JPS63244633A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はワイヤボンディング方法、例えば半導体素子と
外部リードや基板上の電極とをワイヤボンディングする
方法に関するものである。
外部リードや基板上の電極とをワイヤボンディングする
方法に関するものである。
従来のこの種の技術は、例えば、■総合技術センター発
行の「最新精密接合技術集成」 (発行日:昭和61年
3月1日)第341〜354頁に記載されている。
行の「最新精密接合技術集成」 (発行日:昭和61年
3月1日)第341〜354頁に記載されている。
第2図は従来のポールボンディングのプロセス図である
。同図(a)では、キャピラリー圧着治具1の先端に2
0〜35μmφ金線等のポルディングワイヤ2をのぞか
せその先端部を放電により溶融ボール3を形成した状態
にしである。このときワイヤクランプ4は閉じている。
。同図(a)では、キャピラリー圧着治具1の先端に2
0〜35μmφ金線等のポルディングワイヤ2をのぞか
せその先端部を放電により溶融ボール3を形成した状態
にしである。このときワイヤクランプ4は閉じている。
同図(b)ではワイヤクランプ4が開き、続いてキャピ
ラリー1が降下する。ボール3は、キャピラリー1の先
端に密着しながら降下する。同図(C)では、半導体素
子5上の電極にボール3を押しつける。この状態で適正
な加圧をかけ所定の超音波パワーを所定の時間与えて第
1ボンドを完成させる。同図(d)ではキャピラリー1
を所定の高さまで上昇させる。同図(e)ではキャピラ
リー1は第2ボンド位置まで水平移動する。同図(f>
で、基板8の電極上にキャピラリーが降下し、ワイヤ2
を押しつける。この状態で適正な加圧をかけ、所定の超
音波パワーを所定時間与えて第2ボンドを完成させる。
ラリー1が降下する。ボール3は、キャピラリー1の先
端に密着しながら降下する。同図(C)では、半導体素
子5上の電極にボール3を押しつける。この状態で適正
な加圧をかけ所定の超音波パワーを所定の時間与えて第
1ボンドを完成させる。同図(d)ではキャピラリー1
を所定の高さまで上昇させる。同図(e)ではキャピラ
リー1は第2ボンド位置まで水平移動する。同図(f>
で、基板8の電極上にキャピラリーが降下し、ワイヤ2
を押しつける。この状態で適正な加圧をかけ、所定の超
音波パワーを所定時間与えて第2ボンドを完成させる。
このときワイヤクランプ4は一定量降下した後再び閉じ
る。同図(g>ではキャピラリー1がワイヤを次のポー
ル形成に必要な長さだけ先端にのぞかせる高さまで上昇
した後クランプ4も閉じたまま一緒に上昇してワイヤの
カットを行う。同図(h)ではスパークロッド7を用い
てワイヤ端に高電圧で放電させてボール3を作り、同図
(a)の状態に戻す。以上のように半導体素子上の電極
を第1ボンドとし、基板上の電極を第2ボンドとするボ
ンディング方法を正ボンディング方法と言う。
る。同図(g>ではキャピラリー1がワイヤを次のポー
ル形成に必要な長さだけ先端にのぞかせる高さまで上昇
した後クランプ4も閉じたまま一緒に上昇してワイヤの
カットを行う。同図(h)ではスパークロッド7を用い
てワイヤ端に高電圧で放電させてボール3を作り、同図
(a)の状態に戻す。以上のように半導体素子上の電極
を第1ボンドとし、基板上の電極を第2ボンドとするボ
ンディング方法を正ボンディング方法と言う。
この方法でワイヤボンディングしたワイヤの状態を第3
図に示す。同図で各符号は第2図と同じものを表わす。
図に示す。同図で各符号は第2図と同じものを表わす。
8bは半導体素子5のダイスバットである。図示のよう
に、半導体素子5の電極5a上の第1ボンド側はボール
3Aでボンディングしているが、規板8上の第2ポンド
B2側にはボールは形成されないでワイヤ2A自体がつ
ぶされて直接ボンディングされている。
に、半導体素子5の電極5a上の第1ボンド側はボール
3Aでボンディングしているが、規板8上の第2ポンド
B2側にはボールは形成されないでワイヤ2A自体がつ
ぶされて直接ボンディングされている。
尚、第4図に示すように、最初に第2図(C)の第1ボ
ンドで基板8側の電極8a上にボール3Bをボンディン
グし、次に同図(f)の第2ポンドB2’で半導体素子
5上の電極5a側にワイヤ2B自体を直接ボンディング
することもできる。
ンドで基板8側の電極8a上にボール3Bをボンディン
グし、次に同図(f)の第2ポンドB2’で半導体素子
5上の電極5a側にワイヤ2B自体を直接ボンディング
することもできる。
これを逆ボンディング方法という。第4図は逆ボンディ
ングの結果を生じる状態を示している。
ングの結果を生じる状態を示している。
しかしながら上記の方法で行ったワイヤボンディングで
は、第2ボンド側は直径が20〜35μmφのワイヤを
つぶしただけの接続であり、接続面積が小さく、このた
め、樹脂封止や経時変化により第2ボンド側の接続が、
はずれてしまうおそれがあるという問題点があった。
は、第2ボンド側は直径が20〜35μmφのワイヤを
つぶしただけの接続であり、接続面積が小さく、このた
め、樹脂封止や経時変化により第2ボンド側の接続が、
