JPH01225340A - 半導体金属突起電極の製造方法 - Google Patents
半導体金属突起電極の製造方法Info
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- JPH01225340A JPH01225340A JP63052123A JP5212388A JPH01225340A JP H01225340 A JPH01225340 A JP H01225340A JP 63052123 A JP63052123 A JP 63052123A JP 5212388 A JP5212388 A JP 5212388A JP H01225340 A JPH01225340 A JP H01225340A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のギヤングボンディング用の金属
突起電極（以下バンプと称す）の製造に関する。
突起電極（以下バンプと称す）の製造に関する。
半導体素子上に設けられた電極端子から外部端子へ電気
的接続を行なう方法としては２５〜４０μφのＡｕ、Ａ
、ｊ！等の金属細線で前記電極端子同志を熱圧着法もし
くは超音波法によって接続するワイヤボンディングが一
般的であるが、近年これに代わる方法として前記電極端
子上にＡｕ、Ｃｕ等のバンブを設け、対応する外部端子
である多数のリードを一度に接続するテープキャリヤ方
式等に代表されるギヤングボンディング法等が実用化さ
れてきている。
的接続を行なう方法としては２５〜４０μφのＡｕ、Ａ
、ｊ！等の金属細線で前記電極端子同志を熱圧着法もし
くは超音波法によって接続するワイヤボンディングが一
般的であるが、近年これに代わる方法として前記電極端
子上にＡｕ、Ｃｕ等のバンブを設け、対応する外部端子
である多数のリードを一度に接続するテープキャリヤ方
式等に代表されるギヤングボンディング法等が実用化さ
れてきている。
前記ギヤングボンディング法は、ワイヤボンディング法
に比べてボンディング強度が数倍価れていること、リー
ド数に関係なくボンディングは一度で可能であるため、
ボンディングスピードが速いこと、ワイヤボンディング
におけるワイヤループ形成が不要であるため、超薄型パ
ッケージの実現が可能であること、１００〜２００以上
の多リードポンディングが可能であること等多くの利点
を有している。しかしながら、半導体素子上に形成する
バンプの形成方法が複雑で、かつ、コスト高である等の
欠点があり、全面的にワイヤポンディングにとって代わ
る迄には至っていない。
に比べてボンディング強度が数倍価れていること、リー
ド数に関係なくボンディングは一度で可能であるため、
ボンディングスピードが速いこと、ワイヤボンディング
におけるワイヤループ形成が不要であるため、超薄型パ
ッケージの実現が可能であること、１００〜２００以上
の多リードポンディングが可能であること等多くの利点
を有している。しかしながら、半導体素子上に形成する
バンプの形成方法が複雑で、かつ、コスト高である等の
欠点があり、全面的にワイヤポンディングにとって代わ
る迄には至っていない。
そこで、第４図に示すように金属細線２の先端に電気放
電または水素炎などで金属ボールを形成し、この金属ボ
ールを半導体素子６上の電極端子部にポンディングし、
ポンディング後に前記金属ボールを金属細線２から切離
すことにより、前記半導体素子６の電極端子部にバンプ
８を形成する方法がある。この方法によれば、通常のワ
イヤポンディング法を応用することにより、比較的容易
にかつ装置の自動化をはかることで安価にバンプ形成す
ることができる。ところが前記金属ボールを金属細線２
から切離す際切断位置がばらついてその結果バンプ８に
長さが様々な金属細線１ｏが残り、ポンディング金属細
線１０によるバンプ間またはバンプーリード間、バンプ
ーペレットエッヂ間のショート等の問題があった。
電または水素炎などで金属ボールを形成し、この金属ボ
ールを半導体素子６上の電極端子部にポンディングし、
ポンディング後に前記金属ボールを金属細線２から切離
すことにより、前記半導体素子６の電極端子部にバンプ
８を形成する方法がある。この方法によれば、通常のワ
イヤポンディング法を応用することにより、比較的容易
にかつ装置の自動化をはかることで安価にバンプ形成す
ることができる。ところが前記金属ボールを金属細線２
から切離す際切断位置がばらついてその結果バンプ８に
長さが様々な金属細線１ｏが残り、ポンディング金属細
線１０によるバンプ間またはバンプーリード間、バンプ
ーペレットエッヂ間のショート等の問題があった。
上述した従来の金属細線の先端に電気放電または水素炎
などで金属ボールを形成し、この金属ボールを半導体素
子上の電極端子部にポンディングし、ポンディング後に
前記金属ボールを金属細線から切断することにより、バ
ンプを形成する方法において前記金属ボールを金属細線
から切離す際、切断位置がばらついて、その結果バンプ
に長さが様々な金属細線が残り、ボンディング後金属細
線によるバンプ間またはバンブーリード間、バンブーペ
レットエッヂ間のショート等の問題を起こすという欠点
がある。゛ 〔発明の従来技術に対する相違点〕 上述した従来のバンプ形成法に対し、本発明は金属ボー
ルと金属細線との切断を容易に行ない、且つ出来るだけ
金属ボールに接した所で決断することを目的に等間隔に
括りを有した金属細線を使用するという相違点を有する
。
などで金属ボールを形成し、この金属ボールを半導体素
子上の電極端子部にポンディングし、ポンディング後に
前記金属ボールを金属細線から切断することにより、バ
ンプを形成する方法において前記金属ボールを金属細線
から切離す際、切断位置がばらついて、その結果バンプ
