’・Ｋ−
’ 七高くなる。
添加材中のウラン、トリウム、ナトリウム等の不純物含
有量は、従来のものに比べれば無視し得る程度に低く、
半導体装置の不純物汚染や半導体メモリー等で生じる情
報反転も防ける。
有量は、従来のものに比べれば無視し得る程度に低く、
半導体装置の不純物汚染や半導体メモリー等で生じる情
報反転も防ける。
以上の効果から、／リコン半導体装置の封止用樹脂に係
る諸問題を一挙に解決し、高純度、低応力、高熱伝導と
いう優れた特性を有する樹脂封止形電子装置を得ること
ができる利点がある。
る諸問題を一挙に解決し、高純度、低応力、高熱伝導と
いう優れた特性を有する樹脂封止形電子装置を得ること
ができる利点がある。
第１図は、従来の添加物（シリカ）の製造工程図、第２
図は、本発明の一実施例の添加物の製造工程図、第３図
（ａ）は、従来の添υ［ｊ物の断面図、第３図（ｂ）は
、本発明実施例の添加物の断面図である。 １ ・・・・・・・・・二酸化シリコン、 ２・・−・
−・・ノリコン（粒）。 第１図 第２図 第３図
図は、本発明の一実施例の添加物の製造工程図、第３図
（ａ）は、従来の添υ［ｊ物の断面図、第３図（ｂ）は
、本発明実施例の添加物の断面図である。 １ ・・・・・・・・・二酸化シリコン、 ２・・−・
−・・ノリコン（粒）。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 表面酸化処理されたシリコン粉末を添加料として含む外
囲樹脂で封止されたことを特徴とする樹脂封止形電子装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195232A JPS6088448A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 樹脂封止形電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195232A JPS6088448A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 樹脂封止形電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088448A true JPS6088448A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0148659B2 JPH0148659B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=16337674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195232A Granted JPS6088448A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 樹脂封止形電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124919A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体保護膜材料およびこれを用いた半導体装置 |
| JP2019131669A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 帝人株式会社 | 樹脂組成物および絶縁熱伝導性シート |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58195232A patent/JPS6088448A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124919A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体保護膜材料およびこれを用いた半導体装置 |
| JP2019131669A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 帝人株式会社 | 樹脂組成物および絶縁熱伝導性シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148659B2 (ja) | 1989-10-20 |
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