JPH01215030A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JPH01215030A
JPH01215030A JP63039376A JP3937688A JPH01215030A JP H01215030 A JPH01215030 A JP H01215030A JP 63039376 A JP63039376 A JP 63039376A JP 3937688 A JP3937688 A JP 3937688A JP H01215030 A JPH01215030 A JP H01215030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
bonding
wire
connector
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63039376A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Anjo
安生 一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63039376A priority Critical patent/JPH01215030A/ja
Priority to KR1019890001081A priority patent/KR970011648B1/ko
Priority to US07/313,438 priority patent/US4974054A/en
Publication of JPH01215030A publication Critical patent/JPH01215030A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05556Shape in side view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4807Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4845Details of ball bonds
    • H01L2224/48451Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4845Details of ball bonds
    • H01L2224/48451Shape
    • H01L2224/48453Shape of the interface with the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • H01L2224/78302Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85043Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a flame torch, e.g. hydrogen torch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85203Thermocompression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S228/00Metal fusion bonding
    • Y10S228/904Wire bonding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に、ワイヤボ
ンディングしている半導体ペレットとコネクタ用ワイヤ
との当該ボンディング箇所における改曳技術に関する。
【従来の技術〕
半導体ペレットを機能させるためには、電気信号の人出
力を外部へ取り出す必要がある。そのために、尚蚊ペレ
ットの電極(パッド)と、該ペレットを搭載しているリ
ードフレームとをAu線などのコネクタ用ワイヤにより
接続(ワイヤボンディング)することが行われている。
当該ワイヤボンディングの方法には、一般に熱圧着法や
超音波ボンディング法やこれらを組合せた方法があり、
熱圧着法は、一般に、コネクタ用ワイヤ(Aug)の先
端部を水素トーチで焼き切りて作りたボール(Auボー
ル)ヲ、ペレットのパッド部に熱圧着する方法で、その
−手段としてのネイルヘッドボンディングではAuボー
ルをキャピラリで押えて釘の頭状にボンディングする。
超音波ボンディング法は、適歯な圧力と超音波振動を加
えて行う方法である。
かかるワイヤボンディングにあっては、その接続強度を
上げるために、ペレットのパッド部にボンディングされ
ているコネクタ用ワイヤの先端のボール状のボンディン
グ部の厚みを、一般に、厚いものとしている。
しかるに、これらペレットやコネクタ用ワイヤなどを外
的環境から保躾するため、モールド樹脂で樹脂封止して
いる樹脂封止型半導体装置では、一般にモールド樹脂は
150〜200℃で硬化し、その線膨張係数は1〜2.
5X10/’C程度と、81などで構成されたペレット
のそれと比べて大きいため、硬化収縮による剪断応力が
そのワイヤボンディング部にカロわることになる。
ところで、ペレットはVLSIの時代を向えて益々大型
化しており、かかる大型ペレット化に伴ない、前記ボン
ディングパッド部の下部にり2ツク(亀裂)が生じ、当
該クラックに起因する入力リーク不良が出現するように
なり、尚該クラックはペレットクラックにまで到ること
もある。
本発明者は、かかるパッド部のクラックの発生メカニズ
ム□について検討したところ、モールド樹脂の収縮によ
るペレット上の剪断応力は、ペレットの周辺S(特に、
コーナー部)程大きくなりており、このため、ボンディ
ングパッド部付近ではその影響を強く、受け、チップク
ラックにまで到ることがあることが判明した。
従来技術では、モールド樹脂収縮によるペレット上に生
じる剪断力によってボンディングパッド部のワイヤ接合
部に過大な応力が生ずる点について配慮がされていす、
その接続強度を上げるため  ゛に一般に厚製のボール
形状としており、そのために、温度サイクル等の熱スト
レスが加わった場合にクラックに到ることが多いことも
判明した。
なお、当該ワイヤボンディング技術について述べた特許
の例としては、特願昭55−119817号があげられ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は上記に鑑み、温度サイクル等の熱ストレスが加
りた場合にあうても、ボンディングパッド部の下部にク
ラックが生じることを防止し、入力リーク不良を起さず
、信頼性を向上させることのできる技術を提供すること
を目的とする。
本発明は、また、ペレットの大型化に伴う新現象の不良
である上記した不良を解消することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのはかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかにカるであ
ろう。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの観賛
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明では、コネクタ用ワイヤのペレットのボンディン
グパッド部とのボンディング部のペレットからの厚みを
コントロールするようにし、その厚みをできるだけ薄く
するようにした。そして、尚該ボンディング部のペレッ
トとの接合(ボンディング)面積を広くとるようにした
さらに、その場合の厚みをtとし、上記ボンディング巾
を8としたときに、その比t/Sが0.2以下とするよ
うにした。
〔作 用〕
