JPS62205650A - 半導体装置用基板 - Google Patents
半導体装置用基板Info
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- JPS62205650A JPS62205650A JP61049281A JP4928186A JPS62205650A JP S62205650 A JPS62205650 A JP S62205650A JP 61049281 A JP61049281 A JP 61049281A JP 4928186 A JP4928186 A JP 4928186A JP S62205650 A JPS62205650 A JP S62205650A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置用基板に係り、符に複数の高出力
の半導体素子が搭載可能で系子搭載と内部配線後に加圧
下で樹脂封止またはガラス封止か町ＵＵで、しかも生産
性の向い半導体装置用基板に関するものである１ （従来め技術） 従来、複数の半導体素子を搭載する牛４体装置用１店、
阪としては、第３凶に示すようにＲｎにＡｇ −Ｐｄ等
で７１− ｎｋ層１５を形成したセラミックス基板１２
が反相されている。 −ユバ 二＊＝そして該基板１２に半４体系子１８を搭載し、さ
らにリード部材１１ｆｔロウ付は等により装ノａ節、こ
れを溶融したエポキシ樹力旨中に浸偵して基板部分およ
びリード部材のロウ付は部分を被覆し、その後キユアー
を行なって第３図のような外界からの保護をエポキシ樹
脂１６で行った半導体読直として使用されている。
の半導体素子が搭載可能で系子搭載と内部配線後に加圧
下で樹脂封止またはガラス封止か町ＵＵで、しかも生産
性の向い半導体装置用基板に関するものである１ （従来め技術） 従来、複数の半導体素子を搭載する牛４体装置用１店、
阪としては、第３凶に示すようにＲｎにＡｇ −Ｐｄ等
で７１− ｎｋ層１５を形成したセラミックス基板１２
が反相されている。 −ユバ 二＊＝そして該基板１２に半４体系子１８を搭載し、さ
らにリード部材１１ｆｔロウ付は等により装ノａ節、こ
れを溶融したエポキシ樹力旨中に浸偵して基板部分およ
びリード部材のロウ付は部分を被覆し、その後キユアー
を行なって第３図のような外界からの保護をエポキシ樹
脂１６で行った半導体読直として使用されている。
しかしながら、この第３図の構造の半導体装置用基板で
はリード部材１１をセラミック基板１２上の外部配線用
端子部１５と個々にロウ付けしなけれはならず、このた
め高密度化しにくく、また自動化による量産化もはかり
にくいのである。
はリード部材１１をセラミック基板１２上の外部配線用
端子部１５と個々にロウ付けしなけれはならず、このた
め高密度化しにくく、また自動化による量産化もはかり
にくいのである。
また、樹脂封止を無加圧下で行なうことがら囚１ヒ後仙
脂内部に空セＩＩＩＩが残りやすく、信頼性が低いとい
う問題があった。
脂内部に空セＩＩＩＩが残りやすく、信頼性が低いとい
う問題があった。
サラニ＠１４が一般に低熱伝導率のセラミックスである
ため、尚出力素子の搭載は山海であった。
ため、尚出力素子の搭載は山海であった。
上記した間鵡点を解決するものとして第４凶に示すよう
なリードフレームを用いた基板が使われはじめている。
なリードフレームを用いた基板が使われはじめている。
即ち、フォトエツチングまたはスタンピングにより成形
したリードフレーム１７の半導体素子１３搭載部１８の
表ｍｕに絶縁層板組１９、さらに配線層被覆１５を施し
、リード先端ｔこはＡβまたは貴金属被覆２゜を施した
ものである。
したリードフレーム１７の半導体素子１３搭載部１８の
表ｍｕに絶縁層板組１９、さらに配線層被覆１５を施し
、リード先端ｔこはＡβまたは貴金属被覆２゜を施した
ものである。
リードフレーム！７の材質としては、４２合金（Ｆｅ−
４２％Ｎｉ ）に代表される鉄系材料あるいは銅系材料
