JPH07122562A - バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造 - Google Patents
バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップの配線又は基板の外部リードと、
その配線上面又は外部リード上面にボールボンディング
しようとするバンプ形成用，ボンディング用ワイヤとが
接合困難、若しくは所望の接合信頼性を得られない金属
同士の組み合わせである場合において、ボールボンディ
ング以外の工程，装置を必要とせず、且つ高い信頼性を
もって双方を接合せしめる。 【構成】Ｐｄ又はＣｕワイヤを用いてボールボンディン
グ法により金属バンプを供給し、該金属バンプを圧潰せ
しめて電極ａ’を形成する。その電極ａ’上面に、ボー
ルボンディング法により金属バンプｂを供給してバンプ
電極ｃを形成する。
その配線上面又は外部リード上面にボールボンディング
しようとするバンプ形成用，ボンディング用ワイヤとが
接合困難、若しくは所望の接合信頼性を得られない金属
同士の組み合わせである場合において、ボールボンディ
ング以外の工程，装置を必要とせず、且つ高い信頼性を
もって双方を接合せしめる。 【構成】Ｐｄ又はＣｕワイヤを用いてボールボンディン
グ法により金属バンプを供給し、該金属バンプを圧潰せ
しめて電極ａ’を形成する。その電極ａ’上面に、ボー
ルボンディング法により金属バンプｂを供給してバンプ
電極ｃを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング法に
よる半導体チップと外部リードとの接続、若しくはワイ
ヤレスボンディング法による半導体素子の基板への実装
等の半導体装置の製造に関するものである。
よる半導体チップと外部リードとの接続、若しくはワイ
ヤレスボンディング法による半導体素子の基板への実装
等の半導体装置の製造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えばＡｕ，Ａｇ，Pb-Sn ，
Ｓｎ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素からなるワイヤの先端を
溶融してボールを形成し、このボールを半導体チップの
Ａｌ配線上面に圧着した後にワイヤを引張ってボールを
切断してバンプ電極を形成し、このバンプ電極を介して
半導体チップを基板に実装するワイヤレスボンディング
法、或いは、前記ボールを半導体チップのＡｌ配線上面
に圧着したワイヤをループ状に外部まで導いて半導体チ
ップと外部リードとを接続するワイヤボンディング法が
知られている。
Ｓｎ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素からなるワイヤの先端を
溶融してボールを形成し、このボールを半導体チップの
Ａｌ配線上面に圧着した後にワイヤを引張ってボールを
切断してバンプ電極を形成し、このバンプ電極を介して
半導体チップを基板に実装するワイヤレスボンディング
法、或いは、前記ボールを半導体チップのＡｌ配線上面
に圧着したワイヤをループ状に外部まで導いて半導体チ
ップと外部リードとを接続するワイヤボンディング法が
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記バンプ
電極の形成又はワイヤボンディングの為にＡｕワイヤを
用いた場合、Ａｕボールと半導体チップのＡｌ配線との
間にＡｕ−Ａｌ金属間化合物が生成されてその接合が脆
化し、長期の使用に対する信頼性が低下する恐れがあ
り、よって従来においては図４に示すように、半導体チ
ップ１のＡｌ配線２上にＣｒ／Ｃｕ／Ａｕからなる下地
金属層（バリヤメタル）３をメッキ法により形成した上
で、前述のボールボンディング法によりワイヤＷ先端の
ボールＷ’を圧着せしめており、前記下地金属層３の形
成が半導体装置の製造工程の複雑化、並びに製造コスト
の増大につながっていた。またPb-Sn やＳｎ等の半田ワ
イヤを用いた場合も、Ａｌ配線上に直接半田を接合させ
ることができない理由から下地金属層が必要となり、前
