JPS6164145A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置

Info

Publication number
JPS6164145A
JPS6164145A JP59185935A JP18593584A JPS6164145A JP S6164145 A JPS6164145 A JP S6164145A JP 59185935 A JP59185935 A JP 59185935A JP 18593584 A JP18593584 A JP 18593584A JP S6164145 A JPS6164145 A JP S6164145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor chip
filler
silicon dioxide
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59185935A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Nakagawa
治 中川
Jiro Fukushima
二郎 福島
Toshinobu Banjo
番條　敏信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59185935A priority Critical patent/JPS6164145A/ja
Priority to NL8502108A priority patent/NL8502108A/nl
Priority to DE19853527496 priority patent/DE3527496A1/de
Publication of JPS6164145A publication Critical patent/JPS6164145A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止形半導体装置に係り、特Ｉこその
封止用樹脂の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に、樹脂封止形の半導体装置は、第１図に示すよう
に半導体チップ（１）を封止用樹脂（２）でモールド成
形して成るものであり、（３）はそのリードフレーム、
（４）は金線からなるリード線である。
上記封圧用樹脂（２）としては、充填剤として二酸化ケ
イ素を数重屋パーセントないし８０重量パーセント混入
させたエポキシ樹脂、またはシリコーン樹脂が用モ）７
られている。
充填剤を混入させる理由は、封止用樹脂としての機械的
強度や熱伝導率を向とさせることと同時１ζ、特１ζリ
ードフレーム（３）、半導体チップ（ｌ）、リード線（
４）等の熱膨張係数が相異することが原因で起る熱応力
を低減するためである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかして、近年、半導体装置、特に大規模半導体集積回
路（ＬＳＩ）では、高密度集積化に伴い機能素子部の微
細化と半導体チップの大形化が行われ、この結果、いま
まで大きな問題とならなかった集中局部熱応力による特
性の劣化が問題視されるようになってきている。
封止用樹脂中に混入される充填剤は、先に述べたように
樹脂封止形半導体装置にとって基本的特性や信頼性を維
持する辷で欠くことのできないものである。
ところが、従来の充填剤としての二酸化ケイ素（５ンは
第２図に示すように各粒径の巾が１〜１８０μｍでその
内の重量パーセントが５０９６の粒径、すなわち粒径メ
ジアンが２０μｍ以ｔであり、かつ破砕状である。
このような、鋭利な形状で大粒径の充填剤が、半導体チ
ップ（１ンと封止用の境界近傍に存在すると（第２図Ａ
のように）、熱変化により、半導体チップ（１）の局部
（こ集中応力が加わることになり、特ｌこ大規模半導体
集積回路ではこれ１こより特性を劣化させ、問題となっ
ている。
〔問題を解決するための手段〕
この発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
封止用樹脂に混入される充填剤としての二酸化ケイ素を
、その最大粒径が２０μｍ以下でかつその粒子形状が球
状として成る樹脂封止形半導体装置を提供するもので、
これＩこよって熱変化１こより充填剤で半導体チップの
局部■こ応力が集中して加えらｎることのないよう擾こ
し、もって例えば半導体チップと封止用樹脂との境界部
分に緩衝膜を形成する工程を省略することができるよう
ｌζすることを目的とする。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例について説明する。
〈実験例１〉 ７０重量パーセントの二酸化ケイ素を充填剤として混入
し、封止用樹脂としてはフェノール硬化系エポキシ樹脂
を使ったものについて、充填剤粒径分布と、半導体チッ
プのかわりに局部応力測定素子を封止したのちの特性劣
化不良率（例えば塘の場合ビットラインが不良となって
センスアンプの感度が劣化を起すような率を想定）との
関係を調べた。
第８図Ｉこ使用したサンプルＡ−Ｅの充枦剤の粒径の巾
と、粒径×ジアンと、粒形状を示し、第４図１ζその各
サンプルと特性劣化不良率との関係を示す。
第４図から、充填剤（５）の最大粒径を２０μｍ以下に
すること１ζより、半導体チップ（１）に加わる熱変化
にともなう局部応力集中が少なくなって、特性劣化を低
減することができる。この最大粒径が２０μｍ以下のサ
ンプルの拡大要部断面を第５図に示す。
〈実験例２〉 ７０重量パーセントの二酸化ケイ素を混入し、封止用樹
脂としてはフェノール硬化系エポキシ御脂を使った場合
について、特１ζ充填剤の粒子形状を球状にしたものを
サンプルとして調べた。
第６図に使ったサンプルＣ，Ｆ、Ｇ　の充填剤の粒径の
巾と、粒径×ジアンと、粒形状を示し、第７図１ζその
各サンプルと特性劣化不良率との関係を示す。
第７囚から明らかなように球状の充填剤を使用すること
により、局部集中応力を更に低減できる。
この充填剤を球状としｔこサンプルの拡大断面を第８囚
に示す。
なお、充填剤としての二酸化ケイ素と封止用樹脂とは、
初期粉状で混合し、完全混合を期するため最終段階にて
溶融混練して、このＢステージとよばれる樹脂状態とし
ておく。そして半導体チップをモールド成形する時−担
高温で溶融し、その後再溶融しない最終熱硬化する。
〔発明の効果〕
以とのようにこの発明の樹脂封止形半導体装置では、封
止用樹脂に混入する充填剤として、最大粒径が２０μｍ
以下で粒形が球状の二酸化ケイ素を使用しているので、
封止する半導体チップ瞥こ局部集中応力が加わるのを低
減でき、特性の不良発生をおさ−えることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的な栃脂封止形半再俸装置を示す断面図、
第２図はその要部の拡大断面図、第３図は実験例１のサ
ンプルの粒径等を示す表、第４図は各サンプルの特性劣
化不良率を示す図、第５図はサンプルＡの要部の拡大断
面図、第６図は実験例２のサンプルの粒形状等を示す図
、第７図はその各サンプル特性劣化不良率を示す図、第
８図はサンプルＦの要部の拡大断面図である。 なお、図中（１）は半導体チップ、（２）は封止用樹脂
、（５）は充填剤である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体チップを樹脂中に封止して形成した樹脂封止形
    半導体装置において、封止用樹脂はエポキシ樹脂または
    シリコーン樹脂から成り、この封止用樹脂には熱応力を
    低減するための充填剤として最大粒径が２０μｍ以下で
    かつその粒形状が球状の二酸化ケイ素を混入させたこと
    を特徴とする樹脂封止形半導体装置。
JP59185935A 1984-09-05 1984-09-05 樹脂封止形半導体装置 Pending JPS6164145A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59185935A JPS6164145A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 樹脂封止形半導体装置
NL8502108A NL8502108A (nl) 1984-09-05 1985-07-23 In kunststof gevormd type halfgeleiderinrichting.
DE19853527496 DE3527496A1 (de) 1984-09-05 1985-07-31 In kunststoff eingegossene halbleitereinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59185935A JPS6164145A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 樹脂封止形半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6164145A true JPS6164145A (ja) 1986-04-02