が用いられている。４２合金等の鉄系材料は、熱膨張係
数が低（、Ｓｉなどの半導体素子のそれと近く、従って
動作時の急激な温度上昇時に発生しやすいクラックが防
止でき、大面積の素子搭載か可能であるという特長を有
している。しかしながら、熱伝／ｉ反が極めて小さいた
め、高出力の素子搭載は不ＩＩＴＴｉｌｅという欠点を
有している。また月゛止に用・・いるエポキシ樹脂と熱
膨張係数が者しく違うため、半導体読直の組立時、また
は動作時の熱履歴で樹脂／リードフレーム界面の＠除が
生じやす＜、６吋湿りの帷保が難しいという問題を有し
ている。
４２％Ｎｉ ）に代表される鉄系材料あるいは銅系材料
が用いられている。４２合金等の鉄系材料は、熱膨張係
数が低（、Ｓｉなどの半導体素子のそれと近く、従って
動作時の急激な温度上昇時に発生しやすいクラックが防
止でき、大面積の素子搭載か可能であるという特長を有
している。しかしながら、熱伝／ｉ反が極めて小さいた
め、高出力の素子搭載は不ＩＩＴＴｉｌｅという欠点を
有している。また月゛止に用・・いるエポキシ樹脂と熱
膨張係数が者しく違うため、半導体読直の組立時、また
は動作時の熱履歴で樹脂／リードフレーム界面の＠除が
生じやす＜、６吋湿りの帷保が難しいという問題を有し
ている。
一方、銅合輩は熱伝導度が大きく、高出力の素子に適し
ているが、熱膨張係数が大きいため、大面積の素子搭載
は困難である。
ているが、熱膨張係数が大きいため、大面積の素子搭載
は困難である。
以上のように、基板材料を同一材料で１４成しようとす
ると、熱伝導度は大きければ大きいほど好ましいが、熱
膨張係数については、Ｓｔとのストレスに配置はすれば
低いほど好ましく、樹Ｊｊｈとの封止性を考慮すれば高
いほど好ましいという相反するニーズを満たすことは出
来ないというのが現状である。
ると、熱伝導度は大きければ大きいほど好ましいが、熱
膨張係数については、Ｓｔとのストレスに配置はすれば
低いほど好ましく、樹Ｊｊｈとの封止性を考慮すれば高
いほど好ましいという相反するニーズを満たすことは出
来ないというのが現状である。
一方、半導体搭載部の絶縁ノー被覆、配線層被覆に除し
ては、基板全体で所要の領域のみに対応した開口部を有
する金）＾マスクを使用した部分的被復法を採用するに
せよ、また、全面被償後フォトリソグラフィー技術等に
より不要部分の被膜を除去するにせよ、極めて被覆の生
産性が低いのが現状である。換ｄ゛すると、乾式法、湿
式法の何れを採用するにせよ、生産叱方は負荷する基板
の面積によってきまるため、現状は極めて効率が低くな
っている。
ては、基板全体で所要の領域のみに対応した開口部を有
する金）＾マスクを使用した部分的被復法を採用するに
せよ、また、全面被償後フォトリソグラフィー技術等に
より不要部分の被膜を除去するにせよ、極めて被覆の生
産性が低いのが現状である。換ｄ゛すると、乾式法、湿
式法の何れを採用するにせよ、生産叱方は負荷する基板
の面積によってきまるため、現状は極めて効率が低くな
っている。
（発明が解決しようとする問題点）
近年の高密度実装化の動向の中で、ｍ＆の高出力の素子
の搭１ｋが可能で、生産性にすぐれた半導体装置用基板
に対する要求が強まっている。しかも通常のモノリシッ
クＩＣなみの封止信頼性の確保が前提となっている。
の搭１ｋが可能で、生産性にすぐれた半導体装置用基板
に対する要求が強まっている。しかも通常のモノリシッ
クＩＣなみの封止信頼性の確保が前提となっている。
しかしながら、従来の第３囚に示す方式では、放熱性、
生産性、封止信頼性を滴定させることはでさない。まｋ
ＩＩＪＪ−素材により素子搭載部とリード部を形成した
リードフレームを用いる弔４図の方式では、銅糸材付を
用いることにより、放熱性と封止信頼性は向上させられ
るか、上記の理由で生産株が極めて低い。
生産性、封止信頼性を滴定させることはでさない。まｋ
ＩＩＪＪ−素材により素子搭載部とリード部を形成した
リードフレームを用いる弔４図の方式では、銅糸材付を
用いることにより、放熱性と封止信頼性は向上させられ