記同様の欠点が生じていた。
電極の形成又はワイヤボンディングの為にＡｕワイヤを
用いた場合、Ａｕボールと半導体チップのＡｌ配線との
間にＡｕ−Ａｌ金属間化合物が生成されてその接合が脆
化し、長期の使用に対する信頼性が低下する恐れがあ
り、よって従来においては図４に示すように、半導体チ
ップ１のＡｌ配線２上にＣｒ／Ｃｕ／Ａｕからなる下地
金属層（バリヤメタル）３をメッキ法により形成した上
で、前述のボールボンディング法によりワイヤＷ先端の
ボールＷ’を圧着せしめており、前記下地金属層３の形
成が半導体装置の製造工程の複雑化、並びに製造コスト
の増大につながっていた。またPb-Sn やＳｎ等の半田ワ
イヤを用いた場合も、Ａｌ配線上に直接半田を接合させ
ることができない理由から下地金属層が必要となり、前
記同様の欠点が生じていた。
【０００４】本発明は斯る従来事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、半導体チップの配線又
は基板の外部リードと、その配線上面又は外部リード上
面にボールボンディングしようとするバンプ形成用，ボ
ンディング用ワイヤとが接合困難、若しくは所望の接合
信頼性を得られない金属同士の組み合わせである場合に
おいて、ボールボンディング以外の工程，装置を必要と
せず、且つ高い信頼性をもって双方を接合せしめること
にある。
ので、その目的とするところは、半導体チップの配線又
は基板の外部リードと、その配線上面又は外部リード上
面にボールボンディングしようとするバンプ形成用，ボ
ンディング用ワイヤとが接合困難、若しくは所望の接合
信頼性を得られない金属同士の組み合わせである場合に
おいて、ボールボンディング以外の工程，装置を必要と
せず、且つ高い信頼性をもって双方を接合せしめること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明のバンプ形成方法は、請求項１ではＰｂ−Ｓ
ｎ又はＳｎ−Ａｇ又はＡｕ又はＰｄ又はＣｕ又はＡｌ−
Ｍｇからなるワイヤを用いてボールボンディング法によ
り金属バンプを形成し、該金属バンプを電極として使用
することを特徴とし、また請求項２では、前述の方法に
よって形成されたバンプの上面、若しくは該バンプを圧
潰せしめてその上面に、ボールボンディング法により金
属バンプを作製してバンプ電極を形成したことを特徴と
する。
めに本発明のバンプ形成方法は、請求項１ではＰｂ−Ｓ
ｎ又はＳｎ−Ａｇ又はＡｕ又はＰｄ又はＣｕ又はＡｌ−
Ｍｇからなるワイヤを用いてボールボンディング法によ
り金属バンプを形成し、該金属バンプを電極として使用
することを特徴とし、また請求項２では、前述の方法に
よって形成されたバンプの上面、若しくは該バンプを圧
潰せしめてその上面に、ボールボンディング法により金
属バンプを作製してバンプ電極を形成したことを特徴と
する。
【０００６】また本発明のワイヤボンディング方法は、
請求項１記載の方法によって形成されたバンプの上面、
若しくは該バンプを圧潰せしめてその上面に、ボールボ
ンディング法によりワイヤ先端を圧着せしめ、そのワイ
ヤをループ状に外部まで導いて半導体チップと外部リー
ドとを接続することを特徴とする（請求項３）。
請求項１記載の方法によって形成されたバンプの上面、
若しくは該バンプを圧潰せしめてその上面に、ボールボ
ンディング法によりワイヤ先端を圧着せしめ、そのワイ
ヤをループ状に外部まで導いて半導体チップと外部リー
ドとを接続することを特徴とする（請求項３）。
【０００７】また本発明のバンプ構造は、半導体チップ
の配線上面又は基板の外部リード上面に金属バンプを形
成すると共に、該金属バンプの上面若しくは該バンプを
圧潰せしめたその上面に金属バンプを接合せしめてなる
ことを特徴とする（請求項４）。
の配線上面又は基板の外部リード上面に金属バンプを形
成すると共に、該金属バンプの上面若しくは該バンプを
圧潰せしめたその上面に金属バンプを接合せしめてなる
ことを特徴とする（請求項４）。
【０００８】さらに本発明のワイヤボンディング構造
は、半導体チップの配線上面又は基板の外部リード上面
に金属バンプを形成すると共に、該金属バンプの上面若
