JPH065644A - 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH065644A JPH065644A JP16235192A JP16235192A JPH065644A JP H065644 A JPH065644 A JP H065644A JP 16235192 A JP16235192 A JP 16235192A JP 16235192 A JP16235192 A JP 16235192A JP H065644 A JPH065644 A JP H065644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- runner
- sub
- cavity
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法におい
て、サブランナの途中に設けたシャッターピンを樹脂の
注入状態に応じて動作させることにより、樹脂封止にお
ける製品の品質を向上させる。 【構成】ポット２から各キャビティ３への樹脂封止にお
いて、下金型１のサブランナ４に設けたシャッターピン
６は、ポット２から最も遠いサブランナ４とメインラン
ナ５の接合部が樹脂１１で満されるまではサブランナ４
の流路を遮蔽するように突出しており、その後、この接
合部が樹脂１１で満たされた時点でシャッターピン６を
下げ、各キャビティ３につながるサブランナ４の流路を
同時に開放してやることにより、各キャビティ３の樹脂
封止用金型内での位置の違いによる樹脂１１の充填差を
ほとんど生じることなく、全キャビティ３に樹脂１をほ
ぼ同時に注入する。
て、サブランナの途中に設けたシャッターピンを樹脂の
注入状態に応じて動作させることにより、樹脂封止にお
ける製品の品質を向上させる。 【構成】ポット２から各キャビティ３への樹脂封止にお
いて、下金型１のサブランナ４に設けたシャッターピン
６は、ポット２から最も遠いサブランナ４とメインラン
ナ５の接合部が樹脂１１で満されるまではサブランナ４
の流路を遮蔽するように突出しており、その後、この接
合部が樹脂１１で満たされた時点でシャッターピン６を
下げ、各キャビティ３につながるサブランナ４の流路を
同時に開放してやることにより、各キャビティ３の樹脂
封止用金型内での位置の違いによる樹脂１１の充填差を
ほとんど生じることなく、全キャビティ３に樹脂１をほ
ぼ同時に注入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止方法に関し、特にトランスファ樹脂封止成形機
による樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に関する。
樹脂封止方法に関し、特にトランスファ樹脂封止成形機
による樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止用金型にて樹脂
封止する場合は、図１２（ａ），（ｂ）に示すようにワ
イヤボンディングされた半製品のリードフレーム８を下
金型１と上金型７で型締めし、その後、１３（ａ），
（ｂ）及び図１４に示すように、ポット２に投入した樹
脂１１をメインランナ５及びサブランナ４を介してキャ
ビティ３に注入するのが一般的である。
封止する場合は、図１２（ａ），（ｂ）に示すようにワ
イヤボンディングされた半製品のリードフレーム８を下
金型１と上金型７で型締めし、その後、１３（ａ），
（ｂ）及び図１４に示すように、ポット２に投入した樹
脂１１をメインランナ５及びサブランナ４を介してキャ
ビティ３に注入するのが一般的である。
【０００３】しかしながら、従来の樹脂封止用金型で
は、樹脂１１をキャビティ３に注入するとき、ポット２
側に近いキャビティ３と遠いキャビティ３では樹脂１１
の充填状態に差が生じる傾向にあり、図１５（ａ），
（ｂ）に示すように、ポット１側から遠いキャビティに
樹脂１１を完全に充填することは困難であった。
は、樹脂１１をキャビティ３に注入するとき、ポット２
側に近いキャビティ３と遠いキャビティ３では樹脂１１
の充填状態に差が生じる傾向にあり、図１５（ａ），
（ｂ）に示すように、ポット１側から遠いキャビティに
樹脂１１を完全に充填することは困難であった。
【０００４】この為、図１６（ａ），（ｂ）に示めすよ
うに、樹脂１１注入時の各々のキャビティ３の樹脂１１
の充填状態の差を少なくする目的で複数のポット２を有
する樹脂封止用金型もあり、この樹脂封止用金型を用い
ると図１７（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂１１注入
時には各々のキャビティ３の樹脂１１の充填差も少なく
なるが、樹脂１１の単位を比較した場合、複数のポット
２を有する金型用の樹脂１１は、単一ポット２を有する
金型用の樹脂１１に比べ１．２倍程度になる傾向にあっ
た。
うに、樹脂１１注入時の各々のキャビティ３の樹脂１１
の充填状態の差を少なくする目的で複数のポット２を有
する樹脂封止用金型もあり、この樹脂封止用金型を用い
ると図１７（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂１１注入
時には各々のキャビティ３の樹脂１１の充填差も少なく
なるが、樹脂１１の単位を比較した場合、複数のポット
２を有する金型用の樹脂１１は、単一ポット２を有する
金型用の樹脂１１に比べ１．２倍程度になる傾向にあっ
た。
【０００５】また、キャビティ３内に注入された樹脂１
１は、一定時間金型内で加圧保持された後、図１８
（ａ）に示すような形状のまま金型内から取り出され、
その後、図１８（ｂ）に示すように、パッケージ１３と
サブランナ４の境界部を支点に機械的に折り曲げパッケ
ージ１３とサブランナ４に分解していた。
１は、一定時間金型内で加圧保持された後、図１８
（ａ）に示すような形状のまま金型内から取り出され、
その後、図１８（ｂ）に示すように、パッケージ１３と