るか、上記の理由で生産株が極めて低い。
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記した従来の基板の欠点に鑑み、複数の高
出力の素子の搭載が可能で、生産性にすぐれた半導体装
置用基板を提供することを目的とするものである。
出力の素子の搭載が可能で、生産性にすぐれた半導体装
置用基板を提供することを目的とするものである。
即ち、上記の目的を達成するために、この発明は、半尋
体素子搭載用配縁基板と外部接続用リード部を〃１」１
１Ｉ１１）ζ形成し、所定の表向被覆処理を施した後に
、スポット溶接や半田付けにより一体化した半導体装置
用基板を発明したものである。
体素子搭載用配縁基板と外部接続用リード部を〃１」１
１Ｉ１１）ζ形成し、所定の表向被覆処理を施した後に
、スポット溶接や半田付けにより一体化した半導体装置
用基板を発明したものである。
（作 用）
半尋体素子搭載用配線基板の材質としては、４電注材料
、絶縁性材料の何れでもよいが、−出力の素子の放熱基
板の役割を持たせる必要から、熱伝導度０Ｊｃａ ｌ
７ｃｍ−ｓｅｅ・０ｃ 以上のものが好ましい。
、絶縁性材料の何れでもよいが、−出力の素子の放熱基
板の役割を持たせる必要から、熱伝導度０Ｊｃａ ｌ
７ｃｍ−ｓｅｅ・０ｃ 以上のものが好ましい。
所定の表面被覆処理とは、基板材質が導電性材１５１の
場合はその表面全面に絶縁層を形成し、さらにその上に
配線層を形成するものであり、また材質が絶縁材料の場
合には、配線層を形成させることである。そして何れの
林賀の場合も絶縁層と配＆Ｍを繰返し形成することによ
り多層配線基板が作成できることは勿、、ｌＫ＋である
。
場合はその表面全面に絶縁層を形成し、さらにその上に
配線層を形成するものであり、また材質が絶縁材料の場
合には、配線層を形成させることである。そして何れの
林賀の場合も絶縁層と配＆Ｍを繰返し形成することによ
り多層配線基板が作成できることは勿、、ｌＫ＋である
。
外部接続用リード部の材質としては、従来からリードフ
レームの材料として用いられている実績のある鉄系材料
、銅系材料などが適当である。そして所定の表面処理と
は、少くともインナーリードの先端部にＡβ被徨層、貴
金属板組層を形成し、その後の工程でＡｎ’貴金属から
なるボンディングワイヤーと良好な汝着在が得られるよ
うにすることである。
レームの材料として用いられている実績のある鉄系材料
、銅系材料などが適当である。そして所定の表面処理と
は、少くともインナーリードの先端部にＡβ被徨層、貴
金属板組層を形成し、その後の工程でＡｎ’貴金属から
なるボンディングワイヤーと良好な汝着在が得られるよ
うにすることである。
この発明においては、素子搭載用配線基板と外部接続用
リード部の材質が同一であっても一向に差支えない。
リード部の材質が同一であっても一向に差支えない。
この発明は仮数の高出力の半４す体素子の搭載可ｕＦｓ
を基板を提供することと、生匹注の向い、云いかえれは
加工費が安くてすむ基板を提供することを目的とするも
のであり、符に後者の目「Ｊに対しては、取も生産Δが
低くなりやすい光子俗截用配泳基板への表面被覆処理段
階では、通′１８半得体基板全体の半分以上の面頂を占
める外部接続用リード部が接合しない状ｌＬ毎となって
いることから、２惜以上の生産性がｉ；ｔられることに
なる。
を基板を提供することと、生匹注の向い、云いかえれは
加工費が安くてすむ基板を提供することを目的とするも
のであり、符に後者の目「Ｊに対しては、取も生産Δが
低くなりやすい光子俗截用配泳基板への表面被覆処理段
階では、通′１８半得体基板全体の半分以上の面頂を占
める外部接続用リード部が接合しない状ｌＬ毎となって
いることから、２惜以上の生産性がｉ；ｔられることに
なる。
この発明の半導体装置用基板を月１いた半導体装置の封
止方法としては、生産性の高いトランスファーモールド
に代表される加圧下の憫１Ｊｔｉ封正方法と共に、戴置