しくは該バンプを圧潰せしめたその上面に、半導体チッ
プと外部リードとを接続するループワイヤの一端を接合
せしめてなることを特徴とする（請求項５）。
は、半導体チップの配線上面又は基板の外部リード上面
に金属バンプを形成すると共に、該金属バンプの上面若
しくは該バンプを圧潰せしめたその上面に、半導体チッ
プと外部リードとを接続するループワイヤの一端を接合
せしめてなることを特徴とする（請求項５）。
【０００９】
【作用】本発明によれば、半導体チップの配線又は基板
の外部リードと、その配線上面又は外部リード上面にボ
ールボンディングしようとするバンプ形成用若しくはボ
ンディング用ワイヤとに対し、それら双方に接合可能な
金属元素を用いて下地バンプを形成し、この下地バンプ
を介して、前記配線又は外部リードの上面にバンプ形成
用若しくはボンディング用ワイヤの先端をボールボンデ
ィングする。
の外部リードと、その配線上面又は外部リード上面にボ
ールボンディングしようとするバンプ形成用若しくはボ
ンディング用ワイヤとに対し、それら双方に接合可能な
金属元素を用いて下地バンプを形成し、この下地バンプ
を介して、前記配線又は外部リードの上面にバンプ形成
用若しくはボンディング用ワイヤの先端をボールボンデ
ィングする。
【００１０】従って、半導体チップの配線又は基板の外
部リードと、その配線上面又は外部リード上面にボール
ボンディングしようとするバンプ形成用，ボンディング
用ワイヤとが接合困難、若しくは所望の接合信頼性を得
られない金属同士の組み合わせである場合において、ボ
ールボンディング以外の工程，装置を必要とせず、且つ
高い信頼性をもって双方を接合可能とするという前述の
課題が達成される。
部リードと、その配線上面又は外部リード上面にボール
ボンディングしようとするバンプ形成用，ボンディング
用ワイヤとが接合困難、若しくは所望の接合信頼性を得
られない金属同士の組み合わせである場合において、ボ
ールボンディング以外の工程，装置を必要とせず、且つ
高い信頼性をもって双方を接合可能とするという前述の
課題が達成される。
【００１１】
【実施例】以下、実施例について説明する。図１及び図
２は本発明のバンプ形成方法を表し、図中１は半導体チ
ップ、２はそのチップ上面に形成されたＡｌ又はＡｌ合
金からなる配線、４はＰｄ又はＣｕを主要元素として細
線状に作製されたバンプ形成用ワイヤ、５はＡｕを主要
元素として細線状に作製されたバンプ形成用ワイヤ、10
はこれらワイヤ４，５を挿通せしめたキャピラリを示
す。
２は本発明のバンプ形成方法を表し、図中１は半導体チ
ップ、２はそのチップ上面に形成されたＡｌ又はＡｌ合
金からなる配線、４はＰｄ又はＣｕを主要元素として細
線状に作製されたバンプ形成用ワイヤ、５はＡｕを主要
元素として細線状に作製されたバンプ形成用ワイヤ、10
はこれらワイヤ４，５を挿通せしめたキャピラリを示
す。
【００１２】而して、まず図１(a) に示すように上記ワ
イヤ４をキャピラリ10に挿通せしめ、且つその先端を溶
融せしめてボール4aを作製し、同図(b) の如くキャピラ
リ10を下降させてボール4aを配線２上面に付着させる。
この時、ボール4aがＰｄ又はＣｕボールであることか
ら、Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線２との間にその接合
を脆化させる金属間化合物が生成されるようなことはな
く、よって、ボール4aは所定の接合強度をもって配線２
の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ10を引き
上げることにより、同図(c) の如くボール4aの根本部で
ワイヤ４が切断して配線２上面に金属バンプａが形成さ
れ、この金属バンプａをそのまま、若しくは同図(d) に
示す如く圧潰せしめて電極ａ’として用いる。
イヤ４をキャピラリ10に挿通せしめ、且つその先端を溶
融せしめてボール4aを作製し、同図(b) の如くキャピラ
リ10を下降させてボール4aを配線２上面に付着させる。
この時、ボール4aがＰｄ又はＣｕボールであることか
ら、Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線２との間にその接合