サブランナ４の境界部を支点に機械的に折り曲げパッケ
ージ１３とサブランナ４に分解していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の１つの
ポットからメインランナやサブランナを介して全キャビ
ティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
方法では、ポットに近いキャビティと遠いキャビティで
は樹脂の充填状態に差が生じる為、樹脂の効果性の問題
から樹脂封止用金型内にてキャビティの位置が異なるこ
とにより、樹脂封止された製品にボイドやワイヤ変形等
が発生することがあり、製品の品質上の問題点となって
いた。
ポットからメインランナやサブランナを介して全キャビ
ティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
方法では、ポットに近いキャビティと遠いキャビティで
は樹脂の充填状態に差が生じる為、樹脂の効果性の問題
から樹脂封止用金型内にてキャビティの位置が異なるこ
とにより、樹脂封止された製品にボイドやワイヤ変形等
が発生することがあり、製品の品質上の問題点となって
いた。
【０００７】また、樹脂の充填状態に差が生じることに
より、製品の品質上の問題点を解決するため、複数のポ
ットを有する金型を用いて樹脂封止することもできる
が、樹脂の単位が１つのポットのみ有する樹脂封止用金
型用の樹脂の単価に比べ１．２倍程度となる為製品の製
造単価が高くなり、低価格を要求される製品には複数ポ
ットを有する樹脂封止用金型を使用する樹脂封止型半導
体装置の封止方法は適用しにくいという問題点があっ
た。
より、製品の品質上の問題点を解決するため、複数のポ
ットを有する金型を用いて樹脂封止することもできる
が、樹脂の単位が１つのポットのみ有する樹脂封止用金
型用の樹脂の単価に比べ１．２倍程度となる為製品の製
造単価が高くなり、低価格を要求される製品には複数ポ
ットを有する樹脂封止用金型を使用する樹脂封止型半導
体装置の封止方法は適用しにくいという問題点があっ
た。
【０００８】また、パッケージとサブランナを分解する
際は、機械的に折り曲げ、パッケージとサブランナの境
界部にて分離しているが、近年、製品の品質を向上させ
る目的で、リードフレームとの密着性を向上させた樹脂
を使用するようになった為、図１８（ｂ）に示すよう
に、サブランナ４の一部がパッケージ１３側に残るとい
う不具合が発生することがあり、製品の外観上の問題点
となっていた。
際は、機械的に折り曲げ、パッケージとサブランナの境
界部にて分離しているが、近年、製品の品質を向上させ
る目的で、リードフレームとの密着性を向上させた樹脂
を使用するようになった為、図１８（ｂ）に示すよう
に、サブランナ４の一部がパッケージ１３側に残るとい
う不具合が発生することがあり、製品の外観上の問題点
となっていた。
【０００９】本発明の目的は、製品の品質上の問題がな
く、低価格で外観上の不具合のない樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止方法を提供することにある。
く、低価格で外観上の不具合のない樹脂封止型半導体装
置の樹脂封止方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂封止用金
型の樹脂投入部のポットからメインランナとサブランナ
を介してキャビティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体
装置の樹脂封止方法において、前記サブランナの途中に
シャッターピンを設け、該シャッターピンを前記樹脂の
流動状態に応じて開閉し前記キャビティに流入する前記
樹脂の流れを制御する工程を含む。
型の樹脂投入部のポットからメインランナとサブランナ
を介してキャビティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体
装置の樹脂封止方法において、前記サブランナの途中に
シャッターピンを設け、該シャッターピンを前記樹脂の
流動状態に応じて開閉し前記キャビティに流入する前記
樹脂の流れを制御する工程を含む。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例に使用する下金型の平面図及びワイヤボンディング済
のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前
の状態を示すＡ−Ａ′線断面図、図２（ａ），（ｂ）〜
図５（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する
工程順に示した下金型の平面図及びそれぞれに対応する
ワイヤボンディング済のリードフレームを上下金型にて
型締めした状態のＡ−Ａ′線断面図である。
例に使用する下金型の平面図及びワイヤボンディング済
のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前
の状態を示すＡ−Ａ′線断面図、図２（ａ），（ｂ）〜
図５（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する
工程順に示した下金型の平面図及びそれぞれに対応する
ワイヤボンディング済のリードフレームを上下金型にて
型締めした状態のＡ−Ａ′線断面図である。
【００１３】第１の実施例に使用する樹脂封止用金型
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、サブランナ４に
設けた第１シャッターピン６がサブランナ４の流路を遮
蔽するよう突出になっている。
は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、サブランナ４に
設けた第１シャッターピン６がサブランナ４の流路を遮
蔽するよう突出になっている。
【００１４】第１の実施例は、まず、図２（ａ），