ペレットのボンディングパッド部上のコネクタ用ワイヤ
のボール状ボンディング部(以下、Auボールにて説明
する)には、ペレット外側方向から中央に向い、モール
ド樹脂収縮による剪断力が加わる。この剪断力がAuボ
ールを押すため、モーメントが生じ、Auボール端部に
引張り応力が発生する。引張り応力がペレットの破断強
度を越えるとクラックとなる。
上記メカニズムにより、Auボール厚を薄くすると、A
uボールの押される面積(断面積)が小さくなるために
、応力は低減し、クラックに到らない。
同様に接合面積を広くすると、Auボール端へ加わる集
中応力が低減するためクラックの発生を防止できる。
特に、上記において、Auボール厚(t)と接合面積に
おけるペレット上のボンディング巾(S)との兼ね合い
において、t/S比が0.2以下であるときに、クラッ
ク発生を最も有効に防止できる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第6図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置(以下、プ
ラスチックパッケージという)の−例を示す断面図で、
尚該プラスチックパッケージ(DIL型)1は、リード
フレーム2のタブ3上にペレット4をグイボンディング
し、コネクタ用ワイヤ5の一端部をペレット4のボンデ
ィングパッド部6にボンディングするとともに、コネク
タ用ワイヤ5の他端部をリードフレーム2のインナーリ
ード7の先端部にボンディングして、尚該ワイヤボンデ
ィングにより、ペレット4とリードフレーム2とをコネ
クタ用ワイヤ5を介して電気的に接続しており、ペレッ
ト4を機能させるために、その電気信号の入出力を外部
へ取り出している。
さらに、ペレット4およびコネクタ用ワイヤ5とペレッ
ト4との接合部などを外的環境から検層するために、モ
ールド樹脂よりなる樹脂封止部8によりこれらを樹脂封
止している。リードフレーム2の当該樹脂封止部8から
引き出しされたリード部はアクタ−リード9と称され、
このアウターリード9により、プリント配線基板(図示
せず)などの実装用基板とのプラグイン実装が可能とな
る。
第7図は、PPP(7ラツトパツクパツケージ)プラス
チックパッケージ1′のその一部を断面で示す斜視図で
、第6図と共通する符号は同一の機能を示すので、その
説明を省略する。
この様なグラスチックパッケージにおいて、コネクタ用
ワイヤ5が例えばAu@で、ペレット4のボンディング
パッド部6が例えばAJパッドである場合、コネクタ用
ワイヤ5のAuボール5′は、ペレット4上のAJスパ
ッドとの間で、A u−AJ合金10を形成してボンデ
ィングされている。
第3図に示すよ5に、モールド樹脂の硬化収縮により、
ペレット4には当該モールド樹脂の収縮応力11がかか
るし、Auボール5′には同様にペレット外側方向から
中央に向いモールド樹脂収縮による剪断応力12がかか
り、また、当該剪断応力12がAuボール5′を押すた
めにコネクタ用ワイヤ5のAuボール5′には曲げモー
メント13がかかる。
幽該曲げモーメント13が、ペレット4との接合強度を
越えると、り2ツク14を生じる。
なお、第3図にて、15はAuボール5′の下ff1S
の最大主応力(6I )の働く方向を示したものである
次に、第1図は、ペレット4の中心からその外側(周辺
)にかけて、どのように剪断応力12が変化するかをプ
ロットしたもので、同図には合わせて当直方向にかかる
垂直応力16についてもデータをプロットしである。
この第1図に示すように、垂直応力16はペレット4の
中心でも周辺部でも大した変化はないのに対し、剪断応
力12はペレット4の中心から周辺部に向うにつれて次
第にその値が大きくなっていることが判る。
換言すると、コネクタ用ワイヤ5とワイヤボンディング
している、ボンディングパッド部6付近で最も剪断応力
がかかり、強く影舎されていることが判る。
そこで、本発明では、これら事実から、第2図に示すよ
うな、例えばAuボール5′よりなるコネクタ用ワイヤ
5のボンディング部におけるペレット4かもの厚さtを
出来るだけ薄くするようにすることが良いことが判った
。すなわち、当該ボンディング部(Auボール)5パの
厚さtt−薄くすることにより、当該ボンディング部5
′が剪断応力12により押される面積(断面filt)
が小さくなるために、剪断応力12が低減し、クラック
14を発生し難くなる。
一方、Auボール5′に加わる剪断応力12とAUボー
ルダとの接合面積との関係では、反比例する関係にある
。すなわち、接合面積を大にすれば剪断応力を軽減でき
る。そのために、その接合面積をできるだけ大きくする
ことが剪断応力12を軽減することに役立つ。
この場合、厚さtと該接合面積におけるボンディング中
Sとの関係では0.2以下にすることが適当である。
本発明者の検討によれば、Au−Al合金10の端部に
応力集中が行われ易いことが判り、とのAu=Ik1合
金lOの巾Sをボンディング中として、上記のとと<t
/Sを0.2以下とする。
第4図は、Au(金)ボール厚(tJを一定として、ボ
ンディング中(S)と金ボール下最大主応力6゜(Kg
f/1sl)との関係をプロットしたもので、同図に示
すように、ボンディング中の)の増大に伴ない、上記金
ボール下最大王応力6.が低下することが示されている
また、第5図はボンディング中C)を一定として、金ボ
ール厚(t)と金ボール下最大主応力6mとの関係をプ
ロットとしたもので、同図に示すように、金ボール厚(
t)を薄(する程、金ボール下最大主応力6.が小さく
なることが示されている。
上記のごとく、Auボール厚を薄くしたり、接合面積を
大きくしたり、t/S比を0.2以下とするのは、ペレ
ット4の全ボンディングパッド部6でなく、当誼ペレッ
ト4のコーナー部のみでもよい、この場合、四隅でなく
、四隅以下例えば3コ一ナ一部のみでもよい。
以上本発明者によりてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明は樹脂封止型半導体装置全般に適用することがで
きる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものにより
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明によれば、ワイヤボンディングを行りてなる樹脂
封止型半導体装置において、ペレットのボンディングパ
ッド部の下部に生じるクラックを防止して、入出力リー
ク不良を回避し、信頼性を向上させることができた。
I!#に、かかる現象は大型ペレットに起り易く、本発
明の技術は、益々大型化するペレットに適用して有効な
技術となすことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部断面図で、併せて剪断応力と垂直応力の変化をグラ
フ化してあり、第2図はコネクタ用ワイヤのボンディン
グ部の一例断面図、第3図はクラック発生メカニズムを
説明する断面図、第4図および第5図はそれぞれ本発明
の作用効果を説明するグラフ、第6図は樹脂封止型半導
体装置の一例断面図、第7図は樹脂封止型半導体装置の
一部を断面で示す斜視図である。 l・・・樹脂封止型半導体装置、1′・・・樹脂封止型
半導体装置、2・・・リードフレーム、3・・・タブ、
4・・・ペレット、5・・・コネクタ用ワイヤ、5′・
・・Auボール、6・・・ペレットのボンディングパッ
ド部、7・・・インナーリード、8・・・樹脂封止部、
9・・・アクタ−リード、10・・・Au−Al合金、
11・・・そ−ルド樹脂収縮応力、12・・・剪断応力
、13・・・曲げモーメント、14・・・クラック、1
5・・・応力の働く方向、第  1 図 第  3 図 第  4  図 計゛〉?I−りn(S) 第5図 第6図 第7図 2リ一シ゛フレーム