を脆化させる金属間化合物が生成されるようなことはな
く、よって、ボール4aは所定の接合強度をもって配線２
の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ10を引き
上げることにより、同図(c) の如くボール4aの根本部で
ワイヤ４が切断して配線２上面に金属バンプａが形成さ
れ、この金属バンプａをそのまま、若しくは同図(d) に
示す如く圧潰せしめて電極ａ’として用いる。
【００１３】さらに図２(a) に示すように、上述のよう
にして形成された電極ａ’上に、Ａｕを主要元素とする
ワイヤ５を挿通したキャピラリ10を位置せしめ、且つそ
の先端を溶融せしめてボール5aを作製し、次に同図(b)
の如くキャピラリ10を下降させてボール5aを電極ａ’上
面に付着させる。この時、電極ａ’がＰｄ又はＣｕから
なり、ボール5aがＡｕボールであることからその接合を
脆化させる金属間化合物が生成されるようなことはな
く、よって、ボール5aは所定の接合強度をもって電極
ａ’の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ10を
引き上げることにより、同図(c) の如くボール5aの根本
部でワイヤ５が切断して電極ａ’上面に金属バンプｂが
供給され、電極ａ’上に金属バンプｂを接合せしめたバ
ンプ電極ｃが形成される。
にして形成された電極ａ’上に、Ａｕを主要元素とする
ワイヤ５を挿通したキャピラリ10を位置せしめ、且つそ
の先端を溶融せしめてボール5aを作製し、次に同図(b)
の如くキャピラリ10を下降させてボール5aを電極ａ’上
面に付着させる。この時、電極ａ’がＰｄ又はＣｕから
なり、ボール5aがＡｕボールであることからその接合を
脆化させる金属間化合物が生成されるようなことはな
く、よって、ボール5aは所定の接合強度をもって電極
ａ’の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ10を
引き上げることにより、同図(c) の如くボール5aの根本
部でワイヤ５が切断して電極ａ’上面に金属バンプｂが
供給され、電極ａ’上に金属バンプｂを接合せしめたバ
ンプ電極ｃが形成される。
【００１４】図３においては本発明ワイヤボンディング
方法によるボンディング構造を表し、図中１は半導体チ
ップ、２はそのチップ上面に形成されたＡｌ又はＡｌ合
金からなる配線、６はＡｕを主要元素として通常の方法
により細線状に作製されたボンディング用ワイヤを示
す。この方法においては、まず図１(a) 〜 (d)に示す如
く、上述のバンプ形成用ワイヤ４の先端に作製したボー
ル4aを配線２上面に接合せしめ、その状態でキャピラリ
10を引き上げることによりワイヤ４を切断して配線２上
面に金属バンプａを供給し、さらにこの金属バンプａを
圧潰せしめて電極ａ’を形成する。
方法によるボンディング構造を表し、図中１は半導体チ
ップ、２はそのチップ上面に形成されたＡｌ又はＡｌ合
金からなる配線、６はＡｕを主要元素として通常の方法
により細線状に作製されたボンディング用ワイヤを示
す。この方法においては、まず図１(a) 〜 (d)に示す如
く、上述のバンプ形成用ワイヤ４の先端に作製したボー
ル4aを配線２上面に接合せしめ、その状態でキャピラリ
10を引き上げることによりワイヤ４を切断して配線２上
面に金属バンプａを供給し、さらにこの金属バンプａを
圧潰せしめて電極ａ’を形成する。
【００１５】さらににその電極ａ’上に、上記ボンディ
ング用ワイヤ６を挿通したキャピラリ10を位置せしめ、
且つその先端を溶融せしめてボール6aを作製し、さらに
キャピラリ10を下降させてボール6aを電極ａ’上面に付
着させる。この時、電極ａ’がＰｄ又はＣｕからなり、
ボール6aがＡｕボールであることからその接合を脆化さ
せる金属間化合物が生成されるようなことはなく、よっ
て、ボール6aは所定の接合強度をもって電極ａ’の上面
に直接接合する。その状態でキャピラリ10を作動させ、
ワイヤ６をループ状に外部リードまで導いてボールボン
ディング法等により圧着せしめた後に切断し、電極ａ’
と外部リードとを接続する。