（ｂ）に示すように、樹脂１１がポット２からメインラ
ンナ５に注入され始めると、サブランナ４の流路は第１
シャッターピン６にて遮蔽されている為、樹脂１１はメ
インランナ５のみに注入される。
（ｂ）に示すように、樹脂１１がポット２からメインラ
ンナ５に注入され始めると、サブランナ４の流路は第１
シャッターピン６にて遮蔽されている為、樹脂１１はメ
インランナ５のみに注入される。
【００１５】次に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
ポット２から最も遠いサブランナ４とメインランナ５の
接合部が樹脂１１で満たされた時点でシャッターピン６
を下げサブランナ４の流路を開放してやることにより、
各サブランナ４はほぼ同時に樹脂１１が注入されるよう
になる。
ポット２から最も遠いサブランナ４とメインランナ５の
接合部が樹脂１１で満たされた時点でシャッターピン６
を下げサブランナ４の流路を開放してやることにより、
各サブランナ４はほぼ同時に樹脂１１が注入されるよう
になる。
【００１６】次に、図４（ａ），（ｂ）示すように、各
キャビティ３への樹脂１１の注入も各シャビティ３の樹
脂封止用金型内での位置を違いによる樹脂１１の充填差
が生じることなくほぼ同時に行われる。
キャビティ３への樹脂１１の注入も各シャビティ３の樹
脂封止用金型内での位置を違いによる樹脂１１の充填差
が生じることなくほぼ同時に行われる。
【００１７】このようにして、図５（ａ），（ｂ）に示
すように、各キャビティ３にボイドよワイヤの変形の発
生なしに樹脂１１を充填できる。
すように、各キャビティ３にボイドよワイヤの変形の発
生なしに樹脂１１を充填できる。
【００１８】図６（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例に使用する下金型の平面図及びワイヤボンディグ済の
リードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前の
状態を示すＢ−Ｂ′線断面図、図７（ａ），（ｂ）〜図
１０（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明する
工程順に示した下金型の平面図及びそれぞれに対応する
ワイヤボンディング済みのリードフレームを上下金型に
て型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面図、図１１（ａ），
（ｂ）は第２の実施例による樹脂封止用金型より取り出
したパッケージとサブランナの断面図及びパッケージと
サブランナを分離した状態の断面図である。
例に使用する下金型の平面図及びワイヤボンディグ済の
リードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前の
状態を示すＢ−Ｂ′線断面図、図７（ａ），（ｂ）〜図
１０（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明する
工程順に示した下金型の平面図及びそれぞれに対応する
ワイヤボンディング済みのリードフレームを上下金型に
て型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面図、図１１（ａ），
（ｂ）は第２の実施例による樹脂封止用金型より取り出
したパッケージとサブランナの断面図及びパッケージと
サブランナを分離した状態の断面図である。
【００１９】第２の実施例に使用する樹脂封止用金型
は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、各サブランナ４
にそれぞれ２本ずつシャッターピンを設けており、第１
シャッターピン６はメインランナ側に、第２シャッター
ピン１２はサブランナ４とキャビティ３の境界部に設置
してあり、それぞれ単独に動作させることができる。
は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、各サブランナ４
にそれぞれ２本ずつシャッターピンを設けており、第１
シャッターピン６はメインランナ側に、第２シャッター
ピン１２はサブランナ４とキャビティ３の境界部に設置
してあり、それぞれ単独に動作させることができる。
【００２０】リードフレーム８を型締めした樹脂注入前
の状態では、第１シャッターピン６と第２シャッターピ
ン１２はサブランナ４の流路を遮蔽するよう突き出した
状態になっている。
の状態では、第１シャッターピン６と第２シャッターピ
ン１２はサブランナ４の流路を遮蔽するよう突き出した
状態になっている。
【００２１】第２の実施例は、まず、図７（ａ），
（ｂ）に示すように、樹脂１１がポット２からメインラ
ンナ５に注入され始めると、サブランナ４の流路は第１
シャッターピン６にて遮蔽されている為、樹脂１１はメ
インランナ５のみ注入される。
（ｂ）に示すように、樹脂１１がポット２からメインラ
ンナ５に注入され始めると、サブランナ４の流路は第１
シャッターピン６にて遮蔽されている為、樹脂１１はメ
インランナ５のみ注入される。
【００２２】次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、
ポット２から最も遠いサブランナ４とメインランナ５の
接合部が樹脂１１で満された時点で、第１，第２シャッ
ターピン６，１２を同時に下げサブランナ４の流路を開
放してやることにより、各サブランナ４はほぼ同時に樹
脂１１が注入されるようになる。
ポット２から最も遠いサブランナ４とメインランナ５の
接合部が樹脂１１で満された時点で、第１，第２シャッ
ターピン６，１２を同時に下げサブランナ４の流路を開
放してやることにより、各サブランナ４はほぼ同時に樹
脂１１が注入されるようになる。
【００２３】次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、
