JPS5852855A - キヤツプ接着方法 - Google Patents
キヤツプ接着方法Info
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- JPS5852855A JPS5852855A JP15061981A JP15061981A JPS5852855A JP S5852855 A JPS5852855 A JP S5852855A JP 15061981 A JP15061981 A JP 15061981A JP 15061981 A JP15061981 A JP 15061981A JP S5852855 A JPS5852855 A JP S5852855A
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- JP
- Japan
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- adhesive
- cap
- ceramic
- adhesion
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキャップ接着方法、たとえば、セラζツクパッ
ケージ構造の半導体装置の製造におけるセライックキャ
ップのセライックベースへの接着方法に関する。
ケージ構造の半導体装置の製造におけるセライックキャ
ップのセライックベースへの接着方法に関する。
セライックパッケージ構造の半導体装置の製造工程の一
つに、第１図（Ｊｌ） Ｓ （ｂ）で示すように、主面
の中央に電気囲路素子（ペレット）ｌを取り付けたセラ
ばツクベース（セライック基板）２の主面側に、ベレッ
トｌを皺うようにセライックキャップ３を接着する作業
がある。この場合、従来は同図（ａ） Ｋ示すように、
セライックキャップ３のリング状端面である被接着＠４
にあらかじめエポキシレジンからなる接着剤５を被着さ
せておき、その後、このセラミックキャップ３を接着剤
５を介してセラミックベース２の主面側に重ね合せて荷
重な加え、さらに、ｔｓｏ〜２００Ｃの高温下で約１時
間処理し、接着剤５を熱硬化させてセラばツクキャップ
３をセラずツクベース２に接着している。
つに、第１図（Ｊｌ） Ｓ （ｂ）で示すように、主面
の中央に電気囲路素子（ペレット）ｌを取り付けたセラ
ばツクベース（セライック基板）２の主面側に、ベレッ
トｌを皺うようにセライックキャップ３を接着する作業
がある。この場合、従来は同図（ａ） Ｋ示すように、
セライックキャップ３のリング状端面である被接着＠４
にあらかじめエポキシレジンからなる接着剤５を被着さ
せておき、その後、このセラミックキャップ３を接着剤
５を介してセラミックベース２の主面側に重ね合せて荷
重な加え、さらに、ｔｓｏ〜２００Ｃの高温下で約１時
間処理し、接着剤５を熱硬化させてセラばツクキャップ
３をセラずツクベース２に接着している。
しかし、この接着方法による場合、第２図に示すように
、接着剤５による接合部にスローリークロと呼ぶ貫通孔
が発生してしまうことがあり、気密性が維持できなくな
って耐湿性が劣る製品ができてしまう。このため１歩留
が低下してしまう。
、接着剤５による接合部にスローリークロと呼ぶ貫通孔
が発生してしまうことがあり、気密性が維持できなくな
って耐湿性が劣る製品ができてしまう。このため１歩留
が低下してしまう。
この点について検討してみると、つぎのようなことが判
明した。すなわち、従来の方法は高温下で処理するため
、セラばツクキャップ３内の圧力が上昇し、セラばツク
キャップ３内のガスが溶けた接着剤５中に入り込む。ま
た、！１着剤５の幅は小さいため、膨張したガスは接着
剤５を突き破り、ガスが通過した箇所には貫通孔（スロ
ーリーク）６が生じる（１１２図参照）。このスローリ
ークロは水分をも通すため気密性が維持できなくなり。
明した。すなわち、従来の方法は高温下で処理するため
、セラばツクキャップ３内の圧力が上昇し、セラばツク
キャップ３内のガスが溶けた接着剤５中に入り込む。ま
た、！１着剤５の幅は小さいため、膨張したガスは接着
剤５を突き破り、ガスが通過した箇所には貫通孔（スロ
ーリーク）６が生じる（１１２図参照）。このスローリ
ークロは水分をも通すため気密性が維持できなくなり。
製品の信頼性が低くなる。
したがって１本発明の目的は気密接着が行なえるキャッ
プ接着方法を提供することにある。
プ接着方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、ｍＷＵＶｃ
接着剤を接着したキャップな前記接着剤を介してベース
に重ね合せ、接着剤の一時的溶゛融を経てキャンプをベ
ースに固定する方法において、あらかじめキャップの内
周ｄｊＭＫも接着剤な被着、させておき、キャップ端面
の接着剤の溶融時に内局面の接着剤をも一時的に溶融さ
せるものであって。
接着剤を接着したキャップな前記接着剤を介してベース
に重ね合せ、接着剤の一時的溶゛融を経てキャンプをベ
ースに固定する方法において、あらかじめキャップの内
周ｄｊＭＫも接着剤な被着、させておき、キャップ端面
の接着剤の溶融時に内局面の接着剤をも一時的に溶融さ
せるものであって。
以下実施例により本発明を説明する。
篤３図＋り 、 （ｂ）は本発明のキャップ接着方法を
示す概念的な例な示す断面図であり、第４図は第３図（
ｂ）のｆｆ−ＩＶ線に沿う断面図である。嬉３図（ａ）
に示すように、セライツクバツクージ構造の半導体装置
の製造にあっては、主面中央にペレツ）１を取り付けた
セラばツクベース２にセラずツクキャップ３な接着する
。セラばツクベース２にはメタライズ層、リード等が実
際には設けられ、かつペレットの電極とリード内端等は
ワイヤ等で接続される。
示す概念的な例な示す断面図であり、第４図は第３図（
ｂ）のｆｆ−ＩＶ線に沿う断面図である。嬉３図（ａ）
に示すように、セライツクバツクージ構造の半導体装置
の製造にあっては、主面中央にペレツ）１を取り付けた
セラばツクベース２にセラずツクキャップ３な接着する
。セラばツクベース２にはメタライズ層、リード等が実
際には設けられ、かつペレットの電極とリード内端等は
ワイヤ等で接続される。
セラばツクキャップ３はリング状の端縁な有していて、
この端面が被接着［４となる。そこで。
この端面が被接着［４となる。そこで。
第３因（ａ）Ｋ示すように、セライックキャップ３の被
接着面４にエポキシレジンからなる接着剤５を被着して
おくとともに、セラばツクキャップ３の内周面にも接着
剤５をＷ＃しておくにの接着剤５は熱硬化性である。
接着面４にエポキシレジンからなる接着剤５を被着して
おくとともに、セラばツクキャップ３の内周面にも接着
剤５をＷ＃しておくにの接着剤５は熱硬化性である。
そこで、第３図（ｂ）で示すように、セラミックキャッ
プ３ｔ一端面の接着剤５を介してセラミックベース２に
重ね合せた後、セライックキャップ３の上方から所定の
荷重な加えるとともに、１５０〜ｚｏｏｃの窒素雰囲気
中で１時間程度溶着処理し、−間接着剤５を溶させ、セ
ライックキャップ３とセライックベース２との密着化を
図った後、接着剤５を熱硬化させてセラばツクキャップ
３をセライックペース２に固着させる。この溶着時、セ
ラミックベース２とセライックキャップ３とによって取
り囲まれた空間のガス体は高熱のために膨張し、一部は
ベースとキャップの接着面から漏れ出す。このため、従
来と同様に接着剤５中にスローリークが形成されるよう
になるが、この実施例ではキャップ３の内周面にも接着
剤５があらかじめ被着され、かつこの接着剤５が接着部
分である下方に自重によって順次流れ落ちるため、スロ
ーリークはこの接着剤５に、よって埋められ、結果的に
は、第４図で示すようにスローリークは形成されず、気
凹状態を維持する接着が行なわれることになる。また、
この実施例では、キャップ内周面に被着しておいた接着
剤５が接着部に拡がるため。
プ３ｔ一端面の接着剤５を介してセラミックベース２に
重ね合せた後、セライックキャップ３の上方から所定の
荷重な加えるとともに、１５０〜ｚｏｏｃの窒素雰囲気
中で１時間程度溶着処理し、−間接着剤５を溶させ、セ
ライックキャップ３とセライックベース２との密着化を
図った後、接着剤５を熱硬化させてセラばツクキャップ
３をセライックペース２に固着させる。この溶着時、セ
ラミックベース２とセライックキャップ３とによって取
り囲まれた空間のガス体は高熱のために膨張し、一部は
ベースとキャップの接着面から漏れ出す。このため、従
来と同様に接着剤５中にスローリークが形成されるよう
になるが、この実施例ではキャップ３の内周面にも接着
剤５があらかじめ被着され、かつこの接着剤５が接着部
分である下方に自重によって順次流れ落ちるため、スロ
ーリークはこの接着剤５に、よって埋められ、結果的に
は、第４図で示すようにスローリークは形成されず、気
凹状態を維持する接着が行なわれることになる。また、
この実施例では、キャップ内周面に被着しておいた接着
剤５が接着部に拡がるため。
接着部分での接着剤の幅が従来より大きくなり。
より水分の浸入な防止できる。
したがって、ａ造された半導体装置の耐湿性は高く品質
向上、信頼度向上が図れるとともに、封止（接着）歩留
の向上が図れる。
向上、信頼度向上が図れるとともに、封止（接着）歩留
の向上が図れる。
なお１本発明は前記実施例に限定されるものではなく１
本発明の技術思想に基いて質形が可能である。たとえば
、キャップ、ベースはセラハック以外のものでもよ＜、
ｗ着剤もエポキシレジンのような熱硬化性のものに限ら
ず、熱可塑性のものでもよい。また、半導体装置以外の
分野での適用も勿論可能である。
本発明の技術思想に基いて質形が可能である。たとえば
、キャップ、ベースはセラハック以外のものでもよ＜、
ｗ着剤もエポキシレジンのような熱硬化性のものに限ら
ず、熱可塑性のものでもよい。また、半導体装置以外の
分野での適用も勿論可能である。
以上のように１本発明によればキャップを気密状態τペ
ースに接着できるため、接着の信頼性向上を図ることが
できるとともに、接着歩留も向上し１１着コストの低減
も図れる。
ースに接着できるため、接着の信頼性向上を図ることが
できるとともに、接着歩留も向上し１１着コストの低減
も図れる。
第１図（ａ） ｅ （ｂｌは従来の中ヤッグ接着方法を
示す断面図、第２図は第１図（ｂ）の■−■−に沿う断
面図、第３図（ａ） ｓ （ｂ）は本発明の一実施例に
よるキャップ接着方法な示す断面図、第４図は第３図（
ｂ）のｆｆ−ＩＶ−に沿う断面図である。 ｌ・・・ベレット、２・・・セラばツクベース、３・・
・セラばツク中ヤッグ、５・・・接着剤、６川スローリ
ーク。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
示す断面図、第２図は第１図（ｂ）の■−■−に沿う断
面図、第３図（ａ） ｓ （ｂ）は本発明の一実施例に
よるキャップ接着方法な示す断面図、第４図は第３図（
ｂ）のｆｆ−ＩＶ−に沿う断面図である。 ｌ・・・ベレット、２・・・セラばツクベース、３・・
・セラばツク中ヤッグ、５・・・接着剤、６川スローリ
ーク。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- １、端面に接着剤を被着したキャップな前記接着剤を介
してベースに重ね合せ、接着剤の一時的溶融な経てキャ
ップなベースに固定する方法において、あらかじめキャ
ップの内周面にも接着剤を被着させておき、キャップ端
面の接着剤の溶融時に内周面の接着剤なも一時的に溶融
させることを特徴とするキャップ接着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061981A JPS5852855A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | キヤツプ接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061981A JPS5852855A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | キヤツプ接着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852855A true JPS5852855A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15500821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15061981A Pending JPS5852855A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | キヤツプ接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064782A (en) * | 1989-04-17 | 1991-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of adhesively and hermetically sealing a semiconductor package lid by scrubbing |
| JP2014146975A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15061981A patent/JPS5852855A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064782A (en) * | 1989-04-17 | 1991-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of adhesively and hermetically sealing a semiconductor package lid by scrubbing |
| JP2014146975A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
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