ング用ワイヤ６を挿通したキャピラリ10を位置せしめ、
且つその先端を溶融せしめてボール6aを作製し、さらに
キャピラリ10を下降させてボール6aを電極ａ’上面に付
着させる。この時、電極ａ’がＰｄ又はＣｕからなり、
ボール6aがＡｕボールであることからその接合を脆化さ
せる金属間化合物が生成されるようなことはなく、よっ
て、ボール6aは所定の接合強度をもって電極ａ’の上面
に直接接合する。その状態でキャピラリ10を作動させ、
ワイヤ６をループ状に外部リードまで導いてボールボン
ディング法等により圧着せしめた後に切断し、電極ａ’
と外部リードとを接続する。
【００１６】次に、本発明実施品と比較品との夫々の剪
断強度に関する試験結果を、表１に基づいて説明する。
表中の実施Ｎo.１は図３に示す本発明方法からなるワイ
ヤボンディング構造において電極ａ’をＰｄワイヤで形
成したもの、実施Ｎo.２は同電極ａ’をＣｕワイヤで形
成したものを示す。また比較品は、Ａｕを主要元素とす
るボンディング用ワイヤを用いてＡｌ配線上に直接ボー
ルボンディングしたものを示す。
断強度に関する試験結果を、表１に基づいて説明する。
表中の実施Ｎo.１は図３に示す本発明方法からなるワイ
ヤボンディング構造において電極ａ’をＰｄワイヤで形
成したもの、実施Ｎo.２は同電極ａ’をＣｕワイヤで形
成したものを示す。また比較品は、Ａｕを主要元素とす
るボンディング用ワイヤを用いてＡｌ配線上に直接ボー
ルボンディングしたものを示す。
【００１７】これら各実施品及び比較品について、−55
度中に30分間放置した後に200 度中に30分間放置するこ
とを１サイクルとし、これを50,100,500, 1000サイクル
繰り返す温度サイクルテストを行った後の、ボンディン
グワイヤ６と配線２との接合部分における剪断強度を試
験した。その平均値を表中に記載する。
度中に30分間放置した後に200 度中に30分間放置するこ
とを１サイクルとし、これを50,100,500, 1000サイクル
繰り返す温度サイクルテストを行った後の、ボンディン
グワイヤ６と配線２との接合部分における剪断強度を試
験した。その平均値を表中に記載する。
【００１８】
【表１】
【００１９】以上の結果から、本発明方法により形成さ
れたワイヤボンディング構造では、ボンディングワイヤ
６と配線２との接合部分において所望の剪断強度（53〜
65ｇ）が得られ、又、Ａｌ配線上にＡｕワイヤを直接ボ
ールボンディングした比較品では所定の剪断強度が得ら
れない（50ｇ以下）ことが確認できた。尚、比較品にお
ける500 〜1000サイクルテストでは、Ａｌ配線とＡｕボ
ールとの間に生成する金属間化合物によってＡｌ配線が
Ａｕに食われ、Ａｌが無い状態であることが確認でき
た。
れたワイヤボンディング構造では、ボンディングワイヤ
６と配線２との接合部分において所望の剪断強度（53〜
65ｇ）が得られ、又、Ａｌ配線上にＡｕワイヤを直接ボ
ールボンディングした比較品では所定の剪断強度が得ら
れない（50ｇ以下）ことが確認できた。尚、比較品にお
ける500 〜1000サイクルテストでは、Ａｌ配線とＡｕボ
ールとの間に生成する金属間化合物によってＡｌ配線が
Ａｕに食われ、Ａｌが無い状態であることが確認でき
た。
【００２０】尚、上述の説明においては、配線２上面或
いは電極ａ’上面にボール4a，5aを接合させた状態でキ
ャピラリ10を引き上げることによりボールの根本部でワ
イヤ４，５が切断して金属バンプａ，ｂが均一に供給さ
れるものとしたが、本発明はこれに限定されず、ボール
の根本部でワイヤを切断する、若しくはワイヤから切断
されたボール上面に残るティル量を均一にするために周
知の加工手段を用いることも可能である。
いは電極ａ’上面にボール4a，5aを接合させた状態でキ
ャピラリ10を引き上げることによりボールの根本部でワ
イヤ４，５が切断して金属バンプａ，ｂが均一に供給さ
れるものとしたが、本発明はこれに限定されず、ボール
の根本部でワイヤを切断する、若しくはワイヤから切断
されたボール上面に残るティル量を均一にするために周
知の加工手段を用いることも可能である。
【００２１】また、夫々の実施例においては半導体チッ