はずれてしまうおそれがあるという問題点があった。
この発明は以上述べた第2ボンド側の接続がはずれてし
まうおそれがあるという問題点を除去し、接続信頼性の
高いワイヤボンディング方法を提供することを目的とす
る。
まうおそれがあるという問題点を除去し、接続信頼性の
高いワイヤボンディング方法を提供することを目的とす
る。
この発明は半導体素子と外部リードとを接続するワイヤ
ボンディングするに当たり、第2ボンド側にボールを追
加し、ボンディングすることを特徴とするものである。
ボンディングするに当たり、第2ボンド側にボールを追
加し、ボンディングすることを特徴とするものである。
上記のようにボールを追加する結果、第2ボンド側も接
続面積が大きくなって接続が強固となり、はずれるおそ
れが著しく低下する。
続面積が大きくなって接続が強固となり、はずれるおそ
れが著しく低下する。
第1図(a)および(b)は本発明の実施例により形成
したボールボンディング部を示す断面図および平面図で
ある。
したボールボンディング部を示す断面図および平面図で
ある。
同図で11は半導体素子、12は半導体素子11上の電
極、13は基板、14は基板側の電極、15は半導体素
子ダイスパッド、16はボンディングワイヤである。
極、13は基板、14は基板側の電極、15は半導体素
子ダイスパッド、16はボンディングワイヤである。
従来と同様、第1ボンド点B1ではボール17を形成し
てボンディングが行なわれている。一方、第2ボンド点
B2ではワイヤ16自体をつぶして接続が行なわれてい
る。以上は従来のボンディングと同様である。従来のボ
ンディングと異なるのは、ワイヤ16自体をつぶして接
続された第2のボンド点B2にボール18が追加して接
合されていることである。
てボンディングが行なわれている。一方、第2ボンド点
B2ではワイヤ16自体をつぶして接続が行なわれてい
る。以上は従来のボンディングと同様である。従来のボ
ンディングと異なるのは、ワイヤ16自体をつぶして接
続された第2のボンド点B2にボール18が追加して接
合されていることである。
このようなボンディング部を形成するためのボンディン
グ方法を以下に説明する。
グ方法を以下に説明する。
まず、半導体素子11の電極12と基板13側の電極1
4の間を通常の正ボールボンディングを行なう。即ち、
半導体素子11の電極12上にボールボンディングを行
ない、基板13側の電極14上にワイヤ自体をつぶして
電極14に接合する。以上のような正ポールボンディン
グを行なった後、引き続き第2ボンド点B2に新たなボ
ール18を付着させる。これは例えば通常のワイヤボ−
ルボンディングと同様にして行ない得る。即ち、通常の
ワイヤボールボンディングにおいて第1ボンド点と第2
ボンド点が同一であるとして第2図において同図(e)
のステップにおける移動量をOとして行なえば、第1図
に示すような追加ボールを得ることができる。尚、この
ような方法を取れば、移動量をO1即ち第1ボンド点の
座標値と第2ボンド点の座標値を同じ値に設定すればよ
いので、ボンディング装置の制御プログラムの変更を必
要とせず、単に設定値を変えるだけでよいので、便宜で
ある。
4の間を通常の正ボールボンディングを行なう。即ち、
半導体素子11の電極12上にボールボンディングを行
ない、基板13側の電極14上にワイヤ自体をつぶして
電極14に接合する。以上のような正ポールボンディン
グを行なった後、引き続き第2ボンド点B2に新たなボ
ール18を付着させる。これは例えば通常のワイヤボ−
ルボンディングと同様にして行ない得る。即ち、通常の
ワイヤボールボンディングにおいて第1ボンド点と第2
ボンド点が同一であるとして第2図において同図(e)
のステップにおける移動量をOとして行なえば、第1図
に示すような追加ボールを得ることができる。尚、この
ような方法を取れば、移動量をO1即ち第1ボンド点の
座標値と第2ボンド点の座標値を同じ値に設定すればよ
いので、ボンディング装置の制御プログラムの変更を必
要とせず、単に設定値を変えるだけでよいので、便宜で
ある。
図示のように追加ボールを形成すれば、ワイヤ自体をつ
ぶしただけの接続に比べ、接続面積が増加する。従って
接続信頼性が高くなる。
ぶしただけの接続に比べ、接続面積が増加する。従って
接続信頼性が高くなる。
第5図(a)および(b)は本発明の他の実施例により
形成したホンディング部を示す断面図および平面図であ
る。同図で示すものは、大体において第1図(a>およ
び(b)と同様であるが、追加ボールを付着させた位置
が異なる。即ち、第5図(a>および(b)では、追加
ボール19が、第2ボンド点B2の、ワイヤ自体をつぶ
して接続した点B2aより少し離れた点B2b、即ち第
1ボンド点B1に近付いた点B2bに形成されている。
形成したホンディング部を示す断面図および平面図であ
る。同図で示すものは、大体において第1図(a>およ
び(b)と同様であるが、追加ボールを付着させた位置
が異なる。即ち、第5図(a>および(b)では、追加
ボール19が、第2ボンド点B2の、ワイヤ自体をつぶ
して接続した点B2aより少し離れた点B2b、即ち第
