JPH03116948A - 超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージ - Google Patents
超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージInfo
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- JPH03116948A JPH03116948A JP1254853A JP25485389A JPH03116948A JP H03116948 A JPH03116948 A JP H03116948A JP 1254853 A JP1254853 A JP 1254853A JP 25485389 A JP25485389 A JP 25485389A JP H03116948 A JPH03116948 A JP H03116948A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に超高周波IC用窒化アルミニウムパッケー
ジに関する。
ジに関する。
基体上に固着したIC素子を封緘せしめて成るICパッ
ケージにおいてパッケージ自体の性能がICの性能に著
しく影響するのは従来から知られているが、特に超高周
波ICの場合、周波数が高くなる程消費電力が増大し、
又、リード線のインダクタンス成分又はパッケージ材質
の誘電率等の影響が大きな問題になる。基体の材料とし
ての窒化アルミニウムは熱特性においてシリコンとほぼ
同等の熱膨張係数を有し、又、電気的特性においてアル
ミナに比べ十分に小さい誘電率を有しており、従って高
周波ICとして極めて優れている。
ケージにおいてパッケージ自体の性能がICの性能に著
しく影響するのは従来から知られているが、特に超高周
波ICの場合、周波数が高くなる程消費電力が増大し、
又、リード線のインダクタンス成分又はパッケージ材質
の誘電率等の影響が大きな問題になる。基体の材料とし
ての窒化アルミニウムは熱特性においてシリコンとほぼ
同等の熱膨張係数を有し、又、電気的特性においてアル
ミナに比べ十分に小さい誘電率を有しており、従って高
周波ICとして極めて優れている。
しかしながら、かかる窒化アルミニウムの基体を用いて
、通常のセラミックパッケージ(セラミック製の基体)
と同様の組立方法によってパッケージを形成する場合、
スクリン印刷法等により配線を施した窒化アルミによる
数枚のグリーンシート(配線基板)の重ね合わせを行な
う際、窒化アルミ自体の低反応性に由来し、焼結助材の
影響が界面で効果が出ないので基板間の接着ができない
ためにグリーンシートの各層間及び配線の接着性が極め
て弱くなってしまい実用に供するのが困難であった。又
、超高周波でICを駆動する場合には、特にIC素子及
びグリーンシート間を接続するボンディングワイヤによ
って増大せしめられる配線抵抗や配線インピーダンスが
、前述した窒化アルミニウムの優れた熱特性、電気的特
性を発揮させるのを妨げて、せっかくの窒化アルミニウ
ムの性能を活用し得なくなる等の問題もあった。
、通常のセラミックパッケージ(セラミック製の基体)
と同様の組立方法によってパッケージを形成する場合、
スクリン印刷法等により配線を施した窒化アルミによる
数枚のグリーンシート(配線基板)の重ね合わせを行な
う際、窒化アルミ自体の低反応性に由来し、焼結助材の
影響が界面で効果が出ないので基板間の接着ができない
ためにグリーンシートの各層間及び配線の接着性が極め
て弱くなってしまい実用に供するのが困難であった。又
、超高周波でICを駆動する場合には、特にIC素子及
びグリーンシート間を接続するボンディングワイヤによ
って増大せしめられる配線抵抗や配線インピーダンスが
、前述した窒化アルミニウムの優れた熱特性、電気的特
性を発揮させるのを妨げて、せっかくの窒化アルミニウ
ムの性能を活用し得なくなる等の問題もあった。
本発明はかかる実情に鑑み、窒化アルミニウムの性能を
十分に発揮せしめて特に超高周波帯域特性に優れたIC
パッケージを提供することを目的とする。
十分に発揮せしめて特に超高周波帯域特性に優れたIC
パッケージを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明による超
高周波IC用窒化アルミニウムパッケージは、IC素子
を固着した窒化アルミニウム基体上にスペーサを介して
接着剤或はモールディングによってリードフレーム又は
フレキシブル配線基板を固定してボンディング若しくは
蓋体によって封止されて成り、リードフレーム又はフレ
キシブル配線基板のボンディングの高さ位置がIC素子
のボンディングの高さ位置よりも僅かに高くなっている
。
高周波IC用窒化アルミニウムパッケージは、IC素子
を固着した窒化アルミニウム基体上にスペーサを介して
接着剤或はモールディングによってリードフレーム又は
フレキシブル配線基板を固定してボンディング若しくは
蓋体によって封止されて成り、リードフレーム又はフレ
キシブル配線基板のボンディングの高さ位置がIC素子
のボンディングの高さ位置よりも僅かに高くなっている
。
本発明によれば、窒化アルミニウム基体であるにも拘ら
ず、接着剤等によってリードフレーム等を固定せしめる
ことにより十分な接着強度が得られ、又、スペーサによ
ってボンディングの高さ位置を調節し得るためボンディ