プのＡｌ又はＡｌ合金配線２上に、Ａｕバンプａ又はＡ
ｕワイヤ６をボールボンディングする場合において、配
線２上面に形成したＰｄ若しくはＣｕバンプからなる電
極ａ’を介在せしめて双方を接合させるようにしたが、
本発明はこの組み合わせに限定されず、半導体チップの
配線又は基板の外部リードと、その配線上面又は外部リ
ード上面にボールボンディングしようとするバンプワイ
ヤ若しくはボンディングワイヤとの双方に接合可能な金
属元素を、Ｐｂ−Ｓｎ又はＳｎ−Ａｇ又はＡｕ又はＰｄ
又はＣｕ又はＡｌ−Ｍｇのなかから適宜に選択して電極
ａ’を形成することはいうまでもない。
プのＡｌ又はＡｌ合金配線２上に、Ａｕバンプａ又はＡ
ｕワイヤ６をボールボンディングする場合において、配
線２上面に形成したＰｄ若しくはＣｕバンプからなる電
極ａ’を介在せしめて双方を接合させるようにしたが、
本発明はこの組み合わせに限定されず、半導体チップの
配線又は基板の外部リードと、その配線上面又は外部リ
ード上面にボールボンディングしようとするバンプワイ
ヤ若しくはボンディングワイヤとの双方に接合可能な金
属元素を、Ｐｂ−Ｓｎ又はＳｎ−Ａｇ又はＡｕ又はＰｄ
又はＣｕ又はＡｌ−Ｍｇのなかから適宜に選択して電極
ａ’を形成することはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、半導体チップの配線又は基板の外部リードと、その
配線上面又は外部リード上面にボールボンディングしよ
うとするバンプ形成用，ボンディング用ワイヤとが接合
困難、若しくは所望の接合信頼性を得られない金属同士
の組み合わせであっても、それら双方に接合可能な金属
元素からなるバンプを介在せしめて両者を接続すること
ができる。
で、半導体チップの配線又は基板の外部リードと、その
配線上面又は外部リード上面にボールボンディングしよ
うとするバンプ形成用，ボンディング用ワイヤとが接合
困難、若しくは所望の接合信頼性を得られない金属同士
の組み合わせであっても、それら双方に接合可能な金属
元素からなるバンプを介在せしめて両者を接続すること
ができる。
【００２３】従って、従来のボールボンディングの如く
メッキ法により形成される下地金属層を用いることな
く、ボールボンディング以外の工程，装置を必要とせず
に簡単，低コストで製造でき、且つ長期の使用における
信頼性に優れた半導体装置の提供が可能になる。
メッキ法により形成される下地金属層を用いることな
く、ボールボンディング以外の工程，装置を必要とせず
に簡単，低コストで製造でき、且つ長期の使用における
信頼性に優れた半導体装置の提供が可能になる。
【図１】本発明に係るバンプ形成方法並びにバンプ構造
の一実施例を示す断面図。
の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明に係るバンプ形成方法並びにバンプ構造
の一実施例を示す断面図。
の一実施例を示す断面図。
【図３】本発明に係るワイヤボンディング構造の一実施
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図４】従来のボールボンディング方法を示す正面図。
１：半導体チップ ２：配線 ４，５：
バンプ形成用ワイヤ ６：ボンディング用ワイヤ ａ，ｂ：金属バンプ ａ’：電極 ｃ：バンプ電極
バンプ形成用ワイヤ ６：ボンディング用ワイヤ ａ，ｂ：金属バンプ ａ’：電極 ｃ：バンプ電極
Claims (5)
- 【請求項１】Ｐｂ−Ｓｎ又はＳｎ−Ａｇ又はＡｕ又はＰ
ｄ又はＣｕ又はＡｌ−Ｍｇからなるワイヤを用いてボー
ルボンディング法により金属バンプを形成し、該金属バ
ンプを電極として使用することを特徴とするバンプ形成
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法によって形成された
バンプの上面、若しくは該バンプを圧潰せしめてその上
面に、ボールボンディング法により金属バンプを作製し
てバンプ電極を形成したことを特徴とするバンプ形成方
法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法によって形成された
バンプの上面、若しくは該バンプを圧潰せしめてその上
面に、ボールボンディング法によりワイヤ先端を圧着せ
しめ、そのワイヤをループ状に外部まで導いて半導体チ
ップと外部リードとを接続することを特徴とするワイヤ
ボンディング方法。 - 【請求項４】 半導体チップの配線上面又は基板の外部
リード上面に金属バンプを形成すると共に、該金属バン
プの上面若しくは該バンプを圧潰せしめたその上面に金
属バンプを接合せしめてなることを特徴とするバンプ構
造。 - 【請求項５】 半導体チップの配線上面又は基板の外部
リード上面に金属バンプを形成すると共に、該金属バン
プの上面若しくは該バンプを圧潰せしめたその上面に、
半導体チップと外部リードとを接続するループワイヤの
一端を接合せしめてなることを特徴とするワイヤボンデ
ィング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262536A JPH07122562A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262536A JPH07122562A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122562A true JPH07122562A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17377172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5262536A Pending JPH07122562A (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法並びにバンプ構造及びワイヤボンディング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455785B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Bump connection with stacked metal balls |
| US7407877B2 (en) | 2001-02-27 | 2008-08-05 | Chippac, Inc. | Self-coplanarity bumping shape for flip-chip |
| US9780069B2 (en) | 2009-06-18 | 2017-10-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP5262536A patent/JPH07122562A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455785B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Bump connection with stacked metal balls |
| US7021521B2 (en) | 1998-10-28 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | Bump connection and method and apparatus for forming said connection |
| US7407877B2 (en) | 2001-02-27 | 2008-08-05 | Chippac, Inc. | Self-coplanarity bumping shape for flip-chip |
| US9780069B2 (en) | 2009-06-18 | 2017-10-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10163850B2 (en) | 2009-06-18 | 2018-12-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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