各キャビティ３への樹脂１１の注入も各キャビティ３の
樹脂封止用金型内での位置の違いによる樹脂１１の充填
差が生じることなく、ほぼ同時に行われる。
各キャビティ３への樹脂１１の注入も各キャビティ３の
樹脂封止用金型内での位置の違いによる樹脂１１の充填
差が生じることなく、ほぼ同時に行われる。
【００２４】さらに、第２の実施例の場合は、図１０
（ａ），（ｂ）に示すように、キャビティ３へ樹脂１１
を注入し射出圧力が完全に設定圧に達した瞬間から、樹
脂１１がまだ充分に溶融している時間内に第２シャッタ
ーピン１２を再度突出しせることにより、パッケージと
サブランナ４を樹脂封止用金型内で分離することができ
る。
（ａ），（ｂ）に示すように、キャビティ３へ樹脂１１
を注入し射出圧力が完全に設定圧に達した瞬間から、樹
脂１１がまだ充分に溶融している時間内に第２シャッタ
ーピン１２を再度突出しせることにより、パッケージと
サブランナ４を樹脂封止用金型内で分離することができ
る。
【００２５】次に、図１１（ａ）に示すように、樹脂１
１の硬化を待て、パッケージ１３を樹脂封止用金型内か
ら取り出す。樹脂封止用金型内から取り出された製品
は、図１１（ｂ）に示すように、予めサブランナ４とパ
ッケージ１３の接合部の樹脂１１が樹脂封止用金型内で
遮断されている為、サブランナ４の樹脂１１の一部がパ
ッケージ１３側に残ることなく容易に、サブランナ４と
パッケージ１３を分離することができる。
１の硬化を待て、パッケージ１３を樹脂封止用金型内か
ら取り出す。樹脂封止用金型内から取り出された製品
は、図１１（ｂ）に示すように、予めサブランナ４とパ
ッケージ１３の接合部の樹脂１１が樹脂封止用金型内で
遮断されている為、サブランナ４の樹脂１１の一部がパ
ッケージ１３側に残ることなく容易に、サブランナ４と
パッケージ１３を分離することができる。
【００２６】実際に、サブランナとパッケージの境界部
にシャッターピンを設けた簡易金型にて１２０ピンのＱ
ＦＰにてサブランナの残り発生数を調査したところ表１
に示すような結果となり、従来金型に比べ第２の実施例
の樹脂封止用金型はサブランナ残り１６は全く発生しな
いことがわかった。
にシャッターピンを設けた簡易金型にて１２０ピンのＱ
ＦＰにてサブランナの残り発生数を調査したところ表１
に示すような結果となり、従来金型に比べ第２の実施例
の樹脂封止用金型はサブランナ残り１６は全く発生しな
いことがわかった。
【００２７】
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は１つのポ
ットからメインランナやサブランナを介して多様のキャ
ビティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止方法において、サブランナの途中に設けたシャッター
ピンを樹脂注入初期ではサブランナの流路を遮蔽するよ
う突出させ、その後、シャッターピンを下げることによ
り各キャビティ間の樹脂の充填差を少なくすることがで
きる為、各キャビティの樹脂封止用金型内の位置による
ボイドやワイヤ変形等の製品の品質差は少なくなり、樹
脂封止における製品の品質を向上させることができる。
ットからメインランナやサブランナを介して多様のキャ
ビティに樹脂を注入する樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止方法において、サブランナの途中に設けたシャッター
ピンを樹脂注入初期ではサブランナの流路を遮蔽するよ
う突出させ、その後、シャッターピンを下げることによ
り各キャビティ間の樹脂の充填差を少なくすることがで
きる為、各キャビティの樹脂封止用金型内の位置による
ボイドやワイヤ変形等の製品の品質差は少なくなり、樹
脂封止における製品の品質を向上させることができる。
【００２９】この為、樹脂の単価が１つのポットのみ有
する樹脂封止用金型用の樹脂より、１．２倍程度も高く
なる複数のポットを有する樹脂封止用金型を用いなくて
も高品質な樹脂封止が可能である為、製造価格を安く
し、かつ、高品質な樹脂封止が可能となる効果がある。
する樹脂封止用金型用の樹脂より、１．２倍程度も高く
なる複数のポットを有する樹脂封止用金型を用いなくて
も高品質な樹脂封止が可能である為、製造価格を安く
し、かつ、高品質な樹脂封止が可能となる効果がある。
【００３０】また、第２の実施例のように、サブランナ
とパッケージの境界部にシャッターピンを設けることに
より、樹脂封止用金型内のサブランナとパッケージの境
界部で樹脂を遮断できるので、サブランナとパッケージ
を分離する際にサブランナの樹脂の一部がパッケージに
残ることなく容易に分離することができる効果がある。
とパッケージの境界部にシャッターピンを設けることに
より、樹脂封止用金型内のサブランナとパッケージの境
界部で樹脂を遮断できるので、サブランナとパッケージ
を分離する際にサブランナの樹脂の一部がパッケージに
残ることなく容易に分離することができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例に使用する下金型の平面
図及びワイヤボンディング済のリードフレームを上下金
型にて型締めした樹脂注入前の状態を示すＡ−Ａ′線断
面図である。
図及びワイヤボンディング済のリードフレームを上下金
型にて型締めした樹脂注入前の状態を示すＡ−Ａ′線断
面図である。
【図２】本発明の第１の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
【図３】本発明の第１の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
【図４】本発明の第１の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態をＡ−Ａ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態をＡ−Ａ′線断面
図である。