に長さが様々な金属細線が残り、ボンディング後金属細
線によるバンプ間またはバンブーリード間、バンブーペ
レットエッヂ間のショート等の問題を起こすという欠点
がある。゛ 〔発明の従来技術に対する相違点〕 上述した従来のバンプ形成法に対し、本発明は金属ボー
ルと金属細線との切断を容易に行ない、且つ出来るだけ
金属ボールに接した所で決断することを目的に等間隔に
括りを有した金属細線を使用するという相違点を有する
。
本発明の半導体金属突起電極の製造方法は、金属細線の
先端に電気放電または水素炎等で金属ボールを形成し、
該金属ボールを熱圧着法、超音波法または超音波熱圧着
法によって半導体素子上の電極端子部にポンディングし
、ポンディング後の金属ボールの金属細線との結合部分
で金属ボールと金属細線を切断することによって半導体
素子上の電極端子部に金属突起電極を形成する製造方法
において、予め等間隔の括れを有する金属細線を用いる
特徴を有している。
先端に電気放電または水素炎等で金属ボールを形成し、
該金属ボールを熱圧着法、超音波法または超音波熱圧着
法によって半導体素子上の電極端子部にポンディングし
、ポンディング後の金属ボールの金属細線との結合部分
で金属ボールと金属細線を切断することによって半導体
素子上の電極端子部に金属突起電極を形成する製造方法
において、予め等間隔の括れを有する金属細線を用いる
特徴を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の側面図で
ある。同図（ａ）の状態にある予め括れ７を持つ金属細
線２の先端に電気放電または水素炎等で金属ボール３を
形成した状態が同図（ｂ）である。
ある。同図（ａ）の状態にある予め括れ７を持つ金属細
線２の先端に電気放電または水素炎等で金属ボール３を
形成した状態が同図（ｂ）である。
第２図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は本発明の一実施例
を工程順に示す側面図である。まず同図（ａ）のように
バンプを形成しようとする半導体素子６の上方にキャピ
ラリ１の内孔部を通して予め括れ７を持った金属細線２
が垂下さｈており、金属細線２と半導体素子６との間に
放電口、ド５を侵入させて。
を工程順に示す側面図である。まず同図（ａ）のように
バンプを形成しようとする半導体素子６の上方にキャピ
ラリ１の内孔部を通して予め括れ７を持った金属細線２
が垂下さｈており、金属細線２と半導体素子６との間に
放電口、ド５を侵入させて。
それから金属細線２の先端の放電ロッド５との間で放電
を行わせて金属細線２の先端に金属ボール３を形成する
。第１図（ｂ）がその状態を拡大して示している。つぎ
に第２図（ｂ）のように放電ロッド５を引込めてから、
キャピラリ４を降下させて半導体素子６上の電極端子部
に金属ボール３を熱圧着し、つぎに同図（Ｃ）のように
クランプ４で金属細線２を押えながら上方に引張ること
により金属細線２の括れ７０部分で金属ボール３と判断
され、バンプ８を半導体素子６上に残す。
を行わせて金属細線２の先端に金属ボール３を形成する
。第１図（ｂ）がその状態を拡大して示している。つぎ
に第２図（ｂ）のように放電ロッド５を引込めてから、
キャピラリ４を降下させて半導体素子６上の電極端子部
に金属ボール３を熱圧着し、つぎに同図（Ｃ）のように
クランプ４で金属細線２を押えながら上方に引張ること
により金属細線２の括れ７０部分で金属ボール３と判断
され、バンプ８を半導体素子６上に残す。
金属細線の括れ部分で金属ボールと切断するため切断が
容易にできて且つ金属ボールに接した所で切断できるた
めバンプ上に金属細線を残さない。
容易にできて且つ金属ボールに接した所で切断できるた
めバンプ上に金属細線を残さない。
本実施例は前記金属細線の製造段階で括れを形成させた
金属細線を使用するものであるが、括れの形成方法には
次の２つがある。１つは金属ボールができ上がるだけの
金・属細線の長さ例えば１００〜１２０μｍ毎に括れを
形成する方法と、もう１つは前記方法の長さ以下例えば
２５〜４０μｍ毎に細く括れを形成する方法がある。
金属細線を使用するものであるが、括れの形成方法には
次の２つがある。１つは金属ボールができ上がるだけの
金・属細線の長さ例えば１００〜１２０μｍ毎に括れを
形成する方法と、もう１つは前記方法の長さ以下例えば
２５〜４０μｍ毎に細く括れを形成する方法がある。
第３図は本発明の実施例２の側面図である。同図は金属
細線２の先端に放電により作成した金属ボールを半導体
素子６上に熱圧着したのち金属細線２を金属ボールから
切断したあとの状態を示している。
細線２の先端に放電により作成した金属ボールを半導体
素子６上に熱圧着したのち金属細線２を金属ボールから
切断したあとの状態を示している。
半導体素子６上に圧着されたバンプ８は金属細線２とバ
ンプ８の間にある括れ７で切断されるため、細線残りが
ない状態で形成が可能である。
ンプ８の間にある括れ７で切断されるため、細線残りが
ない状態で形成が可能である。
本実施例２はポンディング直前に金属細線２に括れ７を
形成するものである。括れ７の形成方法として、第３図
のようにクランプ４にくさび９を設けてクランプ開閉時
に金属細線２に括れ７を形成する方法や、他にキャピラ
リ１の真下や金属細線２の供給部に括れ７を形成する機
構を設けてもよい。括れの間隔は実施例１で述べたもの
と同じである。
形成するものである。括れ７の形成方法として、第３図
のようにクランプ４にくさび９を設けてクランプ開閉時
に金属細線２に括れ７を形成する方法や、他にキャピラ
リ１の真下や金属細線２の供給部に括れ７を形成する機
構を設けてもよい。括れの間隔は実施例１で述べたもの