1ボンド点B1に近付いた点B2bに形成されている。
この場合も、第1の実施例反問様の方法で追加ボールを
形成することができる。また、第1の実施例と同様の接
続信頼性が得られる。
形成することができる。また、第1の実施例と同様の接
続信頼性が得られる。
尚、本発明のボンディングは、逆ポールボンディングの
場合にも同様に適用でき、同様の効果が得られる。
場合にも同様に適用でき、同様の効果が得られる。
また、半導体素子上の電極と基板状の電極とを接続する
場合について説明したが、本発明は債の種々の場合、例
えば半導体素子上の電極とリードフレームのリード部と
を接続する場合にも適用できる。
場合について説明したが、本発明は債の種々の場合、例
えば半導体素子上の電極とリードフレームのリード部と
を接続する場合にも適用できる。
以上詳細に説明したように本発明によれば、ボールボン
ディングにおいて第2ボンド側のワイヤ自体をつぶして
接続した上にボールを追加ボンディングするか、ワイヤ
自体をつぶして接続した点から少し離れたワイヤ上にボ
ールを追加ボンディングしているため、第2ボンド側の
接続面積が増える。この結果、樹脂封止や経時変化によ
るワイヤはずれが発生しなくなり、ワイヤボンディング
の接続信頼性が高まる。
ディングにおいて第2ボンド側のワイヤ自体をつぶして
接続した上にボールを追加ボンディングするか、ワイヤ
自体をつぶして接続した点から少し離れたワイヤ上にボ
ールを追加ボンディングしているため、第2ボンド側の
接続面積が増える。この結果、樹脂封止や経時変化によ
るワイヤはずれが発生しなくなり、ワイヤボンディング
の接続信頼性が高まる。
第1図は本発明の一実施例により形成されたボンディン
グ部を示す図、第2図は従来のボンディングのプロセス
を示す図、第3図および第4図は従来のボンディングに
より形成されたボンディング部を示す図、第5図は本発
明の他の実施例により形成されたボンディング部を示す
図である。 11・・・半導体素子、12・・・半導体素子の電極、
13・・・基板、14基板上の電極、16・・・ワイヤ
、17・・・ボール、B2・・・第2ボンド点。 第f尖才帆倒によ5ボンテンンク゛吉p柴 l 固 従来O正ワイYホ′ンラ1ンク゛によ6ポン角ン7−e
第 3 区 2B=74マ 3B;ボール 5二手尋停牟チ (α) りL來0逆フイヤボンフンンハごよるボンガン7壱p茶
4 回 〃:手S杯案子 /2二屯極 13:基板 14:電極 15:りAスパッド 16: ツイヤ 第2実才包)ダ11によ5ポンフタン7415茶 5
@
グ部を示す図、第2図は従来のボンディングのプロセス
を示す図、第3図および第4図は従来のボンディングに
より形成されたボンディング部を示す図、第5図は本発
明の他の実施例により形成されたボンディング部を示す
図である。 11・・・半導体素子、12・・・半導体素子の電極、
13・・・基板、14基板上の電極、16・・・ワイヤ
、17・・・ボール、B2・・・第2ボンド点。 第f尖才帆倒によ5ボンテンンク゛吉p柴 l 固 従来O正ワイYホ′ンラ1ンク゛によ6ポン角ン7−e
第 3 区 2B=74マ 3B;ボール 5二手尋停牟チ (α) りL來0逆フイヤボンフンンハごよるボンガン7壱p茶
4 回 〃:手S杯案子 /2二屯極 13:基板 14:電極 15:りAスパッド 16: ツイヤ 第2実才包)ダ11によ5ポンフタン7415茶 5
@
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第1のボンド点でボールボンディングを行ない、第
2のボンド点でワイヤ自体をつぶして接続をするワイヤ
ボンデイング方法において、第2のボンド点においてワ
イヤ自体をつぶして接続をした上にボールを追加してボ
ンデイングすることを特徴とするワイヤボンデイング方
法。 2、上記第2のボンド点において、ワイヤ自体をつぶし
て接続した後、ワイヤの先端にボールを形成し、該ボー
ルを第2のボンド点に押付け、ワイヤを切断し、切断し
たワイヤを上記第2のボンド点に押付けることを特徴と
する特許請求の範囲第1項の記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62075783A JPS63244633A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62075783A JPS63244633A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63244633A true JPS63244633A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13586158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62075783A Pending JPS63244633A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63244633A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09134982A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO1999062114A1 (de) * | 1998-05-27 | 1999-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und kontaktstelle zur herstellung einer bond-draht-verbindung |
