JPS63104455A - 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法 - Google Patents

封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法

Info

Publication number
JPS63104455A
JPS63104455A JP25099586A JP25099586A JPS63104455A JP S63104455 A JPS63104455 A JP S63104455A JP 25099586 A JP25099586 A JP 25099586A JP 25099586 A JP25099586 A JP 25099586A JP S63104455 A JPS63104455 A JP S63104455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filler
resin
fiber
temperature
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25099586A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Okuaki
奥秋 裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP25099586A priority Critical patent/JPS63104455A/ja
Publication of JPS63104455A publication Critical patent/JPS63104455A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、樹脂封1F型半導体装置に用いられる封止樹
脂充填用フィラーに関16bの(市る。
(従来の技術) 一般に半導体素子を外部環境や機械的外ツノ等から守る
ために、例えば樹脂封止型パック−−ジ等の樹脂による
対重方法か広く用いられている。前記樹脂封止型パック
−−ジ等の村山樹脂には、半導体素子に対する物理的特
性、熱的特性及び樹脂成型性等において優れた物性をも
たせるために、対車樹脂充填用フィラー(以下、甲にノ
イシーという)と称される種々の充11亘八りか配合さ
れ−Cいる。
従来、このような分野の技1+Fiとしくは、1!I聞
昭61−2.9159号公報に記載されるしのかあっ/
l−+llモトぞの構成を図を用いて説明りる。
第2図は、従来のフィラーか配合8れた樹脂により封止
された樹脂封止型半導体装置の一構成例を示す断面図−
Cある。
この半導体装置の素子搭載部1の上には、半導体素子2
か樹脂ペースト3等により固着されており、この半導体
索子2は、外部導出リート4の内方端部と金属細線5に
より、電気的に接続されている。前記素子搭載部1、半
導体素子2、金属細線5及び外部導出リード4の内方端
部は、樹脂部材6により封止されており、この樹脂部材
6は、例えばエポキシ樹脂7にシリカ(Si O2)等
の無機質のフィラー8か配合されて成るものである。
このフィラー8は球状を成しており、数μmから数百μ
m程度の粒径のものか樹脂7内にほぼ一様に分布し、樹
脂重量の50〜80%程度の割合で配合されている。
前記フィラー8は、例えば樹脂部材6の物理的、熱的特
性を向−トさせ、半導体素子2に対する封止特性を最適
化するために、樹脂7に配合されたものである。即ち、
半導体素子2の動作時の発熱及び周囲環境の温度変化等
によって樹脂部材6から半導体素子2に作用する熱応力
を低減するために、フィラー8を配合することにより樹
脂部材6の熱膨張係数を半導体索子2のそれに極力近づ
けようとしたものである。同時に、半導体素子2からの
発熱を、有効に外部に伝達して放熱することも目的とし
ている。
また、前記フィラー8が球状を成しているのは、次の理
由による。即ち、5i02等のフィラーは通常多角形状
を有しており、このフィラーを使用しても、半導体索子
2の1法が小さく、配線パターンか約3μm以上の比較
的集積1哀の低い場合には、何ら問題かなかった。とこ
ろか、近年の2F >9体素子2の高集積化に伴い超大
規模集積回路(以下、VLSIという)か主流になりつ
つある現在においては、半導体素子2の寸法は大きくな
って5mm角を超え、配線パターンは3μmからり一ブ
ミクロン化に移行している。ぞのために、樹脂部材6の
熱膨張等により、前記多角形状のフィラーの角部が及ぼ
す応力は、微細化した半導体素子2の活性領域に対して
相対的に大きくなり、半導体索子2の電気的特性を損な
ったり、配線パターン等の断線を引き起こすようになっ
た。それ故、フィラーの形状を多角形から球状に変えた
ものでおる。
以上のように構成される球状のフィラー8の製造方法に
ついて説明する。
先ず、例えば天然の5i02等の塊を粉砕機等により粉
々に砕き、多角形状の細かい粒とする。
この細かい粒をふるい等にかけ、数μmから数百μm程
度の所定の大きさのものを選別する。
次に、選別された5i02粒を、その融点以上に加熱さ
れた高温炉内の上部から散布、落下させる。
散布、落下された5i02粒は、落下途中に加熱溶融さ
れて球状となって高温炉の下部に設けられた冷却装置に
達し、そこで冷却されて球状のフィラー8となるっ (発明が解決しようとする問題点) しかしなから、上記構成のフィラー8及びその製造り法
においては、次のような問題点かあった。
(1)フィラー8を充填することにより、樹脂部材6の
熱膨張係数を小さくし、半導体素子2の熱膨張係数とほ
ぼ同等とするが、接触面積の小さい球状のフィラー8を
用いているために、(6・1脂7との接着力が弱い。即
ら、フィラー8を樹脂7に充填したときの温度変化、フ
ィラー8か充填された樹脂7をモールド成型したときの
温度変化、及び半導体装置実装後の温度変化等のために
、樹脂7とフィラー8の接着面は、両者の熱膨張係数の
相違により剥離し易い。このため、フィラー8が樹脂7
の熱膨張を機械的に抑制し、樹脂部材6の熱膨張係数を
小さくする効果か薄くなる。
(2)上記(1)の理由により、樹脂7とフィラー8の
接着面か剥離し易いために、樹脂部材6に水分等が侵入
し、半導体素子2の配線部や金属細線5を腐食させるお
それがおる。また、樹脂部材6の強度も損なわれる。
(3)Si、o2等の塊を粉砕することにより粒状とす
るので、所定寸法のフィラー8を得るのが難しく、粒径
のばらつきも大きくなる。また、粉砕後の選別作業に手
間を要すると共に、歩留りも悪くなる。
(4)フィラー8の粒径のばらつきか大きい場合には、
樹脂部材6の熱膨張係数が均一にならないおそれかある
本発明は、前記従来技術かもっていた問題点として、球
状のフィラー8か樹脂部材6の熱膨張係数を半導体素子
2の熱膨張係数とほぼ同等にするのか難しい点、樹脂部
材6に水分等が侵入したり、その強度を損なうおそれか
ある点及び所定寸法のフィラー8を製造するのが難しく
、手間を要する点について解決した封止樹脂充填用フィ
ラー及びその製造方法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段) 第1の発明は、前記問題点を解決するために、半導体素
子を樹脂封止する樹脂部材中に充填される無機質から成
る封止樹脂充填用フィラーにおいて、前記フィラーを、
断面周縁か曲線形状で、かつ両端部が曲面形状を成す短
繊維で形成したものである。
また、第2の発明は、封止樹脂充填用フィラーの製造方
法において、 無機質から成る繊維を所定の長さに裁断して短繊維化す
る工程と、前記裁断されて成る短繊維にその融点以上の
温度で加熱溶融処理を11ない、該短繊維の両端部に曲
面を形成刃る工程と、前記両端部に曲面が形成された短
繊維をその凝固点以下に冷却して凝固させる工程とを順
次施すようにしたものである。
(作 用) 第1の発明によれば、以上のように封11樹脂充填用フ
ィラーを構成したのC1両端部か曲面を成すことにより
周囲全面が曲面を形成刃る月+l−樹脂充填用フィラー
の外面1;LSVISI等の微細化した半導体素子活性
領域に対し、過大な応、/Jの発生を防止する働きをす
る。さらに、知識紺形状は、その長さ方向に封止樹脂に
対する十分な接触面を有して封止樹脂との接着力を強め
ることにより、封止樹脂の熱膨張を抑制する働ぎをする
と同時に、水分等の侵入を防止し、封止樹脂を補強する
働きをする。
また、第2の発明の製造方法において、所定長さに繊維
を裁断する工程は、簡単な作業により所定寸法のフィラ
ーを容易に得ることを可能とすると共に、寸法のばらつ
きを小さくする働きをする。
また、短繊維を110熱溶融する工程は、短繊維の両端
裁断部に曲面を形成する働きをすると同時に、短繊維の
断面周縁に角部を有する場合にあっては、その角部を滑
らかな曲線とする働きをする。したがって、前記問題点
を除去できるのである。
(実施例) 第1図は、第1の発明の実施例を示す封止樹脂充填用フ
ィラーか充填された樹脂により封止された樹脂封止型半
導体装置の断面図である。
この半導体装置は素子搭載部11を有しており、この素
子搭載部11上には、半導体索子12がA、−3i共晶
や樹脂ペースト13等により固着されている。半導体素
子12の外部導出電極は、金属細線14により外部導出
リード15の内方端部16と電気的に接続されている。
前記素子搭載部11、半導体素子12、金属細線14及
び外部導出リード15の内方端部16は、フィラー17
が充填されたエポキシ等の樹脂18から成る樹脂部材1
9により封止されてい−〇 − る。
前記フィラー17は、例えばSiO2や)フルミナ(八
で203)等から成り、その艮ざか数μmから数十μm
程度、断面が直径数μm程麿のはぽ円形の短繊維状のも
ので、その両端部は曲面を形成している。このフィラー
17か、樹脂重量の50へ・80%程度の割合で樹脂1
8の中に配合され、均一に分布されて樹脂部材19が形
成されている。
このように構成されるフィラー17は、その周囲全面が
曲面により形成されているので、VLST等の半導体素
子12の微細化した活性領域に接触しても過大な応力を
及ぼすことはなく、その電気的特性を損なったり、配線
パターン等の断線を引き起こすことはない。加えて、短
繊維状のフィラー17は、樹脂18に対する十分な接触
面積を有しているので、強い接着力をもつと共に、強化
繊維として補強材の役割も成す。それ故、樹脂18が半
導体素子12の発熱や周囲からの加熱により熱膨張する
ときにおっても、フィラー17はその広い接触面積によ
り樹脂18から剥離することなく、樹脂18の熱膨張を
機械的に抑制し、樹脂部材19の実質的な熱膨張係数を
半導体素子12の熱膨張係数にほぼ等しいものとする。
また、ノイラー17は一様な断面寸法を有し、その長さ
も数μmから数十μm程度でほぼ均等に樹脂18中に分
布しているので、樹脂部材19の熱膨張係数や伝熱特性
を均一なものとする効果もある。
さらに、lフィラー1フは剥離を防止して、樹脂部材1
9への水分等の侵入を妨げ、半導体素子12の配線部や
金属細線14の腐食を防ぐと共に、強化繊維として樹脂
部vJ19を補強し、外力に対する強度を増大しでいる
このように本実施例のフィラー17は、樹脂18との剥
離を防き゛、樹脂部材19の熱膨張係数を的確かつ均等
に半導体素子12の熱膨張係数に近づけ、しかも水分等
の侵入を防止すると共に樹脂部材19の強度を増大させ
ることにより、半導体素子12の信頼性の高い樹脂封止
を可能としている。
次に、第2の発明の実施例であるフィラーの製造方法に
ついて説明する。
この製造方法は、前記第1図のフィラー17を得るだめ
に、第1〜・第311程により構成されている。
(A)第1工程 5102やI!Lf1203等から成る無機質の繊維、
例えば強化プラスチックの製造に用いられる直径数μm
程度のカラス繊維を用意し、これを裁断機等で所定の寸
法、例えば数μmから数十μm程度の長さになるように
裁断する。
(B)第2工程 前記裁断されて短繊維となったカラス繊維を、高温炉内
の上部からスプレッダ等により吹き込むか、又は散布し
なか1う落−ドさU、炉内の高温に触れさせる。このと
き、炉内温石はカラス繊維の融点以上、例えば1800
’C稈度とイ【るように調整する。
また、カラス繊維の物=11口こ合わけて加熱時間、即
ちカラス繊維を落下さCる畠さを調整し、例えば加熱時
間を長く必要とするものについては、ぞの落下高さを高
くする。
落下されたガラス繊Iff: t、、i、所定温]衰C
°゛所定時間加熱され、その裁断された両端部は溶融し
く曲面状の端部に変化する。
(C)第3工程 前記落下中に両端部が曲面を形成したガラス繊維は、高
温炉の下部に達する。高温炉下部には冷却装置、例えば
水槽等を設置し−Cおき、落下したガラス繊維を凝固点
以下に冷却してその形状を保ち、両端部か曲面を成す短
繊維のフィラー17を得る。
以上のような製造工程によれば、所定直径を右するカラ
ス繊維等を裁断機により切断するので、容易な作業で所
定寸法の短繊維を得ることかできると同時に、そのばら
つきも小さくなり、歩留りも良くなる。また、この短繊
維を高温炉内にて落下C5t!、その両端部に曲面を形
成することにより周囲全面か曲面となったフィラー17
を得ることができる。
なお、第1、第2の発明のフィラー及びその製造方法は
、手記実施例に限定されず、種々の変形か可能−(ある
。例えは、フィラー17は、第1図のモール1〜樹脂1
8に対する充填用に限定されず、半導体素子の表面のみ
を覆うような封止樹脂の充填用にも用いることができる
。また、フィラー17の長さは数μmから故−1μmと
したが、これに限定されず、必要に応じて例えば数μ…
から数百μmの範囲の長さのフィラーどじでもよいし、
一定の長さのみを有するフィラーとしでもよい。さらに
、ガラス繊維等を加熱溶融する方法は、高温炉内に落下
させる方法のみならず、水平方向に移動させてもよい(
〕、また一定時間炉内に静止させて7JI]熱溶融させ
てもよい。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、第1の発明の封止樹脂充填
用フィラーによれば、短繊維状の両端部に曲面を形成し
たので、微細化した半導体素子の活性領域に対する過大
な応力の発生を防止する効果かある。さらに、短繊維形
状は、封止樹脂との間に」−分な接触面を有してその接
石刀を強化するので、封止樹脂の熱膨張係数を半導体素
子の熱膨張係数に的確に近づけると同時に、水分の浸入
を防止し、封りIl樹脂の強度を高める効果がある。そ
れ故、信頼性の高い封止樹脂部材を構成し、確実に半導
体素子を保護することかできる。
また、第2の発明の製造方法によれば、繊維を裁断して
χ0繊維とし、これをυ[1熱溶融しく両端部に曲面を
形成することとしたので、簡単かつ短時間の作業により
、寸法精度に優れ、両端部に的確に曲面か形成されたフ
ィラーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1の発明の実施例を示す封止樹脂充填用フィ
ラーが充填された樹脂により封止された樹脂封止型半導
体装置の断面図、第2図は従来の封止樹脂充填用フィラ
ー充填の樹脂により封止された樹脂封止型半導体装置の
断面図である。 12・・・・・・半導体素子、14・・・・・・金属細
線、15・・・・・・外部導出リード、17・・・・・
・封止樹脂充填用フィラー、18・・・・・・樹脂、1
9・・・・・・樹脂部材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子を樹脂封止する樹脂部材中に充填される
    無機質から成る封止樹脂充填用フィラーにおいて、 前記フィラーは、断面周縁が曲線形状で、かつ両端部が
    曲面形状を成す短繊維で形成したことを特徴とする封止
    樹脂充填用フィラー。 2、無機質から成る繊維を所定の長さに裁断して短繊維
    化する工程と、 前記裁断されて成る短繊維にその融点以上の温度で加熱
    溶融処理を行ない、該短繊維の両端部に曲面を形成する
    工程と、 前記両端部に曲面が形成された短繊維をその凝固点以下
    に冷却して凝固させる工程とを有することを特徴とする
    封止樹脂充填用フィラーの製造方法。
JP25099586A 1986-10-22 1986-10-22 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法 Pending JPS63104455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25099586A JPS63104455A (ja) 1986-10-22 1986-10-22 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25099586A JPS63104455A (ja) 1986-10-22 1986-10-22 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63104455A true JPS63104455A (ja) 1988-05-09

Family

ID=17216088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25099586A Pending JPS63104455A (ja) 1986-10-22 1986-10-22 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63104455A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996020501A1 (en) * 1994-12-27 1996-07-04 National Semiconductor Corporation An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing
FR2735283A1 (fr) * 1995-06-09 1996-12-13 Solaic Sa Module a circuit integre
US5617297A (en) * 1995-09-25 1997-04-01 National Semiconductor Corporation Encapsulation filler technology for molding active electronics components such as IC cards or PCMCIA cards
JP2010163575A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Mitsubishi Electric Corp コーティング剤及びこれを備えた液晶表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171750A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6151949A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS6151950A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS61221220A (ja) * 1985-03-27 1986-10-01 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171750A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6151949A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS6151950A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS61221220A (ja) * 1985-03-27 1986-10-01 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996020501A1 (en) * 1994-12-27 1996-07-04 National Semiconductor Corporation An integrated circuit package encapsulated by fiber laden molding material and its method of manufacturing
FR2735283A1 (fr) * 1995-06-09 1996-12-13 Solaic Sa Module a circuit integre
US5617297A (en) * 1995-09-25 1997-04-01 National Semiconductor Corporation Encapsulation filler technology for molding active electronics components such as IC cards or PCMCIA cards
JP2010163575A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Mitsubishi Electric Corp コーティング剤及びこれを備えた液晶表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5021865A (en) Lead frame for semiconductor device
JP3233535B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US5958100A (en) Process of making a glass semiconductor package
US20080061447A1 (en) Wire-bonded package with electrically insulating wire encapsulant and thermally conductive overmold
JPH05129456A (ja) ダイの応力を小さくした半導体デバイス
US7109586B2 (en) System for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep
US20020135076A1 (en) Heat sink with collapse structure and semiconductor package with heat sink
JPS62149157A (ja) 半導体素子の封止構造
JPS63104455A (ja) 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法
US5698904A (en) Packaging material for electronic components
JPH0680863A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2007534153A (ja) 複数の要素を含む半導体装置のパッケージ方法、および半導体装置
US6541306B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device
JPS60171750A (ja) 半導体装置
US9230874B1 (en) Integrated circuit package with a heat conductor
JP3384259B2 (ja) 樹脂封止半導体装置
US5759875A (en) Reduced filler particle size encapsulant for reduction in die surface damage in LOC packages and method of use
JPH05190583A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62261161A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPS61230344A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6132446A (ja) 半導体装置
JPS6433939A (en) Resin sealed type semiconductor device
JPS61212043A (ja) 半導体実装基板
JPS62124143A (ja) 半導体封止樹脂
KR0134812Y1 (ko) 반도체 몰드금형의 보이드방지용 게이트구조