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ペレットとリードフレームとをコネクタ用ワ
    イヤによりワイヤボンディングし、樹脂で封止して成る
    樹脂封止型半導体装置において、前記半導体ペレットの
    ボンディングパッド部にボンディングされたコネクタ用
    ワイヤの当該ボンディング部の半導体ペレットからの厚
    み(t)と該半導体ペレットに対するボンディング巾(
    S)との比(t/S)が0.2以下となるようにワイヤ
    ボンディングして成ることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置。 2、厚みとボンディング巾との比t/Sが0.2以下と
    なるようにワイヤボンディングするのが、半導体ペレッ
    トのコーナー部におけるボンディングパッド部のみであ
    る、特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型半導体装置
JP63039376A 1988-02-24 1988-02-24 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH01215030A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63039376A JPH01215030A (ja) 1988-02-24 1988-02-24 樹脂封止型半導体装置
KR1019890001081A KR970011648B1 (ko) 1988-02-24 1989-01-31 반도체 장치 및 그 제조방법
US07/313,438 US4974054A (en) 1988-02-24 1989-02-22 Resin molded semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63039376A JPH01215030A (ja) 1988-02-24 1988-02-24 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01215030A true JPH01215030A (ja) 1989-08-29

Family

ID=12551312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63039376A Pending JPH01215030A (ja) 1988-02-24 1988-02-24 樹脂封止型半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4974054A (ja)
JP (1) JPH01215030A (ja)
KR (1) KR970011648B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4039536A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-19 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafuer

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2563652B2 (ja) * 1990-07-17 1996-12-11 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5444600A (en) * 1992-12-03 1995-08-22 Linear Technology Corporation Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3125803A (en) * 1960-10-24 1964-03-24 Terminals

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4039536A1 (de) * 1990-06-15 1991-12-19 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafuer

Also Published As

Publication number Publication date
KR970011648B1 (ko) 1997-07-12
US4974054A (en) 1990-11-27
KR890013762A (ko) 1989-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100386061B1 (ko) 크랙을방지하기위한개량된구조를가지는반도체장치및리이드프레임
JPH06105721B2 (ja) 半導体装置
JPH0455341B2 (ja)
JP2677632B2 (ja) 超薄型表面実装樹脂封止半導体装置
JPH01215030A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS61236130A (ja) 半導体装置
US6331738B1 (en) Semiconductor device having a BGA structure
JPS63244633A (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH03153048A (ja) 半導体装置
JPH0697349A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPS63107156A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2665061B2 (ja) ワイヤーボンディング方法
JPH02288243A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02271561A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3145892B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0693469B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US20050006741A1 (en) Substrate-based chip package
JPH0218955A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH05152495A (ja) 半導体装置
JPH0218956A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2968769B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03206651A (ja) 半導体パッケージ装置
JPS59208767A (ja) 半導体装置
JPH05291364A (ja) 半導体装置
JPS5988854A (ja) 半導体装置