Family

ID=16179453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59185935A Pending JPS6164145A (ja) 1984-09-05 1984-09-05 樹脂封止形半導体装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS6164145A (ja)
DE (1) DE3527496A1 (ja)
NL (1) NL8502108A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04146655A (ja) * 1990-10-08 1992-05-20 Hitachi Ltd 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置
JP2006143978A (ja) * 2004-11-25 2006-06-08 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3932882A1 (de) * 1989-10-02 1991-04-11 Siemens Ag Gut waermeleitender verbundwerkstoff
GB9110566D0 (en) * 1991-05-16 1991-07-03 Dow Corning Gmbh Method of coating
FR2735283B1 (fr) * 1995-06-09 1997-08-29 Solaic Sa Module a circuit integre
DE102008024704A1 (de) 2008-04-17 2009-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610947A (en) * 1979-07-10 1981-02-03 Toshiba Corp Semiconductor sealing resin composition
JPS5796014A (en) * 1980-11-28 1982-06-15 Ibm Epoxy composition
JPS57212225A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Nitto Electric Ind Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA737835A (en) * 1963-02-04 1966-07-05 Ciba Limited Method of producing cast resin moulded bodies consisting of a core and casing
DE2337336A1 (de) * 1970-09-23 1975-02-06 Licentia Gmbh In kunststoff eingebettete halbleiteranordnungen
DE2748523A1 (de) * 1977-10-28 1979-05-03 Siemens Ag Epoxid-niederdruckpressmasse
US4248920A (en) * 1978-04-26 1981-02-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device
JPS5667948A (en) * 1979-11-07 1981-06-08 Toshiba Corp Resin for sealing semiconductor element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610947A (en) * 1979-07-10 1981-02-03 Toshiba Corp Semiconductor sealing resin composition
JPS5796014A (en) * 1980-11-28 1982-06-15 Ibm Epoxy composition
JPS57212225A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Nitto Electric Ind Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04146655A (ja) * 1990-10-08 1992-05-20 Hitachi Ltd 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置
JP2006143978A (ja) * 2004-11-25 2006-06-08 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物

Also Published As

Publication number Publication date
NL8502108A (nl) 1986-04-01
DE3527496A1 (de) 1986-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08236683A (ja) リードフレーム
JPS6164145A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPS62261161A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JP2003243598A (ja) 半導体装置及びその半導体装置の製造方法
JPS6315448A (ja) 半導体装置
JP2873009B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS6351647A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2633856B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6132446A (ja) 半導体装置
JPS6348849A (ja) 半導体装置
JP2001185567A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63104455A (ja) 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法
JPH04316356A (ja) 樹脂封止形半導体装置
TW498515B (en) Flip chip type semiconductor package piece with flash prevention structure and its manufacture method
JPH02123745A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5848443A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08264686A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH0422159A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH05144863A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63245469A (ja) 半導体封止樹脂
JPS61150227A (ja) 半導体装置
JPH01309357A (ja) 半導体装置
JPS63250828A (ja) 半導体装置
JPS6088448A (ja) 樹脂封止形電子装置
JPS62124143A (ja) 半導体封止樹脂