と同じである。
以上説明したように、括れを持たせた金属細線を使用す
ることにより、半導体素子上に圧着されているバンプと
金属細線との切断を容易にし、且つバンプ上に接した所
で切断できるためバンプ上に金属細線の切断残りを発生
させない効果がある。
ることにより、半導体素子上に圧着されているバンプと
金属細線との切断を容易にし、且つバンプ上に接した所
で切断できるためバンプ上に金属細線の切断残りを発生
させない効果がある。
第１図は本発明の金属細線の側面図、第２図は実施例を
工程順に示す側面図、第３図は実施例２の側面図、第４
図は従来方法の側面図である。 １・・・・・・キャピラリ、２・・・・・・金属細線、
３・・・・・・金属ボール、４・・・・・・クランプ、
５・・・・・・放電用ロッド、６・・・・・・半導体素
子、７・・・・・・金属細線の括れ、８・・・・・・バ
ンプ、９・・・・・・くさび、１０・・・・・・金属細
線の切断残り。 代理人 弁理士 内 原 音 （乙こ） （し） 第１旧 第２旧 ３ｆ５３回
工程順に示す側面図、第３図は実施例２の側面図、第４
図は従来方法の側面図である。 １・・・・・・キャピラリ、２・・・・・・金属細線、
３・・・・・・金属ボール、４・・・・・・クランプ、
５・・・・・・放電用ロッド、６・・・・・・半導体素
子、７・・・・・・金属細線の括れ、８・・・・・・バ
ンプ、９・・・・・・くさび、１０・・・・・・金属細
線の切断残り。 代理人 弁理士 内 原 音 （乙こ） （し） 第１旧 第２旧 ３ｆ５３回
Claims (1)
- 金属細線の先端に電気放電または水素炎等で金属ボー
ルを形成し、該金属ボールを熱圧着法、超音波法又は超
音波熱圧着法によって半導体素子上の電極端子部にボン
ディングし、ボンディング後の金属ボールの金属細線と
の結合部分もしくはその近傍で金属ボールと金属細線を
切断することによって半導体素子上の電極端子部に金属
突起電極を形成する製造方法において、予め等間隔の括
れを有する金属細線を用いることを特徴とする半導体金
属突起電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052123A JPH01225340A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体金属突起電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052123A JPH01225340A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体金属突起電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225340A true JPH01225340A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12906098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052123A Pending JPH01225340A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体金属突起電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225340A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145172A (en) * | 1989-05-05 | 1992-09-08 | Gosen Co., Ltd. | String for racket |
| CN103187315A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 柱形凸块的形成方法及其实施装置 |
| US8540136B1 (en) * | 2012-09-06 | 2013-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63052123A patent/JPH01225340A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145172A (en) * | 1989-05-05 | 1992-09-08 | Gosen Co., Ltd. | String for racket |
| CN103187315A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 柱形凸块的形成方法及其实施装置 |
| US8540136B1 (en) * | 2012-09-06 | 2013-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same |
| US8936730B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-01-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for forming apparatus for stud bump formation |
| US9498851B2 (en) | 2012-09-06 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for forming apparatus for stud bump formation |
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