【図５】本発明の第１の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＡ−Ａ′線断面
図である。
【図６】本発明の第２の実施例に使用する下金型の平面
図及びワイヤボンディング済のリードフレームを上下金
型にて型締めした樹脂注入前な状態を示すＢ−Ｂ′線断
面図である。
図及びワイヤボンディング済のリードフレームを上下金
型にて型締めした樹脂注入前な状態を示すＢ−Ｂ′線断
面図である。
【図７】本発明の第２の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
【図８】本発明の第２の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
【図９】本発明の第２の実施例を説明する工程順に示し
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
た下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリードフ
レームを上下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線断面
図である。
【図１０】本発明の第２の実施例を説明する工程順に示
した下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリード
フレームを上下下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線
断面図である。
した下金型の平面図及びワイヤボンディング済のリード
フレームを上下下金型にて型締めした状態のＢ−Ｂ′線
断面図である。
【図１１】第２の実施例による樹脂封止用金型より取出
したパッケージとサブランナの断面図及びパッケージと
サブランナを分離した状態の断面図である。
したパッケージとサブランナの断面図及びパッケージと
サブランナを分離した状態の断面図である。
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止に使
用する下金型の一例の平面図及びワイヤボンディング済
のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前
の状態を示すＣ−Ｃ′線断面図である。
用する下金型の一例の平面図及びワイヤボンディング済
のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入前
の状態を示すＣ−Ｃ′線断面図である。
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法
の一例を説明する工程順に示した平面図及びワイヤボン
ディング済のリードフレームを上下下金型にて型締めし
た状態のＣ−Ｃ′線断面図である。
の一例を説明する工程順に示した平面図及びワイヤボン
ディング済のリードフレームを上下下金型にて型締めし
た状態のＣ−Ｃ′線断面図である。
【図１４】ワイヤボンディング済のリードフレームを上
下下金型にて型締めした状態の図１３に示すＤ−Ｄ′線
断面図である。
下下金型にて型締めした状態の図１３に示すＤ−Ｄ′線
断面図である。
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法
の一例を説明する工程順に示した平面図及びワイヤボン
ディング済のリードフレームを上下下金型にて型締めし
たＤ−Ｄ′線断面図である。
の一例を説明する工程順に示した平面図及びワイヤボン
ディング済のリードフレームを上下下金型にて型締めし
たＤ−Ｄ′線断面図である。
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止に使
用する下金型の他の例の平面図及びワイヤボンディング
済のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入
前を状態を示すＥ−Ｅ′線断面図である。
用する下金型の他の例の平面図及びワイヤボンディング
済のリードフレームを上下金型にて型締めした樹脂注入
前を状態を示すＥ−Ｅ′線断面図である。
【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法
の他の例を説明する平面図及びワイヤボンディンゲ済の
リードフレームを上下金型にて型締めした状態のＥ−
Ｅ′線断面図である。
の他の例を説明する平面図及びワイヤボンディンゲ済の
リードフレームを上下金型にて型締めした状態のＥ−
Ｅ′線断面図である。
【図１８】図１５の樹脂封止用金型より取り出したパッ
ケージとサブランナの断面図及びパッケージとサブラン
ナを分離した状態の断面図である。
ケージとサブランナの断面図及びパッケージとサブラン
ナを分離した状態の断面図である。
１ 下金型 ２ ポット ３ キャビティ ４ サブランナ ５ メインランナ ６ 第１シャッターピン ７ 上金型 ８ リードフレーム ９ ワイヤ １０ 素子 １１ 樹脂 １２ 第２シャッターピン １３ パッケージ １４ カル １５ プランジャ １６ サブランナ残り
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止用金型の樹脂投入部のポットか
らメインランナとサブランナを介してキャビティに樹脂
を注入する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法におい
て、前記サブランナの途中にシャッターピンを設け、該
シャッターピンを前記樹脂の流動状態に応じて開閉し前
記キャビティに流入する前記樹脂の流れを制御する工程
