JPH04196236A - 接続方法 - Google Patents

接続方法

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JPH04196236A
JPH04196236A JP2326970A JP32697090A JPH04196236A JP H04196236 A JPH04196236 A JP H04196236A JP 2326970 A JP2326970 A JP 2326970A JP 32697090 A JP32697090 A JP 32697090A JP H04196236 A JPH04196236 A JP H04196236A
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JP
Japan
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lead frame
electrode
gold
semiconductor element
hole
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JP2326970A
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Ryoji Takahashi
良治 高橋
Fumio Toki
土岐　文雄
Shoji Matsumoto
松本　昌治
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体の接続方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第５図、第６図及び第７図は従来のワイヤポンディング
工程に従って示すもので、第５図は半導体素子上の電極
に金ホールを圧接する状態を示す断面図、第６図はリー
ドフレームに金線を圧接する状態を示す正面断面図、第
７図はリードフレームに金線を圧接した状態を示す上面
図である。図において、（１）はリードフレーム、（３
）は金ホール、（４）は電極、（５）は半導体素子、（
６）は金線、（７）はキャピラリである。
次に半導体素子（５）の電極（４）とリードフレーム（
１）との接続方法について説明する。
第５図に示す様に半導体素子の電極（４）に金ホール（
３）を押しつけた後、キャピラリ（７）を移動させ、第
６図に示す様に金線（６）をリードフレーム（１）に押
しつけ後切断する。
金線（６）により電極（４）とリードフレーム（１）か
電気的に接続される。一般に電極（４）とリードフレー
ム（１）の間は距離があるのでその距離間は金線（６）
で接続される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の接続方法は以上のように行なわれているので、半
導体素子とリードフレーム間の距離は金線で接続される
ために、距離か長（なると、振動や外部から伝わる外力
に対して弱く、又第７図に示すごとく、リードフレーム
と金線の先端の形状はキャピラリの寸法により決り、部
分ドーナツ状の接着形状を示すため強度を増す設計に対
して自由度かないなとの問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子とリードとの接続強度を向上させ
た接続方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る接続方法はリードフレームに穴を設け、
半導体素子の電極とリードフレームとを金ポールを用い
て直接接続したものである。
〔作　用〕
この発明における接続方法は半導体素子の電極とリード
フレームとを金ポールを用いて直接接続するので、接続
間距離か短くなり、強度か増す。
〔実施例〕
以下、この発明に係る接続方法の一実施例を図について
説明する。第１図はり一トフレームの上面図、第２図は
第１図のり−トフレームと半導体素子上の電極を金ポー
ルによって圧接する状態をお示す正面断面図、第３図は
第２図に示す状態から圧接を終った状態を示す正面断面
図、第４図は第３図の状態の後、キャピラリを動かして
金線を切断した状態を示す正面断面図である。図におい
て、（１）、　（３）〜（７）は第５図の従来例に示し
たものと同等であるので説明を省略する。（２）はリー
ドフし一ム（１）に設けた穴である。第３図において、
電極（４）と金ボール（３）は従来のワイヤボンドと同
し様に接着されると共に、リードフレーム（１）に設け
た穴（２）に対して抑圧により金ボール（３）の径が大
きくなり、リードフレーム（１）に設けた穴（２）を埋
めて一体に形成される。第４図において、金線（６）を
切断する時の力はリードフレーム（１）か持つため金ホ
ール（３）と電極（４）には影響を与えない。
次に接続方法について説明する。先ず第３図に示すごと
く、リードフレーム（１）に設けられた穴（２）と半導
体素子（５）の電極（４）との位置合わせをする。
その後、穴（２）に金ホール（３）を打ちこみ、押しつ
ける。次に第４図に示すごとく金線（６）を切断し、半
導体素子（５）の電極（４）とリードフレーム（１）と
を接続する。
リードフレーム（１）の先端をエツチング等を用いて金
線（６）か圧接された時の圧接寸法に見合った寸法の板
厚のものを選定してもよく、又金線（６）の圧接寸法よ
り厚い時はエツチング等で先端の部分のみを圧接寸法に
見合った寸法まで薄くすると共に電極（４）に相当する
部分に第１図に示す様に金ポール（３）の径より大きい
穴（２）を設ける。穴（２）の寸法は金ポール（３）か
押圧によって外周方向に拡大する寸法より小さく、初期
の金ポール（３）の径より大きく設計すると共に、リー
ドフレーム（１）の先端は部分的若しくは全体的に、金
ボール（３）と接着性の良い金属メツキを施す。この時
、下地メ・ツキは必要に応じ行っても良く、行わなくて
も良い。
なお、上記実施例では金線（６）を用いた場合を示した
か、これらの材料は金に限定されない。
またリードフレーム（１）の先端に設けた穴（２）は円
形のものを示したか、電気的に接続することかできれば
多角形でも変形円でも良い。更に穴の断面形状は台形で
も楔状てもよく、目的に応じ自由に選定可能である。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、 （ア）金ボールとリードフレームと電極１回の圧接て接
続することかできる。
（イ）電極とリードフレーム間距離かないので従来の金
線に比べ強度を自由に設計できるリードフレームで、代
替できると共に安価になる。
（つ）バンブを作る工程は不要である。
（１）一般の汎用ワイヤボンダーで製品化できる。
ことによって半導体素子とり−トとの接続強度を向上さ
せる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る接続方法の一実施例によるリー
ドフレームの上面図、第２図は第１図のリードフレーム
と半導体素子上の電極を金ボールによって圧接する状態
を示す正面断面図、第３図は第２図に示す状態から圧接
を終った状態を示す正面断面図、第４図は第３図の状態
の後、キャピラリを動かして金線を切断した状態を示す
正面断面図、第５図ないし第７図は従来のワイヤホンデ
ィングを工程に従って示すもので、第５図は半導体素子
上の電極に金ポールを圧接する状態を示す正面断面図、
第６図はリードフレームに金線を圧接する状態を示す正
面断面図、第７図はリードフレームに金線を圧接した状
態を示す上面図である。 図において、（１）はリードフレーム、（２）は穴、（
３）は金ホール、（４）は電極、（５）は半導体素子、
（６）は金線、（７）はキャピラリを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代　　理　　人　　　大　　岩　　増　　雄第１図 １：リードフレ４ ６穴 第２図 第３図 第４図 第６因 第７図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子の電極とリードフレームとを金等の金属球
    を用いて半導体素子の電極に対向する、リードフレーム
    に金属球の径より大きい穴を設け、その穴に金属球を挿
    入した後、金属球を押圧にて変形させ上記電極と金属球
    は熱押圧若しくは超音波若しくはその合成力で圧接し、
    リードフレームとは金属球の変形により押圧された後の
    径が大きくなることを利用して接続することを特徴とす
    る半導体の接続方法。
JP2326970A 1990-11-27 1990-11-27 接続方法 Pending JPH04196236A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5381166A (en) * 1992-11-30 1995-01-10 Hewlett-Packard Company Ink dot size control for ink transfer printing
US5481280A (en) * 1992-11-30 1996-01-02 Lam; Si-Ty Color ink transfer printing
US5745128A (en) * 1992-11-30 1998-04-28 Hewlett Packard Company Method and apparatus for ink transfer printing

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