封止が可能なガラス封正方法がある。
止方法としては、生産性の高いトランスファーモールド
に代表される加圧下の憫１Ｊｔｉ封正方法と共に、戴置
封止が可能なガラス封正方法がある。
特に後者のガラス封正方法を採用する場合は、外部接続
用リード部系材とガラスのｉＡ膨張係数を近づけて山・
＜ことが必要となるが、この発明の基板では糸子搭載用
配線基板と外部伏凱知リード部の素材は同一である心安
は全くなく、従って素子搭載用ｔｉｔ ６Ｍ基板の素材
は尚出力の素子の搭載が司１１Ｌな熱伝導＆０ｔ２ｃａ
ｌ／ｃｍ−５ｅｅ−”ｃ以上のｂ料、飼えば無１ν戒網
、錫−銅合金などで形成し、外部接続用リード部は封止
に使われているガラスの熱膨張系叡に近い材料、例えば
４２合雀（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）、コバール合４ （Ｆｅ
−２９％Ｎｉ −１８％Ｃｏ ）などで形成すれば工
い。
用リード部系材とガラスのｉＡ膨張係数を近づけて山・
＜ことが必要となるが、この発明の基板では糸子搭載用
配線基板と外部伏凱知リード部の素材は同一である心安
は全くなく、従って素子搭載用ｔｉｔ ６Ｍ基板の素材
は尚出力の素子の搭載が司１１Ｌな熱伝導＆０ｔ２ｃａ
ｌ／ｃｍ−５ｅｅ−”ｃ以上のｂ料、飼えば無１ν戒網
、錫−銅合金などで形成し、外部接続用リード部は封止
に使われているガラスの熱膨張系叡に近い材料、例えば
４２合雀（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）、コバール合４ （Ｆｅ
−２９％Ｎｉ −１８％Ｃｏ ）などで形成すれば工
い。
（実施例）
以下、この発明の実ＭｇｂＪを図面に基づいて説明する
。
。
第５凶は、この発明の半導体装置用基板の一例を示す、
裏面から見た平曲凶である。また第１凶はこの発明の半
導体基板を使用して製作した樹脂封止牽半与体装直の一
例を示す１ｔｊｌＬｆＬｌ凶である。
裏面から見た平曲凶である。また第１凶はこの発明の半
導体基板を使用して製作した樹脂封止牽半与体装直の一
例を示す１ｔｊｌＬｆＬｌ凶である。
即ち、無ｒｉＭ銅等の熱伝導度０＋２ｃａｌ／ｃｍ−ｓ
ｅｃ −”ｃ以上の材料を基＆２の素材とし、その上に
金属酸（ヒ物等の絶１球注肢涙６を施し、さらに金属等
の慢１Ｌ注材＋’）で配線液戻５を施した素子搭載用配
線基板２の上にＳｉ等の半導体素子３、Ｔａ２０５等の
チップコンデンサ等を搭載し、Ａｕワイヤー等で内部６
ｄ−４がｈ巴されている。
ｅｃ −”ｃ以上の材料を基＆２の素材とし、その上に
金属酸（ヒ物等の絶１球注肢涙６を施し、さらに金属等
の慢１Ｌ注材＋’）で配線液戻５を施した素子搭載用配
線基板２の上にＳｉ等の半導体素子３、Ｔａ２０５等の
チップコンデンサ等を搭載し、Ａｕワイヤー等で内部６
ｄ−４がｈ巴されている。
もちろん、チップコンデンサやチップ抵抗を配腺被挨形
成区に薄挨素子として形成してもよい。
成区に薄挨素子として形成してもよい。
インナーリード先端にＡＩｌや貴金属液戻８を形成して
いる外部接続用リード部ｌの素材としては、従来よりリ
ードフレーム材料として多用されていくン′ る温調（Ｃｕ−１０％Ｓｎ）などの銅合金糸材料や４２
合金（Ｆｅ −４２％Ｎｉ）などの鉄系材料を使用すれ
ば工いＯ 半辱体素子搭載基＆２と外部接直用リード部ｌとは、Ａ
ｅヤ貴金属で形成されたボンディングワイヤー７に二す
結縁され、エポキシ樹脂等の合成樹脂９で封止されてい
る。
いる外部接続用リード部ｌの素材としては、従来よりリ
ードフレーム材料として多用されていくン′ る温調（Ｃｕ−１０％Ｓｎ）などの銅合金糸材料や４２
合金（Ｆｅ −４２％Ｎｉ）などの鉄系材料を使用すれ
ば工いＯ 半辱体素子搭載基＆２と外部接直用リード部ｌとは、Ａ
ｅヤ貴金属で形成されたボンディングワイヤー７に二す
結縁され、エポキシ樹脂等の合成樹脂９で封止されてい
る。
弔２図はこの発明の半導体基板を画用して製作した半導
体装置の他の例を示す〜「面図であり、半脅体索子搭載
