JPS63245469A - 半導体封止樹脂 - Google Patents
半導体封止樹脂Info
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- JPS63245469A JPS63245469A JP7916887A JP7916887A JPS63245469A JP S63245469 A JPS63245469 A JP S63245469A JP 7916887 A JP7916887 A JP 7916887A JP 7916887 A JP7916887 A JP 7916887A JP S63245469 A JPS63245469 A JP S63245469A
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- Japan
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- silica
- particle size
- resin
- semiconductor
- plastic
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- Pending
Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は半導体封止樹脂に係り、特に半導体素子部分を
モールドにより封止するための半導体封止樹脂に関する
。
モールドにより封止するための半導体封止樹脂に関する
。
(従来の技術)
従来から、リードフレームに固定されボンディングワイ
ヤにより結線された半導体素子部分をモールド樹脂によ
り封止することが行なわれている。
ヤにより結線された半導体素子部分をモールド樹脂によ
り封止することが行なわれている。
この樹脂充填剤(フィラー)には、熱膨張係数を小さく
するシリカが多く用いられており、このシリカは、細か
いもので1μm以下、粗いもので約150μmの粒径分
布を角゛するものを使用している。
するシリカが多く用いられており、このシリカは、細か
いもので1μm以下、粗いもので約150μmの粒径分
布を角゛するものを使用している。
そして、上記のように粒径分布を制御することにより、
成型時に生じる厚パリやフラッシュ等を減少させ、成型
性を高めるようにしている。
成型時に生じる厚パリやフラッシュ等を減少させ、成型
性を高めるようにしている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、上記のようなシリカの粒径分布では、半導体素
子のメモリにおける1カラム不良が発生してしまうとい
う問題を有しており、この問題を解決するため、近年、
上記シリカの粒径の粗いものを除去し、粒径の細かいも
ののみを使用したり、シリカの形状を一部球状に形成す
れば、上記1カラム不良を防止することができることが
わがってきた。
子のメモリにおける1カラム不良が発生してしまうとい
う問題を有しており、この問題を解決するため、近年、
上記シリカの粒径の粗いものを除去し、粒径の細かいも
ののみを使用したり、シリカの形状を一部球状に形成す
れば、上記1カラム不良を防止することができることが
わがってきた。
しかし、上記のようにシリカの粒径を細かい゛もののみ
に制御してしまうと、逆にパリやフラッシュ等が生じや
すくなってしまい、また、シリカの形状を一部球状にし
ても十分な効果を得ることができなかった。
に制御してしまうと、逆にパリやフラッシュ等が生じや
すくなってしまい、また、シリカの形状を一部球状にし
ても十分な効果を得ることができなかった。
このように、半導体素子の不良防止と成型性とは相反す
るものであり、上記素子d不良防止と成型性との両方を
満足する封止樹脂は従来存在していなかった。
るものであり、上記素子d不良防止と成型性との両方を
満足する封止樹脂は従来存在していなかった。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、素子の不
良を防止し、かつ、成型性を向上させることのできる半
導体封止樹脂を提供することを目的とするものである。
良を防止し、かつ、成型性を向上させることのできる半
導体封止樹脂を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明に係る半導体封止樹脂は
、リードフレームに固定されボンディングワイヤにより
結線された半導体素子部分をモールドにより封止するた
めのシリカを主成分とした半導体封止樹脂において、粒
径20μm以上のものの少なくとも一部を上記シリカに
比べて軟らかい材料で構成したことをその特徴とするも
のであり、好ましくは上記軟らかい材料としてプラスチ
ックが用いられる。
、リードフレームに固定されボンディングワイヤにより
結線された半導体素子部分をモールドにより封止するた
めのシリカを主成分とした半導体封止樹脂において、粒
径20μm以上のものの少なくとも一部を上記シリカに
比べて軟らかい材料で構成したことをその特徴とするも
のであり、好ましくは上記軟らかい材料としてプラスチ
ックが用いられる。
(作 用)
本発明によれば、粒径の小さいシリカを用いることによ
り半導体素子のカラム不良を防止することができ、粒径
の大きいプラスチックを用いることによりモールド時の
成型性を高めることができるものである。
り半導体素子のカラム不良を防止することができ、粒径
の大きいプラスチックを用いることによりモールド時の
成型性を高めることができるものである。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
本実施例における半導体封止樹脂は、主成分をシリカと
し、粒径20μm以上のものの少なくとも一部を上記シ
リカに比べて軟らかい材料で構成したものである。
し、粒径20μm以上のものの少なくとも一部を上記シ
リカに比べて軟らかい材料で構成したものである。
第1図はシリカの粒形状を球状としたものおよび破砕状
としたものについて半導体素子の不良発生率を示したも
ので、これによれば、粒径が細かい程不良が少なくなる
ことがわかり、球状のシリカでは粒径が40μm以下、
破砕状のシリカでは粒径が20μm以下の場合に、不良
が発生しなくなることがわかる。そのため、本実施例に
おいては、球状のシリカを用いる場合はその粒径を40
μm以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成し、破砕状のシリカを用いる場合はその粒径を20
μm以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成するようになされる。