を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16235192A JPH065644A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16235192A JPH065644A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065644A true JPH065644A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15752917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16235192A Withdrawn JPH065644A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776599B2 (en) * | 2000-04-19 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for gate blocking X-outs during a molding process |
| US11114322B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-09-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and transfer molding apparatus |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16235192A patent/JPH065644A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776599B2 (en) * | 2000-04-19 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for gate blocking X-outs during a molding process |
| US11114322B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-09-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and transfer molding apparatus |
| US11605548B2 (en) | 2016-03-16 | 2023-03-14 | Kioxia Corporation | Transfer molding method with sensor and shut-off pin |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JP3456983B2 (ja) | リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH06124971A (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPS58155727A (ja) | 半導体装置の樹脂封止金型 | |
| KR20040087924A (ko) | 반도체 장치를 수지 밀봉하는 방법, 수지-밀봉형 반도체장치 및 반도체 장치를 수지 밀봉하기 위한 성형 다이 | |
| JPH065644A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 | |
| KR102407742B1 (ko) | 수지 성형된 리드 프레임의 제조 방법, 수지 성형품의 제조 방법 및 리드 프레임 | |
| JP2598988B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2778332B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2580973B2 (ja) | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 | |
| JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPH07221244A (ja) | リードフレーム | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JPH06302745A (ja) | 半導体チップの樹脂封止構造 | |
| JPH0697217A (ja) | ガイドリング付半導体パッケージ成形用金型及び方法 | |
| JPH06260518A (ja) | 半導体チップの樹脂封止方法及びトランスファーモールド用金型 | |
| JPH08306719A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法 | |
| JP2757706B2 (ja) | 半導体装置用樹脂封入金型 | |
| JP3077632B2 (ja) | 樹脂封止金型とその金型によるマトリクス型リードフレームの樹脂封止方法 | |
| JP2587539B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止用金型 | |
| JP2560975B2 (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JPH09181105A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| JPH08330343A (ja) | 電子部品の樹脂封止装置およびこれを用いた樹脂封止方法 | |
| JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
| JP2001079881A (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |