JPH01215030A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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-
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に、ワイヤボ
ンディングしている半導体ペレットとコネクタ用ワイヤ
との当該ボンディング箇所における改曳技術に関する。
ンディングしている半導体ペレットとコネクタ用ワイヤ
との当該ボンディング箇所における改曳技術に関する。
半導体ペレットを機能させるためには、電気信号の人出
力を外部へ取り出す必要がある。そのために、尚蚊ペレ
ットの電極(パッド)と、該ペレットを搭載しているリ
ードフレームとをAu線などのコネクタ用ワイヤにより
接続(ワイヤボンディング)することが行われている。
力を外部へ取り出す必要がある。そのために、尚蚊ペレ
ットの電極(パッド)と、該ペレットを搭載しているリ
ードフレームとをAu線などのコネクタ用ワイヤにより
接続(ワイヤボンディング)することが行われている。
当該ワイヤボンディングの方法には、一般に熱圧着法や
超音波ボンディング法やこれらを組合せた方法があり、
熱圧着法は、一般に、コネクタ用ワイヤ(Aug)の先
端部を水素トーチで焼き切りて作りたボール(Auボー
ル)ヲ、ペレットのパッド部に熱圧着する方法で、その
−手段としてのネイルヘッドボンディングではAuボー
ルをキャピラリで押えて釘の頭状にボンディングする。
超音波ボンディング法やこれらを組合せた方法があり、
熱圧着法は、一般に、コネクタ用ワイヤ(Aug)の先
端部を水素トーチで焼き切りて作りたボール(Auボー
ル)ヲ、ペレットのパッド部に熱圧着する方法で、その
−手段としてのネイルヘッドボンディングではAuボー
ルをキャピラリで押えて釘の頭状にボンディングする。
超音波ボンディング法は、適歯な圧力と超音波振動を加
えて行う方法である。
えて行う方法である。
かかるワイヤボンディングにあっては、その接続強度を
上げるために、ペレットのパッド部にボンディングされ
ているコネクタ用ワイヤの先端のボール状のボンディン
グ部の厚みを、一般に、厚いものとしている。
上げるために、ペレットのパッド部にボンディングされ
ているコネクタ用ワイヤの先端のボール状のボンディン
グ部の厚みを、一般に、厚いものとしている。
しかるに、これらペレットやコネクタ用ワイヤなどを外
的環境から保躾するため、モールド樹脂で樹脂封止して
いる樹脂封止型半導体装置では、一般にモールド樹脂は
150〜200℃で硬化し、その線膨張係数は1〜2.
5X10/’C程度と、81などで構成されたペレット
のそれと比べて大きいため、硬化収縮による剪断応力が
そのワイヤボンディング部にカロわることになる。
的環境から保躾するため、モールド樹脂で樹脂封止して
いる樹脂封止型半導体装置では、一般にモールド樹脂は
150〜200℃で硬化し、その線膨張係数は1〜2.
5X10/’C程度と、81などで構成されたペレット
のそれと比べて大きいため、硬化収縮による剪断応力が
そのワイヤボンディング部にカロわることになる。
ところで、ペレットはVLSIの時代を向えて益々大型
化しており、かかる大型ペレット化に伴ない、前記ボン
ディングパッド部の下部にり2ツク(亀裂)が生じ、当
該クラックに起因する入力リーク不良が出現するように
なり、尚該クラックはペレットクラックにまで到ること
もある。
化しており、かかる大型ペレット化に伴ない、前記ボン
ディングパッド部の下部にり2ツク(亀裂)が生じ、当
該クラックに起因する入力リーク不良が出現するように
なり、尚該クラックはペレットクラックにまで到ること
もある。
本発明者は、かかるパッド部のクラックの発生メカニズ
ム□について検討したところ、モールド樹脂の収縮によ
るペレット上の剪断応力は、ペレットの周辺S(特に、
コーナー部)程大きくなりており、このため、ボンディ
ングパッド部付近ではその影響を強く、受け、チップク
ラックにまで到ることがあることが判明した。
ム□について検討したところ、モールド樹脂の収縮によ
るペレット上の剪断応力は、ペレットの周辺S(特に、
コーナー部)程大きくなりており、このため、ボンディ
ングパッド部付近ではその影響を強く、受け、チップク
ラックにまで到ることがあることが判明した。
従来技術では、モールド樹脂収縮によるペレット上に生
じる剪断力によってボンディングパッド部のワイヤ接合
部に過大な応力が生ずる点について配慮がされていす、
その接続強度を上げるため ゛に一般に厚製のボール
形状としており、そのために、温度サイクル等の熱スト
レスが加わった場合にクラックに到ることが多いことも
判明した。
じる剪断力によってボンディングパッド部のワイヤ接合
部に過大な応力が生ずる点について配慮がされていす、
その接続強度を上げるため ゛に一般に厚製のボール
形状としており、そのために、温度サイクル等の熱スト
レスが加わった場合にクラックに到ることが多いことも
判明した。
なお、当該ワイヤボンディング技術について述べた特許
の例としては、特願昭55−119817号があげられ
る。
の例としては、特願昭55−119817号があげられ
る。
本発明は上記に鑑み、温度サイクル等の熱ストレスが加
りた場合にあうても、ボンディングパッド部の下部にク
ラックが生じることを防止し、入力リーク不良を起さず
、信頼性を向上させることのできる技術を提供すること
を目的とする。
りた場合にあうても、ボンディングパッド部の下部にク
ラックが生じることを防止し、入力リーク不良を起さず
、信頼性を向上させることのできる技術を提供すること
を目的とする。
本発明は、また、ペレットの大型化に伴う新現象の不良
である上記した不良を解消することを目的とする。
である上記した不良を解消することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのはかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかにカるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかにカるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの観賛
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明では、コネクタ用ワイヤのペレットのボンディン
グパッド部とのボンディング部のペレットからの厚みを
コントロールするようにし、その厚みをできるだけ薄く
するようにした。そして、尚該ボンディング部のペレッ
トとの接合(ボンディング)面積を広くとるようにした
。
グパッド部とのボンディング部のペレットからの厚みを
コントロールするようにし、その厚みをできるだけ薄く
するようにした。そして、尚該ボンディング部のペレッ
トとの接合(ボンディング)面積を広くとるようにした
。
さらに、その場合の厚みをtとし、上記ボンディング巾
を8としたときに、その比t/Sが0.2以下とするよ
うにした。
を8としたときに、その比t/Sが0.2以下とするよ
うにした。
ペレットのボンディングパッド部上のコネクタ用ワイヤ
のボール状ボンディング部(以下、Auボールにて説明
する)には、ペレット外側方向から中央に向い、モール
ド樹脂収縮による剪断力が加わる。この剪断力がAuボ
ールを押すため、モーメントが生じ、Auボール端部に
引張り応力が発生する。引張り応力がペレットの破断強
度を越えるとクラックとなる。
のボール状ボンディング部(以下、Auボールにて説明
する)には、ペレット外側方向から中央に向い、モール
ド樹脂収縮による剪断力が加わる。この剪断力がAuボ
ールを押すため、モーメントが生じ、Auボール端部に
引張り応力が発生する。引張り応力がペレットの破断強
度を越えるとクラックとなる。
上記メカニズムにより、Auボール厚を薄くすると、A
uボールの押される面積(断面積)が小さくなるために
、応力は低減し、クラックに到らない。
uボールの押される面積(断面積)が小さくなるために
、応力は低減し、クラックに到らない。
同様に接合面積を広くすると、Auボール端へ加わる集
中応力が低減するためクラックの発生を防止できる。
中応力が低減するためクラックの発生を防止できる。
特に、上記において、Auボール厚(t)と接合面積に
おけるペレット上のボンディング巾(S)との兼ね合い
において、t/S比が0.2以下であるときに、クラッ
ク発生を最も有効に防止できる。
おけるペレット上のボンディング巾(S)との兼ね合い
において、t/S比が0.2以下であるときに、クラッ
ク発生を最も有効に防止できる。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第6図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置(以下、プ
ラスチックパッケージという)の−例を示す断面図で、
尚該プラスチックパッケージ(DIL型)1は、リード
フレーム2のタブ3上にペレット4をグイボンディング
し、コネクタ用ワイヤ5の一端部をペレット4のボンデ
ィングパッド部6にボンディングするとともに、コネク
タ用ワイヤ5の他端部をリードフレーム2のインナーリ
ード7の先端部にボンディングして、尚該ワイヤボンデ
ィングにより、ペレット4とリードフレーム2とをコネ
クタ用ワイヤ5を介して電気的に接続しており、ペレッ
ト4を機能させるために、その電気信号の入出力を外部
へ取り出している。
ラスチックパッケージという)の−例を示す断面図で、
尚該プラスチックパッケージ(DIL型)1は、リード
フレーム2のタブ3上にペレット4をグイボンディング
し、コネクタ用ワイヤ5の一端部をペレット4のボンデ
ィングパッド部6にボンディングするとともに、コネク
タ用ワイヤ5の他端部をリードフレーム2のインナーリ
ード7の先端部にボンディングして、尚該ワイヤボンデ
ィングにより、ペレット4とリードフレーム2とをコネ
クタ用ワイヤ5を介して電気的に接続しており、ペレッ
ト4を機能させるために、その電気信号の入出力を外部
へ取り出している。
さらに、ペレット4およびコネクタ用ワイヤ5とペレッ
ト4との接合部などを外的環境から検層するために、モ
ールド樹脂よりなる樹脂封止部8によりこれらを樹脂封
止している。リードフレーム2の当該樹脂封止部8から
引き出しされたリード部はアクタ−リード9と称され、
このアウターリード9により、プリント配線基板(図示
せず)などの実装用基板とのプラグイン実装が可能とな
る。
ト4との接合部などを外的環境から検層するために、モ
ールド樹脂よりなる樹脂封止部8によりこれらを樹脂封
止している。リードフレーム2の当該樹脂封止部8から
引き出しされたリード部はアクタ−リード9と称され、
このアウターリード9により、プリント配線基板(図示
せず)などの実装用基板とのプラグイン実装が可能とな
る。
第7図は、PPP(7ラツトパツクパツケージ)プラス
チックパッケージ1′のその一部を断面で示す斜視図で
、第6図と共通する符号は同一の機能を示すので、その
説明を省略する。
チックパッケージ1′のその一部を断面で示す斜視図で
、第6図と共通する符号は同一の機能を示すので、その
説明を省略する。
この様なグラスチックパッケージにおいて、コネクタ用
ワイヤ5が例えばAu@で、ペレット4のボンディング
パッド部6が例えばAJパッドである場合、コネクタ用
ワイヤ5のAuボール5′は、ペレット4上のAJスパ
ッドとの間で、A u−AJ合金10を形成してボンデ
ィングされている。
ワイヤ5が例えばAu@で、ペレット4のボンディング
パッド部6が例えばAJパッドである場合、コネクタ用
ワイヤ5のAuボール5′は、ペレット4上のAJスパ
ッドとの間で、A u−AJ合金10を形成してボンデ
ィングされている。
第3図に示すよ5に、モールド樹脂の硬化収縮により、
ペレット4には当該モールド樹脂の収縮応力11がかか
るし、Auボール5′には同様にペレット外側方向から
中央に向いモールド樹脂収縮による剪断応力12がかか
り、また、当該剪断応力12がAuボール5′を押すた
めにコネクタ用ワイヤ5のAuボール5′には曲げモー
メント13がかかる。
ペレット4には当該モールド樹脂の収縮応力11がかか
るし、Auボール5′には同様にペレット外側方向から
中央に向いモールド樹脂収縮による剪断応力12がかか
り、また、当該剪断応力12がAuボール5′を押すた
めにコネクタ用ワイヤ5のAuボール5′には曲げモー
メント13がかかる。
幽該曲げモーメント13が、ペレット4との接合強度を
越えると、り2ツク14を生じる。
越えると、り2ツク14を生じる。
なお、第3図にて、15はAuボール5′の下ff1S
の最大主応力(6I )の働く方向を示したものである
。
の最大主応力(6I )の働く方向を示したものである
。
次に、第1図は、ペレット4の中心からその外側(周辺
)にかけて、どのように剪断応力12が変化するかをプ
ロットしたもので、同図には合わせて当直方向にかかる
垂直応力16についてもデータをプロットしである。
)にかけて、どのように剪断応力12が変化するかをプ
ロットしたもので、同図には合わせて当直方向にかかる
垂直応力16についてもデータをプロットしである。
この第1図に示すように、垂直応力16はペレット4の
中心でも周辺部でも大した変化はないのに対し、剪断応
力12はペレット4の中心から周辺部に向うにつれて次
第にその値が大きくなっていることが判る。
中心でも周辺部でも大した変化はないのに対し、剪断応
力12はペレット4の中心から周辺部に向うにつれて次
第にその値が大きくなっていることが判る。
換言すると、コネクタ用ワイヤ5とワイヤボンディング
している、ボンディングパッド部6付近で最も剪断応力
がかかり、強く影舎されていることが判る。
している、ボンディングパッド部6付近で最も剪断応力
がかかり、強く影舎されていることが判る。
そこで、本発明では、これら事実から、第2図に示すよ
うな、例えばAuボール5′よりなるコネクタ用ワイヤ
5のボンディング部におけるペレット4かもの厚さtを
出来るだけ薄くするようにすることが良いことが判った
。すなわち、当該ボンディング部(Auボール)5パの
厚さtt−薄くすることにより、当該ボンディング部5
′が剪断応力12により押される面積(断面filt)
が小さくなるために、剪断応力12が低減し、クラック
14を発生し難くなる。
うな、例えばAuボール5′よりなるコネクタ用ワイヤ
5のボンディング部におけるペレット4かもの厚さtを
出来るだけ薄くするようにすることが良いことが判った
。すなわち、当該ボンディング部(Auボール)5パの
厚さtt−薄くすることにより、当該ボンディング部5
′が剪断応力12により押される面積(断面filt)
が小さくなるために、剪断応力12が低減し、クラック
14を発生し難くなる。
一方、Auボール5′に加わる剪断応力12とAUボー
ルダとの接合面積との関係では、反比例する関係にある
。すなわち、接合面積を大にすれば剪断応力を軽減でき
る。そのために、その接合面積をできるだけ大きくする
ことが剪断応力12を軽減することに役立つ。
ルダとの接合面積との関係では、反比例する関係にある
。すなわち、接合面積を大にすれば剪断応力を軽減でき
る。そのために、その接合面積をできるだけ大きくする
ことが剪断応力12を軽減することに役立つ。
この場合、厚さtと該接合面積におけるボンディング中
Sとの関係では0.2以下にすることが適当である。
Sとの関係では0.2以下にすることが適当である。
本発明者の検討によれば、Au−Al合金10の端部に
応力集中が行われ易いことが判り、とのAu=Ik1合
金lOの巾Sをボンディング中として、上記のとと<t
/Sを0.2以下とする。
応力集中が行われ易いことが判り、とのAu=Ik1合
金lOの巾Sをボンディング中として、上記のとと<t
/Sを0.2以下とする。
第4図は、Au(金)ボール厚(tJを一定として、ボ
ンディング中(S)と金ボール下最大主応力6゜(Kg
f/1sl)との関係をプロットしたもので、同図に示
すように、ボンディング中の)の増大に伴ない、上記金
ボール下最大王応力6.が低下することが示されている
。
ンディング中(S)と金ボール下最大主応力6゜(Kg
f/1sl)との関係をプロットしたもので、同図に示
すように、ボンディング中の)の増大に伴ない、上記金
ボール下最大王応力6.が低下することが示されている
。
また、第5図はボンディング中C)を一定として、金ボ
ール厚(t)と金ボール下最大主応力6mとの関係をプ
ロットとしたもので、同図に示すように、金ボール厚(
t)を薄(する程、金ボール下最大主応力6.が小さく
なることが示されている。
ール厚(t)と金ボール下最大主応力6mとの関係をプ
ロットとしたもので、同図に示すように、金ボール厚(
t)を薄(する程、金ボール下最大主応力6.が小さく
なることが示されている。
上記のごとく、Auボール厚を薄くしたり、接合面積を
大きくしたり、t/S比を0.2以下とするのは、ペレ
ット4の全ボンディングパッド部6でなく、当誼ペレッ
ト4のコーナー部のみでもよい、この場合、四隅でなく
、四隅以下例えば3コ一ナ一部のみでもよい。
大きくしたり、t/S比を0.2以下とするのは、ペレ
ット4の全ボンディングパッド部6でなく、当誼ペレッ
ト4のコーナー部のみでもよい、この場合、四隅でなく
、四隅以下例えば3コ一ナ一部のみでもよい。
以上本発明者によりてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明は樹脂封止型半導体装置全般に適用することがで
きる。
きる。
本願において開示される発明のうち代表的なものにより
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明によれば、ワイヤボンディングを行りてなる樹脂
封止型半導体装置において、ペレットのボンディングパ
ッド部の下部に生じるクラックを防止して、入出力リー
ク不良を回避し、信頼性を向上させることができた。
封止型半導体装置において、ペレットのボンディングパ
ッド部の下部に生じるクラックを防止して、入出力リー
ク不良を回避し、信頼性を向上させることができた。
I!#に、かかる現象は大型ペレットに起り易く、本発
明の技術は、益々大型化するペレットに適用して有効な
技術となすことができる。
明の技術は、益々大型化するペレットに適用して有効な
技術となすことができる。
第1図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部断面図で、併せて剪断応力と垂直応力の変化をグラ
フ化してあり、第2図はコネクタ用ワイヤのボンディン
グ部の一例断面図、第3図はクラック発生メカニズムを
説明する断面図、第4図および第5図はそれぞれ本発明
の作用効果を説明するグラフ、第6図は樹脂封止型半導
体装置の一例断面図、第7図は樹脂封止型半導体装置の
一部を断面で示す斜視図である。 l・・・樹脂封止型半導体装置、1′・・・樹脂封止型
半導体装置、2・・・リードフレーム、3・・・タブ、
4・・・ペレット、5・・・コネクタ用ワイヤ、5′・
・・Auボール、6・・・ペレットのボンディングパッ
ド部、7・・・インナーリード、8・・・樹脂封止部、
9・・・アクタ−リード、10・・・Au−Al合金、
11・・・そ−ルド樹脂収縮応力、12・・・剪断応力
、13・・・曲げモーメント、14・・・クラック、1
5・・・応力の働く方向、第 1 図 第 3 図 第 4 図 計゛〉?I−りn(S) 第5図 第6図 第7図 2リ一シ゛フレーム
要部断面図で、併せて剪断応力と垂直応力の変化をグラ
フ化してあり、第2図はコネクタ用ワイヤのボンディン
グ部の一例断面図、第3図はクラック発生メカニズムを
説明する断面図、第4図および第5図はそれぞれ本発明
の作用効果を説明するグラフ、第6図は樹脂封止型半導
体装置の一例断面図、第7図は樹脂封止型半導体装置の
一部を断面で示す斜視図である。 l・・・樹脂封止型半導体装置、1′・・・樹脂封止型
半導体装置、2・・・リードフレーム、3・・・タブ、
4・・・ペレット、5・・・コネクタ用ワイヤ、5′・
・・Auボール、6・・・ペレットのボンディングパッ
ド部、7・・・インナーリード、8・・・樹脂封止部、
9・・・アクタ−リード、10・・・Au−Al合金、
11・・・そ−ルド樹脂収縮応力、12・・・剪断応力
、13・・・曲げモーメント、14・・・クラック、1
5・・・応力の働く方向、第 1 図 第 3 図 第 4 図 計゛〉?I−りn(S) 第5図 第6図 第7図 2リ一シ゛フレーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ペレットとリードフレームとをコネクタ用ワ
イヤによりワイヤボンディングし、樹脂で封止して成る
樹脂封止型半導体装置において、前記半導体ペレットの
ボンディングパッド部にボンディングされたコネクタ用
ワイヤの当該ボンディング部の半導体ペレットからの厚
み(t)と該半導体ペレットに対するボンディング巾(
S)との比(t/S)が0.2以下となるようにワイヤ
ボンディングして成ることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。 2、厚みとボンディング巾との比t/Sが0.2以下と
なるようにワイヤボンディングするのが、半導体ペレッ
トのコーナー部におけるボンディングパッド部のみであ
る、特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63039376A JPH01215030A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
KR1019890001081A KR970011648B1 (ko) | 1988-02-24 | 1989-01-31 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US07/313,438 US4974054A (en) | 1988-02-24 | 1989-02-22 | Resin molded semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63039376A JPH01215030A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01215030A true JPH01215030A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12551312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63039376A Pending JPH01215030A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4974054A (ja) |
JP (1) | JPH01215030A (ja) |
KR (1) | KR970011648B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4039536A1 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafuer |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2563652B2 (ja) * | 1990-07-17 | 1996-12-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5444600A (en) * | 1992-12-03 | 1995-08-22 | Linear Technology Corporation | Lead frame capacitor and capacitively-coupled isolator circuit using the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3125803A (en) * | 1960-10-24 | 1964-03-24 | Terminals |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63039376A patent/JPH01215030A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-31 KR KR1019890001081A patent/KR970011648B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-02-22 US US07/313,438 patent/US4974054A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4039536A1 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafuer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970011648B1 (ko) | 1997-07-12 |
US4974054A (en) | 1990-11-27 |
KR890013762A (ko) | 1989-09-25 |
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