DE10324069B4 (de) * | 2003-05-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips |
DE102004047306B4 (de) * | 2004-09-29 | 2008-02-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten |
US7391121B2 (en) | 2005-02-10 | 2008-06-24 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with a number of bonding leads and method for producing the same |
JP2012183747A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
CN107731772A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-02-23 | 北京无线电测量研究所 | 一种楔形键合引线加固结构和加固方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62075783A patent/JPS63244633A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09134982A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO1999062114A1 (de) * | 1998-05-27 | 1999-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und kontaktstelle zur herstellung einer bond-draht-verbindung |
US6477768B1 (en) | 1998-05-27 | 2002-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Method and contact point for establishing an electrical connection |
US7083077B2 (en) | 1998-05-27 | 2006-08-01 | Robert Bosch Gmbh | Method and contact point for establishing an electrical connection |
US7906858B2 (en) | 1998-05-27 | 2011-03-15 | Robert Bosch Gmbh | Contact securing element for bonding a contact wire and for establishing an electrical connection |
DE10324069B4 (de) * | 2003-05-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Verfahren zur leitenden Verbindung von Kontaktflecken bei Halbleiterchips |
DE102004047306B4 (de) * | 2004-09-29 | 2008-02-07 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten |
US7391121B2 (en) | 2005-02-10 | 2008-06-24 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with a number of bonding leads and method for producing the same |
JP2012183747A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
CN107731772A (zh) * | 2017-09-13 | 2018-02-23 | 北京无线电测量研究所 | 一种楔形键合引线加固结构和加固方法 |
CN107731772B (zh) * | 2017-09-13 | 2020-08-04 | 北京无线电测量研究所 | 一种楔形键合引线加固结构和加固方法 |
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