ングワイヤの長さを有効に短縮することができる。
ず、接着剤等によってリードフレーム等を固定せしめる
ことにより十分な接着強度が得られ、又、スペーサによ
ってボンディングの高さ位置を調節し得るためボンディ
ングワイヤの長さを有効に短縮することができる。
以下、図面に基づき本発明による超高周波IC用窒化ア
ルミニウムパッケージの一実施例を説明する。図中、l
は所定の大きさに形成された窒化アルミニウム基体、2
は窒化アルミニウム基体l上に銀ペースト等により固定
せしめられた超高周波IC素子、3は誘電率が小さい材
料、例えば窒化アルミニウム等により形成されたスペー
サ、4はポリイミド類のシート上に配線を形成して成る
フレキシブル配線基板である。フレキシブル配線基板4
は窒化アルミニウム基体1上へスペーサ3を介してエポ
キシ系の接着剤5によって固定せしめられるが、その高
さ位置はIC素子2の上表面(ボンディングを行なうべ
き部分)よりも僅かに高くなっている。6はIC素子2
の上記上表面に多数列設された端子とフレキシブル配線
基板4の配線端部を接続するボンディングワイヤ、7は
金属(例えば、ニッケル、4−2アロイ、銀メツキ銅板
等)、セラミックス又はガラス等で形成され、エポキシ
系の接着剤5′により冠着せしめられている蓋体である
。
ルミニウムパッケージの一実施例を説明する。図中、l
は所定の大きさに形成された窒化アルミニウム基体、2
は窒化アルミニウム基体l上に銀ペースト等により固定
せしめられた超高周波IC素子、3は誘電率が小さい材
料、例えば窒化アルミニウム等により形成されたスペー
サ、4はポリイミド類のシート上に配線を形成して成る
フレキシブル配線基板である。フレキシブル配線基板4
は窒化アルミニウム基体1上へスペーサ3を介してエポ
キシ系の接着剤5によって固定せしめられるが、その高
さ位置はIC素子2の上表面(ボンディングを行なうべ
き部分)よりも僅かに高くなっている。6はIC素子2
の上記上表面に多数列設された端子とフレキシブル配線
基板4の配線端部を接続するボンディングワイヤ、7は
金属(例えば、ニッケル、4−2アロイ、銀メツキ銅板
等)、セラミックス又はガラス等で形成され、エポキシ
系の接着剤5′により冠着せしめられている蓋体である
。
本発明による超高周波IC用窒化アルミニウムパッケー
ジは上記のように構成されているから、窒化アルミニウ
ム基体l上へスペーサ3.フレキシブル配線基板4を固
定するための接着剤5は、エポキシ系であるため、それ
自体では接着性が弱い窒化アルミニウム基体1の接着強
度を向上せしめることができる。又、スペーサ3によっ
てフレキシブル配線基板4のボンディング高さ位置はI
C素子2のボンディング高さ位置よりも僅かに高くなっ
ているのでボンディングワイヤ6をほぼ直線状にしかも
最短の長さにすることができる。従って該ボンディング
ワイヤ6の配線抵抗は最小になり、これにより、超高周
波IC素子2を駆動する際、配線インダクタンス成分が
小さくなっていることに加え、窒化アルミニウム基体l
の誘電率自体が小さいので、超高周波帯域においてIC
素子2に対する影響を殆どなくすることができる。
ジは上記のように構成されているから、窒化アルミニウ
ム基体l上へスペーサ3.フレキシブル配線基板4を固
定するための接着剤5は、エポキシ系であるため、それ
自体では接着性が弱い窒化アルミニウム基体1の接着強
度を向上せしめることができる。又、スペーサ3によっ
てフレキシブル配線基板4のボンディング高さ位置はI
C素子2のボンディング高さ位置よりも僅かに高くなっ
ているのでボンディングワイヤ6をほぼ直線状にしかも
最短の長さにすることができる。従って該ボンディング
ワイヤ6の配線抵抗は最小になり、これにより、超高周
波IC素子2を駆動する際、配線インダクタンス成分が
小さくなっていることに加え、窒化アルミニウム基体l
の誘電率自体が小さいので、超高周波帯域においてIC
素子2に対する影響を殆どなくすることができる。
更に、配線インピーダンスが小さくなっている特に高周
波帯域における消費電力を減少せしめると共に駆動中の
発熱量を抑制することができるばかりか、窒化アルミニ
ウム基体lの高い放熱性によりIC素子2の温度上昇を
防ぐことができる。このようにICパッケージとして誘
電率が小さく、しかも高い放熱効果が得られるので超高
周波帯域での適正且つ確実な゛作動が保証される。又、
ICパッケージ全体が接着剤5,5′により封止されて
いるので、十分な気密(液密)が維持されて耐久性の点
でも優れている。
波帯域における消費電力を減少せしめると共に駆動中の
発熱量を抑制することができるばかりか、窒化アルミニ
ウム基体lの高い放熱性によりIC素子2の温度上昇を
防ぐことができる。このようにICパッケージとして誘
電率が小さく、しかも高い放熱効果が得られるので超高
周波帯域での適正且つ確実な゛作動が保証される。又、
ICパッケージ全体が接着剤5,5′により封止されて
いるので、十分な気密(液密)が維持されて耐久性の点
でも優れている。
上記の場合、フレキシブル配線基板4の高さ、即ちスペ
ーサ3の厚さはIC素子2の大きさに応じて適宜設定す
ることができるが、フレキシブル配線基板4の代わりに
リードフレームを用いることもでき、フレキシブル配線
基板4又はこのリードフレームを窒化アルミニウム基板
l上のスペーサ3上に固定せしめる際、これらをエポキ
シ系若しくはポリイミド系の樹脂によりインサート・イ
ンジエクション・モールド成形によって一体化するよう
にしてもよい。又、蓋体7に代えてポンディング法によ
り封止・固定する方法も可能であり、何れの場合も上記
実施例と同様の効果が得られる。
ーサ3の厚さはIC素子2の大きさに応じて適宜設定す
ることができるが、フレキシブル配線基板4の代わりに
リードフレームを用いることもでき、フレキシブル配線
基板4又はこのリードフレームを窒化アルミニウム基板
l上のスペーサ3上に固定せしめる際、これらをエポキ
シ系若しくはポリイミド系の樹脂によりインサート・イ
ンジエクション・モールド成形によって一体化するよう
にしてもよい。又、蓋体7に代えてポンディング法によ
り封止・固定する方法も可能であり、何れの場合も上記
実施例と同様の効果が得られる。
上述のように本発明の超高周波IC用窒化アルミニウム
パッケージによれば、接着強度を向上せしめると共にス
ペーサによってポンディングワイヤの配線長さを短くす
ることにより、窒化アルミニウムの優れた電気的特性及
び熱的特性を活用し得るようにした結果、超高周波帯域
においてもIC素子の性能が影響を受けず、しかも耐久
性が向上する等の利点がある。又、配線材料を自由に選
定することができるようになり製作上等好都合であると
共に、配線の折れ曲がり等による高周波損失をなくする
ことができる。
パッケージによれば、接着強度を向上せしめると共にス
ペーサによってポンディングワイヤの配線長さを短くす
ることにより、窒化アルミニウムの優れた電気的特性及
び熱的特性を活用し得るようにした結果、超高周波帯域
においてもIC素子の性能が影響を受けず、しかも耐久
性が向上する等の利点がある。又、配線材料を自由に選
定することができるようになり製作上等好都合であると
共に、配線の折れ曲がり等による高周波損失をなくする
ことができる。
図面は本発明による超高周波IC用窒化アルミニウムパ
ッケージの一実施例の縦断面図である。 ■・・・・窒化アルミニウム基体、2・・・・超高周波
IC素子、3・・・・スペーサ、4・・・・フレキシブ
ル配線基板、5,5′・・・・接着剤、6・・・・ポン
ディングワイヤ、7・・・・蓋体。
ッケージの一実施例の縦断面図である。 ■・・・・窒化アルミニウム基体、2・・・・超高周波
IC素子、3・・・・スペーサ、4・・・・フレキシブ
ル配線基板、5,5′・・・・接着剤、6・・・・ポン
ディングワイヤ、7・・・・蓋体。
Claims (1)
- IC素子を固着した窒化アルミニウム基体上にスペー
サを介して接着剤或はモールディングによってリードフ
レーム又はフレキシブル配線基板を固定してポッティン
グ若しくは蓋体によって封止されて成り、上記リードフ
レーム又はフレキシブル配線基板のボンディングの高さ
位置が上記IC素子のボンディングの高さ位置よりも僅
かに高くなるようにした超高周波IC用窒化アルミニウ
ムパッケージ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1254853A JPH03116948A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージ |
US07/689,902 US5315153A (en) | 1989-09-29 | 1990-01-12 | Packages for semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1254853A JPH03116948A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116948A true JPH03116948A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17270756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1254853A Pending JPH03116948A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5315153A (ja) |
JP (1) | JPH03116948A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR0148733B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-08-01 | 문정환 | 고체 촬상 소자용 패키지 및 그 제조방법 |
US5723905A (en) * | 1995-08-04 | 1998-03-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package with low strain seal |
US6049456A (en) * | 1998-09-14 | 2000-04-11 | International Business Machines Corporation | Electronic module adjustment design and process using shims |
US6833984B1 (en) * | 2000-05-03 | 2004-12-21 | Rambus, Inc. | Semiconductor module with serial bus connection to multiple dies |
US6799628B1 (en) * | 2000-07-20 | 2004-10-05 | Honeywell International Inc. | Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components |
KR100723454B1 (ko) * | 2004-08-21 | 2007-05-30 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법 |
US7061080B2 (en) * | 2001-06-11 | 2006-06-13 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power module package having improved heat dissipating capability |
JP2003258141A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
US6809418B1 (en) * | 2003-09-10 | 2004-10-26 | Kung-Chao Tung | Integrated circuit package structure |
US7105920B2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate design to improve chip package reliability |
JP2008205067A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sharp Corp | 高周波信号処理モジュール及び電子機器 |
TWI430415B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-03-11 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
US9386687B2 (en) * | 2011-12-20 | 2016-07-05 | Kyocera Corporation | Electronic component housing package and electronic apparatus |
US8987876B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-03-24 | General Electric Company | Power overlay structure and method of making same |
DE102016202600A1 (de) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrisches Modul mit elektrischer Komponente |
US10679929B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-06-09 | Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6066843A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Hitachi Ltd | 集積回路パツケ−ジ |
US4729010A (en) * | 1985-08-05 | 1988-03-01 | Hitachi, Ltd. | Integrated circuit package with low-thermal expansion lead pieces |
US5072284A (en) * | 1988-11-25 | 1991-12-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state image pickup device |
EP0382203B1 (en) * | 1989-02-10 | 1995-04-26 | Fujitsu Limited | Ceramic package type semiconductor device and method of assembling the same |
JP2503685B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1996-06-05 | 日本電気株式会社 | ヒ―トシンク付半導体装置 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1254853A patent/JPH03116948A/ja active Pending
-
1990
- 1990-01-12 US US07/689,902 patent/US5315153A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5315153A (en) | 1994-05-24 |
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