としたものについて半導体素子の不良発生率を示したも
ので、これによれば、粒径が細かい程不良が少なくなる
ことがわかり、球状のシリカでは粒径が40μm以下、
破砕状のシリカでは粒径が20μm以下の場合に、不良
が発生しなくなることがわかる。そのため、本実施例に
おいては、球状のシリカを用いる場合はその粒径を40
μm以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成し、破砕状のシリカを用いる場合はその粒径を20
μm以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成するようになされる。
したがって、本実施例においては、粒径の小さいシリカ
を用いることにより半導体素子のカラム不良等を防止す
ることができ、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成するようにしているので、パリ等が発生せずモール
ド時の成型性を高めることが可能となる。
を用いることにより半導体素子のカラム不良等を防止す
ることができ、それ以上の粒径のものをプラスチックで
構成するようにしているので、パリ等が発生せずモール
ド時の成型性を高めることが可能となる。
第2図は本発明に係る封止樹脂および従来の封止樹脂に
おけるモールド成型時に生じるパリ長さを測定した実験
結果を示したもので、従来の封止樹脂では粒径が細かく
なるにしたがって、パリ長さが大きくなり成型が不能と
なるが、本発明の封止樹脂では粒径にかかわらずパリを
減少させることができ、成型性が高いことがわかる。
おけるモールド成型時に生じるパリ長さを測定した実験
結果を示したもので、従来の封止樹脂では粒径が細かく
なるにしたがって、パリ長さが大きくなり成型が不能と
なるが、本発明の封止樹脂では粒径にかかわらずパリを
減少させることができ、成型性が高いことがわかる。
また、球状のシリカを用いる場合はその粒径を40μm
以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで構成
し、破砕状のシリカを用いる場合はその粒径を20μm
以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで構成
した場合、第3図に示すような粒径分布となる。なお、
」二記プラスチックは、熱可塑性および熱硬化性のいず
れを用いてもよいが、熱膨張係数のできるだけ小さいも
のが好適である。
以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで構成
し、破砕状のシリカを用いる場合はその粒径を20μm
以下とし、それ以上の粒径のものをプラスチックで構成
した場合、第3図に示すような粒径分布となる。なお、
」二記プラスチックは、熱可塑性および熱硬化性のいず
れを用いてもよいが、熱膨張係数のできるだけ小さいも
のが好適である。
以上述べたように本発明に係る半導体封止樹脂は、主成
分をシリカとし、粒径20μm以上のものの少なくとも
一部を上記シリカに比べて軟らかい例えばプラスチック
等の材料で構成したので、粒径の小さいシリカを用いる
ことにより半導体素子のカラム不良を防止することがで
き、粒径の大パ/きいプラスチックを用いることにより
ぼり等を防止し、モールド時の成型性を高めることがで
きる等の効果を奏する。
分をシリカとし、粒径20μm以上のものの少なくとも
一部を上記シリカに比べて軟らかい例えばプラスチック
等の材料で構成したので、粒径の小さいシリカを用いる
ことにより半導体素子のカラム不良を防止することがで
き、粒径の大パ/きいプラスチックを用いることにより
ぼり等を防止し、モールド時の成型性を高めることがで
きる等の効果を奏する。
第1図はシリカのすI′F、径と不良発生率との関係を
示す線図、第2図は本発明の樹脂および従来の樹脂の粒
径とパリ長さとの関係を示す線図、第3図は本発明の粒
径分布を示す線図である。 出願人代理人 佐 藤 −雄 フィフー□柔〆Uさ命令(平均イー1.ンHrn第1菌 フィラー4Bさ分ψ(平均値)pm 第2図
示す線図、第2図は本発明の樹脂および従来の樹脂の粒
径とパリ長さとの関係を示す線図、第3図は本発明の粒
径分布を示す線図である。 出願人代理人 佐 藤 −雄 フィフー□柔〆Uさ命令(平均イー1.ンHrn第1菌 フィラー4Bさ分ψ(平均値)pm 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードフレームに固定されボンディングワイヤによ
り結線された半導体素子部分をモールドにより封止する
ためのシリカを主成分とした半導体封止樹脂において、
粒径20μm以上のものの少なくとも一部を上記シリカ
に比べて軟らかい材料で構成したことを特徴とする半導
体封止樹脂。 2、上記軟らかい材料はプラスチックであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体封止樹脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7916887A JPS63245469A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体封止樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7916887A JPS63245469A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体封止樹脂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63245469A true JPS63245469A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13682440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7916887A Pending JPS63245469A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体封止樹脂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63245469A (ja) |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7916887A patent/JPS63245469A/ja active Pending
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