用比線基板２は第１図の樹ｍｉ封止型とｌｕｌ ４Ｊ＜
に形成されている。
体装置の他の例を示す〜「面図であり、半脅体索子搭載
用比線基板２は第１図の樹ｍｉ封止型とｌｕｌ ４Ｊ＜
に形成されている。
また外部接直用リード部ｌの漏４ｊとしては、通常の封
止用ガラス１０（例えは日本電気硝子社製。
止用ガラス１０（例えは日本電気硝子社製。
ＬＳ−０１１３）と熱ｊ膨張係数の近い４２合金等を使
用し、インナーリード部先端にはＡβや責金属被挾８を
施している。同図において９′はセラミックキャップで
ある。
用し、インナーリード部先端にはＡβや責金属被挾８を
施している。同図において９′はセラミックキャップで
ある。
（発明の効果）
上記したように、この発明の半導体装置用基板は複数の
、議出力の半導体先子を搭載することができ、この禦子
搭載と内部ｒｉｄ線後に加圧下で樹脂またはガラス封止
することができ、その生産性が非Ｉｓに尚いという効果
を奏するのである。
、議出力の半導体先子を搭載することができ、この禦子
搭載と内部ｒｉｄ線後に加圧下で樹脂またはガラス封止
することができ、その生産性が非Ｉｓに尚いという効果
を奏するのである。
第１１はこの発明の半導体装置用基板を用いた伺膓封止
型半導体装置の断面図、第２図は同じくガラス封止型半
導体装置の断面図、第３凶はセラミックシートを用いた
従来の版数素子搭４ｉ、型半導体装置のＩＩ）ｔ ＩＭ
Ｊ凶、第４凶はリードフレームを用いた従来の半導体装
置の断面図である。 第５囚はこの発明の半導体装置用基板の−しｄを示す板
曲から見た平１ｉ［１図である。 ｌ・外部接続用リード部、２・・・素子搭載用基板、３
・・・半尋体巣子、４・基敬内配線ワイヤー、５・・・
基板内削、＋Ｍ被朕、６・・・絶縁被護、７・・・ボン
ディングワイヤー、８・・・Ａｅまたは責全属被族、９
・・・封止ｍ１ｊａｌ、９′・・・セラミックキャップ
、１０・・・封止ガラス、１＋・・・リード晶相、１２
・・・セラミック基板、１３・・・半導体素子、１４・
・ボンディングワイヤー、１５・・Ａｇ−Ｐｄ等による
配脈ト工・、１６川エポキシ切粛、１７・・・リードフ
レーム、１８・・・索子」ｉ載部、１９− Ａａ縁波換
、２０・・・ＡＣまたは貴公）≦被膜、２１・・・ボン
ディングワイヤー 代理人弁理士 上代性 司″′： ・、・（′ 擬１ 図
型半導体装置の断面図、第２図は同じくガラス封止型半
導体装置の断面図、第３凶はセラミックシートを用いた
従来の版数素子搭４ｉ、型半導体装置のＩＩ）ｔ ＩＭ
Ｊ凶、第４凶はリードフレームを用いた従来の半導体装
置の断面図である。 第５囚はこの発明の半導体装置用基板の−しｄを示す板
曲から見た平１ｉ［１図である。 ｌ・外部接続用リード部、２・・・素子搭載用基板、３
・・・半尋体巣子、４・基敬内配線ワイヤー、５・・・
基板内削、＋Ｍ被朕、６・・・絶縁被護、７・・・ボン
ディングワイヤー、８・・・Ａｅまたは責全属被族、９
・・・封止ｍ１ｊａｌ、９′・・・セラミックキャップ
、１０・・・封止ガラス、１＋・・・リード晶相、１２
・・・セラミック基板、１３・・・半導体素子、１４・
・ボンディングワイヤー、１５・・Ａｇ−Ｐｄ等による
配脈ト工・、１６川エポキシ切粛、１７・・・リードフ
レーム、１８・・・索子」ｉ載部、１９− Ａａ縁波換
、２０・・・ＡＣまたは貴公）≦被膜、２１・・・ボン
ディングワイヤー 代理人弁理士 上代性 司″′： ・、・（′ 擬１ 図
Claims (4)
- （１）別個に形成された外部接続用リード部と、熱伝導
度０．２ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上の材料からなる
素子搭載用配線基板を接合させ、素子搭載と内部配線後
樹脂封止又はガラス封止したことを特徴とする半導体装
置用基板。 - （２）素子搭載用配線基板が単体金属または合金、クラ
ッド材などの導電性複合材料からなり、該基板表面に絶
縁層被覆、さらに配線層被覆が施されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置用基板。 - （３）素子搭載用配線基板が絶縁材料からなり、該基板
表面に配線層被覆が施されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置用基板。 - （４）外部接続用リード部が単体金属または合金、クラ
ッド材などの導電性複合材料からなり、該リード部の少
くともインナーリード部の先端部に接着性の良好な被覆
が施されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049281A JPS62205650A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049281A JPS62205650A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205650A true JPS62205650A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12826485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049281A Pending JPS62205650A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 半導体装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01250052A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子応用センサ |
| JPH0677089A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 電気二重層コンデンサ |
| US5463248A (en) * | 1993-05-18 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package using an aluminum nitride substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160135A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nec Kansai Ltd | Ｈｉｃ |
| JPS60193365A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61049281A patent/JPS62205650A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160135A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Nec Kansai Ltd | Ｈｉｃ |
| JPS60193365A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01250052A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子応用センサ |
| JPH0677089A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-18 | Nec Corp | 電気二重層コンデンサ |
| US5463248A (en) * | 1993-05-18 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package using an aluminum nitride substrate |
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